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特許7141260化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、めっき造形物の製造方法及び含窒素芳香族複素環化合物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-13
(45)【発行日】2022-09-22
(54)【発明の名称】化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、めっき造形物の製造方法及び含窒素芳香族複素環化合物
(51)【国際特許分類】
G03F 7/004 20060101AFI20220914BHJP
G03F 7/039 20060101ALI20220914BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20220914BHJP
【ＦＩ】
G03F7/004 501
G03F7/004 512
G03F7/039 601
G03F7/20 521
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2018122522
(22)【出願日】2018-06-27
(65)【公開番号】P2020003623
(43)【公開日】2020-01-09
【審査請求日】2021-03-11
(73)【特許権者】
【識別番号】000220239
【氏名又は名称】東京応化工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106002
【弁理士】
【氏名又は名称】正林 真之
(72)【発明者】
【氏名】海老澤 和明
【審査官】川口 真隆
(56)【参考文献】
【文献】特表２００２－５１３３７７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ ７／００４
Ｇ０３Ｆ ７／０３９
Ｇ０３Ｆ ７／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）とを含有し、前記含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）が、下記式（ｃ２）：
【化1】
Ｒ １１ は、炭素原子数６以上１０以下のアリーレン基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキレン基、又は、炭素原子数６以上１０以下のアリーレン基と炭素原子数１以上１０以下のアルキレン基を組み合わせた２価の基であり、
Ｒ １２ ～Ｒ １５ は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素基である。）
で表される化合物、又は下記式（ｃ３）：
【化2】
Ａ １１ は、単結合、又は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、及び－ＮＨＣＯＮＨ－からなる群より選択される２価の基であり、
Ｒ １６ は、芳香族炭化水素基である。）
で表される化合物であり、
前記含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の溶解度Ｓの常用対数値ＬｏｇＳが－６．００以下であり、
前記ＬｏｇＳはWindows（登録商標）版chemdraw（登録商標） prime（16.0）で算出される値である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項2】
前記化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜に対して、１３０℃で５分間加熱した後、２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を間隔をあけて２回行ったのちに純水でリンスを行ったときの膜減り速度が、０．１μｍ／ｍｉｎ以上０．５μｍ／ｍｉｎ以下である、請求項１に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項3】
さらに、アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）を含有する、請求項１又は２に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項4】
前記アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）が、ノボラック樹脂（Ｄ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）、及びアクリル樹脂（Ｄ３）からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂を含む、請求項３に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項5】
さらに、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む、含硫黄化合物（Ｅ）を含有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項6】
基材フィルムと、前記基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、前記感光性樹脂層が請求項１～５のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルム。
【請求項7】
基材フィルム上に、請求項１～５のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することを含む、感光性ドライフィルムの製造方法。
【請求項8】
金属表面を有する基板上に、請求項１～５のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、前記感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法。
【請求項9】
金属表面を有する基板上に、請求項１～５のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、前記感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法。
【請求項10】
請求項９に記載の方法により製造される前記鋳型付き基板にめっきを施して、前記鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に好ましく配合し得る含窒素芳香族複素環化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
現在、ホトファブリケーションが精密微細加工技術の主流となっている。ホトファブリケーションとは、ホトレジスト組成物を被加工物表面に塗布してホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフィー技術によってホトレジスト層をパターニングし、パターニングされたホトレジスト層（ホトレジストパターン）をマスクとして化学エッチング、電解エッチング、又は電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング等を行って、半導体パッケージ等の各種精密部品を製造する技術の総称である。
【0003】
また、近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、半導体パッケージの高密度実装技術が進み、パッケージの多ピン薄膜実装化、パッケージサイズの小型化、フリップチップ方式による２次元実装技術、３次元実装技術に基づいた実装密度の向上が図られている。このような高密度実装技術においては、接続端子として、例えば、パッケージ上に突出したバンプ等の突起電極（実装端子）や、ウェーハ上のペリフェラル端子から延びる再配線と実装端子とを接続するメタルポスト等が基板上に高精度に配置される。
【0004】
上記のようなホトファブリケーションにはホトレジスト組成物が使用されるが、そのようなホトレジスト組成物としては、酸発生剤を含む化学増幅型ホトレジスト組成物が知られている（特許文献１、２等を参照）。化学増幅型ホトレジスト組成物は、放射線照射（露光）により酸発生剤から酸が発生し、加熱処理により酸の拡散が促進されて、組成物中のベース樹脂等に対し酸触媒反応を起こし、そのアルカリ溶解性が変化するというものである。
【0005】
このような化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、例えばめっき工程によるバンプ、メタルポスト、及びＣｕ再配線のようなめっき造形物の形成等に用いられている。具体的には、化学増幅型ホトレジスト組成物を用いて、金属基板のような支持体上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像して、めっき造形物を形成する部分が選択的に除去（剥離）された鋳型として使用されるホトレジストパターンを形成する。そして、この除去された部分（非レジスト部）に銅等の導体をめっきによって埋め込んだ後、その周囲のホトレジストパターンを除去することにより、バンプ、メタルポスト、及びＣｕ再配線を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開平９－１７６１１２号公報
【文献】特開平１１－５２５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
一般的に、レジストパターンを形成する場合には、その断面形状が矩形であることが望まれることが多い。特に、上記のめっき工程によるバンプやメタルポスト等の接続端子の形成や、Ｃｕ再配線の形成においては、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部について、その断面形状が矩形であることが強く望まれる。
めっき造形物の形成プロセスにおいては、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部の断面形状が矩形であることにより、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Ｃｕ再配線の底面と、支持体との接触面積を十分に確保できる。そうすると、支持体との密着性が良好である接続端子やＣｕ再配線を形成しやすい。また、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部の断面形状が矩形であると、先端部が細すぎずまた太すぎない適切な径又は幅を有する接続端子やＣｕ再配線を形成できる。
めっき造形物の形成プロセスにおいては、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部の断面形状が矩形であることにより、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Ｃｕ再配線の底面と、支持体との接触面積を十分に確保できる。そうすると、支持体との密着性が良好である接続端子やＣｕ再配線を形成しやすい。また、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部の断面形状が矩形であると、先端部が細すぎずまた太すぎない適切な径又は幅を有する接続端子やＣｕ再配線を形成できる。
【0008】
しかし、特許文献１、２等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する場合、断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しにくいことがしばしばある。
このように、特許文献１、２等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いる場合、望ましい断面形状を有するレジストパターンを形成することが困難である。
このように、特許文献１、２等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いる場合、望ましい断面形状を有するレジストパターンを形成することが困難である。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に好ましく配合し得る含窒素芳香族複素環化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、を含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に、特定の構造を有しＬｏｇＳ値が－６．００以下である含窒素芳香族複素環化合物である含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含有させることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【0011】
本発明の第１の態様は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）とを含有し、
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）が、下記式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）：
（式（ｃ－ａ）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ１は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよい。
式（ｃ－ｂ）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ２は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、Ｒｃ０は、水素原子、又は有機基であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよい。）
で表される化合物であり、
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の溶解度Ｓの常用対数値ＬｏｇＳが－６．００以下である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物である。
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）が、下記式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）：
【化1】
式（ｃ－ｂ）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ２は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、Ｒｃ０は、水素原子、又は有機基であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよい。）
で表される化合物であり、
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の溶解度Ｓの常用対数値ＬｏｇＳが－６．００以下である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物である。
【0012】
本発明の第２の態様は基材フィルムと、基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が第１の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルムである。
【0013】
本発明の第３の態様は、基材フィルム上に、第１の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することを含む、感光性ドライフィルムの製造方法である。
【0014】
本発明の第４の態様は、
金属表面を有する基板上に、第１の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法。である。
金属表面を有する基板上に、第１の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法。である。
【0015】
本発明の第５の態様は、
金属表面を有する基板上に、第１の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法である。
金属表面を有する基板上に、第１の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法である。
【0016】
本発明の第６の態様は、第５の態様にかかる方法により製造される鋳型付き基板にめっきを施して、鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法である。
【0017】
本発明の第７の態様は下記式（ｃ２）：
（式（ｃ２）中、Ａ１１及びＡ１２は、それぞれ独立に、単結合、又は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＮＨＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、及び－ＳＯ２－からなる群より選択される２価の基であり、Ｒ１１は、２価の有機基であり、Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立に、炭化水素基である。）
で表される、含窒素芳香族複素環化合物である。
【化2】
で表される、含窒素芳香族複素環化合物である。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルムと、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に好ましく配合し得る含窒素芳香族複素環化合物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0019】
≪化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物≫
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物（以下、感光性樹脂組成物とも記す。）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）（以下酸発生剤（Ａ）とも記す。）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）（以下樹脂（Ｂ）とも記す。）と、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）と、を含有する。感光性樹脂組成物は、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）、含硫黄化合物（Ｅ）、酸拡散抑制剤（Ｆ）、及び有機溶剤（Ｓ）等の成分を含んでいてもよい。
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物（以下、感光性樹脂組成物とも記す。）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）（以下酸発生剤（Ａ）とも記す。）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）（以下樹脂（Ｂ）とも記す。）と、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）と、を含有する。感光性樹脂組成物は、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）、含硫黄化合物（Ｅ）、酸拡散抑制剤（Ｆ）、及び有機溶剤（Ｓ）等の成分を含んでいてもよい。
【0020】
感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンの膜厚は特に限定されない。感光性樹脂組成物は厚膜のレジストパターンの形成に好ましく使用される。感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンの膜厚は、具体的には、０．５μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上３００μｍ以下がより好ましく、０．５μｍ以上１５０μｍ以下がさらにより好ましく、０．５μｍ以上２００μｍ以下が特に好ましい。
膜厚の上限値は、例えば、１００μｍ以下であってもよい。膜厚の下限値は、例えば、１μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよい。
膜厚の上限値は、例えば、１００μｍ以下であってもよい。膜厚の下限値は、例えば、１μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよい。
【0021】
以下、感光性樹脂組成物が含む、必須又は任意の成分と、感光性樹脂組成物の製造方法とについて説明する。
【0022】
＜酸発生剤（Ａ）＞
酸発生剤（Ａ）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物であれば特に限定されない。酸発生剤（Ａ）としては、以下に説明する、第一～第五の態様の酸発生剤が好ましい。以下、感光性樹脂組成物において好適に使用される酸発生剤（Ａ）のうち好適なものについて、第一から第五の態様として説明する。
酸発生剤（Ａ）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物であれば特に限定されない。酸発生剤（Ａ）としては、以下に説明する、第一～第五の態様の酸発生剤が好ましい。以下、感光性樹脂組成物において好適に使用される酸発生剤（Ａ）のうち好適なものについて、第一から第五の態様として説明する。
【0023】
酸発生剤（Ａ）における第一の態様としては、下記式（ａ１）で表される化合物が挙げられる。
【0024】
【化3】
【0025】
上記式（ａ１）中、Ｘ１ａは、原子価ｇの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、ｇは１又は２である。ｈは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。Ｒ１ａは、Ｘ１ａに結合している有機基であり、炭素原子数６以上３０以下のアリール基、炭素原子数４以上３０以下の複素環基、炭素原子数１以上３０以下のアルキル基、炭素原子数２以上３０以下のアルケニル基、又は炭素原子数２以上３０以下のアルキニル基を表し、Ｒ１ａは、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｒ１ａの個数はｇ＋ｈ（ｇ－１）＋１であり、Ｒ１ａはそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、２個以上のＲ１ａが互いに直接、又は－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、－ＮＨ－、－ＮＲ２ａ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、炭素原子数１以上３以下のアルキレン基、若しくはフェニレン基を介して結合し、Ｘ１ａを含む環構造を形成してもよい。Ｒ２ａは炭素原子数１以下５以上のアルキル基又は炭素原子数６以下１０以上のアリール基である。
【0026】
Ｘ２ａは下記式（ａ２）で表される構造である。
【0027】
【化4】
【0028】
上記式（ａ２）中、Ｘ４ａは炭素原子数１以上８以下のアルキレン基、炭素原子数６以上２０以下のアリーレン基、又は炭素原子数８以上２０以下の複素環化合物の２価の基を表し、Ｘ４ａは炭素原子数１以上８以下のアルキル、炭素原子数１以上８以下のアルコキシ、炭素原子数６以上１０以下のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｘ５ａは－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、－ＮＨ－、－ＮＲ２ａ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、炭素原子数１以上３以下のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。ｈは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。ｈ＋１個のＸ４ａ及びｈ個のＸ５ａはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ２ａは前述の定義と同じである。
【0029】
Ｘ３ａ－はオニウムの対イオンであり、下記式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオン又は下記式（ａ１８）で表されるボレートアニオンが挙げられる。
【0030】
【化5】
【0031】
上記式（ａ１７）中、Ｒ３ａは水素原子の８０％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｊはその個数を示し、１以上５以下の整数である。ｊ個のＲ３ａはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【0032】
【化6】
【0033】
上記式（ａ１８）中、Ｒ４ａ～Ｒ７ａは、それぞれ独立にフッ素原子又はフェニル基を表し、該フェニル基の水素原子の一部又は全部は、フッ素原子及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。
【0034】
上記式（ａ１）で表される化合物中のオニウムイオンとしては、トリフェニルスルホニウム、トリ－ｐ－トリルスルホニウム、４－（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ビス［４－（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド、ビス〔４－｛ビス［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ｝フェニル〕スルフィド、ビス｛４－［ビス（４－フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド、４－（４－ベンゾイル－２－クロロフェニルチオ）フェニルビス（４－フルオロフェニル）スルホニウム、７－イソプロピル－９－オキソ－１０－チア－９，１０－ジヒドロアントラセン－２－イルジ－ｐ－トリルスルホニウム、７－イソプロピル－９－オキソ－１０－チア－９，１０－ジヒドロアントラセン－２－イルジフェニルスルホニウム、２－［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントン、４－［４－（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ－ｐ－トリルスルホニウム、４－（４－ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、４－ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、２－ナフチルメチル（１－エトキシカルボニル）エチルスルホニウム、４－ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、フェニル［４－（４－ビフェニルチオ）フェニル］４－ビフェニルスルホニウム、フェニル［４－（４－ビフェニルチオ）フェニル］３－ビフェニルスルホニウム、［４－（４－アセトフェニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ－ｐ－トリルヨードニウム、ビス（４－ドデシルフェニル）ヨードニウム、ビス（４－メトキシフェニル）ヨードニウム、（４－オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム、ビス（４－デシルオキシ）フェニルヨードニウム、４－（２－ヒドロキシテトラデシルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム、４－イソプロピルフェニル（ｐ－トリル）ヨードニウム、又は４－イソブチルフェニル（ｐ－トリル）ヨードニウム、等が挙げられる。
【0035】
上記式（ａ１）で表される化合物中のオニウムイオンのうち、好ましいオニウムイオンとしては下記式（ａ１９）で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。
【0036】
【化7】
【0037】
上記式（ａ１９）中、Ｒ８ａはそれぞれ独立に水素原子、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルオキシカルボニル、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアリール、アリールカルボニル、からなる群より選ばれる基を表す。Ｘ２ａは、上記式（ａ１）中のＸ２ａと同じ意味を表す。
【0038】
上記式（ａ１９）で表されるスルホニウムイオンの具体例としては、４－（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、４－（４－ベンゾイル－２－クロロフェニルチオ）フェニルビス（４－フルオロフェニル）スルホニウム、４－（４－ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、フェニル［４－（４－ビフェニルチオ）フェニル］４－ビフェニルスルホニウム、フェニル［４－（４－ビフェニルチオ）フェニル］３－ビフェニルスルホニウム、［４－（４－アセトフェニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウム、ジフェニル［４－（ｐ－ターフェニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウムが挙げられる。
【0039】
上記式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、Ｒ３ａはフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素原子数は１以上８以下、さらに好ましい炭素原子数は１以上４以下である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基；イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチル等の分岐アルキル基；さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、８０％以上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは１００％である。フッ素原子の置換率が８０％未満である場合には、上記式（ａ１）で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。
【0040】
特に好ましいＲ３ａは、炭素原子数が１以上４以下、且つフッ素原子の置換率が１００％の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、ＣＦ３、ＣＦ３ＣＦ２、（ＣＦ３）２ＣＦ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ２（ＣＦ３）ＣＦ、（ＣＦ３）３Ｃが挙げられる。Ｒ３ａの個数ｊは、１以上５以下の整数であり、好ましくは２以上４以下、特に好ましくは２又は３である。
【0041】
好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、［（ＣＦ３ＣＦ２）２ＰＦ４］－、［（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３］－、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４］－、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３］－、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４］－、又は［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］－が挙げられ、これらのうち、［（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３］－、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４］－、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３］－、又は［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４］－が特に好ましい。
【0042】
上記式（ａ１８）で表されるボレートアニオンの好ましい具体例としては、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］－）、テトラキス［（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）４］－）、ジフルオロビス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ６Ｆ５）２ＢＦ２］－）、トリフルオロ（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ６Ｆ５）ＢＦ３］－）、テトラキス（ジフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｈ３Ｆ２）４］－）等が挙げられる。これらの中でも、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］－）が特に好ましい。
【0043】
酸発生剤（Ａ）における第二の態様としては、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－ピペロニル－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（２－フリル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（５－メチル－２－フリル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（５－エチル－２－フリル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（５－プロピル－２－フリル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（３，５－ジメトキシフェニル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（３，５－ジエトキシフェニル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（３，５－ジプロポキシフェニル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（３－メトキシ－５－エトキシフェニル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（３－メトキシ－５－プロポキシフェニル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（３，４－メチレンジオキシフェニル）エテニル］－ｓ－トリアジン、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－（３，４－メチレンジオキシフェニル）－ｓ－トリアジン、２，４－ビス－トリクロロメチル－６－（３－ブロモ－４－メトキシ）フェニル－ｓ－トリアジン、２，４－ビス－トリクロロメチル－６－（２－ブロモ－４－メトキシ）フェニル－ｓ－トリアジン、２，４－ビス－トリクロロメチル－６－（２－ブロモ－４－メトキシ）スチリルフェニル－ｓ－トリアジン、２，４－ビス－トリクロロメチル－６－（３－ブロモ－４－メトキシ）スチリルフェニル－ｓ－トリアジン、２－（４－メトキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－（４－メトキシナフチル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－［２－（２－フリル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－［２－（５－メチル－２－フリル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－［２－（３，５－ジメトキシフェニル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－［２－（３，４－ジメトキシフェニル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－（３，４－メチレンジオキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、トリス（１，３－ジブロモプロピル）－１，３，５－トリアジン、トリス（２，３－ジブロモプロピル）－１，３，５－トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、並びにトリス（２，３－ジブロモプロピル）イソシアヌレート等の下記式（ａ３）で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。
【0044】
【化8】
【0045】
上記式（ａ３）中、Ｒ９ａ、Ｒ１０ａ、Ｒ１１ａは、それぞれ独立にハロゲン化アルキル基を表す。
【0046】
また、酸発生剤（Ａ）における第三の態様としては、α－（ｐ－トルエンスルホニルオキシイミノ）－フェニルアセトニトリル、α－（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）－２，４－ジクロロフェニルアセトニトリル、α－（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）－２，６－ジクロロフェニルアセトニトリル、α－（２－クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシフェニルアセトニトリル、α－（エチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、並びにオキシムスルホネート基を含有する下記式（ａ４）で表される化合物が挙げられる。
【0047】
【化9】
【0048】
上記式（ａ４）中、Ｒ１２ａは、１価、２価、又は３価の有機基を表し、Ｒ１３ａは、置換若しくは未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族基を表し、ｎは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。
【0049】
上記式（ａ４）中、芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等のアリール基や、フリル基、チエニル基等のヘテロアリール基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を１個以上有していてもよい。また、Ｒ１３ａは、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。特に、Ｒ１２ａが芳香族基であり、Ｒ１３ａが炭素原子数１以上４以下のアルキル基である化合物が好ましい。
【0050】
上記式（ａ４）で表される酸発生剤としては、ｎ＝１のとき、Ｒ１２ａがフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、Ｒ１３ａがメチル基の化合物、具体的にはα－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－フェニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－（ｐ－メチルフェニル）アセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－（ｐ－メトキシフェニル）アセトニトリル、〔２－（プロピルスルホニルオキシイミノ）－２，３－ジヒドロキシチオフェン－３－イリデン〕（ｏ－トリル）アセトニトリル等が挙げられる。ｎ＝２のとき、上記式（ａ４）で表される酸発生剤としては、具体的には下記式で表される酸発生剤が挙げられる。
【0051】
【化10】
【0052】
また、酸発生剤（Ａ）における第四の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩が挙げられる。この「ナフタレン環を有する」とは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも２つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素原子数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基、水酸基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基等の置換基を有していてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、１価基（遊離原子価が１つ）であっても、２価基（遊離原子価が２つ）以上であってもよいが、１価基であることが望ましい（ただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする）。ナフタレン環の数は１以上３以下が好ましい。
【0053】
このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記式（ａ５）で表される構造が好ましい。
【0054】
【化11】
【0055】
上記式（ａ５）中、Ｒ１４ａ、Ｒ１５ａ、Ｒ１６ａのうち少なくとも１つは下記式（ａ６）で表される基を表し、残りは炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表す。あるいは、Ｒ１４ａ、Ｒ１５ａ、Ｒ１６ａのうちの１つが下記式（ａ６）で表される基であり、残りの２つはそれぞれ独立に炭素原子数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。
【0056】
【化12】
【0057】
上記式（ａ６）中、Ｒ１７ａ、Ｒ１８ａは、それぞれ独立に水酸基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基、又は炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、Ｒ１９ａは、単結合又は置換基を有していてもよい炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｌ及びｍは、それぞれ独立に０以上２以下の整数を表し、ｌ＋ｍは３以下である。ただし、Ｒ１７ａが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ１８ａが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。
【0058】
上記Ｒ１４ａ、Ｒ１５ａ、Ｒ１６ａのうち上記式（ａ６）で表される基の数は、化合物の安定性の点から好ましくは１つであり、残りは炭素原子数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、上記２つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて３～９員環を構成する。環を構成する原子（硫黄原子を含む）の数は、好ましくは５以上６以下である。
【0059】
また、上記アルキレン基が有していてもよい置換基としては、酸素原子（この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する）、水酸基等が挙げられる。
【0060】
また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基等が挙げられる。
【0061】
これらのカチオン部として好適なものとしては、下記式（ａ７）、（ａ８）で表されるもの等を挙げることができ、特に下記式（ａ８）で表される構造が好ましい。
【0062】
【化13】
【0063】
このようなカチオン部としては、ヨードニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。
【0064】
従って、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。
【0065】
このような酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンである。
【0066】
フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素原子数１以上２０以下の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素原子数１以上１０以下であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短いため好ましい。また、安価に合成可能なことから、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を好ましいものとして挙げることができる。
【0067】
アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素原子数６以上２０以下のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられる。特に、安価に合成可能なことから、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましい。好ましいものの具体例として、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。
【0068】
上記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは１０％以上１００％以下、より好ましくは５０％以上１００％以下であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。
【0069】
これらの中でも、好ましいアニオン部として、下記式（ａ９）で表されるものが挙げられる。
【0070】
【化14】
【0071】
上記式（ａ９）において、Ｒ２０ａは、下記式（ａ１０）、（ａ１１）、及び（ａ１２）で表される基である。
【0072】
【化15】
【0073】
上記式（ａ１０）中、ｘは１以上４以下の整数を表す。また、上記式（ａ１１）中、Ｒ２１ａは、水素原子、水酸基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、ｙは１以上３以下の整数を表す。これらの中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。
【0074】
また、アニオン部としては、下記式（ａ１３）、（ａ１４）で表される窒素を含有するものを用いることもできる。
【0075】
【化16】
【0076】
上記式（ａ１３）、（ａ１４）中、Ｘａは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し、該アルキレン基の炭素原子数は２以上６以下であり、好ましくは３以上５以下、最も好ましくは炭素原子数３である。また、Ｙａ、Ｚａは、それぞれ独立に少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、該アルキル基の炭素原子数は１以上１０以下であり、好ましくは１以上７以下、より好ましくは１以上３以下である。
【0077】
Ｘａのアルキレン基の炭素原子数、又はＹａ、Ｚａのアルキル基の炭素原子数が小さいほど有機溶剤への溶解性も良好であるため好ましい。
【0078】
また、Ｘａのアルキレン基又はＹａ、Ｚａのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなるため好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０％以上１００％以下、より好ましくは９０％以上１００％以下であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。
【0079】
このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記式（ａ１５）、（ａ１６）で表される化合物が挙げられる。
【0080】
【化17】
【0081】
また、酸発生剤（Ａ）における第五の態様としては、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１－ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４－ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類；ｐ－トルエンスルホン酸２－ニトロベンジル、ｐ－トルエンスルホン酸２，６－ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体；ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、Ｎ－メチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ－メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル類；Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）－１，８－ナフタルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）－４－ブチル－１，８－ナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、（４－メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、（４－メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩類；ベンゾイントシラート、α－メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類；その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。
【0082】
この酸発生剤（Ａ）は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸発生剤（Ａ）の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対し、０．１質量％以上１０質量％以下とすることが好ましく、０．２質量％以上６質量％以下がとすることがより好ましく、０．５質量％以上３質量％以下とすることが特に好ましい。酸発生剤（Ａ）の使用量を上記の範囲とすることにより、良好な感度を備え、均一な溶液であって、保存安定性に優れる感光性樹脂組成物を調製しやすい。
【0083】
＜樹脂（Ｂ）＞
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）としては、特に限定されず、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する任意の樹脂を用いることができる。その中でも、ノボラック樹脂（Ｂ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）、及びアクリル樹脂（Ｂ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有することが好ましい。
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）としては、特に限定されず、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する任意の樹脂を用いることができる。その中でも、ノボラック樹脂（Ｂ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）、及びアクリル樹脂（Ｂ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有することが好ましい。
【0084】
［ノボラック樹脂（Ｂ１）］
ノボラック樹脂（Ｂ１）としては、下記式（ｂ１）で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
ノボラック樹脂（Ｂ１）としては、下記式（ｂ１）で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
【0085】
【化18】
【0086】
上記式（ｂ１）中、Ｒ１ｂは、酸解離性溶解抑制基を示し、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂは、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。
【0087】
上記Ｒ１ｂで表される酸解離性溶解抑制基としては、下記式（ｂ２）、（ｂ３）で表される基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基、ビニルオキシエチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、又はトリアルキルシリル基であることが好ましい。
【0088】
【化19】
【0089】
上記式（ｂ２）、（ｂ３）中、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂは、それぞれ独立に水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、Ｒ６ｂは、炭素原子数１以上１０以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、Ｒ７ｂは、炭素原子数１以上６以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、ｏは０又は１を表す。
【0090】
上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、上記環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【0091】
ここで、上記式（ｂ２）で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ－プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、ｎ－ブトキシエチル基、イソブトキシエチル基、ｔｅｒｔ－ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、１－メトキシ－１－メチル－エチル基、１－エトキシ－１－メチルエチル基等が挙げられる。また、上記式（ｂ３）で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基等の各アルキル基の炭素原子数が１以上６以下の基が挙げられる。
【0092】
［ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）］
ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）としては、下記式（ｂ４）で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）としては、下記式（ｂ４）で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
【0093】
【化20】
【0094】
上記式（ｂ４）中、Ｒ８ｂは、水素原子又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ９ｂは、酸解離性溶解抑制基を表す。
【0095】
上記炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、例えば炭素原子数１以上６以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基である。直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【0096】
上記Ｒ９ｂで表される酸解離性溶解抑制基としては、上記式（ｂ２）、（ｂ３）に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。
【0097】
さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）は、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。また、このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；スチレン、α－メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α－メチルヒドロキシスチレン、α－エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類；等を挙げることができる。
【0098】
［アクリル樹脂（Ｂ３）］
アクリル樹脂（Ｂ３）としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するアクリル樹脂であって、従来から、種々の感光性樹脂組成物に配合されているものであれば、特に限定されない。
アクリル樹脂（Ｂ３）は、例えば、－ＳＯ２－含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｂ－３）を含有するのが好ましい。かかる場合、レジストパターンを形成する際に、好ましい断面形状を有するレジストパターンを形成しやすい。
アクリル樹脂（Ｂ３）としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するアクリル樹脂であって、従来から、種々の感光性樹脂組成物に配合されているものであれば、特に限定されない。
アクリル樹脂（Ｂ３）は、例えば、－ＳＯ２－含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｂ－３）を含有するのが好ましい。かかる場合、レジストパターンを形成する際に、好ましい断面形状を有するレジストパターンを形成しやすい。
【0099】
（－ＳＯ２－含有環式基）
ここで、「－ＳＯ２－含有環式基」とは、その環骨格中に－ＳＯ２－を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、－ＳＯ２－における硫黄原子（Ｓ）が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に－ＳＯ２－を含む環をひとつ目の環として数え、当該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。－ＳＯ２－含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
ここで、「－ＳＯ２－含有環式基」とは、その環骨格中に－ＳＯ２－を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、－ＳＯ２－における硫黄原子（Ｓ）が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に－ＳＯ２－を含む環をひとつ目の環として数え、当該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。－ＳＯ２－含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
【0100】
－ＳＯ２－含有環式基は、特に、その環骨格中に－Ｏ－ＳＯ２－を含む環式基、すなわち－Ｏ－ＳＯ２－中の－Ｏ－Ｓ－が環骨格の一部を形成するサルトン（ｓｕｌｔｏｎｅ）環を含有する環式基であることが好ましい。
【0101】
－ＳＯ２－含有環式基の炭素原子数は、３以上３０以下が好ましく、４以上２０以下がより好ましく、４以上１５以下がさらに好ましく、４以上１２以下が特に好ましい。当該炭素原子数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
【0102】
－ＳＯ２－含有環式基は、－ＳＯ２－含有脂肪族環式基であってもよく、－ＳＯ２－含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは－ＳＯ２－含有脂肪族環式基である。
【0103】
－ＳＯ２－含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が－ＳＯ２－、又は－Ｏ－ＳＯ２－で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも１つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する－ＣＨ２－が－ＳＯ２－で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも１つ除いた基、その環を構成する－ＣＨ２－ＣＨ２－が－Ｏ－ＳＯ２－で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも１つ除いた基等が挙げられる。
【0104】
当該脂環式炭化水素環の炭素原子数は、３以上２０以下が好ましく、３以上１２以下がより好ましい。当該脂環式炭化水素環は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素原子数３以上６以下のモノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。当該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素環としては、炭素原子数７以上１２以下のポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、当該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
【0105】
－ＳＯ２－含有環式基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子（＝Ｏ）、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
【0106】
当該置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましい。当該アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基等が挙げられる。これらの中では、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
【0107】
当該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。当該アルコキシ基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基が酸素原子（－Ｏ－）に結合した基が挙げられる。
【0108】
当該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
【0109】
当該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前述のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
【0110】
当該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部又は全部が前述のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。当該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
【0111】
前述の－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”におけるＲ”は、いずれも、水素原子又は炭素原子数１以上１５以下の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。
【0112】
Ｒ”が直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の場合、当該鎖状のアルキル基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上５以下がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
【0113】
Ｒ”が環状のアルキル基の場合、当該環状のアルキル基の炭素原子数は３以上１５以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、５以上１０以下が特に好ましい。具体的には、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
【0114】
当該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素原子数１以上６以下のヒドロキシアルキル基が好ましい。具体的には、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも１つが水酸基で置換された基が挙げられる。
【0115】
－ＳＯ２－含有環式基として、より具体的には、下記式（３－１）～（３－４）で表される基が挙げられる。
（式中、Ａ’は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、ｚは０以上２以下の整数であり、Ｒ１０ｂはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基であり、Ｒ”は水素原子、又はアルキル基である。）
【化21】
【0116】
上記式（３－１）～（３－４）中、Ａ’は、酸素原子（－Ｏ－）若しくは硫黄原子（－Ｓ－）を含んでいてもよい炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子である。Ａ’における炭素原子数１以上５以下のアルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
【0117】
当該アルキレン基が酸素原子又は硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前述のアルキレン基の末端又は炭素原子間に－Ｏ－、又は－Ｓ－が介在する基が挙げられ、例えば－Ｏ－ＣＨ２－、－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－、－Ｓ－ＣＨ２－、－ＣＨ２－Ｓ－ＣＨ２－等が挙げられる。Ａ’としては、炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、又は－Ｏ－が好ましく、炭素原子数１以上５以下のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
【0118】
ｚは０、１、及び２のいずれであってもよく、０が最も好ましい。ｚが２である場合、複数のＲ１０ｂはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0119】
Ｒ１０ｂにおけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、－ＳＯ２－含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、及びヒドロキシアルキル基について、上記で説明したものと同様のものが挙げられる。
【0120】
以下に、前述の式（３－１）～（３－４）で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ａｃ」はアセチル基を示す。
【0121】
【化22】
【0122】
【化23】
【0123】
－ＳＯ２－含有環式基としては、上記の中では、前述の式（３－１）で表される基が好ましく、前述の化学式（３－１－１）、（３－１－１８）、（３－３－１）、及び（３－４－１）のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種がより好ましく、前述の化学式（３－１－１）で表される基が最も好ましい。
【0124】
（ラクトン含有環式基）
「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－を含む環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－を含む環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
【0125】
構成単位（ｂ－３）におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、４～６員環ラクトンから水素原子を１つ除いた基、例えばβ－プロピオノラクトンから水素原子を１つ除いた基、γ－ブチロラクトンから水素原子１つを除いた基、δ－バレロラクトンから水素原子を１つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子１つを除いた基が挙げられる。
【0126】
構成単位（ｂ－３）としては、－ＳＯ２－含有環式基、又はラクトン含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって－ＳＯ２－含有環式基を含む構成単位（ｂ－３－Ｓ）、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位（ｂ－３－Ｌ）からなる群より選択される少なくとも１種の構成単位が好ましい。
【0127】
〔構成単位（ｂ－３－Ｓ）〕
構成単位（ｂ－３－Ｓ）の例として、より具体的には、下記式（ｂ－Ｓ１）で表される構成単位が挙げられる。
構成単位（ｂ－３－Ｓ）の例として、より具体的には、下記式（ｂ－Ｓ１）で表される構成単位が挙げられる。
【0128】
【化24】
【0129】
式（ｂ－Ｓ１）中、Ｒは前記と同様である。
Ｒ１１ｂは、前記で挙げた－ＳＯ２－含有環式基と同様である。
Ｒ１２ｂは、単結合、２価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、２価の連結基であることが好ましい。
Ｒ１１ｂは、前記で挙げた－ＳＯ２－含有環式基と同様である。
Ｒ１２ｂは、単結合、２価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、２価の連結基であることが好ましい。
【0130】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
【0131】
・置換基を有していてもよい２価の炭化水素基
２価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。当該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。通常は飽和炭化水素基が好ましい。当該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
２価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。当該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。通常は飽和炭化水素基が好ましい。当該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
【0132】
前記直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上５以下がさらに好ましい。
【0133】
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ２）５－］等が挙げられる。
【0134】
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－ＣＨ２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－等のアルキルテトラメチレン基等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下の直鎖状のアルキル基が好ましい。
【0135】
上記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基（水素原子以外の基又は原子）を有していてもよく、有していなくてもよい。当該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素原子数１以上５以下のフッ素化アルキル基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
【0136】
上記の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、当該環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、当該環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基等が挙げられる。上記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前述と同様のものが挙げられる。
【0137】
環状の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、３以上２０以下が好ましく、３以上１２以下がより好ましい。
【0138】
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。当該モノシクロアルカンの炭素原子数は、３以上６以下が好ましい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。当該ポリシクロアルカンの炭素原子数は、７以上１２以下が好ましい。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
【0139】
環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基（水素原子以外の基又は原子）を有していてもよいし、有していなくてもよい。当該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
【0140】
上記の置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、及びｔｅｒｔ－ブチル基がより好ましい。
【0141】
上記の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１以上５以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、及びｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、及びエトキシ基が特に好ましい。
【0142】
上記の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
【0143】
上記の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が上記のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
【0144】
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部が－Ｏ－、又は－Ｓ－で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｓ（＝Ｏ）２－Ｏ－が好ましい。
【0145】
２価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する２価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子を持つ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は、５以上３０以下が好ましく、５以上２０以下がより好ましく、６以上１５以下がさらに好ましく、６以上１２以下が特に好ましい。ただし、当該炭素原子数には、置換基の炭素原子数を含まないものとする。
【0146】
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、及びフェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環；等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
【0147】
２価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、上記の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基、又はヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えば、ビフェニル、フルオレン等）から水素原子を２つ除いた基；上記の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基、又はヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）；等が挙げられる。
【0148】
上記のアリール基、又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１以上４以下が好ましく、１以上２以下がより好ましく、１が特に好ましい。
【0149】
上記の芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば、当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。当該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
【0150】
上記の置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、及びｔｅｒｔ－ブチル基がより好ましい。
【0151】
上記の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１以上５以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、及びｔｅｒｔ－ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、及びエトキシ基がより好ましい。
【0152】
上記の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
【0153】
上記の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
【0154】
・ヘテロ原子を含む２価の連結基
ヘテロ原子を含む２価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子及び水素原子以外の原子であり、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、及びハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む２価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子及び水素原子以外の原子であり、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、及びハロゲン原子等が挙げられる。
【0155】
ヘテロ原子を含む２価の連結基として、具体的には、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｓ（＝Ｏ）２－Ｏ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－、＝Ｎ－等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも１種と２価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。当該２価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい２価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。
【0156】
上記のうち、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－中の－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－中のＨは、それぞれ、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。当該置換基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上５以下が特に好ましい。
【0157】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基としては、特に、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。
【0158】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基が直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基である場合、該アルキレン基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましく、１以上４以下が特に好ましく、１以上３以下が最も好ましい。具体的には、前述の２価の連結基としての「置換基を有していてもよい２価の炭化水素基」の説明中、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
【0159】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基が環状の脂肪族炭化水素基である場合、当該環状の脂肪族炭化水素基としては、前述の２価の連結基としての「置換基を有していてもよい２価の炭化水素基」の説明中、「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」として挙げた環状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【0160】
当該環状の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、又はテトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基が特に好ましい。
【0161】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基が、ヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、当該連結基として好ましいものとして、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｓ（＝Ｏ）２－Ｏ－、一般式－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｙ２ｂ－、－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－、又は－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ２ｂ－で表される基［式中、Ｙ１ｂ、及びＹ２ｂはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ’は０以上３以下の整数である。］等が挙げられる。
【0162】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基が－ＮＨ－の場合、－ＮＨ－中の水素原子はアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。当該置換基（アルキル基、アシル基等）の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上５以下が特に好ましい。
【0163】
式－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｙ２ｂ－、－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－、又は－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ２ｂ－中、Ｙ１ｂ、及びＹ２ｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。当該２価の炭化水素基としては、前記２価の連結基としての説明で挙げた「置換基を有していてもよい２価の炭化水素基」と同様のものが挙げられる。
【0164】
Ｙ１ｂとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１以上５以下の直鎖状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基、及びエチレン基が特に好ましい。
【0165】
Ｙ２ｂとしては、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基、及びアルキルメチレン基がより好ましい。当該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数１以上５以下の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上３以下の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
【0166】
式－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－で表される基において、ｍ’は０以上３以下の整数であり、０以上２以下の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－で表される基としては、式－Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ２ｂ－で表される基が特に好ましい。なかでも、式－（ＣＨ２）ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｂ’－で表される基が好ましい。当該式中、ａ’は、１以上１０以下の整数であり、１以上８以下の整数が好ましく、１以上５以下の整数がより好ましく、１、又は２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１以上１０以下の整数であり、１以上８以下の整数が好ましく、１以上５以下の整数がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が最も好ましい。
【0167】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基について、ヘテロ原子を含む２価の連結基としては、少なくとも１種の非炭化水素基と２価の炭化水素基との組み合わせからなる有機基が好ましい。なかでも、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合、又はエステル結合を含む基が好ましく、前述の式－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｙ２ｂ－、－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－、又は－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ２ｂ－で表される基がより好ましく、前述の式－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－、又は－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ２ｂ－で表される基が特に好ましい。
【0168】
Ｒ１２ｂにおける２価の連結基としては、アルキレン基、又はエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）を含むものが好ましい。
【0169】
当該アルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。当該直鎖状の脂肪族炭化水素基の好適な例としては、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］、及びペンタメチレン基［－（ＣＨ２）５－］等が挙げられる。当分岐鎖状のアルキレン基の好適な例としては、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－ＣＨ２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－等のアルキルテトラメチレン基等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。
【0170】
エステル結合を含む２価の連結基としては、特に、式：－Ｒ１３ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－［式中、Ｒ１３ｂは２価の連結基である。］で表される基が好ましい。すなわち、構成単位（ｂ－３－Ｓ）は、下記式（ｂ－Ｓ１－１）で表される構成単位であることが好ましい。
【0171】
【化25】
【0172】
Ｒ１３ｂとしては、特に限定されず、例えば、前述のＲ１２ｂにおける２価の連結基と同様のものが挙げられる。
Ｒ１３ｂの２価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子として酸素原子を含む２価の連結基が好ましい。
Ｒ１３ｂの２価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子として酸素原子を含む２価の連結基が好ましい。
【0173】
直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基、又はエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基、又はアルキルエチレン基が好ましく、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、又は－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－が特に好ましい。
【0174】
酸素原子を含む２価の連結基としては、エーテル結合、又はエステル結合を含む２価の連結基が好ましく、前述した、－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｙ２ｂ－、－［Ｙ１ｂ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］ｍ’－Ｙ２ｂ－、又は－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ２ｂ－がより好ましい。Ｙ１ｂ、及びＹ２ｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、ｍ’は０以上３以下の整数である。なかでも、－Ｙ１ｂ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ２ｂ－が好ましく、－（ＣＨ２）ｃ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－（ＣＨ２）ｄ－で表される基が特に好ましい。ｃは１以上５以下の整数であり、１又は２が好ましい。ｄは１以上５以下の整数であり、１又は２が好ましい。
【0175】
構成単位（ｂ－３－Ｓ）としては、特に、下記式（ｂ－Ｓ１－１１）、又は（ｂ－Ｓ１－１２）で表される構成単位が好ましく、式（ｂ－Ｓ１－１２）で表される構成単位がより好ましい。
【0176】
【化26】
【0177】
式（ｂ－Ｓ１－１１）中、Ａ’はメチレン基、酸素原子（－Ｏ－）、又は硫黄原子（－Ｓ－）であることが好ましい。
【0178】
Ｒ１３ｂとしては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は酸素原子を含む２価の連結基が好ましい。Ｒ１３ｂにおける直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む２価の連結基としては、それぞれ、前述の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む２価の連結基と同様のものが挙げられる。
【0179】
式（ｂ－Ｓ１－１２）で表される構成単位としては、特に、下記式（ｂ－Ｓ１－１２ａ）、又は（ｂ－Ｓ１－１２ｂ）で表される構成単位が好ましい。
【0180】
【化27】
【0181】
〔構成単位（ｂ－３－Ｌ）〕
構成単位（ｂ－３－Ｌ）の例としては、例えば前述の式（ｂ－Ｓ１）中のＲ１１ｂをラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ５）で表される構成単位が挙げられる。
構成単位（ｂ－３－Ｌ）の例としては、例えば前述の式（ｂ－Ｓ１）中のＲ１１ｂをラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ５）で表される構成単位が挙げられる。
【0182】
【化28】
【0183】
式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ５）におけるＲは、前述と同様である。
Ｒ’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、－ＳＯ２－含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基について前述したものと同様のものが挙げられる。
Ｒ’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、－ＳＯ２－含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基について前述したものと同様のものが挙げられる。
【0184】
Ｒ’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
Ｒ”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Ｒ”が直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素原子数１以上１０以下であることが好ましく、炭素原子数１以上５以下であることがさらに好ましい。
Ｒ”が環状のアルキル基の場合は、炭素原子数３以上１５以下であることが好ましく、炭素原子数４以上１２以下であることがさらに好ましく、炭素原子数５以上１０以下が最も好ましい。具体的には、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
Ａ”としては、前述の式（３－１）中のＡ’と同様のものが挙げられる。Ａ”は、炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、酸素原子（－Ｏ－）又は硫黄原子（－Ｓ－）であることが好ましく、炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、又は－Ｏ－がより好ましい。炭素原子数１以上５以下のアルキレン基としては、メチレン基、又はジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
Ｒ”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Ｒ”が直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素原子数１以上１０以下であることが好ましく、炭素原子数１以上５以下であることがさらに好ましい。
Ｒ”が環状のアルキル基の場合は、炭素原子数３以上１５以下であることが好ましく、炭素原子数４以上１２以下であることがさらに好ましく、炭素原子数５以上１０以下が最も好ましい。具体的には、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
Ａ”としては、前述の式（３－１）中のＡ’と同様のものが挙げられる。Ａ”は、炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、酸素原子（－Ｏ－）又は硫黄原子（－Ｓ－）であることが好ましく、炭素原子数１以上５以下のアルキレン基、又は－Ｏ－がより好ましい。炭素原子数１以上５以下のアルキレン基としては、メチレン基、又はジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
【0185】
Ｒ１２ｂは、前述の式（ｂ－Ｓ１）中のＲ１２ｂと同様である。
式（ｂ－Ｌ１）中、ｓ”は１又は２であることが好ましい。
以下に、前述の式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ３）で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Ｒαは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。
式（ｂ－Ｌ１）中、ｓ”は１又は２であることが好ましい。
以下に、前述の式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ３）で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Ｒαは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。
【0186】
【化29】
【0187】
【化30】
【0188】
【化31】
【0189】
構成単位（ｂ－３－Ｌ）としては、前述の式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ５）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ３）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましく、前述の式（ｂ－Ｌ１）、又は（ｂ－Ｌ３）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種が特に好ましい。
なかでも、前述の式（ｂ－Ｌ１－１）、（ｂ－Ｌ１－２）、（ｂ－Ｌ２－１）、（ｂ－Ｌ２－７）、（ｂ－Ｌ２－１２）、（ｂ－Ｌ２－１４）、（ｂ－Ｌ３－１）、及び（ｂ－Ｌ３－５）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
なかでも、前述の式（ｂ－Ｌ１－１）、（ｂ－Ｌ１－２）、（ｂ－Ｌ２－１）、（ｂ－Ｌ２－７）、（ｂ－Ｌ２－１２）、（ｂ－Ｌ２－１４）、（ｂ－Ｌ３－１）、及び（ｂ－Ｌ３－５）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
【0190】
また、構成単位（ｂ－３－Ｌ）としては、下記式（ｂ－Ｌ６）～（ｂ－Ｌ７）で表される構成単位も好ましい。
式（ｂ－Ｌ６）及び（ｂ－Ｌ７）中、Ｒ及びＲ１２ｂは前述と同様である。
【化32】
【0191】
また、アクリル樹脂（Ｂ３）は、酸の作用によりアクリル樹脂（Ｂ３）のアルカリに対する溶解性を高める構成単位として、酸解離性基を有する下記式（ｂ５）～（ｂ７）で表される構成単位を含む。
【0192】
【化33】
【0193】
上記式（ｂ５）～（ｂ７）中、Ｒ１４ｂ、及びＲ１８ｂ～Ｒ２３ｂは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、フッ素原子、又は炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表し、Ｒ１５ｂ～Ｒ１７ｂは、それぞれ独立に炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、又は炭素原子数５以上２０以下の脂肪族環式基を表し、それぞれ独立に炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素原子数１以上６以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表し、Ｒ１６ｂ及びＲ１７ｂは互いに結合して、両者が結合している炭素原子とともに炭素原子数５以上２０以下の炭化水素環を形成してもよく、Ｙｂは、置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基を表し、ｐは０以上４以下の整数を表し、ｑは０又は１を表す。
【0194】
なお、上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、フッ素化アルキル基とは、上記アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されたものである。
脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから１個の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから１個の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【0195】
上記Ｒ１６ｂ及びＲ１７ｂが互いに結合して炭化水素環を形成しない場合、上記Ｒ１５ｂ、Ｒ１６ｂ、及びＲ１７ｂとしては、高コントラストで、解像度、焦点深度幅等が良好な点から、炭素原子数２以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。上記Ｒ１９ｂ、Ｒ２０ｂ、Ｒ２２ｂ、Ｒ２３ｂとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
【0196】
上記Ｒ１６ｂ及びＲ１７ｂは、両者が結合している炭素原子とともに炭素原子数５以上２０以下の脂肪族環式基を形成してもよい。このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【0197】
さらに、上記Ｒ１６ｂ及びＲ１７ｂが形成する脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、当該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子（＝Ｏ）等の極性基や、炭素原子数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子（＝Ｏ）が好ましい。
【0198】
上記Ｙｂは、脂肪族環式基又はアルキル基であり、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。特に、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【0199】
さらに、上記Ｙｂの脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、当該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子（＝Ｏ）等の極性基や、炭素原子数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子（＝Ｏ）が好ましい。
【0200】
また、Ｙｂがアルキル基である場合、炭素原子数１以上２０以下、好ましくは６以上１５以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。このようなアルキル基は、特にアルコキシアルキル基であることが好ましく、このようなアルコキシアルキル基としては、１－メトキシエチル基、１－エトキシエチル基、１－ｎ－プロポキシエチル基、１－イソプロポキシエチル基、１－ｎ－ブトキシエチル基、１－イソブトキシエチル基、１－ｔｅｒｔ－ブトキシエチル基、１－メトキシプロピル基、１－エトキシプロピル基、１－メトキシ－１－メチル－エチル基、１－エトキシ－１－メチルエチル基等が挙げられる。
【0201】
上記式（ｂ５）で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式（ｂ５－１）～（ｂ５－３３）で表されるものを挙げることができる。
【0202】
【化34】
【0203】
上記式（ｂ５－１）～（ｂ５－３３）中、Ｒ２４ｂは、水素原子又はメチル基を表す。
【0204】
上記式（ｂ６）で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式（ｂ６－１）～（ｂ６－２６）で表されるものを挙げることができる。
【0205】
【化35】
【0206】
上記式（ｂ６－１）～（ｂ６－２６）中、Ｒ２４ｂは、水素原子又はメチル基を表す。
【0207】
上記式（ｂ７）で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式（ｂ７－１）～（ｂ７－１５）で表されるものを挙げることができる。
【0208】
【化36】
【0209】
上記式（ｂ７－１）～（ｂ７－１５）中、Ｒ２４ｂは、水素原子又はメチル基を表す。
【0210】
以上説明した式（ｂ５）～（ｂ７）で表される構成単位の中では、合成がしやすく且つ比較的高感度化しやすい点から、式（ｂ６）で表される構成単位が好ましい。また、式（ｂ６）で表される構成単位の中では、Ｙｂがアルキル基である構成単位が好ましく、Ｒ１９ｂ及びＲ２０ｂの一方又は双方がアルキル基である構成単位が好ましい。
【0211】
さらに、アクリル樹脂（Ｂ３）は、上記式（ｂ５）～（ｂ７）で表される構成単位とともに、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含む共重合体からなる樹脂であることが好ましい。
【0212】
上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、エーテル結合及びエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、具体例としては、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、２－エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３－メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、２－エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0213】
さらに、アクリル樹脂（Ｂ３）には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含めることができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。
【0214】
このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；スチレン、α－メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α－メチルヒドロキシスチレン、α－エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類；等を挙げることができる。
【0215】
上記の通り、アクリル樹脂（Ｂ３）は、上記のモノカルボン酸類やジカルボン酸類のようなカルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んでいてもよい。しかし、断面形状が良好な矩形である非レジスト部を含むレジストパターンを形成しやすい点から、アクリル樹脂（Ｂ３）は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を実質的に含まないのが好ましい。具体的には、アクリル樹脂（Ｂ３）中の、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位の比率は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、５質量％以下が特に好ましい。
アクリル樹脂（Ｂ３）において、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を比較的多量に含むアクリル樹脂は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を少量しか含まないか、含まないアクリル樹脂と併用されるのが好ましい。
アクリル樹脂（Ｂ３）において、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を比較的多量に含むアクリル樹脂は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を少量しか含まないか、含まないアクリル樹脂と併用されるのが好ましい。
【0216】
また、重合性化合物としては、酸非解離性の脂肪族多環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル類、ビニル基含有芳香族化合物類等を挙げることができる。酸非解離性の脂肪族多環式基としては、特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が、工業上入手しやすい等の点で好ましい。これらの脂肪族多環式基は、炭素原子数１以上５以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
【0217】
酸非解離性の脂肪族多環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル類としては、具体的には、下記式（ｂ８－１）～（ｂ８－５）の構造のものを例示することができる。
【0218】
【化37】
【0219】
上記式（ｂ８－１）～（ｂ８－５）中、Ｒ２５ｂは、水素原子又はメチル基を表す。
【0220】
アクリル樹脂（Ｂ３）が、－ＳＯ２－含有環式基、又はラクトン含有環式基を含む構成単位（ｂ－３）を含む場合、アクリル樹脂（Ｂ３）中の構成単位（ｂ－３）の含有量は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１０質量％以上５０質量％以下が特に好ましく、１０質量％以上３０質量％以下が最も好ましい。感光性樹脂組成物が、上記の範囲内の量の構成単位（ｂ－３）を含む場合、良好な現像性と、良好なパターン形状とを両立しやすい。
【0221】
また、アクリル樹脂（Ｂ３）は、前述の式（ｂ５）～（ｂ７）で表される構成単位を、５質量％以上含むのが好ましく、１０質量％以上含むのがより好ましく、１０質量％以上５０質量％以下含むのが特に好ましい。
【0222】
アクリル樹脂（Ｂ３）は、上記のエーテル結合を有する重合性化合物に由来する構成単位を含むのが好ましい。アクリル樹脂（Ｂ３）中の、エーテル結合を有する重合性化合物に由来する構成単位の含有量は、０質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上３０質量％以下がより好ましい。
【0223】
アクリル樹脂（Ｂ３）は、上記の酸非解離性の脂肪族多環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル類に由来する構成単位を含むのが好ましい。アクリル樹脂（Ｂ３）中の、酸非解離性の脂肪族多環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル類に由来する構成単位の含有量は、０質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上３０質量％以下がより好ましい。
【0224】
感光性樹脂組成物が所定の量のアクリル樹脂（Ｂ３）を含有する限りにおいて、以上説明したアクリル樹脂（Ｂ３）以外のアクリル樹脂も樹脂（Ｂ）として用いることができる。このような、アクリル樹脂（Ｂ３）以外のアクリル樹脂としては、前述の式（ｂ５）～（ｂ７）で表される構成単位を含む樹脂であれば特に限定されない。
【0225】
以上説明した樹脂（Ｂ）のポリスチレン換算質量平均分子量は、好ましくは１００００以上６０００００以下であり、より好ましくは２００００以上４０００００以下であり、さらに好ましくは３００００以上３０００００以下である。このような質量平均分子量とすることにより、基板からの剥離性を低下させることなく感光性樹脂層の十分な強度を保持でき、さらにはめっき時のプロファイルの膨れや、クラックの発生を防ぐことができる。
【0226】
また、樹脂（Ｂ）の分散度は１．０５以上が好ましい。ここで、分散度とは、質量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、所望とするめっきに対する応力耐性や、めっき処理により得られる金属層が膨らみやすくなるという問題を回避できる。
【0227】
樹脂（Ｂ）の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対して５質量％以上６０質量％以下とすることが好ましい。
【0228】
＜含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）＞
感光性樹脂組成物は、下記式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物である含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含む。含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）について、溶解度Ｓの常用対数値ＬｏｇＳが－６．００以下である。感光性樹脂組成物が、所定の範囲内のＬｏｇＳ値を示す含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含むと、感光性樹脂組成物を用いて断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい。
感光性樹脂組成物は、下記式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物である含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含む。含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）について、溶解度Ｓの常用対数値ＬｏｇＳが－６．００以下である。感光性樹脂組成物が、所定の範囲内のＬｏｇＳ値を示す含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含むと、感光性樹脂組成物を用いて断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい。
【0229】
また、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を感光性樹脂組成物に配合する場合、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンが広い感光性樹脂組成物を得やすい。
焦点深度（ＤＯＦ）マージンとは、同一の露光量にて、焦点を上下にずらして露光した際に、ターゲット寸法に対するずれが所定の範囲内となる寸法でレジストパターンを形成できる焦点深度の範囲である。焦点深度（ＤＯＦ）マージンは、広いほど好ましい。
めっき用の鋳型パターンは、基板に積層されたポリイミド膜等の基材に由来する反りや段差がある基板上に形成される場合がある。このため、めっき用の鋳型パターンを形成するために用いられる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物には、基板表面の平坦性の程度によらず、所望する寸法、形状のパターンを形成できるように、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンが広いことが望まれる。
焦点深度（ＤＯＦ）マージンとは、同一の露光量にて、焦点を上下にずらして露光した際に、ターゲット寸法に対するずれが所定の範囲内となる寸法でレジストパターンを形成できる焦点深度の範囲である。焦点深度（ＤＯＦ）マージンは、広いほど好ましい。
めっき用の鋳型パターンは、基板に積層されたポリイミド膜等の基材に由来する反りや段差がある基板上に形成される場合がある。このため、めっき用の鋳型パターンを形成するために用いられる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物には、基板表面の平坦性の程度によらず、所望する寸法、形状のパターンを形成できるように、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンが広いことが望まれる。
【0230】
さらには、感光性樹脂組成物が含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含む場合、感光性樹脂組成物の、露光後の引き置き経時安定性（ＰＥＤ：post exposure delay）が良好である。引き置き経時安定性が良好であると、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を、露光後にある程度の長時間引き置いたとしても、露光された感光性樹脂層を現像する際に、パターン形状、パターン寸法への悪影響が生じにくく、所望する形状及び寸法のパターンを形成しやすい。
【0231】
【化38】
式（ｃ－ｂ）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ２は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、Ｒｃ０は、水素原子、又は有機基であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよい。）
なお、「Ｓｕｂ以外の置換基」とは、Ｓｕｂとは別に存在する置換基を意味し、Ｓｕｂと異なる種類の置換基を意味しない。「Ｓｕｂ以外の置換基」は、Ｓｕｂと同種の基であっても、異種の基であってもよい。
【0232】
式（ｃ－ａ）中、Ａｃ１は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環である。Ａｃ１としての含窒素芳香族複素環は、Ｏ、Ｓ等の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよく、窒素原子のみをヘテロ原子として含むのが好ましい。
以下、Ａｃ１及びＡｃ２としての含窒素芳香族複素環について、便宜的に、Ｓｕｂ及びＲｃ０が水素原子である場合の環に関して説明する。
Ａｃ１が縮合多環式の含窒素芳香族複素環である場合、縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、含窒素芳香族化合物（Ｃ）の合成や入手の容易性、及び含窒素芳香族化合物（Ｃ）の分子量が小さく、少量で所望する効果を得やすい点等から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が特に好ましい。
単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する環構成原子に含まれる窒素原子の数は、１でも２以上の整数でもよく、１以上３以下の整数が好ましく、１又は２がより好ましい。
Ａｃ１が単環式の含窒素芳香族複素環である場合、単環式の含窒素芳香族複素環は５～７員環であるのが好ましく、５員環又は６員環がより好ましく、６員環が特に好ましい。単環式の含窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、イミダゾリン環及びイミダゾール環等の５員環；ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等の６員環が挙げられる。
Ａｃ１が縮合多環式の含窒素芳香族複素環である場合の好適な具体例としては、イソインドレニン環、プリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、及びプテリジン環等が挙げられる。
Ａｃ１としての単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環としては、６員環である単環式の含窒素芳香族複素環が好ましく、ピリジン環がより好ましい。
以下、Ａｃ１及びＡｃ２としての含窒素芳香族複素環について、便宜的に、Ｓｕｂ及びＲｃ０が水素原子である場合の環に関して説明する。
Ａｃ１が縮合多環式の含窒素芳香族複素環である場合、縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、含窒素芳香族化合物（Ｃ）の合成や入手の容易性、及び含窒素芳香族化合物（Ｃ）の分子量が小さく、少量で所望する効果を得やすい点等から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が特に好ましい。
単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する環構成原子に含まれる窒素原子の数は、１でも２以上の整数でもよく、１以上３以下の整数が好ましく、１又は２がより好ましい。
Ａｃ１が単環式の含窒素芳香族複素環である場合、単環式の含窒素芳香族複素環は５～７員環であるのが好ましく、５員環又は６員環がより好ましく、６員環が特に好ましい。単環式の含窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、イミダゾリン環及びイミダゾール環等の５員環；ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等の６員環が挙げられる。
Ａｃ１が縮合多環式の含窒素芳香族複素環である場合の好適な具体例としては、イソインドレニン環、プリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、及びプテリジン環等が挙げられる。
Ａｃ１としての単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環としては、６員環である単環式の含窒素芳香族複素環が好ましく、ピリジン環がより好ましい。
【0233】
式（ｃ－ｂ）中、Ａｃ２は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環である。Ａｃ２としての含窒素芳香族複素環は、Ｏ、Ｓ等の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよく、窒素原子のみをヘテロ原子として含むのが好ましい。
Ａｃ２が縮合多環式の含窒素芳香族複素環である場合、縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、含窒素芳香族化合物（Ｃ）の合成や入手の容易性、及び含窒素芳香族化合物（Ｃ）の分子量が小さく、少量で所望する効果を得やすい点等から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が特に好ましい。
単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する環構成原子に含まれる窒素原子の数は、１でも２以上の整数でもよく、１以上３以下の整数が好ましく、１又は２がより好ましい。
Ａｃ２が単環式の含窒素芳香族複素環である場合、単環式の含窒素芳香族複素環は５～７員環であるのが好ましく、５員環又は６員環がより好ましく、５員環が特に好ましい。単環式の単窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、ピロール環及びイミダゾール環等の５員環や、ピペラジン環等の６員環が挙げられる。
Ａｃ２である縮合多環式の含窒素芳香族複素環の具体例としては、イソインドール環等が挙げられる。
Ａｃ２としての単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環としては、５員環である単環式の含窒素芳香族複素環が好ましく、ピロール環、及びイミダゾール環がより好ましい。
Ａｃ２が縮合多環式の含窒素芳香族複素環である場合、縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する単環の数は、含窒素芳香族化合物（Ｃ）の合成や入手の容易性、及び含窒素芳香族化合物（Ｃ）の分子量が小さく、少量で所望する効果を得やすい点等から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が特に好ましい。
単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を構成する環構成原子に含まれる窒素原子の数は、１でも２以上の整数でもよく、１以上３以下の整数が好ましく、１又は２がより好ましい。
Ａｃ２が単環式の含窒素芳香族複素環である場合、単環式の含窒素芳香族複素環は５～７員環であるのが好ましく、５員環又は６員環がより好ましく、５員環が特に好ましい。単環式の単窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、ピロール環及びイミダゾール環等の５員環や、ピペラジン環等の６員環が挙げられる。
Ａｃ２である縮合多環式の含窒素芳香族複素環の具体例としては、イソインドール環等が挙げられる。
Ａｃ２としての単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環としては、５員環である単環式の含窒素芳香族複素環が好ましく、ピロール環、及びイミダゾール環がより好ましい。
【0234】
式（ｃ－ａ）及び式（ｃ－ｂ）中、Ｓｕｂは置換基である。Ｓｕｂとしての置換基は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。
式（ｃ－ａ）及び式（ｃ－ｂ）中の２つのＳｕｂは、同一であっても異なっていてもよい。含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の合成や入手が容易である点から、２つのＳｕｂは同一であるのが好ましい。
Ｓｕｂとしては、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含む有機基であっても、炭化水素基であってもよい。Ｓｕｂとしては、炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であっても、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基との組み合わせであってもよい。
脂肪族炭化水素基は、鎖状であっても、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよい。鎖状の場合は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよい。また、脂肪族炭化水素基は、不飽和結合を有していてもよい。脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上５以下がさらに好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、及びネオペンチル基等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基の具体例としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ジシクロペンタニル基等の環状の基が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基等のヘテロ原子を含まない芳香族炭化水素基や、フリル基、チエニル基及びピリジル基等の芳香族複素環基等が挙げられる。
以上説明したＳｕｂの中では、ＬｏｇＳの値を低くしやすい点と、所望する添加効果を得やすい点とから、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基及びｔｅｒｔ－ブチル基等の分岐鎖アルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基及びジシクロペンタニル基等の環状の脂肪族炭化水素基や、フェニル基及びナフチル基等の芳香族炭化水素基が好ましい。
Ｓｕｂとしてのこれらの好適な基の中では、フェニル基及びナフチル基等の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
式（ｃ－ａ）及び式（ｃ－ｂ）中の２つのＳｕｂは、同一であっても異なっていてもよい。含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の合成や入手が容易である点から、２つのＳｕｂは同一であるのが好ましい。
Ｓｕｂとしては、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含む有機基であっても、炭化水素基であってもよい。Ｓｕｂとしては、炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であっても、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基との組み合わせであってもよい。
脂肪族炭化水素基は、鎖状であっても、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよい。鎖状の場合は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよい。また、脂肪族炭化水素基は、不飽和結合を有していてもよい。脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上５以下がさらに好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、及びネオペンチル基等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基の具体例としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ジシクロペンタニル基等の環状の基が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基等のヘテロ原子を含まない芳香族炭化水素基や、フリル基、チエニル基及びピリジル基等の芳香族複素環基等が挙げられる。
以上説明したＳｕｂの中では、ＬｏｇＳの値を低くしやすい点と、所望する添加効果を得やすい点とから、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基及びｔｅｒｔ－ブチル基等の分岐鎖アルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基及びジシクロペンタニル基等の環状の脂肪族炭化水素基や、フェニル基及びナフチル基等の芳香族炭化水素基が好ましい。
Ｓｕｂとしてのこれらの好適な基の中では、フェニル基及びナフチル基等の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
【0235】
式（ｃ－ｂ）中、Ｒｃ０は、水素原子、又は有機基である。Ｒｃ０としての有機基は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含む有機基であっても、炭化水素基であってもよい。２つのＳｕｂとの立体障害が小さい点から、Ｒｃ０としては水素原子が好ましい。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であっても、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基との組み合わせであってもよい。
脂肪族炭化水素基は、鎖状であっても、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよく、鎖状の場合は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよく、また、不飽和結合を有していてもよい。脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上４以下がさらに好ましい。
Ｒｃ０としての炭化水素基の具体例は、Ｓｕｂについての炭化水素基の具体例と同様である。
Ｒｃ０が炭化水素基である場合、２つのＳｕｂとの立体障害が小さい点から、Ｒｃ０としては直鎖状脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素原子数１以上４以下の直鎖状脂肪族炭化水素基がより好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましい。
脂肪族炭化水素基は、鎖状であっても、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよく、鎖状の場合は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよく、また、不飽和結合を有していてもよい。脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、１以上４以下がさらに好ましい。
Ｒｃ０としての炭化水素基の具体例は、Ｓｕｂについての炭化水素基の具体例と同様である。
Ｒｃ０が炭化水素基である場合、２つのＳｕｂとの立体障害が小さい点から、Ｒｃ０としては直鎖状脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素原子数１以上４以下の直鎖状脂肪族炭化水素基がより好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましい。
【0236】
式（ｃ－ａ）中のＡｃ１が有していてもよいＳｕｂ以外の置換基や、式（ｃ－ｂ）中のＡｃ２が有していてもよいＳｕｂ以外の置換基は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。Ｓｕｂ以外の置換基としては、水酸基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及び有機基が挙げられる。Ｓｕｂ以外の置換基が有機基である場合、当該有機基は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含む有機基であっても、炭化水素基であってもよい。
有機基としては、上記Ｓｕｂと同じ基や、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基を含む基が挙げられる。例えば、式（ｃ－ａ）で表される化合物において、Ａｃ１が、式（ｃ－ａ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基を１つ含む基を１つ有する場合は、式（ｃ－ａ）で表される化合物は、単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を２つ含む２量体型の化合物となる。また、例えば、式（ｃ－ａ）で表される化合物において、Ａｃ１が、式（ｃ－ａ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基を１つ含む基を２つ有する場合は、式（ｃ－ａ）で表される化合物は、単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を３つ含む３量体型の化合物となる。
さらに、有機基としては、ｍ１価（２価以上の多価。ｍ１は２以上の整数。）の連結基に、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基が（ｍ１－１）個結合した基も好ましい。
有機基としては、上記Ｓｕｂと同じ基や、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基を含む基が挙げられる。例えば、式（ｃ－ａ）で表される化合物において、Ａｃ１が、式（ｃ－ａ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基を１つ含む基を１つ有する場合は、式（ｃ－ａ）で表される化合物は、単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を２つ含む２量体型の化合物となる。また、例えば、式（ｃ－ａ）で表される化合物において、Ａｃ１が、式（ｃ－ａ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基を１つ含む基を２つ有する場合は、式（ｃ－ａ）で表される化合物は、単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環を３つ含む３量体型の化合物となる。
さらに、有機基としては、ｍ１価（２価以上の多価。ｍ１は２以上の整数。）の連結基に、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物から水素原子やＳｕｂを１つ除いた基が（ｍ１－１）個結合した基も好ましい。
【0237】
式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物の中でも好ましい化合物としては、下記式（ｃ１）で表される化合物が挙げられる。
（Ｙ１－Ａ１）ｋ－Ｒ１ （ｃ１）
（式（ｃ１）中、Ｙ１は、下記式（ｃ－ａ－１）又は式（ｃ－ｂ－１）：
で表される基であり、
Ａ１は、単結合、又は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＮＨＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、及び－ＳＯ２－からなる群より選択される２価の基であり、
Ｒ１は、水素原子、又はｋ価の有機基であり、
ｋは１又は２であり、ｋが２の場合は２つのＹ１－Ａ１－は同一でも異なっていてもよく、Ｒ１が、水素原子の場合は、ｋは１であり、
式（ｃ－ａ－１）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ１は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよく、
式（ｃ－ｂ－１）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ２は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、Ｒｃ０は、水素原子、又は有機基であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよい。）
ｋが１である場合、式（ｃ１）で表される化合物は、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物における環Ａｃ１又は環Ａｃ２上に、－Ａ１－Ｒ１で表される置換基が結合した化合物に相当する。
ｋが２である場合、式（ｃ１）で表される化合物は、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物における環Ａｃ１又は環Ａｃ２上に、－Ａ１－Ｒ１－Ａ１－Ｙ１で表される置換基が結合した化合物に該当する。
（Ｙ１－Ａ１）ｋ－Ｒ１ （ｃ１）
（式（ｃ１）中、Ｙ１は、下記式（ｃ－ａ－１）又は式（ｃ－ｂ－１）：
【化39】
Ａ１は、単結合、又は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＮＨＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、及び－ＳＯ２－からなる群より選択される２価の基であり、
Ｒ１は、水素原子、又はｋ価の有機基であり、
ｋは１又は２であり、ｋが２の場合は２つのＹ１－Ａ１－は同一でも異なっていてもよく、Ｒ１が、水素原子の場合は、ｋは１であり、
式（ｃ－ａ－１）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ１は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよく、
式（ｃ－ｂ－１）中、Ｓｕｂは置換基であり、Ａｃ２は、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環であり、Ｒｃ０は、水素原子、又は有機基であり、２つのＳｕｂは同一でも異なっていてもよい。）
ｋが１である場合、式（ｃ１）で表される化合物は、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物における環Ａｃ１又は環Ａｃ２上に、－Ａ１－Ｒ１で表される置換基が結合した化合物に相当する。
ｋが２である場合、式（ｃ１）で表される化合物は、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表される化合物における環Ａｃ１又は環Ａｃ２上に、－Ａ１－Ｒ１－Ａ１－Ｙ１で表される置換基が結合した化合物に該当する。
【0238】
式（ｃ１）中、Ａ１は、単結合、又は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＮＨＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、及び－ＳＯ２－からなる群より選択される２価の基である。Ａ１としては、単結合、－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－が好ましい。
【0239】
式（ｃ１）中、Ｒ１は、水素原子、又はｋ価の有機基である。ｋは１又は２である。
ｋが１である場合、Ｒ１としての有機基は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含む有機基であっても、炭化水素基であってもよい。
Ｒ１が炭化水素基である場合、当該炭化水素基は、Ｓｕｂについて説明した炭化水素基と同様である。
ｋが２である場合、Ｒ１としての有機基は、上記ｋが１の場合のＲ１の有機基から水素原子を１つ除いた基であるのが好ましい。
ｋが２の場合、Ｒ１は、炭素原子数１以上１０以下のアルキレン基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキレン基、若しくは炭素原子数６以上１０以下のアリーレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基が好ましい。
炭素原子数１以上１０以下のアルキレン基の好適な具体例としては、メチレン基、エタン－１，２－ジイル基、エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，３－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ｎ－ブタン－１，４－ジイル基、ｎ－ペンタン－１，５－ジイル基、ｎ－ヘキサン－１，６－ジイル基、ｎ－ヘプタン－１，７－ジイル基、ｎ－オクタン－１，８－ジイル基、ｎ－ノナン－１，９－ジイル基及びｎ－デカン－１，１０－ジイル基等が挙げられる。
炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキレン基の好適な具体例としては、シクロペンタン－１，２－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基、シクロヘキサン－１，２－ジイル基、シクロヘキサン－１，３－ジイル基及びシクロヘキサン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
炭素原子数６以上１０以下のアリーレン基の好適な具体例としては、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、ナフタレン－２，７－ジイル基及びナフタレン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
これらの基の中では、メチレン基、エタン－１，２－ジイル基、シクロヘキサン－１，３－ジイル基、シクロヘキサン－１，４－ジイル基、ｍ－フェニレン基及びｐ－フェニレン基や、これらを組み合わせた２価の基が好ましい。
ｋが１である場合、Ｒ１としての有機基は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含む有機基であっても、炭化水素基であってもよい。
Ｒ１が炭化水素基である場合、当該炭化水素基は、Ｓｕｂについて説明した炭化水素基と同様である。
ｋが２である場合、Ｒ１としての有機基は、上記ｋが１の場合のＲ１の有機基から水素原子を１つ除いた基であるのが好ましい。
ｋが２の場合、Ｒ１は、炭素原子数１以上１０以下のアルキレン基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキレン基、若しくは炭素原子数６以上１０以下のアリーレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基が好ましい。
炭素原子数１以上１０以下のアルキレン基の好適な具体例としては、メチレン基、エタン－１，２－ジイル基、エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，３－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ｎ－ブタン－１，４－ジイル基、ｎ－ペンタン－１，５－ジイル基、ｎ－ヘキサン－１，６－ジイル基、ｎ－ヘプタン－１，７－ジイル基、ｎ－オクタン－１，８－ジイル基、ｎ－ノナン－１，９－ジイル基及びｎ－デカン－１，１０－ジイル基等が挙げられる。
炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキレン基の好適な具体例としては、シクロペンタン－１，２－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基、シクロヘキサン－１，２－ジイル基、シクロヘキサン－１，３－ジイル基及びシクロヘキサン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
炭素原子数６以上１０以下のアリーレン基の好適な具体例としては、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、ナフタレン－２，７－ジイル基及びナフタレン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
これらの基の中では、メチレン基、エタン－１，２－ジイル基、シクロヘキサン－１，３－ジイル基、シクロヘキサン－１，４－ジイル基、ｍ－フェニレン基及びｐ－フェニレン基や、これらを組み合わせた２価の基が好ましい。
【0240】
式（ｃ－ａ－１）中、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環である環Ａｃ１は、環Ａｃ１上に単結合が結合していることを除いて、式（ｃ－ａ）中の環Ａｃ１と同じである。
式（ｃ－ｂ－１）中、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環である環Ａｃ２は、環Ａｃ２上に単結合が結合していることを除いて、式（ｃ－ｂ）中の環Ａｃ２と同じである。
式（ｃ－ｂ－１）中、Ｓｕｂ以外の置換基を有していてもよい単環式又は縮合多環式の含窒素芳香族複素環である環Ａｃ２は、環Ａｃ２上に単結合が結合していることを除いて、式（ｃ－ｂ）中の環Ａｃ２と同じである。
【0241】
式（ｃ－ａ－１）及び式（ｃ－ｂ－１）中のＳｕｂは、式（ｃ－ａ）及び式（ｃ－ｂ）中のＳｕｂと同じである。
【0242】
式（ｃ－ｂ－１）中のＲｃ０は、式（ｃ－ｂ）中のＲｃ０と同じである。
【0243】
式（ｃ１）で表される化合物において、ｋが２であり、Ｙ１が式（ｃ－ａ－１）で表される基であり、式（ｃ－ａ－１）中のＡｃ１がピリジン環であることが好ましい。このような化合物として、下記式（ｃ２）で表される化合物が挙げられる。
（式（ｃ２）中、Ａ１１及びＡ１２は、それぞれ独立に、単結合、又は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＮＨＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、及び－ＳＯ２－からなる群より選択される２価の基であり、Ｒ１１は、２価の有機基であり、Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立に、炭化水素基である。）
【化40】
【0244】
式（ｃ２）中、Ａ１１及びＡ１２は、それぞれ独立に、単結合、－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－であることが好ましい。
【0245】
式（ｃ２）中、Ｒ１１は、２価の有機基である。Ｒ１１としての有機基は、式（ｃ１）中のＲ１について、ｋが２である場合と同様である。
【0246】
式（ｃ２）中、Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立に、炭化水素基である。Ｒ１２～Ｒ１５としての炭化水素基は、式（ｃ－ａ）及び式（ｃ－ｂ）中のＳｕｂについて説明した炭化水素基と同様である。
【0247】
また、式（ｃ１）で表される化合物において、ｋが１であり、Ｙ１が式（ｃ－ａ－１）で表される基であり、式（ｃ－ａ－１）中のＡｃ１がピリジン環であることが好ましい。このような化合物として、下記式で表される化合物（ｃ３）が挙げられる。
（式（ｃ３）中、Ｒ１２、Ｒ１３及びＡ１１は、それぞれ式（ｃ２）中のＲ１２、Ｒ１３及びＡ１１と同じである。Ｒ１６は、１価の有機基である。）
【化41】
【0248】
式（ｃ３）中、Ｒ１６は、１価の有機基である。Ｒ１６としての有機基は、式（ｃ１）中のＲ１について、ｋが１である場合の有機基と同様である。
【0249】
また、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の溶解度Ｓの常用対数値ＬｏｇＳは－６．００以下である。例えば、上記式（ｃ－ａ）や式（ｃ－ｂ）に該当する化合物が使用されても、ＬｏｇＳが－６．００より大きいと、形状が悪くなる。
【0250】
ＬｏｇＳは、上記のとおり溶解度Ｓの常用対数値である。ＬｏｇＳは、Windows（登録商標）版chemdraw（登録商標） prime（16.0）で算出される値である。なお、ＬｏｇＳ値は、Windows版chemdraw prime（16.0）と同様の値が算出できるのであれば、Windows版chemdraw prime（16.0）以外のソフト等を用いて算出してもよい。
【0251】
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）のＬｏｇＳ値は、－６．００以下であればよく、例えば、－１０．００以下でもよい。また、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）のＬｏｇＳ値は、－１５．００以上が好ましく、－８．００以上がより好ましい。
【0252】
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の具体例として、下記化合物が挙げられる。
【化42】
【0253】
【化43】
【0254】
【化44】
【0255】
【化45】
【0256】
【化46】
【0257】
【化47】
【0258】
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）は、周知の反応を適宜組み合わせて合成できる。以下に含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の合成方法例を示す。
【0259】
例えば、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外に置換基を有していてもよいピリジン環である化合物について、Ｐａａｌ－Ｋｎｏｒｒ合成の変法で得ることができる。具体的には、例えば、下記式（ｃ－ａＩ）で表される１，５－ジケトンにアンモニアを作用させる方法、下記式（ｃ－ａＩ’）で表される飽和１，５－ジケトンにアンモニアを作用させた後に、硝酸やキノン等で酸化する方法や、下記式（ｃ－ａＩ’）で表される飽和１，５－ジケトンにヒドロキシアミンを作用させる方法により、合成することができる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＲｃ０１＝ＣＲｃ０１－ＣＯ－Ｓｕｂ・・・（ｃ－ａＩ）
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＨＲｃ０１－ＣＨＲｃ０１－ＣＯ－Ｓｕｂ・・・（ｃ－ａＩ’）
（式（ｃ－ａＩ）及び（ｃ－ａＩ’）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピリジン環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。複数のＲｃ０１は、同一であっても異なっていてもよい。）
式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１がピリジン環である化合物は、Ｂｏｈｌｍａｎｎ－Ｒａｈｔｚ合成でも、得ることができる。
具体的には、下記式（ｃ－ａＩＩ）で表されるエチニルケトン化合物と、式（ｃ－ａＩＩＩ）で表されるエナミン化合物とを、縮合環化させる方法により、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１がピリジン環である化合物を合成することができる。この方法により生成した化合物においては、ピリジン環上に電子吸引基（ＥＷＧ、例えば、エトキシカルボニル基等のカルボン酸エステル基等）が結合している。かかる、電子吸引基は、周知の方法により水素原子に置換されてもよい。
電子吸引基がエトキシカルボニル基である場合の、電子吸引基の水素原子への置換方法としては、エトキシカルボニル基を水酸化カリウムにより加水分解して、カルボン酸カリウム塩基に変換した後、カルボン酸カリウム塩基を有する中間体を、水酸化カルシウムの存在下に加熱して脱炭酸させる方法が挙げられる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－Ｃ≡ＣＨ・・・（ｃ－ａＩＩ）
Ｈ２Ｎ－ＣＳｕｂ＝ＣＨＥＷＧ・・・（ｃ－ａＩＩＩ）
（式（ｃ－ａＩＩ）、及び式（ｃ－ａＩＩＩ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、式（ｃ－ａＩＩＩ）中、ＥＷＧは電子吸引基である。）
また、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外の置換基を４位に有していてもよいピリジン環である化合物は、Ｈａｎｔｚｓｃｈ合成後に酸化、加水分解及び脱炭酸を行うことにより得ることができる。
具体的には、下記式（Ｃ－ａＩＶ）で表されるβ－ケトエステル化合物と、下記式（ｃ－ａＶ）で表されるアルデヒドと、アンモニアとを縮合環化させ、４位を置換されていてもよい、２，６－ジ置換－１，４－ジヒドロピリジン－３，５－ジカルボン酸エステルを合成した後、酸化を行う方法により、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外の置換基を４位に有していてもよいピリジン環である化合物を合成することができる。
この方法に得られる化合物は、ピリジン環上の３位及び５位にカルボン酸エステル基を有する。かかるカルボン酸エステル基は、前述の方法によって水素原子に置換されてもよい。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨ２－ＣＯ－Ｏ－Ｒｃ０２・・・（ｃ－ａＩＶ）
Ｒｃ０１－ＣＨＯ・・・（ｃ－ａＶ）
（式（ｃ－ａＩＶ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０２は、炭化水素基（例えば、炭素原子数１以上４以下のアルキル基）であり、式（ｃ－ａＶ）中、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピリジン環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。）
式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外に置換基を有していてもよいピリジン環である化合物は、Ｈａｎｔｚｓｃｈ合成と類似の方法で合成することができる。具体的には、下式（ｃ－ａＶＩ）で表されるジカルボニル化合物と、下式（ｃ－ａＶＩＩ）で表されるエナミン化合物とを、縮合環化させることによっても合成することができる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＯ－Ｒｃ０１・・・（ｃ－ａＶＩ）
Ｈ２Ｎ－ＣＳｕｂ＝ＣＨＲｃ０１・・・（ｃ－ａＶＩＩ）
（式（ｃ－ａＶＩ）、及び式（ｃ－ａＶＩＩ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピリジン環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。式（ｃ－ａＶＩ）、及び式（ｃ－ａＶＩＩ）中の複数のＲｃ０１は、同一であっても異なっていてもよい。）
また、式（ｃ－ｂ）で表され、Ａｃ２がピロール環である化合物は、例えば、下式（ｃ－ｂＩ）で表されるジカルボニル化合物を、Ｒｃ０－ＮＨ２で表されるアンモニア又はアミンの存在下に閉環させる、Ｐａａｌ－Ｋｎｏｒｒ合成法により合成することができる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＨＲｃ０１－ＣＯ－Ｓｕｂ・・・（ｃ－ｂＩ）
（式（ｃ－ｂＩ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ｂ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピロール環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。複数のＲｃ０１は、同一であっても異なっていてもよい。）
式（ｃ－ａ）で表される化合物、及び式（ｃ－ｂ）で表される化合物は、環Ａｃ１又は環Ａｃ２に対して、周知のアルキル化方法や、カップリング反応を適用してＳｕｂを導入することにより合成されてもよい。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＲｃ０１＝ＣＲｃ０１－ＣＯ－Ｓｕｂ・・・（ｃ－ａＩ）
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＨＲｃ０１－ＣＨＲｃ０１－ＣＯ－Ｓｕｂ・・・（ｃ－ａＩ’）
（式（ｃ－ａＩ）及び（ｃ－ａＩ’）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピリジン環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。複数のＲｃ０１は、同一であっても異なっていてもよい。）
式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１がピリジン環である化合物は、Ｂｏｈｌｍａｎｎ－Ｒａｈｔｚ合成でも、得ることができる。
具体的には、下記式（ｃ－ａＩＩ）で表されるエチニルケトン化合物と、式（ｃ－ａＩＩＩ）で表されるエナミン化合物とを、縮合環化させる方法により、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１がピリジン環である化合物を合成することができる。この方法により生成した化合物においては、ピリジン環上に電子吸引基（ＥＷＧ、例えば、エトキシカルボニル基等のカルボン酸エステル基等）が結合している。かかる、電子吸引基は、周知の方法により水素原子に置換されてもよい。
電子吸引基がエトキシカルボニル基である場合の、電子吸引基の水素原子への置換方法としては、エトキシカルボニル基を水酸化カリウムにより加水分解して、カルボン酸カリウム塩基に変換した後、カルボン酸カリウム塩基を有する中間体を、水酸化カルシウムの存在下に加熱して脱炭酸させる方法が挙げられる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－Ｃ≡ＣＨ・・・（ｃ－ａＩＩ）
Ｈ２Ｎ－ＣＳｕｂ＝ＣＨＥＷＧ・・・（ｃ－ａＩＩＩ）
（式（ｃ－ａＩＩ）、及び式（ｃ－ａＩＩＩ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、式（ｃ－ａＩＩＩ）中、ＥＷＧは電子吸引基である。）
また、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外の置換基を４位に有していてもよいピリジン環である化合物は、Ｈａｎｔｚｓｃｈ合成後に酸化、加水分解及び脱炭酸を行うことにより得ることができる。
具体的には、下記式（Ｃ－ａＩＶ）で表されるβ－ケトエステル化合物と、下記式（ｃ－ａＶ）で表されるアルデヒドと、アンモニアとを縮合環化させ、４位を置換されていてもよい、２，６－ジ置換－１，４－ジヒドロピリジン－３，５－ジカルボン酸エステルを合成した後、酸化を行う方法により、式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外の置換基を４位に有していてもよいピリジン環である化合物を合成することができる。
この方法に得られる化合物は、ピリジン環上の３位及び５位にカルボン酸エステル基を有する。かかるカルボン酸エステル基は、前述の方法によって水素原子に置換されてもよい。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨ２－ＣＯ－Ｏ－Ｒｃ０２・・・（ｃ－ａＩＶ）
Ｒｃ０１－ＣＨＯ・・・（ｃ－ａＶ）
（式（ｃ－ａＩＶ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０２は、炭化水素基（例えば、炭素原子数１以上４以下のアルキル基）であり、式（ｃ－ａＶ）中、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピリジン環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。）
式（ｃ－ａ）で表され、Ａｃ１が、Ｓｕｂ以外に置換基を有していてもよいピリジン環である化合物は、Ｈａｎｔｚｓｃｈ合成と類似の方法で合成することができる。具体的には、下式（ｃ－ａＶＩ）で表されるジカルボニル化合物と、下式（ｃ－ａＶＩＩ）で表されるエナミン化合物とを、縮合環化させることによっても合成することができる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＯ－Ｒｃ０１・・・（ｃ－ａＶＩ）
Ｈ２Ｎ－ＣＳｕｂ＝ＣＨＲｃ０１・・・（ｃ－ａＶＩＩ）
（式（ｃ－ａＶＩ）、及び式（ｃ－ａＶＩＩ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ａ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピリジン環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。式（ｃ－ａＶＩ）、及び式（ｃ－ａＶＩＩ）中の複数のＲｃ０１は、同一であっても異なっていてもよい。）
また、式（ｃ－ｂ）で表され、Ａｃ２がピロール環である化合物は、例えば、下式（ｃ－ｂＩ）で表されるジカルボニル化合物を、Ｒｃ０－ＮＨ２で表されるアンモニア又はアミンの存在下に閉環させる、Ｐａａｌ－Ｋｎｏｒｒ合成法により合成することができる。
Ｓｕｂ－ＣＯ－ＣＨＲｃ０１－ＣＨＲｃ０１－ＣＯ－Ｓｕｂ・・・（ｃ－ｂＩ）
（式（ｃ－ｂＩ）中、Ｓｕｂは、式（ｃ－ｂ）中のＳｕｂと同様であり、Ｒｃ０１は、水素原子、又はピロール環に結合するＳｕｂ以外の置換基である。複数のＲｃ０１は、同一であっても異なっていてもよい。）
式（ｃ－ａ）で表される化合物、及び式（ｃ－ｂ）で表される化合物は、環Ａｃ１又は環Ａｃ２に対して、周知のアルキル化方法や、カップリング反応を適用してＳｕｂを導入することにより合成されてもよい。
【0260】
また、式（ｃ１）で表され、Ａ１が－ＣＯＯ－であり、Ｒ１がｋ価の有機基である化合物は、Ｙ１－ＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物とＲ１－（ＯＨ）ｋで表されるアルコールとを反応させるエステル化により、製造することができる。
また、式（ｃ１）で表され、Ａ１が－ＯＣＯ－であり、Ｒ１がｋ価の有機基である化合物は、Ｙ１－ＯＨで表されるアルコールと、Ｒ１－（ＣＯＯＨ）ｋで表されるカルボン酸化合物とを反応させるエステル化により、製造することができる。
エステル化の方法は特に限定されない。好適なエステル化方法としては、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン等の触媒の存在下にカルボジイミド化合物等の縮合剤を作用させ、カルボン酸化合物と、アルコールとを縮合させる方法が挙げられる。また、カルボン酸化合物を、塩化チオニルや三塩化リン等のハロゲン化剤と反応させてカルボン酸ハライドを生成させた後、アルコールと反応させてもよい。
また、式（ｃ１）で表され、Ａ１が－ＯＣＯ－であり、Ｒ１がｋ価の有機基である化合物は、Ｙ１－ＯＨで表されるアルコールと、Ｒ１－（ＣＯＯＨ）ｋで表されるカルボン酸化合物とを反応させるエステル化により、製造することができる。
エステル化の方法は特に限定されない。好適なエステル化方法としては、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン等の触媒の存在下にカルボジイミド化合物等の縮合剤を作用させ、カルボン酸化合物と、アルコールとを縮合させる方法が挙げられる。また、カルボン酸化合物を、塩化チオニルや三塩化リン等のハロゲン化剤と反応させてカルボン酸ハライドを生成させた後、アルコールと反応させてもよい。
【0261】
式（ｃ１）で表され、Ａ１が－ＣＯＮＨ－であり、Ｒ１がｋ価の有機基である化合物は、Ｙ１－ＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物、該カルボン酸化合物のハロゲン化物や該カルボン酸化合物の酸無水物とＲ１－（ＮＨ２）ｋで表されるアミンとを反応させるアミド化により、製造することができる。
式（ｃ１）で表され、Ａ１が－ＮＨＣＯ－であり、Ｒ１がｋ価の有機基である化合物は、Ｙ１－ＮＨ２で表されるアミンと、Ｒ１－（ＣＯＯＨ）ｋで表されるカルボン酸化合物、該カルボン酸化合物のハロゲン化物や該カルボン酸化合物の酸無水物とを反応させるアミド化により、製造することができる。
アミド化の方法は特に限定されない。好適なアミド化方法としては、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン等の触媒の存在下にカルボジイミド化合物等の縮合剤を作用させ、カルボン酸化合物、該カルボン酸化合物のハロゲン化物や該カルボン酸化合物の酸無水物とアミンとを縮合させる方法が挙げられる。
以上、式（ｃ１）で表される化合物の製造方法について、Ａ１がエステル結合又はカルボン酸アミド結合である場合について説明した。なお、Ａ１がエステル結合及びカルボン酸アミド以外の結合である場合についても、エーテル結合生成反応、アシル化反応、カーボネート結合生成反応、アミノ基に対するＮ－置換基導入反応、ウレタン結合生成反応、チオエーテル結合生成反応、スルホキシド結合生成反応（例えば、チオエーテル結合の酸化）、及びスルホン結合生成反応についての周知の方法を適用することにより、式（ｃ１）で表される化合物を製造可能である。
式（ｃ１）で表され、Ａ１が－ＮＨＣＯ－であり、Ｒ１がｋ価の有機基である化合物は、Ｙ１－ＮＨ２で表されるアミンと、Ｒ１－（ＣＯＯＨ）ｋで表されるカルボン酸化合物、該カルボン酸化合物のハロゲン化物や該カルボン酸化合物の酸無水物とを反応させるアミド化により、製造することができる。
アミド化の方法は特に限定されない。好適なアミド化方法としては、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン等の触媒の存在下にカルボジイミド化合物等の縮合剤を作用させ、カルボン酸化合物、該カルボン酸化合物のハロゲン化物や該カルボン酸化合物の酸無水物とアミンとを縮合させる方法が挙げられる。
以上、式（ｃ１）で表される化合物の製造方法について、Ａ１がエステル結合又はカルボン酸アミド結合である場合について説明した。なお、Ａ１がエステル結合及びカルボン酸アミド以外の結合である場合についても、エーテル結合生成反応、アシル化反応、カーボネート結合生成反応、アミノ基に対するＮ－置換基導入反応、ウレタン結合生成反応、チオエーテル結合生成反応、スルホキシド結合生成反応（例えば、チオエーテル結合の酸化）、及びスルホン結合生成反応についての周知の方法を適用することにより、式（ｃ１）で表される化合物を製造可能である。
【0262】
なお、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）である下記式で表される化合物は、市販品（東京化成工業製等）を用いることができる。
【化48】
【0263】
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）は、上記樹脂（Ｂ）及び後述するアルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の合計質量１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上５質量部以下の範囲で用いられ、より好ましくは０．０１質量部以上３質量部以下の範囲で用いられ、さらに好ましくは０．０５質量部以上２質量部以下の範囲で用いられる。
【0264】
＜アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）＞
感光性樹脂組成物は、クラック耐性を向上させるため、さらにアルカリ可溶性樹脂（Ｄ）を含有することが好ましい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度２０質量％の樹脂溶液（溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）により、膜厚１μｍの樹脂膜を基板上に形成し、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬した際、０．０１μｍ以上溶解するものをいう。アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）としては、ノボラック樹脂（Ｄ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）、及びアクリル樹脂（Ｄ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが好ましい。
感光性樹脂組成物は、クラック耐性を向上させるため、さらにアルカリ可溶性樹脂（Ｄ）を含有することが好ましい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度２０質量％の樹脂溶液（溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）により、膜厚１μｍの樹脂膜を基板上に形成し、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬した際、０．０１μｍ以上溶解するものをいう。アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）としては、ノボラック樹脂（Ｄ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）、及びアクリル樹脂（Ｄ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが好ましい。
【0265】
［ノボラック樹脂（Ｄ１）］
ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物（以下、単に「フェノール類」という。）とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。
ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物（以下、単に「フェノール類」という。）とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。
【0266】
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－ブチルフェノール、ｍ－ブチルフェノール、ｐ－ブチルフェノール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、２，３，５－トリメチルフェノール、３，４，５－トリメチルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ、没食子酸、没食子酸エステル、α－ナフトール、β－ナフトール等が挙げられる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
【0267】
なお、ｏ－クレゾールを使用すること、樹脂中の水酸基の水素原子を他の置換基に置換すること、あるいは嵩高いアルデヒド類を使用することにより、ノボラック樹脂の柔軟性を一層向上させることが可能である。
【0268】
ノボラック樹脂（Ｄ１）の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、１０００以上５００００以下であることが好ましい。
【0269】
［ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）］
ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、ｐ－ヒドロキシスチレン、α－メチルヒドロキシスチレン、α－エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。
さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましい。このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α－メチルスチレン等が挙げられる。
ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、ｐ－ヒドロキシスチレン、α－メチルヒドロキシスチレン、α－エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。
さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましい。このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α－メチルスチレン等が挙げられる。
【0270】
ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｄ２）の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、１０００以上５００００以下であることが好ましい。
【0271】
［アクリル樹脂（Ｄ３）］
アクリル樹脂（Ｄ３）としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシ基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。
アクリル樹脂（Ｄ３）としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシ基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。
【0272】
上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３－メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等を例示することができる。上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、２－メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0273】
上記カルボキシ基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有する化合物；等を例示することができる。上記カルボキシ基を有する重合性化合物は、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0274】
アクリル樹脂（Ｄ３）の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、５００００以上８０００００以下であることが好ましい。
【0275】
アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の含有量は、上記樹脂（Ｂ）とアルカリ可溶性樹脂（Ｄ）との合計を１００質量部とした場合、０質量部以上８０質量部以下が好ましく、０質量部以上６０質量部以下がより好ましい。アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の含有量を上記の範囲とすることによりクラック耐性を向上させやすい。
【0276】
＜含硫黄化合物（Ｅ）＞
感光性樹脂組成物が金属基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物が、含硫黄化合物（Ｅ）を含むのが好ましい。含硫黄化合物（Ｅ）は、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む化合物である。なお、２以上の互変異性体を生じ得る化合物に関して、少なくとも１つの互変異性体が金属基板の表面を構成する金属に対して配位する硫黄原子を含む場合、当該化合物は含硫黄化合物に該当する。
Ｃｕ等の金属からなる表面上に、めっき用の鋳型として用いられるレジストパターンを形成する場合、フッティング等の断面形状の不具合が生じやすい。しかし、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含む場合、基板における金属からなる表面上にレジストパターンを形成する場合でも、フッティング等の断面形状の不具合の発生を抑制しやすい。なお、「フッティング」とは、基板表面とレジストパターンの接触面付近においてレジスト部が非レジスト部側に張り出してしまうことによって、非レジスト部においてトップの幅よりもボトムの幅のほうが狭くなる現象である。
感光性樹脂組成物が金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物を含む必要は特段ない。感光性樹脂組成物が金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物の成分数の低減により、感光性樹脂組成物の製造が容易である点や、感光性樹脂組成物の製造コストを低減できる点等から、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含まないのが好ましい。
なお、金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含むことによる不具合は特段ない。
感光性樹脂組成物が金属基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物が、含硫黄化合物（Ｅ）を含むのが好ましい。含硫黄化合物（Ｅ）は、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む化合物である。なお、２以上の互変異性体を生じ得る化合物に関して、少なくとも１つの互変異性体が金属基板の表面を構成する金属に対して配位する硫黄原子を含む場合、当該化合物は含硫黄化合物に該当する。
Ｃｕ等の金属からなる表面上に、めっき用の鋳型として用いられるレジストパターンを形成する場合、フッティング等の断面形状の不具合が生じやすい。しかし、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含む場合、基板における金属からなる表面上にレジストパターンを形成する場合でも、フッティング等の断面形状の不具合の発生を抑制しやすい。なお、「フッティング」とは、基板表面とレジストパターンの接触面付近においてレジスト部が非レジスト部側に張り出してしまうことによって、非レジスト部においてトップの幅よりもボトムの幅のほうが狭くなる現象である。
感光性樹脂組成物が金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物を含む必要は特段ない。感光性樹脂組成物が金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物の成分数の低減により、感光性樹脂組成物の製造が容易である点や、感光性樹脂組成物の製造コストを低減できる点等から、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含まないのが好ましい。
なお、金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含むことによる不具合は特段ない。
【0277】
金属に対して配位し得る硫黄原子は、例えば、メルカプト基（－ＳＨ）、チオカルボキシ基（－ＣＯ－ＳＨ）、ジチオカルボキシ基（－ＣＳ－ＳＨ）、及びチオカルボニル基（－ＣＳ－）等として含硫黄化合物に含まれる。
金属に対して配位しやすく、フッティングの抑制効果に優れることから、含硫黄化合物がメルカプト基を有するのが好ましい。
金属に対して配位しやすく、フッティングの抑制効果に優れることから、含硫黄化合物がメルカプト基を有するのが好ましい。
【0278】
メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例としては、下記式（ｅ１）で表される化合物が挙げられる。
（式中、Ｒｅ１及びＲｅ２は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、Ｒｅ３は単結合又はアルキレン基を示し、Ｒｅ４は炭素以外の原子を含んでいてもよいｕ価の脂肪族基を示し、ｕは２以上４以下の整数を示す。）
【化49】
【0279】
Ｒｅ１及びＲｅ２がアルキル基である場合、当該アルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であるのが好ましい。Ｒｅ１及びＲｅ２がアルキル基である場合、当該アルキル基の炭素原子数は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。当該アルキル基の炭素原子数としては、１以上４以下が好ましく、１又は２であるのが特に好ましく、１であるのが最も好ましい。Ｒｅ１とＲｅ２との組み合わせとしては、一方が水素原子であり他方がアルキル基であるのが好ましく、一方が水素原子であり他方がメチル基であるのが特に好ましい。
【0280】
Ｒｅ３がアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であるのが好ましい。Ｒｅ３がアルキレン基である場合、当該アルキレン基の炭素原子数は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。当該アルキレン基の炭素原子数としては、１以上１０以下が好ましく、１以上５以下がより好ましく、１又は２であるのが特に好ましく、１であるのが最も好ましい。
【0281】
Ｒｅ４は炭素以外の原子を含んでいてもよい２価以上４価以下の脂肪族基である。Ｒｅ４が含んでいてもよい炭素以外の原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。Ｒｅ４である脂肪族基の構造は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよく、これらの構造を組み合わせた構造であってもよい。
【0282】
式（ｅ１）で表される化合物の中では、下記式（ｅ２）で表される化合物がより好ましい。
（式（ｅ２）中、Ｒｅ４及びｕは、式（ｅ１）と同意である。）
【化50】
【0283】
上記式（ｅ２）で表される化合物の中では、下記の化合物が好ましい。
【化51】
【0284】
下記式（ｅ３－Ｌ１）～（ｅ３－Ｌ７）で表される化合物も、メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例として挙げられる。
（式（ｅ３－Ｌ１）～（ｅ３－Ｌ７）中、Ｒ’、ｓ”、Ａ”、及びｒは、アクリル樹脂（Ｂ３）について前述した、式（ｂ－Ｌ１）～（ｂ－Ｌ７）と同様である。）
【化52】
【0285】
上記式（ｅ３－Ｌ１）～（ｅ３－Ｌ７）で表されるメルカプト化合物の好適な具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
【化53】
【0286】
下記式（ｅ３－１）～（ｅ３－４）で表される化合物も、メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例として挙げられる。
（式（ｅ３－１）～（ｅ３－４）中の略号の定義については、アクリル樹脂（Ｂ３）に関して前述した、式（３－１）～（３－４）について前述した通りである。）
【化54】
【0287】
上記式（ｅ３－１）～（ｅ３－４）で表されるメルカプト化合物の好適な具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
【0288】
【化55】
【0289】
また、メルカプト基を有する化合物の好適な例として、下記式（ｅ４）で表される化合物が挙げられる。
（式（ｅ４）において、Ｒｅ５は、水酸基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルキルチオ基、炭素数１以上４以下のヒドロキシアルキル基、炭素数１以上４以下のメルカプトアルキル基、炭素数１以上４以下のハロゲン化アルキル基及びハロゲン原子からなる群より選択される基であり、ｎ１は０以上３以下の整数であり、ｎ０は０以上３以下の整数であり、ｎ１が２又は３である場合、Ｒｅ５は同一であっても異なっていてもよい。）
【化56】
【0290】
Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下の水酸基を有していてもよいアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、及びｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中では、メチル基、ヒドロキシメチル基、及びエチル基が好ましい。
【0291】
Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ－ブチルオキシ基、及びｔｅｒｔ－ブチルオキシ基が挙げられる。これらのアルコキシ基の中では、メトキシ基、及びエトキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
【0292】
Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下のアルキルチオ基である場合の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ－ブチルチオ基、及びｔｅｒｔ－ブチルチオ基が挙げられる。これらのアルキルチオ基の中では、メチルチオ基、及びエチルチオ基が好ましく、メチルチオ基がより好ましい。
【0293】
Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下のヒドロキシアルキル基である場合の具体例としては、ヒドロキシメチル基、２－ヒドロキシエチル基、１－ヒドロキシエチル基、３－ヒドロキシ－ｎ－プロピル基、及び４－ヒドロキシ－ｎ－ブチル基等が挙げられる。これらのヒドロキシアルキル基の中では、ヒドロキシメチル基、２－ヒドロキシエチル基、及び１－ヒドロキシエチル基が好ましく、ヒドロキシメチル基がより好ましい。
【0294】
Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下のメルカプトアルキル基である場合の具体例としては、メルカプトメチル基、２－メルカプトエチル基、１－メルカプトエチル基、３－メルカプト－ｎ－プロピル基、及び４－メルカプト－ｎ－ブチル基等が挙げられる。これらのメルカプトアルキル基の中では、メルカプトメチル基、２－メルカプトエチル基、及び１－メルカプトエチル基が好ましく、メルカプトメチル基がより好ましい。
【0295】
Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基である場合、ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。Ｒｅ５が炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基である場合の具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリフルオロメチル基、２－クロロエチル基、２－ブロモエチル基、２－フルオロエチル基、１，２－ジクロロエチル基、２，２－ジフルオロエチル基、１－クロロ－２－フルオロエチル基、３－クロロ－ｎ－プロピル基、３－ブロモ－ｎ－プロピル基、３－フルオロ－ｎ－プロピル基、及び４－クロロ－ｎ－ブチル基等が挙げられる。これらのハロゲン化アルキル基の中では、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、及びトリフルオロメチル基が好ましく、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、及びトリフルオロメチル基がより好ましい。
【0296】
Ｒｅ５がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素が挙げられる。
【0297】
式（ｅ４）において、ｎ１は０以上３以下の整数であり、１がより好ましい。ｎ１が２又は３である場合、複数のＲｅ５は同一であっても異なっていてもよい。
【0298】
式（ｅ４）で表される化合物において、ベンゼン環上のＲｅ５の置換位置は特に限定されない。ベンゼン環上のＲｅ５の置換位置は－（ＣＨ２）ｎ０－ＳＨの結合位置に対してメタ位又はパラ位であるのが好ましい。
【0299】
式（ｅ４）で表される化合物としては、Ｒｅ５として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を、少なくとも１つ有する化合物が好ましく、Ｒｅ５として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を１つ有する化合物がより好ましい。式（ｅ４）で表される化合物が、Ｒｅ５として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を１つ有する場合、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、又はメルカプトアルキル基のベンゼン環上の置換位置は、－（ＣＨ２）ｎ０－ＳＨの結合位置に対してメタ位又はパラ位であるのが好ましく、パラ位であるのがより好ましい。
【0300】
式（ｅ４）において、ｎ０は０以上３以下の整数である。化合物の調製や、入手が容易であることからｎ０は０又は１であるのが好ましく、０であるのがより好ましい。
【0301】
式（ｅ４）で表される化合物の具体例としては、ｐ－メルカプトフェノール、ｐ－チオクレゾール、ｍ－チオクレゾール、４－（メチルチオ）ベンゼンチオール、４－メトキシベンゼンチオール、３－メトキシベンゼンチオール、４－エトキシベンゼンチオール、４－イソプロピルオキシベンゼンチオール、４－ｔｅｒｔ－ブトキシベンゼンチオール、３，４－ジメトキシベンゼンチオール、３，４，５－トリメトキシベンゼンチオール、４－エチルベンゼンチオール、４－イソプロピルベンゼンチオール、４－ｎ－ブチルベンゼンチオール、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンチオール、３－エチルベンゼンチオール、３－イソプロピルベンゼンチオール、３－ｎ－ブチルベンゼンチオール、３－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンチオール、３，５－ジメチルベンゼンチオール、３，４－ジメチルベンゼンチオール、３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルベンゼンチオール、３－ｔｅｒｔ－４－メチルベンゼンチオール、３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチルベンゼンチオール、４－ｔｅｒｔ－ブチル－３－メチルベンゼンチオール、４－メルカプトベンジルアルコール、３－メルカプトベンジルアルコール、４－（メルカプトメチル）フェノール、３－（メルカプトメチル）フェノール、１，４－ジ（メルカプトメチル）フェノール、１，３－ジ（メルカプトメチル）フェノール、４－フルオロベンゼンチオール、３－フルオロベンゼンチオール、４－クロロベンゼンチオール、３－クロロベンゼンチオール、４－ブロモベンゼンチオール、４－ヨードベンゼンチオール、３－ブロモベンゼンチオール、３，４－ジクロロベンゼンチオール、３，５－ジクロロベンゼンチオール、３，４－ジフルオロベンゼンチオール、３，５－ジフルオロベンゼンチオール、４－メルカプトカテコール、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メルカプトフェノール、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メトキシベンゼンチオール、４－ブロモ－３－メチルベンゼンチオール、４－（トリフルオロメチル）ベンゼンチオール、３－（トリフルオロメチル）ベンゼンチオール、３，５－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンチオール、４－メチルチオベンゼンチオール、４－エチルチオベンゼンチオール、４－ｎ－ブチルチオベンゼンチオール、及び４－ｔｅｒｔ－ブチルチオベンゼンチオール等が挙げられる。
【0302】
またメルカプト基を有する含硫黄化合物としては、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物、及びメルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物の互変異性体が挙げられる。
含窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、１，２，３－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，３，５－トリアジン、インドール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、及び１，８－ナフチリジンが挙げられる。
含窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、１，２，３－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，３，５－トリアジン、インドール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、及び１，８－ナフチリジンが挙げられる。
【0303】
含硫黄化合物として好適な含窒素複素環化合物、及び含窒素複素環化合物の互変異性体の好適な具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
【化57】
【0304】
感光性樹脂組成物が含硫黄化合物（Ｅ）を含む場合、その使用量は、上記樹脂（Ｂ）及び後述するアルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の合計質量１００質量部に対して、０．０１質量部以上５質量部以下が好ましく、０．０２質量部以上３質量部以下がより好ましく、０．０５質量部以上２質量部以下が特に好ましい。
【0305】
＜酸拡散制御剤（Ｆ）＞
感光性樹脂組成物は、鋳型として使用されるレジストパターンの形状や、感光性樹脂膜の引き置き安定性等の向上のため、さらに酸拡散制御剤（Ｆ）を含有することが好ましい。なお、感光性樹脂組成物が含有する上記含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）は酸拡散制御剤として機能し得る。本明細書においては、酸拡散制御剤（Ｆ）は、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）以外の化合物として定義される。酸拡散制御剤（Ｆ）としては、含窒素化合物（Ｆ１）が好ましく、さらに必要に応じて、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）を含有させることができる。
感光性樹脂組成物は、鋳型として使用されるレジストパターンの形状や、感光性樹脂膜の引き置き安定性等の向上のため、さらに酸拡散制御剤（Ｆ）を含有することが好ましい。なお、感光性樹脂組成物が含有する上記含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）は酸拡散制御剤として機能し得る。本明細書においては、酸拡散制御剤（Ｆ）は、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）以外の化合物として定義される。酸拡散制御剤（Ｆ）としては、含窒素化合物（Ｆ１）が好ましく、さらに必要に応じて、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）を含有させることができる。
【0306】
［含窒素化合物（Ｆ１）］
含窒素化合物（Ｆ１）としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ノニルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ－メチルピロリドン、メチルウレア、１，１－ジメチルウレア、１，３－ジメチルウレア、１，１，３，３，－テトラメチルウレア、１，３－ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４－メチルイミダゾール、８－オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、２，４，６－トリ（２－ピリジル）－Ｓ－トリアジン、モルホリン、４－メチルモルホリン、ピペラジン、１，４－ジメチルピペラジン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
含窒素化合物（Ｆ１）としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ノニルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ－メチルピロリドン、メチルウレア、１，１－ジメチルウレア、１，３－ジメチルウレア、１，１，３，３，－テトラメチルウレア、１，３－ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４－メチルイミダゾール、８－オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、２，４，６－トリ（２－ピリジル）－Ｓ－トリアジン、モルホリン、４－メチルモルホリン、ピペラジン、１，４－ジメチルピペラジン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0307】
また、４－ヒドロキシ－１，２，２，６，６－ペンタメチルピペリジン誘導体等の市販のヒンダードアミン化合物や、２，６－ジフェニルピリジン、及び２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン等の２，６－位を炭化水素基等の置換基で置換されたピリジンを含窒素化合物（Ｆ１）として用いることもできる。
【0308】
含窒素化合物（Ｆ１）は、上記樹脂（Ｂ）及び上記アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の合計質量１００質量部に対して、通常０質量部以上５質量部以下の範囲で用いられ、０質量部以上３質量部以下の範囲で用いられることが特に好ましい。
【0309】
［有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）］
有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。
有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。
【0310】
リンのオキソ酸又はその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ－ｎ－ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸及びそれらのエステルのような誘導体；ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸－ジ－ｎ－ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体；ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体；等が挙げられる。これらの中でも、特にホスホン酸が好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0311】
有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）は、上記樹脂（Ｂ）及び上記アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の合計質量１００質量部に対して、通常０質量部以上５質量部以下の範囲で用いられ、０質量部以上３質量部以下の範囲で用いられることが特に好ましい。
【0312】
また、塩を形成させて安定させるために、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｆ２）は、上記含窒素化合物（Ｆ１）と同等量を用いることが好ましい。
【0313】
＜有機溶剤（Ｓ）＞
感光性樹脂組成物は、有機溶剤（Ｓ）を含有する。有機溶剤（Ｓ）の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、従来よりポジ型の感光性樹脂組成物に使用されている有機溶剤から適宜選択して使用することができる。
感光性樹脂組成物は、有機溶剤（Ｓ）を含有する。有機溶剤（Ｓ）の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、従来よりポジ型の感光性樹脂組成物に使用されている有機溶剤から適宜選択して使用することができる。
【0314】
有機溶剤（Ｓ）の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、モノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサン等の環式エーテル類；蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシプロピオン酸メチル、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【0315】
有機溶剤（Ｓ）の含有量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。感光性樹脂組成物を、スピンコート法等により得られる感光性樹脂層の膜厚が５μｍ以上となるような厚膜用途で用いる場合、感光性樹脂組成物の固形分濃度が３０質量％以上５５質量％以下となる範囲で、有機溶剤（Ｓ）を用いるのが好ましい。
【0316】
＜その他の成分＞
感光性樹脂組成物は、可塑性を向上させるため、さらにポリビニル樹脂を含有していてもよい。ポリビニル樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリビニル樹脂は、ガラス転移点の低さの点から、好ましくはポリビニルメチルエーテルである。
感光性樹脂組成物は、可塑性を向上させるため、さらにポリビニル樹脂を含有していてもよい。ポリビニル樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリビニル樹脂は、ガラス転移点の低さの点から、好ましくはポリビニルメチルエーテルである。
【0317】
また、感光性樹脂組成物は、感光性樹脂組成物を用いて形成される鋳型と金属基板との接着性を向上させるため、さらに接着助剤を含有していてもよい。
【0318】
また、感光性樹脂組成物は、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させるため、さらに界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤やシリコーン系界面活性剤が好ましく用いられる。
フッ素系界面活性剤の具体例としては、ＢＭ－１０００、ＢＭ－１１００（いずれもＢＭケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、メガファックＦ１７２、メガファックＦ１７３、メガファックＦ１８３（いずれも大日本インキ化学工業社製）、フロラードＦＣ－１３５、フロラードＦＣ－１７０Ｃ、フロラードＦＣ－４３０、フロラードＦＣ－４３１（いずれも住友スリーエム社製）、サーフロンＳ－１１２、サーフロンＳ－１１３、サーフロンＳ－１３１、サーフロンＳ－１４１、サーフロンＳ－１４５（いずれも旭硝子社製）、ＳＨ－２８ＰＡ、ＳＨ－１９０、ＳＨ－１９３、ＳＺ－６０３２、ＳＦ－８４２８（いずれも東レシリコーン社製）等の市販のフッ素系界面活性剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シリコーン系界面活性剤としては、未変性シリコーン系界面活性剤、ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、アルキル変性シリコーン系界面活性剤、アラルキル変性シリコーン系界面活性剤、及び反応性シリコーン系界面活性剤等を好ましく用いることができる。
シリコーン系界面活性剤としては、市販のシリコーン系界面活性剤を用いることができる。市販のシリコーン系界面活性剤の具体例としては、ペインタッドＭ（東レ・ダウコーニング社製）、トピカＫ１０００、トピカＫ２０００、トピカＫ５０００（いずれも高千穂産業社製）、ＸＬ－１２１（ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、クラリアント社製）、ＢＹＫ－３１０（ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、ビックケミー社製）等が挙げられる。
フッ素系界面活性剤の具体例としては、ＢＭ－１０００、ＢＭ－１１００（いずれもＢＭケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、メガファックＦ１７２、メガファックＦ１７３、メガファックＦ１８３（いずれも大日本インキ化学工業社製）、フロラードＦＣ－１３５、フロラードＦＣ－１７０Ｃ、フロラードＦＣ－４３０、フロラードＦＣ－４３１（いずれも住友スリーエム社製）、サーフロンＳ－１１２、サーフロンＳ－１１３、サーフロンＳ－１３１、サーフロンＳ－１４１、サーフロンＳ－１４５（いずれも旭硝子社製）、ＳＨ－２８ＰＡ、ＳＨ－１９０、ＳＨ－１９３、ＳＺ－６０３２、ＳＦ－８４２８（いずれも東レシリコーン社製）等の市販のフッ素系界面活性剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シリコーン系界面活性剤としては、未変性シリコーン系界面活性剤、ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、アルキル変性シリコーン系界面活性剤、アラルキル変性シリコーン系界面活性剤、及び反応性シリコーン系界面活性剤等を好ましく用いることができる。
シリコーン系界面活性剤としては、市販のシリコーン系界面活性剤を用いることができる。市販のシリコーン系界面活性剤の具体例としては、ペインタッドＭ（東レ・ダウコーニング社製）、トピカＫ１０００、トピカＫ２０００、トピカＫ５０００（いずれも高千穂産業社製）、ＸＬ－１２１（ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、クラリアント社製）、ＢＹＫ－３１０（ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、ビックケミー社製）等が挙げられる。
【0319】
また、感光性樹脂組成物は、現像液に対する溶解性の微調整を行うため、酸、酸無水物、又は高沸点溶媒をさらに含有していてもよい。
【0320】
酸及び酸無水物の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、ｎ－酪酸、イソ酪酸、ｎ－吉草酸、イソ吉草酸、安息香酸、桂皮酸等のモノカルボン酸類；乳酸、２－ヒドロキシ酪酸、３－ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、ｍ－ヒドロキシ安息香酸、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、２－ヒドロキシ桂皮酸、３－ヒドロキシ桂皮酸、４－ヒドロキシ桂皮酸、５－ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸等のヒドロキシモノカルボン酸類；シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸、１，２，４－シクロヘキサントリカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、１，２，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸等の多価カルボン酸類；無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリタート、グリセリントリス無水トリメリタート等の酸無水物；等を挙げることができる。
【0321】
また、高沸点溶媒の具体例としては、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアニリド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１－オクタノール、１－ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ－ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセタート等を挙げることができる。
【0322】
また、感光性樹脂組成物は、感度を向上させるため、増感剤をさらに含有していてもよい。
【0323】
このような、酸発生剤（Ａ）と、樹脂（Ｂ）と、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）とを含み、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）、含硫黄化合物（Ｅ）、酸拡散抑制剤（Ｆ）、及び有機溶剤（Ｓ）等の成分を含んでいてもよい感光性樹脂組成物（化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物）は、感光性樹脂組成物の塗膜に対して、１３０℃で５分間加熱（プリベーク）した後、２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を間隔をあけて２回行ったのちに純水でリンスを行ったときの膜減り速度が、０．１μｍ／ｍｉｎ以上０．５μｍ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。なお、膜減り速度は、以下の式で求められる。
膜減り速度（μｍ／ｍｉｎ）＝（プリベーク後操作前の膜厚（μｍ）－２回の操作後の膜厚（μｍ））／水酸化テトラメチルアンモニウムの接触時間（ｍｉｎ）
（式中、「操作」は、２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を意味する。「膜厚」は感光性樹脂組成物の塗膜の膜厚を意味する。また、接触時間は、３０秒×２、すなわち１分間である。）
膜減り速度（μｍ／ｍｉｎ）＝（プリベーク後操作前の膜厚（μｍ）－２回の操作後の膜厚（μｍ））／水酸化テトラメチルアンモニウムの接触時間（ｍｉｎ）
（式中、「操作」は、２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を意味する。「膜厚」は感光性樹脂組成物の塗膜の膜厚を意味する。また、接触時間は、３０秒×２、すなわち１分間である。）
【0324】
ここで、膜減り速度が速いと、感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンの、めっき造形物を作製するときに用いるめっき液に対する耐性が悪化しやすい。このため、従来用いられている感光性樹脂組成物については、膜減り速度を低くするように設計されている場合が多い。
他方、上記の感光性樹脂組成物では、露光後の引き置き経時安定性（ＰＥＤ：post exposure delay）の向上の観点と、断面形状が良好な矩形であるパターンの形成の観点とから、例えば０．１μｍ／ｍｉｎ以上０．５μｍ／ｍｉｎ以下のような、従来用いられている感光性樹脂組成物の膜減り速度よりも高めの膜減り速度が好ましい。
この場合、露光後の引き置き経時安定性（ＰＥＤ：post exposure delay）が良好である感光性樹脂組成物を得やすい。露光された感光性樹脂層を長時間放置した場合、現像時のパターン形状の不具合が感光性樹脂層の表面付近に現れやすい。しかし、上記の膜減り速度を適切な範囲で高めに設定すると、感光性樹脂層の表面が現像時にわずかに溶解することによって、引き置きによる現像後のパターン形状の不具合を緩和することができる。
このような膜減り速度を採用する場合、例えば露光後現像開始までの引き置き時間を９時間以上としても、ＣＤ（Critical Dimension）変動は１０％以内と小さくすることが容易である。
他方、上記の感光性樹脂組成物では、露光後の引き置き経時安定性（ＰＥＤ：post exposure delay）の向上の観点と、断面形状が良好な矩形であるパターンの形成の観点とから、例えば０．１μｍ／ｍｉｎ以上０．５μｍ／ｍｉｎ以下のような、従来用いられている感光性樹脂組成物の膜減り速度よりも高めの膜減り速度が好ましい。
この場合、露光後の引き置き経時安定性（ＰＥＤ：post exposure delay）が良好である感光性樹脂組成物を得やすい。露光された感光性樹脂層を長時間放置した場合、現像時のパターン形状の不具合が感光性樹脂層の表面付近に現れやすい。しかし、上記の膜減り速度を適切な範囲で高めに設定すると、感光性樹脂層の表面が現像時にわずかに溶解することによって、引き置きによる現像後のパターン形状の不具合を緩和することができる。
このような膜減り速度を採用する場合、例えば露光後現像開始までの引き置き時間を９時間以上としても、ＣＤ（Critical Dimension）変動は１０％以内と小さくすることが容易である。
【0325】
感光性樹脂組成物について、膜減り速度を上記の好ましい範囲内に調整する方法は特に限定されない。膜減り速度の調製方法の好ましい方法としては、アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の含有量を調整する方法が挙げられる。感光性樹脂組成物中のアルカリ可溶性樹脂（Ｄ）の含有量が多いほど、上記の膜減り速度が高まる。
また、膜減り速度の調整方法の他の好ましい方法としては、樹脂（Ｂ）における、アルカリ可溶性基を有するモノマーに由来する単位の量を調整する方法が挙げられる。樹脂（Ｂ）における、アルカリ可溶性基を有するモノマーに由来する単位の量が多いほど、上記の膜減り速度が高まる。
アルカリ可溶性基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、及びクロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、及びイタコン酸等のジカルボン酸類；２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、及び２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；ヒドロキシスチレン、α－メチルヒドロキシスチレン、及びα－エチルヒドロキシスチレン等のフェノール性水酸基を有するビニル基含有芳香族化合物類等が挙げられる。
また、膜減り速度の調整方法の他の好ましい方法としては、樹脂（Ｂ）における、アルカリ可溶性基を有するモノマーに由来する単位の量を調整する方法が挙げられる。樹脂（Ｂ）における、アルカリ可溶性基を有するモノマーに由来する単位の量が多いほど、上記の膜減り速度が高まる。
アルカリ可溶性基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、及びクロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、及びイタコン酸等のジカルボン酸類；２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、及び２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；ヒドロキシスチレン、α－メチルヒドロキシスチレン、及びα－エチルヒドロキシスチレン等のフェノール性水酸基を有するビニル基含有芳香族化合物類等が挙げられる。
【0326】
＜化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物の調製方法＞
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物は、上記の各成分を通常の方法で混合、撹拌して調製される。上記の各成分を、混合、撹拌する際に使用できる装置としては、ディゾルバー、ホモジナイザー、３本ロールミル等が挙げられる。上記の各成分を均一に混合した後に、得られた混合物を、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物は、上記の各成分を通常の方法で混合、撹拌して調製される。上記の各成分を、混合、撹拌する際に使用できる装置としては、ディゾルバー、ホモジナイザー、３本ロールミル等が挙げられる。上記の各成分を均一に混合した後に、得られた混合物を、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。
【0327】
≪感光性ドライフィルム≫
感光性ドライフィルムは、基材フィルムと、該基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が前述の感光性樹脂組成物からなるものである。
感光性ドライフィルムは、基材フィルムと、該基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が前述の感光性樹脂組成物からなるものである。
【0328】
基材フィルムとしては、光透過性を有するものが好ましい。具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等が挙げられるが、光透過性及び破断強度のバランスに優れる点でポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。
【0329】
基材フィルム上に、前述の感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することにより、感光性ドライフィルムが製造される。
基材フィルム上に感光性樹脂層を形成するに際しては、アプリケーター、バーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター等を用いて、基材フィルム上に乾燥後の膜厚が好ましくは０．５μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上３００μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以上１００μｍ以下となるように感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させる。
基材フィルム上に感光性樹脂層を形成するに際しては、アプリケーター、バーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター等を用いて、基材フィルム上に乾燥後の膜厚が好ましくは０．５μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上３００μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以上１００μｍ以下となるように感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させる。
【0330】
感光性ドライフィルムは、感光性樹脂層の上にさらに保護フィルムを有していてもよい。この保護フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等が挙げられる。
【0331】
≪パターン化されたレジスト膜、及び鋳型付き基板の製造方法≫
上記説明した感光性樹脂組成物を用いて、金属表面を有する基板上に、パターン化されたレジスト膜を形成する方法は特に限定されない。かかるパターン化されたレジスト膜は、めっき造形物を形成するための鋳型等として好適に用いられる。
好適な方法としては、
金属表面を有する基板上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、
を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法が挙げられる。
めっき造形物を形成するための鋳型を備える鋳型付基板の製造方法は、金属表面を有する基板の金属表面上に感光性樹脂層を積層する工程を有することと、現像工程において、現像によりめっき造形物を形成するための鋳型を作成することの他は、パターン化されたレジスト膜の製造方法と同様である。
上記説明した感光性樹脂組成物を用いて、金属表面を有する基板上に、パターン化されたレジスト膜を形成する方法は特に限定されない。かかるパターン化されたレジスト膜は、めっき造形物を形成するための鋳型等として好適に用いられる。
好適な方法としては、
金属表面を有する基板上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、
を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法が挙げられる。
めっき造形物を形成するための鋳型を備える鋳型付基板の製造方法は、金属表面を有する基板の金属表面上に感光性樹脂層を積層する工程を有することと、現像工程において、現像によりめっき造形物を形成するための鋳型を作成することの他は、パターン化されたレジスト膜の製造方法と同様である。
【0332】
感光性樹脂層を積層する基板としては、金属表面を有する基板が用いられる。金属表面を構成する金属種としては、銅、金、アルミニウムが好ましく、銅がより好ましい。上記の感光性樹脂組成物は、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンが広いため、基板表面の平坦性によらず、種々の基板を用いることができる。
【0333】
感光性樹脂層は、例えば以下のようにして、基板上に積層される。すなわち、液状の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の膜厚の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂層の厚さは、鋳型となるレジストパターンを所望の膜厚で形成できる限り特に限定されない。感光性樹脂層の膜厚は特に限定されないが、０．５μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上３００μｍ以下がより好ましく、１μｍ以上１５０μｍ以下が特に好ましく、３μｍ以上１００μｍ以下が最も好ましい。
【0334】
基板上への感光性樹脂組成物の塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法等の方法を採用することができる。感光性樹脂層に対してはプレベークを行うのが好ましい。プレベーク条件は、感光性樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、通常は７０℃以上２００℃以下で、好ましくは８０℃以上１５０℃以下で、２分以上１２０分以下程度である。
【0335】
上記のようにして形成された感光性樹脂層に対して、所定のパターンのマスクを介して、活性光線又は放射線、例えば波長が３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の紫外線又は可視光線が選択的に照射（露光）される。
【0336】
放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザー等を用いることができる。また、放射線には、マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、γ線、電子線、陽子線、中性子線、イオン線等が含まれる。放射線照射量は、感光性樹脂組成物の組成や感光性樹脂層の膜厚等によっても異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、１００ｍＪ／ｃｍ２以上１００００ｍＪ／ｃｍ２以下である。また、放射線には、酸を発生させるために、酸発生剤（Ａ）を活性化させる光線が含まれる。
【0337】
露光後は、公知の方法を用いて感光性樹脂層を加熱することにより酸の拡散を促進させて、感光性樹脂膜中の露光された部分において、感光性樹脂層のアルカリ溶解性を変化させる。
【0338】
次いで、露光された感光性樹脂層を、従来知られる方法に従って現像し、不要な部分を溶解、除去することにより、所定のレジストパターン、又はめっき造形物を形成するための鋳型が形成される。この際、現像液としては、アルカリ性水溶液が使用される。
【0339】
現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（水酸化テトラメチルアンモニウム）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザビシクロ［４，３，０］－５－ノナン等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
【0340】
現像時間は、感光性樹脂組成物の組成や感光性樹脂層の膜厚等によっても異なるが、通常１分以上３０分以下の間である。現像方法は、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法等のいずれでもよい。
【0341】
現像後は、流水洗浄を３０秒以上９０秒以下の間行い、エアーガンや、オーブン等を用いて乾燥させる。このようにして、金属表面を有する基板の金属表面上に、所望する形状にパターン化されたレジストパターンが形成される。また、このようにして、金属表面を有する基板の金属表面上に、鋳型となるレジストパターンを備える鋳型付き基板を製造できる。
【0342】
≪めっき造形物の製造方法≫
上記の方法により形成された鋳型付き基板の鋳型中の非レジスト部（現像液で除去された部分）に、めっきにより金属等の導体を埋め込むことにより、例えば、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Ｃｕ再配線のようなめっき造形物を形成することができる。なお、めっき処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。めっき液としては、特にハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき液が好適に用いられる。残っている鋳型は、最後に、常法に従って剥離液等を用いて除去される。
上記の方法により形成された鋳型付き基板の鋳型中の非レジスト部（現像液で除去された部分）に、めっきにより金属等の導体を埋め込むことにより、例えば、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Ｃｕ再配線のようなめっき造形物を形成することができる。なお、めっき処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。めっき液としては、特にハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき液が好適に用いられる。残っている鋳型は、最後に、常法に従って剥離液等を用いて除去される。
【0343】
めっき造形物を製造する際、めっき造形物形成用の鋳型となるレジストパターンの非パターン部において露出された金属表面に対してアッシング処理を行うのが好ましい場合がある。
具体的には、例えば、含硫黄化合物（Ｅ）を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いてめっき造形物を形成する場合である。この場合、めっき造形物の金属表面に対する密着性が損なわれやすい場合がある。この不具合は、前述の式（ｅ１）で表される含硫黄化合物（Ｅ）や、式（ｅ４）で表される含硫黄化合物（Ｅ）を用いる場合に顕著である。
しかし、上記のアッシング処理を行うと、含硫黄化合物（Ｅ）を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いても、金属表面に良好に密着しためっき造形物を形成しやすい。
なお、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物（Ｅ）として用いる場合については、めっき造形物の密着性に関する上記の問題は、ほとんどないか軽度である。このため、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物（Ｅ）として用いる場合は、アッシング処理を行なわずとも金属表面に対する密着性が良好なめっき造形物を形成しやすい。
具体的には、例えば、含硫黄化合物（Ｅ）を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いてめっき造形物を形成する場合である。この場合、めっき造形物の金属表面に対する密着性が損なわれやすい場合がある。この不具合は、前述の式（ｅ１）で表される含硫黄化合物（Ｅ）や、式（ｅ４）で表される含硫黄化合物（Ｅ）を用いる場合に顕著である。
しかし、上記のアッシング処理を行うと、含硫黄化合物（Ｅ）を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いても、金属表面に良好に密着しためっき造形物を形成しやすい。
なお、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物（Ｅ）として用いる場合については、めっき造形物の密着性に関する上記の問題は、ほとんどないか軽度である。このため、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物（Ｅ）として用いる場合は、アッシング処理を行なわずとも金属表面に対する密着性が良好なめっき造形物を形成しやすい。
【0344】
アッシング処理は、めっき造形物形成用の鋳型となるレジストパターンに、所望する形状のめっき造形物を形成できない程度のダメージを与えない方法であれば特に限定されない。
好ましいアッシング処理方法としては酸素プラズマを用いる方法が挙げられる。基板上の金属表面を、酸素プラズマを用いてアッシングするためには、公知の酸素プラズマ発生装置を用いて酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズマを基板上の金属表面に対して照射すればよい。
好ましいアッシング処理方法としては酸素プラズマを用いる方法が挙げられる。基板上の金属表面を、酸素プラズマを用いてアッシングするためには、公知の酸素プラズマ発生装置を用いて酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズマを基板上の金属表面に対して照射すればよい。
【0345】
酸素プラズマの発生に用いられるガスには、本発明の目的を阻害しない範囲で、従来、酸素とともにプラズマ処理に用いられている種々のガスを混合することができる。かかるガスとしては、例えば、窒素ガス、水素ガス、及びＣＦ４ガス等が挙げられる。
酸素プラズマを用いるアッシング条件は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、処理時間は、例えば１０秒以上２０分以下の範囲であり、好ましくは２０秒以上１８分以下の範囲であり、より好ましくは３０秒以上１５分以下の範囲である。
酸素プラズマによる処理時間を上記の範囲に設定することで、レジストパターンの形状の変化をもたらすことなく、めっき造形物の密着性改良の効果を奏しやすくなる。
酸素プラズマを用いるアッシング条件は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、処理時間は、例えば１０秒以上２０分以下の範囲であり、好ましくは２０秒以上１８分以下の範囲であり、より好ましくは３０秒以上１５分以下の範囲である。
酸素プラズマによる処理時間を上記の範囲に設定することで、レジストパターンの形状の変化をもたらすことなく、めっき造形物の密着性改良の効果を奏しやすくなる。
【0346】
上記の方法によれば、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを、めっき造形物形成用の鋳型として用いることができるため、めっき造形物と基板表面との広い接触面積を確保しやすく、基板への密着性に優れるめっき造形物を製造することができる。
【0347】
なお、上記式（ｃ２）で表される化合物は新規化合物である。式（ｃ２）で表される化合物は、上記の感光性樹脂組成物以外の感光性樹脂組成物に含有させることもでき、また、感光性樹脂組成物以外の用途に用いることもできる。
式（ｃ２）で表される化合物のＬｏｇＳ値は限定されないが、例えば上記の感光性樹脂組成物にも用いることができるという観点では、－６．００以下であることが好ましい。
式（ｃ２）で表される化合物のＬｏｇＳ値は限定されないが、例えば上記の感光性樹脂組成物にも用いることができるという観点では、－６．００以下であることが好ましい。
【実施例】
【0348】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0349】
〔調製例１〕
（メルカプト化合物Ｅ１の合成）
調製例１では、含硫黄化合物（Ｅ）として、下記構造のメルカプト化合物Ｅ１を合成した。
（メルカプト化合物Ｅ１の合成）
調製例１では、含硫黄化合物（Ｅ）として、下記構造のメルカプト化合物Ｅ１を合成した。
【化58】
【0350】
フラスコ内に、７－オキサノルボルナ－５－エン－２，３－ジカルボン酸無水物１５．００ｇと、テトラヒドロフラン１５０．００ｇを加えて撹拌した。次いで、フラスコ内に、チオ酢酸（ＡｃＳＨ）７．６４ｇを加え、室温で３．５時間撹拌した。その後、反応液を濃縮して、５－アセチルチオ－７－オキサノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物２２．１１ｇを得た。
５－アセチルチオ－７－オキサノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物２２．１１ｇと、濃度１０質量％の水酸化ナトリウム水溶液３０．１１ｇとをフラスコ内に加えた後、室温で、フラスコの内容物を２時間撹拌した。次いで、フラスコ内に、濃度２０質量％の塩酸（８０．００ｇ）を加えて、反応液を酸性にした。その後、酢酸エチル２００ｇによる抽出を４回行い、メルカプト化合物Ｅ１を含む抽出液を得た。抽出液を濃縮して回収された残渣に対して、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５．１１ｇを加えて溶解させた。得られたＴＨＦ溶液に、ヘプタンを滴下してメルカプト化合物Ｅ１を析出させ、析出したメルカプト化合物Ｅ１をろ過により回収した。メルカプト化合物Ｅ１の１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を以下に記す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ１２．１０（ｓ，２Ｈ），４．７２（ｄ，１Ｈ），４．４３（ｓ，１Ｈ），３．１０（ｔ，１Ｈ），３．０１（ｄ，１Ｈ），２．８５（ｄ，１Ｈ），２．７５（ｄ，１Ｈ），２．１０（ｔ，１Ｈ），１．４０（ｍ，１Ｈ）
５－アセチルチオ－７－オキサノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物２２．１１ｇと、濃度１０質量％の水酸化ナトリウム水溶液３０．１１ｇとをフラスコ内に加えた後、室温で、フラスコの内容物を２時間撹拌した。次いで、フラスコ内に、濃度２０質量％の塩酸（８０．００ｇ）を加えて、反応液を酸性にした。その後、酢酸エチル２００ｇによる抽出を４回行い、メルカプト化合物Ｅ１を含む抽出液を得た。抽出液を濃縮して回収された残渣に対して、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５．１１ｇを加えて溶解させた。得られたＴＨＦ溶液に、ヘプタンを滴下してメルカプト化合物Ｅ１を析出させ、析出したメルカプト化合物Ｅ１をろ過により回収した。メルカプト化合物Ｅ１の１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を以下に記す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ１２．１０（ｓ，２Ｈ），４．７２（ｄ，１Ｈ），４．４３（ｓ，１Ｈ），３．１０（ｔ，１Ｈ），３．０１（ｄ，１Ｈ），２．８５（ｄ，１Ｈ），２．７５（ｄ，１Ｈ），２．１０（ｔ，１Ｈ），１．４０（ｍ，１Ｈ）
【化59】
【0351】
〔調製例２〕
（含窒素芳香族複素環化合物Ｃ２の合成）
調製例２では、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）として、下記構造の含窒素芳香族複素環化合物Ｃ２を合成した。
（含窒素芳香族複素環化合物Ｃ２の合成）
調製例２では、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）として、下記構造の含窒素芳香族複素環化合物Ｃ２を合成した。
【化60】
【0352】
２，６－ジフェニルイソニコチン酸１．００ｇ（３．６３ｍｍｏｌ）（Ａｌｄｒｉｃｈ製）と、１，４－シクロヘキサンジオール０．４２１ｇ（３．６３ｍｍｏｌ）とを、塩化メチレン中に溶解し、ＷＳＣ・ＨＣｌ（カルボジイミド化合物の塩酸塩）０．８３５ｇ（４．３６ｍｍｏｌ）を加え室温で２４時間撹拌した。その後、溶液を純水１０ｇで三回洗浄した後、溶剤を留去することで目的のＣ２を０．８１ｇ得た。Ｃ２の１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を以下に記す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．３５－８．１５（ｍ，１２Ｈ），７．７０―７．４０（ｍ，１２Ｈ），４．７５（ｍ，２Ｈ），２．２０－１．９０（ｍ，４Ｈ），１．７０－１．３５（ｍ，４Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．３５－８．１５（ｍ，１２Ｈ），７．７０―７．４０（ｍ，１２Ｈ），４．７５（ｍ，２Ｈ），２．２０－１．９０（ｍ，４Ｈ），１．７０－１．３５（ｍ，４Ｈ）
【0353】
〔調製例３〕
（含窒素芳香族複素環化合物Ｃ３の合成）
調製例３では、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）として、下記構造の含窒素芳香族複素環化合物Ｃ３を合成した。
（含窒素芳香族複素環化合物Ｃ３の合成）
調製例３では、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）として、下記構造の含窒素芳香族複素環化合物Ｃ３を合成した。
【化61】
【0354】
１，４－シクロヘキサンジオール０．４２１ｇを１，４－ベンゼンジメタノール０．５０１ｇに変更した以外は調製例２と同様にして、目的のＣ３を０．９５ｇ得た。Ｃ３の１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を以下に記す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．３５－８．１５（ｍ，１２Ｈ），７．７０―７．４０（ｍ，１２Ｈ），７．１０（ｓ、４Ｈ），５．１１（Ｓ，４Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．３５－８．１５（ｍ，１２Ｈ），７．７０―７．４０（ｍ，１２Ｈ），７．１０（ｓ、４Ｈ），５．１１（Ｓ，４Ｈ）
【0355】
〔実施例１～１２、及び比較例１～８〕
実施例１～１２、及び比較例１～８では、酸発生剤（Ａ）として下記式の化合物Ａ１を用いた。
実施例１～１２、及び比較例１～８では、酸発生剤（Ａ）として下記式の化合物Ａ１を用いた。
【化62】
【0356】
実施例１～１２、及び比較例１～８では、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（樹脂（Ｂ））として、以下の樹脂Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３及びＢ４を用いた。下記構造式における各構成単位中の括弧の右下の数字は、各樹脂中の構成単位の含有量（質量％）を表す。樹脂Ｂ１の質量平均分子量Ｍｗは１０６，０００である。樹脂Ｂ２の質量平均分子量Ｍｗは１０６，０００である。樹脂Ｂ３の数平均分子量は１０６，０００である。樹脂Ｂ４の質量平均分子量Ｍｗは４０，０００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．６である。
【化63】
【0357】
含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）として、実施例１～１２では下記のＣ１、調製例２で得たＣ２及び調製例３で得たＣ３を用いた。比較例１～８では含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）の代替の添加剤（Ｃ’）として、下記のＣ’１及びＣ’２を用いた。
Windows版chemdraw prime（16.0）で算出されたＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ’１、及びＣ’２のＬｏｇＳ値は、以下の通りである。
Ｃ１：－７．３１３
Ｃ２：－１２．３７
Ｃ３：－１２．８４
Ｃ’１：－２．３５５
Ｃ’２：－４．２２２
Windows版chemdraw prime（16.0）で算出されたＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ’１、及びＣ’２のＬｏｇＳ値は、以下の通りである。
Ｃ１：－７．３１３
Ｃ２：－１２．３７
Ｃ３：－１２．８４
Ｃ’１：－２．３５５
Ｃ’２：－４．２２２
【化64】
【0358】
アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）としては、以下の樹脂Ｄ１及びＤ２を用いた。
Ｄ１：ポリヒドロキシスチレン樹脂（ｐ－ヒドロキシスチレン：スチレン＝８５：１５（質量比）の共重合体、質量平均分子量（Ｍｗ）２５００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．４）
Ｄ２：ノボラック樹脂（ｍ－クレゾール単独縮合体（質量平均分子量（Ｍｗ）８０００）
Ｄ１：ポリヒドロキシスチレン樹脂（ｐ－ヒドロキシスチレン：スチレン＝８５：１５（質量比）の共重合体、質量平均分子量（Ｍｗ）２５００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．４）
Ｄ２：ノボラック樹脂（ｍ－クレゾール単独縮合体（質量平均分子量（Ｍｗ）８０００）
【0359】
含硫黄化合物（Ｅ）として、調製例１で得たメルカプト化合物Ｅ１を用いた。
【0360】
それぞれ表１に記載の種類及び量の、酸発生剤（Ａ）と、樹脂（Ｂ）と、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）又は添加剤（Ｃ’）と、アルカリ可溶性樹脂（Ｄ）と、含硫黄化合物（Ｅ）と、界面活性剤（ＢＹＫ３１０、ビックケミー社製）０．０５質量部とを、固形分濃度が４０質量％となるように、３－メトキシブチルアセテート（ＭＡ）とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＭ）との混合溶剤（ＭＡ／ＰＭ＝６／４（質量比））に溶解させて、各実施例及び比較例の感光性樹脂組成物を得た。
【0361】
得られた感光性樹脂組成物を用いて、以下の方法に従って、形状と、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンと、膜減り速度と、ＰＥＤを評価した。これらの評価結果を表１に記す。
【0362】
［形状の評価］
実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、直径８インチの銅基板上に塗布し、膜厚７μｍの感光性樹脂層（感光性樹脂組成物の塗膜）を形成した。次いで、感光性樹脂層を１３０℃で５分間プリベークした。プリベーク後、ライン幅２μｍスペース幅２μｍのラインアンドスペースパターンのマスクと露光装置Ｐｒｉｓｍａ ＧＨＩ５４５２（ウルトラテック社製）とを用いて、所定のサイズのパターンを形成可能な最低露光量の１．２倍の露光量にて、ｇｈｉ線でパターン露光した。次いで、パターン露光後９時間経過した後に、基板をホットプレート上に載置して９０℃で１．５分間の露光後加熱（ＰＥＢ）を行った。ＰＥＢの直後に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液（現像液、ＮＭＤ－３、東京応化工業株式会社製）を露光された感光性樹脂層に滴下した後に２３℃で３０秒間静置する操作を、計２回繰り返して行った。その後、レジストパターン表面を流水洗浄（リンス）した後に、窒素ブローしてレジストパターンを得た。このレジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、パターンの断面形状を評価した。
具体的には、レジストパターンの基板に接触する面とは反対の面（トップ）の幅をＷｔとし、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅Ｗｍとする場合に、Ｗｍが、Ｗｔの±１０％以内である場合に○評価とし、Ｗｍが、Ｗｔの±１０％の範囲外である場合を×評価とした。なお、全ての実施例において、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅は、レジストパターン断面の基板に接触する面（ボトム）の幅とほぼ同じであった。
実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、直径８インチの銅基板上に塗布し、膜厚７μｍの感光性樹脂層（感光性樹脂組成物の塗膜）を形成した。次いで、感光性樹脂層を１３０℃で５分間プリベークした。プリベーク後、ライン幅２μｍスペース幅２μｍのラインアンドスペースパターンのマスクと露光装置Ｐｒｉｓｍａ ＧＨＩ５４５２（ウルトラテック社製）とを用いて、所定のサイズのパターンを形成可能な最低露光量の１．２倍の露光量にて、ｇｈｉ線でパターン露光した。次いで、パターン露光後９時間経過した後に、基板をホットプレート上に載置して９０℃で１．５分間の露光後加熱（ＰＥＢ）を行った。ＰＥＢの直後に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液（現像液、ＮＭＤ－３、東京応化工業株式会社製）を露光された感光性樹脂層に滴下した後に２３℃で３０秒間静置する操作を、計２回繰り返して行った。その後、レジストパターン表面を流水洗浄（リンス）した後に、窒素ブローしてレジストパターンを得た。このレジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、パターンの断面形状を評価した。
具体的には、レジストパターンの基板に接触する面とは反対の面（トップ）の幅をＷｔとし、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅Ｗｍとする場合に、Ｗｍが、Ｗｔの±１０％以内である場合に○評価とし、Ｗｍが、Ｗｔの±１０％の範囲外である場合を×評価とした。なお、全ての実施例において、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅は、レジストパターン断面の基板に接触する面（ボトム）の幅とほぼ同じであった。
【0363】
［焦点深度（ＤＯＦ）のマージンの評価］
［形状の評価］と同様の方法により、ライン幅２μｍスペース幅２μｍのラインアンドスペースパターンを形成した。この時、パターンが独立して自立可能である焦点の範囲を調べた。
焦点の範囲が３２μｍ以上である場合を◎と判定し、焦点の範囲が２８μｍ以上３２μｍ未満である場合を○と判定し、焦点の範囲が２８μｍ未満である場合を×と判定した。
［形状の評価］と同様の方法により、ライン幅２μｍスペース幅２μｍのラインアンドスペースパターンを形成した。この時、パターンが独立して自立可能である焦点の範囲を調べた。
焦点の範囲が３２μｍ以上である場合を◎と判定し、焦点の範囲が２８μｍ以上３２μｍ未満である場合を○と判定し、焦点の範囲が２８μｍ未満である場合を×と判定した。
【0364】
［膜減り速度の評価］
実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、Ｓｉ基板上に塗布し、膜厚７μｍの感光性樹脂層（感光性樹脂組成物の塗膜）を形成した。次いで、感光性樹脂層を１３０℃で５分間プリベークした。プリベーク後、感光性樹脂層に対して、２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を間隔をあけて２回行った後、感光性樹脂層を純水でリンスした。プリベーク後、感光性樹脂層に対して２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を行う前の感光性樹脂層の厚さ、及び、リンス後の感光性樹脂層の厚さを測定し、前者から後者を引いた値を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液を感光性樹脂層に接触させた時間（接触時間の合計である１分間）で除した値を、膜減り速度とした。結果を表１に示す。
実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、Ｓｉ基板上に塗布し、膜厚７μｍの感光性樹脂層（感光性樹脂組成物の塗膜）を形成した。次いで、感光性樹脂層を１３０℃で５分間プリベークした。プリベーク後、感光性樹脂層に対して、２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を間隔をあけて２回行った後、感光性樹脂層を純水でリンスした。プリベーク後、感光性樹脂層に対して２３℃において２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に３０秒間接触させる操作を行う前の感光性樹脂層の厚さ、及び、リンス後の感光性樹脂層の厚さを測定し、前者から後者を引いた値を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液を感光性樹脂層に接触させた時間（接触時間の合計である１分間）で除した値を、膜減り速度とした。結果を表１に示す。
【0365】
［ＰＥＤの評価］
［形状の評価］と同様の方法により、ライン幅２μｍスペース幅２μｍのラインアンドスペースパターンを形成した。この時、パターン露光後、露光後加熱（ＰＥＢ）を行うまでの時間を、０時間（パターン露光直後にＰＥＢ）又は９時間として、それぞれレジストパターンを形成した。パターン露光直後にＰＥＢを行った場合に得られたレジストパターンの最上部の線幅の平均値に対する、パターン露光後、ＰＥＢを行うまでの時間を９時間にした場合に得られたレジストパターンの最上部の線幅の平均値の割合（ＣＤ(Critical Dimension)変動率）を、求めた。
ＣＤ変動率が１０％以内である場合を○と判定し、ＣＤ変動率が１０％より大きい場合を×と判定した。結果を表１に示す。
［形状の評価］と同様の方法により、ライン幅２μｍスペース幅２μｍのラインアンドスペースパターンを形成した。この時、パターン露光後、露光後加熱（ＰＥＢ）を行うまでの時間を、０時間（パターン露光直後にＰＥＢ）又は９時間として、それぞれレジストパターンを形成した。パターン露光直後にＰＥＢを行った場合に得られたレジストパターンの最上部の線幅の平均値に対する、パターン露光後、ＰＥＢを行うまでの時間を９時間にした場合に得られたレジストパターンの最上部の線幅の平均値の割合（ＣＤ(Critical Dimension)変動率）を、求めた。
ＣＤ変動率が１０％以内である場合を○と判定し、ＣＤ変動率が１０％より大きい場合を×と判定した。結果を表１に示す。
【0366】
【表1】
【0367】
実施例１～１２によれば、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）とに加えて、式（ｃ－ａ）又は式（ｃ－ｂ）で表されＬｏｇＳ値が－６．００以下である含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）を含むポジ型の感光性樹脂組成物は、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを形成でき、且つ、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンが広いことが分かる。
また、実施例１～１２によれば、上記評価における膜減り量が、０．１μｍ／ｍｉｎ以上０．５μｍ／ｍｉｎ以下であったことも分かる。
また、実施例１～１２によれば、ＰＥＤにも優れていることも分かる。
また、実施例１～１２によれば、上記評価における膜減り量が、０．１μｍ／ｍｉｎ以上０．５μｍ／ｍｉｎ以下であったことも分かる。
また、実施例１～１２によれば、ＰＥＤにも優れていることも分かる。
【0368】
他方、比較例１～８によれば、ポジ型の感光性樹脂組成物に、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）に変えて、含窒素芳香族複素環化合物（Ｃ）に該当しない含窒素芳香族複素環化合物である添加剤（Ｃ’）を含有させる場合、レジストパターンのＴＯＰの断面形状が細くなるテーパ形状となり、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを形成しにくいことが分かる。また、比較例１～８では、焦点深度（ＤＯＦ）のマージンの評価における焦点の範囲は２４μｍ以下であり、焦点深度のマージンが狭かった。