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特許7141632極性基を有する親水性有機化合物の結晶スポンジ法による構造解析のための結晶構造解析用試料調製方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-14
(45)【発行日】2022-09-26
(54)【発明の名称】極性基を有する親水性有機化合物の結晶スポンジ法による構造解析のための結晶構造解析用試料調製方法
(51)【国際特許分類】
C07C 67/00 20060101AFI20220915BHJP
C07C 69/732 20060101ALI20220915BHJP
C07C 231/02 20060101ALI20220915BHJP
C07C 233/31 20060101ALI20220915BHJP
C07C 233/76 20060101ALI20220915BHJP
C07C 335/16 20060101ALI20220915BHJP
C07D 209/42 20060101ALI20220915BHJP
C07D 403/06 20060101ALI20220915BHJP
C07C 331/28 20060101ALN20220915BHJP
C07C 57/72 20060101ALN20220915BHJP
C07C 63/04 20060101ALN20220915BHJP
【ＦＩ】
C07C67/00
C07C69/732 Z
C07C231/02
C07C233/31
C07C233/76
C07C335/16
C07D209/42
C07D403/06
C07C331/28
C07C57/72
C07C63/04
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2018060361
(22)【出願日】2018-03-27
(65)【公開番号】P2019172593
(43)【公開日】2019-10-10
【審査請求日】2021-03-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000000066
【氏名又は名称】味の素株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】504137912
【氏名又は名称】国立大学法人 東京大学
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100084663
【氏名又は名称】箱田 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100093300
【弁理士】
【氏名又は名称】浅井 賢治
(74)【代理人】
【識別番号】100119013
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 一夫
(74)【代理人】
【識別番号】100123777
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 さつき
(74)【代理人】
【識別番号】100111796
【弁理士】
【氏名又は名称】服部 博信
(74)【代理人】
【識別番号】100183379
【弁理士】
【氏名又は名称】藤代 昌彦
(72)【発明者】
【氏名】早川 敦彦
(72)【発明者】
【氏名】柏木 立己
(72)【発明者】
【氏名】藤田 誠
【審査官】鳥居 福代
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１４／０３８２２０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００６－１８８５６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１６６３１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－３２１１９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】UTJAPIMUK Soravit 、藤田誠ら，X-ray analysis of amino acid derivatives with the crystalline sponge method by Schiff base formation，日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)，日本，2018年03月06日，98，2D2-41
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｃ ６７／００
Ｃ０７Ｃ ６９／００
Ｃ０７Ｃ ２３１／０２
Ｃ０７Ｃ ２３３／００
Ｃ０７Ｃ ３３５／１６
Ｃ０７Ｄ ２０９／４２
Ｃ０７Ｄ ４０３／０６
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
ＣＡｐｌｕｓ／ＭＥＤＬＩＮＥ／ＥＭＢＡＳＥ／ＢＩＯＳＩＳ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
極性基を有する親水性有機化合物の結晶スポンジ法による構造解析のための結晶構造解析用試料調製方法であって、前記結晶スポンジ法が、有機化合物の分子構造決定方法であって、以下の工程（１）～（３）、
（１）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を提供する工程であって、
前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶が、式：［〔Ｍ（Ｘ）2〕3（Ｌ）2］n〔式中、Ｍは金属イオンを表し、Ｘは一価の陰イオンを表し、Ｌは、下記式（１）
前記三座配位子が、前記金属イオンに配位して三次元ネットワーク構造を形成し、かつ、該三次元ネットワーク構造が、その内部に空隙を有し、前記空隙に、脂肪族炭化水素；脂環式炭化水素；エーテル類；エステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンからなる群から選ばれる芳香族炭化水素；ハロゲン化炭化水素、並びにニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種が、ゲスト化合物（Ａ）として内包されており、
前記空隙における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上である、工程、
（２）前記有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程、並びに
（３）前記結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行って、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に内包されている有機化合物の分子構造を決定する工程、
を含む、方法であり、
前記結晶構造解析用試料調製方法が、以下の工程（ａ）及び（ｂ）、
（ａ）前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程、及び
（ｂ）前記疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる前記結晶構造解析用試料を得る工程、
を含むことを特徴とする、結晶構造解析用試料調製方法。
【請求項2】
前記疎水性置換基が、少なくとも１つの芳香環を有する、請求項１に記載の試料調製方法。
【請求項3】
前記疎水性置換基が、２つのベンゼン環、１つのベンゼン環と１つのｔｅｒｔ－ブチル基、１つのインドール環又は１つのナフタレン環を有する、請求項２に記載の試料調製方法。
【請求項4】
前記疎水性置換基が、前記極性基への導入により前記親水性有機化合物の脂溶性を向上させる基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【請求項5】
前記疎水性置換基が、前記高分子金属錯体と相互作用する基である、請求項１～４のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【請求項6】
前記極性基が、アミノ基、水酸基、チオール基又はカルボキシ基である、請求項１～５のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【請求項7】
前記極性基が、アミノ基又はカルボキシ基である、請求項６に記載の試料調製方法。
【請求項8】
前記極性基が、アミノ基であり、前記工程（ａ）において、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合又はチオウレア結合により前記疎水性置換基を前記極性基に導入する、請求項７に記載の試料調製方法。
【請求項9】
前記疎水性置換基が、１－ナフチルカルバモチオイル基、１，１－ジフェニルアセチル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基又は２－インドールカルボニル基である、請求項８に記載の試料調製方法。
【請求項10】
前記極性基が、カルボキシ基であり、前記工程（ａ）において、エステル結合又はアミド結合により前記疎水性置換基を前記極性基に導入する、請求項７に記載の試料調製方法。
【請求項11】
前記疎水性置換基が、ジフェニルメチル基である、請求項１０に記載の試料調製方法。
【請求項12】
前記親水性有機化合物が、アミノ酸、核酸、又は有機酸である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の試料調製方法により得られた前記試料の結晶構造解析を行う工程を含む、結晶スポンジ法による親水性有機化合物の構造解析方法。
【請求項14】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の試料調製方法に用いるための、前記疎水性置換基を提供する化合物を含む、置換基導入用試薬。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、極性基を有する親水性有機化合物の結晶スポンジ法による構造解析のための結晶構造解析用試料調製方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、海洋生物等に由来する微量の生理活性物質が農医薬資源等として期待されている。このため、これらの微量の有機化合物の分子構造を、正確、かつ、効率よく決定することは、新規農医薬品の開発等において極めて重要になってきている。また、農医薬品を製造する際は、安全性を高めるために、農医薬品やその原料に含まれる微量の不純物を正確に同定することが求められている。同様に、電子部品の製造に用いる原材料についても、近年の電子部品の高性能化に伴い、微量の不純物を同定し、それを低減化することが望まれている。このように、近年、多くの分野において、微量の有機化合物の分子構造を、正確、かつ、効率よく決定することが求められている。
【0003】
従来、有機化合物の分子構造を決定する方法として、単結晶Ｘ線構造解析法が知られている。単結晶Ｘ線構造解析法は、良質な単結晶を作製することができれば、有機化合物の分子構造を正確に決定することができるため、極めて有用な方法である。しかしながら、有機化合物が微量である場合、十分量の単結晶が得られないため、分子構造を決定する方法として、単結晶Ｘ線構造解析法を採用することが困難である。また、分子構造を決定する有機化合物が常温付近で液体である場合（すなわち、融点が室温以下の場合）等においては、単結晶を作製することが困難であった。
【0004】
単結晶Ｘ線構造解析法の上記課題を解決する方法として、結晶スポンジ法が知られている（特許文献１）。結晶スポンジ法とは、三次元ネットワーク構造と該三次元ネットワーク構造内に三次元的に規則正しく整列した空隙とを有する高分子金属錯体の空隙内に構造決定対象である有機化合物を内包してなる結晶構造解析用試料を作製し、その結晶構造解析用試料の構造解析を行うことにより、前記有機化合物の分子構造を決定する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特許第５９６９６１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、結晶スポンジ法では、高分子金属錯体の空隙に入れることができない化合物の構造を決定することができないという問題があった。例えば、空隙よりも大きな化合物は空隙に入れることができず、また、高分子金属錯体の構成成分が親油性のため、親水性の高い化合物も空隙に入れることができない。
【0007】
本発明の課題は、親水性有機化合物の分子構造を結晶スポンジ法により解析するための試料調製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、親水性有機化合物の極性基に対して疎水性置換基を導入することにより、有機化合物を高分子金属錯体の空隙内に内包させることができることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち、本発明は以下の態様を含むものである。
【0009】
〔１〕極性基を有する親水性有機化合物の結晶スポンジ法による構造解析のための結晶構造解析用試料調製方法であって、
前記結晶スポンジ法が、有機化合物の分子構造決定方法であって、以下の工程（１）～（３）、
（１）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を提供する工程であって、
前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶が、式：［〔Ｍ（Ｘ）2〕3（Ｌ）2］n〔式中、Ｍは金属イオンを表し、Ｘは一価の陰イオンを表し、Ｌは、下記式（１）
（式中、Ａｒは、置換基を有していてもよい３価の芳香族基を表し、Ｘ1～Ｘ3は、それぞれ独立に、２価の有機基、またはＡｒとＹ1～Ｙ3とを直接結ぶ単結合を表し、Ｙ1～Ｙ3は、それぞれ独立に、配位性部位を有する１価の有機基を表す）で示される三座配位子を表し、ｎは任意の自然数を表す〕で示される高分子金属錯体の結晶であって、
前記三座配位子が、前記金属イオンに配位して三次元ネットワーク構造を形成し、かつ、該三次元ネットワーク構造が、その内部に空隙を有し、前記空隙に、脂肪族炭化水素；脂環式炭化水素；エーテル類；エステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンからなる群から選ばれる芳香族炭化水素；ハロゲン化炭化水素、並びにニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種が、ゲスト化合物（Ａ）として内包されており、
前記空隙における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上である、工程、
（２）前記有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程、並びに
（３）前記結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行って、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に内包されている有機化合物の分子構造を決定する工程、
を含む、方法であり、
前記結晶構造解析用試料調製方法が、以下の工程（ａ）及び（ｂ）、
（ａ）前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程、及び
（ｂ）前記疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる前記結晶構造解析用試料を得る工程、
を含むことを特徴とする、結晶構造解析用試料調製方法。
前記結晶スポンジ法が、有機化合物の分子構造決定方法であって、以下の工程（１）～（３）、
（１）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を提供する工程であって、
前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶が、式：［〔Ｍ（Ｘ）2〕3（Ｌ）2］n〔式中、Ｍは金属イオンを表し、Ｘは一価の陰イオンを表し、Ｌは、下記式（１）
前記三座配位子が、前記金属イオンに配位して三次元ネットワーク構造を形成し、かつ、該三次元ネットワーク構造が、その内部に空隙を有し、前記空隙に、脂肪族炭化水素；脂環式炭化水素；エーテル類；エステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンからなる群から選ばれる芳香族炭化水素；ハロゲン化炭化水素、並びにニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種が、ゲスト化合物（Ａ）として内包されており、
前記空隙における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上である、工程、
（２）前記有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程、並びに
（３）前記結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行って、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に内包されている有機化合物の分子構造を決定する工程、
を含む、方法であり、
前記結晶構造解析用試料調製方法が、以下の工程（ａ）及び（ｂ）、
（ａ）前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程、及び
（ｂ）前記疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる前記結晶構造解析用試料を得る工程、
を含むことを特徴とする、結晶構造解析用試料調製方法。
【0010】
〔２〕前記疎水性置換基が、少なくとも１つの芳香環を有する、前記〔１〕に記載の試料調製方法。
【0011】
〔３〕前記疎水性置換基が、２つのベンゼン環、１つのベンゼン環と１つのｔｅｒｔ－ブチル基、１つのインドール環又は１つのナフタレン環を有する、前記〔２〕に記載の試料調製方法。
【0012】
〔４〕前記疎水性置換基が、前記極性基への導入により前記親水性有機化合物の脂溶性を向上させる基である、前記〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【0013】
〔５〕前記疎水性置換基が、前記高分子金属錯体と相互作用する基である、前記〔１〕～〔４〕のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【0014】
〔６〕前記極性基が、アミノ基、水酸基、チオール基又はカルボキシ基である、前記〔１〕～〔５〕のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【0015】
〔７〕前記極性基が、アミノ基又はカルボキシ基である、前記〔６〕に記載の試料調製方法。
【0016】
〔８〕前記極性基が、アミノ基であり、前記工程（ａ）において、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合又はチオウレア結合により前記疎水性置換基を前記極性基に導入する、前記〔７〕に記載の試料調製方法。
【0017】
〔９〕前記疎水性置換基が、１－ナフチルカルバモチオイル基、１，１－ジフェニルアセチル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基又は２－インドールカルボニル基である、前記〔８〕に記載の試料調製方法。
【0018】
〔１０〕前記極性基が、カルボキシ基であり、前記工程（ａ）において、エステル結合又はアミド結合により前記疎水性置換基を前記極性基に導入する、前記〔７〕に記載の試料調製方法。
【0019】
〔１１〕前記疎水性置換基が、ジフェニルメチル基である、前記〔１０〕に記載の試料調製方法。
【0020】
〔１２〕前記親水性有機化合物が、アミノ酸又は核酸である、前記〔１〕～〔１１〕のいずれか１項に記載の試料調製方法。
【0021】
〔１３〕前記〔１〕～〔１２〕のいずれか１項に記載の試料調製方法により得られた前記試料の結晶構造解析を行う工程を含む、結晶スポンジ法による親水性有機化合物の構造解析方法。
【0022】
〔１４〕前記〔１〕～〔１２〕のいずれか１項に記載の試料調製方法に用いるための、前記疎水性置換基を提供する化合物を含む、置換基導入用試薬。
【発明の効果】
【0023】
本発明により、親水性有機化合物の分子構造を結晶スポンジ法により解析するための試料調製方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【発明を実施するための形態】
【0025】
本発明は、極性基を有する親水性有機化合物の結晶スポンジ法による構造解析のための結晶構造解析用試料調製方法であって、
前記結晶スポンジ法が、有機化合物の分子構造決定方法であって、以下の工程（１）～（３）、
（１）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を提供する工程であって、
前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶が、式：［〔Ｍ（Ｘ）2〕3（Ｌ）2］n〔式中、Ｍは金属イオンを表し、Ｘは一価の陰イオンを表し、Ｌは、下記式（１）
（式中、Ａｒは、置換基を有していてもよい３価の芳香族基を表し、Ｘ1～Ｘ3は、それぞれ独立に、２価の有機基、またはＡｒとＹ1～Ｙ3とを直接結ぶ単結合を表し、Ｙ1～Ｙ3は、それぞれ独立に、配位性部位を有する１価の有機基を表す）で示される三座配位子を表し、ｎは任意の自然数を表す〕で示される高分子金属錯体の結晶であって、
前記三座配位子が、前記金属イオンに配位して三次元ネットワーク構造を形成し、かつ、該三次元ネットワーク構造が、その内部に空隙を有し、前記空隙に、脂肪族炭化水素；脂環式炭化水素；エーテル類；エステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンからなる群から選ばれる芳香族炭化水素；ハロゲン化炭化水素、並びにニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種が、ゲスト化合物（Ａ）として内包されており、
前記空隙における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上である、工程、
（２）前記有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程、並びに
（３）前記結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行って、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に内包されている有機化合物の分子構造を決定する工程、
を含む、方法であり、
前記結晶構造解析用試料調製方法が、以下の工程（ａ）及び（ｂ）、
（ａ）前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程、及び
（ｂ）前記疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる前記結晶構造解析用試料を得る工程、
を含むことを特徴とする、試料調製方法に関する。
前記結晶スポンジ法が、有機化合物の分子構造決定方法であって、以下の工程（１）～（３）、
（１）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を提供する工程であって、
前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶が、式：［〔Ｍ（Ｘ）2〕3（Ｌ）2］n〔式中、Ｍは金属イオンを表し、Ｘは一価の陰イオンを表し、Ｌは、下記式（１）
前記三座配位子が、前記金属イオンに配位して三次元ネットワーク構造を形成し、かつ、該三次元ネットワーク構造が、その内部に空隙を有し、前記空隙に、脂肪族炭化水素；脂環式炭化水素；エーテル類；エステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンからなる群から選ばれる芳香族炭化水素；ハロゲン化炭化水素、並びにニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種が、ゲスト化合物（Ａ）として内包されており、
前記空隙における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上である、工程、
（２）前記有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程、並びに
（３）前記結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行って、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に内包されている有機化合物の分子構造を決定する工程、
を含む、方法であり、
前記結晶構造解析用試料調製方法が、以下の工程（ａ）及び（ｂ）、
（ａ）前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程、及び
（ｂ）前記疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、前記三次元ネットワーク構造内の空隙に、前記疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる前記結晶構造解析用試料を得る工程、
を含むことを特徴とする、試料調製方法に関する。
【0026】
工程（ａ）
本発明の試料調製方法は、前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程（工程（ａ））を含む。
本発明の試料調製方法は、前記親水性有機化合物の極性基に疎水性置換基を導入して、疎水性置換基を導入した有機化合物を得る工程（工程（ａ））を含む。
【0027】
本発明において、「親水性有機化合物」とは、水に溶解しやすいかあるいは水に混ざりやすく、非極性溶媒に不溶である有機化合物をいう。「疎水性置換基」とは、水との親和性が低く、非極性溶媒との親和性が高い置換基をいう。「極性基」とは、極性のある原子団をいう。
【0028】
疎水性置換基は、少なくとも１つの芳香環を有するのが好ましく、２つのベンゼン環、１つのベンゼン環と１つのｔｅｒｔ－ブチル基、１つのインドール環又は１つのナフタレン環を有するのがより好ましい。好ましい疎水性置換基としては、１－ナフチルカルバモチオイル基、１，１－ジフェニルアセチル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基、２－インドールカルボニル基、ジフェニルメチル基、［４－（ジメチルアミノ）－１－ナフチル］カルバモチオイル基、ナフタレン－１－カルボニル基、フェロセンカルボニル基、ベンゾイル基、３－ブロモ－４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基、ベンジル基等を挙げることができる。また、疎水性置換基としては、芳香環を有さないものを用いてもよく、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等を用いることができる。
【0029】
親水性有機化合物の極性基への疎水性置換基の導入により、親水性有機化合物の脂溶性が向上するため、疎水性置換基を導入した親水性有機化合物を結晶スポンジ法で用いられる非極性有機溶媒に溶解させて、高分子金属錯体結晶の空隙に入れることができる。脂溶性は、例えば、従来公知の方法により、オクタノール－水分配係数を測定することで、あるいは、構造式に基づく計算によって評価することができる。また、疎水性置換基は、結晶スポンジ法で用いられる高分子金属錯体と相互作用することができる。相互作用は、π－π相互作用、ＣＨ－π相互作用、ハロゲン－π相互作用、電荷移動型相互作用等を含んでもよい。相互作用は、Ｘ線結晶構造解析後の原子座標データを描画ソフトで表示し、基準又はデータベースと比較することで、例えば、原子間距離がファンデルワールス半径より小さいことを確認することによって、検出することができる。更に、親水性化合物の極性基が求核性を有する場合には、金属と配位子との間の配位結合によって形成される高分子金属錯体結晶の構造が親水性化合物の極性基によって損なわれる可能性があるが、極性基に疎水性置換基を導入することにより、極性基の求核性を低下させて、高分子金属錯体結晶の構造を維持することができる。疎水性置換基によるこれらの作用により、疎水性置換基を導入した有機化合物を高分子金属錯体の空隙に内包することができる。
【0030】
親水性有機化合物の極性基は、特に制限は無いが、アミノ基、水酸基、チオール基又はカルボキシ基であることが好ましく、アミノ基又はカルボキシ基であることがより好ましい。
【0031】
極性基がアミノ基である場合、工程（ａ）において、疎水性置換基は、例えば、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合又はチオウレア結合により極性基に導入されてもよい。極性基がアミノ基である場合、疎水性置換基は、１－ナフチルカルバモチオイル基、１，１－ジフェニルアセチル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基又は２－インドールカルボニル基であることが好ましい。
【0032】
極性基がカルボキシ基である場合、前記工程（ａ）において、疎水性置換基は、例えば、エステル結合又はアミド結合により極性基に導入されてもよい。極性基がカルボキシ基である場合、疎水性置換基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基であることが好ましい。
【0033】
極性基が水酸基である場合、前記工程（ａ）において、疎水性置換基は、例えば、エーテル結合又はエステル結合により極性基に導入されてもよい。極性基が水酸基である場合、疎水性置換基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、ベンゾイル基、ジフェニルアセチル基であることが好ましい。
【0034】
極性基がチオール基である場合、前記工程（ａ）において、疎水性置換基は、例えば、チオエーテル結合により極性基に導入されてもよい。極性基が水酸基である場合、疎水性置換基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基であることが好ましい。
【0035】
親水性有機化合物は、疎水性置換基導入後に結晶スポンジ法で用いられる高分子金属錯体の空隙に入り得る大きさのものである限り、特に限定されない。親水性有機化合物は、好ましくはアミノ酸、核酸、又は有機酸である。アミノ酸及び核酸は、その塩又は誘導体を含んでもよい。
【0036】
極性基に疎水性置換基を導入する方法には特に制限は無く、極性基及び疎水性置換基の種類に応じてこれらを結合させるための従来公知の方法を利用することができる。
【0037】
工程（ｂ）
本発明の結晶構造解析用試料調製方法は、疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、三次元ネットワーク構造内の空隙に、疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程（工程（ｂ））を含む。工程（ｂ）は、有機化合物を含む溶媒溶液として工程（ａ）で得られる疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液を用いる以外は、後述する結晶スポンジ法における結晶構造解析用試料の作製方法と同様にして実施することができる。
本発明の結晶構造解析用試料調製方法は、疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液に前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させて、三次元ネットワーク構造内の空隙に、疎水性置換基を導入した有機化合物の分子が内包されてなる結晶構造解析用試料を得る工程（工程（ｂ））を含む。工程（ｂ）は、有機化合物を含む溶媒溶液として工程（ａ）で得られる疎水性置換基を導入した有機化合物を含む溶媒溶液を用いる以外は、後述する結晶スポンジ法における結晶構造解析用試料の作製方法と同様にして実施することができる。
【0038】
本発明はまた、工程（ｂ）で得られた結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行う工程を含む、結晶スポンジ法による親水性有機化合物の構造解析方法に関する。本発明において、試料の結晶構造解析は、試料として工程（ｂ）で得られる結晶構造解析用試料を用いる以外は、後述する結晶スポンジ法における有機化合物の分子構造決定方法と同様にして実施することができる。本発明においては、構造解析対象である親水性有機化合物の極性基に、構造が既知の疎水性置換基を導入するため、導入した疎水性置換基に由来する電子密度を手掛かりとして、構造が未知の親水性有機化合物の解析を容易にすることが可能となる。
【0039】
本発明は更に、上記試料調製方法に用いるための、疎水性置換基を提供する化合物を含む、置換基導入試薬に関する。
【0040】
疎水性置換基を提供する化合物としては、例えば、イソチオシアン酸１－ナフチル、ジフェニルアセチルクロリド、４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、インドール－２－カルボン酸、ジフェニルメチルトリクロロアセトイミダート、ヨードメタン、トリメチルシリルジアゾメタン等を挙げることができる。
【0041】
置換基導入試薬は、任意に、酸塩化物、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドエステル、カルボン酸、イソチオシアン酸、アルコール、ハロゲン化アルキル、トリクロロアセトイミダート等を含んでもよい。
【0042】
結晶スポンジ法は、参照によりその全体が本願に組み込まれる特許第５９６９６１６号において詳細に説明されている。
【0043】
以下、本発明で用いられる結晶スポンジ法を、Ａ）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶、Ｂ）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶の製造方法、Ｃ）結晶構造解析用試料の作製方法、及び、Ｄ）有機化合物の分子構造決定方法、に項分けして詳細に説明する。
【0044】
Ａ）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶
ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶は、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む高分子金属錯体であって、前記配位子が前記金属イオンに配位して形成された三次元ネットワーク構造を有し、かつ、該三次元ネットワーク構造内に三次元的に規則正しく整列した空隙を有する高分子金属錯体の前記空隙内に、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、エーテル類、エステル類、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、及びニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種がゲスト化合物（Ａ）として内包されてなり、前記空隙内における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙内に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上であることを特徴とする。
ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶は、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む高分子金属錯体であって、前記配位子が前記金属イオンに配位して形成された三次元ネットワーク構造を有し、かつ、該三次元ネットワーク構造内に三次元的に規則正しく整列した空隙を有する高分子金属錯体の前記空隙内に、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、エーテル類、エステル類、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、及びニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種がゲスト化合物（Ａ）として内包されてなり、前記空隙内における、前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙内に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上であることを特徴とする。
【0045】
（ｉ）高分子金属錯体
高分子金属錯体は、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む三次元ネットワーク構造を有するものである。
ここで、「三次元ネットワーク構造」とは、配位子（配位性部位を２つ以上有する配位子及びその他の単座配位子）と金属イオンが結合して形成された構造単位が、三次元的に繰り返されてなる網状の構造をいう。
高分子金属錯体は、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む三次元ネットワーク構造を有するものである。
ここで、「三次元ネットワーク構造」とは、配位子（配位性部位を２つ以上有する配位子及びその他の単座配位子）と金属イオンが結合して形成された構造単位が、三次元的に繰り返されてなる網状の構造をいう。
【0046】
〔配位子〕
配位性部位を２つ以上有する配位子（以下、「多座配位子」ということがある。）は、金属イオンに配位して、前記三次元ネットワーク構造を形成し得るものである限り特に限定されず、公知の多座配位子を利用することができる。
ここで、「配位性部位」とは、配位結合が可能な非共有電子対を有する、配位子中の原子又は原子団をいう。例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子等のヘテロ原子；ニトロ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基等の原子団；等が挙げられる。なかでも、窒素原子又は窒素原子を含む原子団が好ましい。
配位性部位を２つ以上有する配位子（以下、「多座配位子」ということがある。）は、金属イオンに配位して、前記三次元ネットワーク構造を形成し得るものである限り特に限定されず、公知の多座配位子を利用することができる。
ここで、「配位性部位」とは、配位結合が可能な非共有電子対を有する、配位子中の原子又は原子団をいう。例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子等のヘテロ原子；ニトロ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基等の原子団；等が挙げられる。なかでも、窒素原子又は窒素原子を含む原子団が好ましい。
【0047】
また、多座配位子としては、配位子の平面性が高く、強固な三次元ネットワーク構造が形成され易いことから、芳香環を有するものが好ましい。
さらに、比較的大きな空隙を有する高分子金属錯体を容易に得ることができる観点から、多座配位子としては、配位性部位を２つ以上有する配位子が好ましく、配位性部位を３つ有する配位子（以下、「三座配位子」ということがある。）がより好ましく、３つの配位性部位の非共有電子対（軌道）が擬同一平面上に存在し、かつ、３つの配位性部位が、三座配位子の中心部に対して等間隔放射状に配置されているものがさらに好ましい。
さらに、比較的大きな空隙を有する高分子金属錯体を容易に得ることができる観点から、多座配位子としては、配位性部位を２つ以上有する配位子が好ましく、配位性部位を３つ有する配位子（以下、「三座配位子」ということがある。）がより好ましく、３つの配位性部位の非共有電子対（軌道）が擬同一平面上に存在し、かつ、３つの配位性部位が、三座配位子の中心部に対して等間隔放射状に配置されているものがさらに好ましい。
【0048】
ここで、「擬同一平面上に存在する」とは、各非共有電子対が、同一平面上に存在する状態の他、若干ずれた平面、例えば、基準となる平面に対して、２０°以下で交差するような平面に存在する状態も含む意味である。
また、「３つの配位性部位が、三座配位子の中心部に対して等間隔放射状に配置されている」とは、配位子の中心部から等間隔で放射状に延びる線上に、３つの配位性部位が前記中心部から略等距離に配置されている状態をいう。
また、「３つの配位性部位が、三座配位子の中心部に対して等間隔放射状に配置されている」とは、配位子の中心部から等間隔で放射状に延びる線上に、３つの配位性部位が前記中心部から略等距離に配置されている状態をいう。
【0049】
三座配位子としては、例えば、式（１）
（式中、Ａｒは、置換基を有していてもよい３価の芳香族基を表す。Ｘ1～Ｘ3は、それぞれ独立に、２価の有機基、又はＡｒとＹ1～Ｙ3とを直接結ぶ単結合を表す。Ｙ1～Ｙ3は、それぞれ独立に、配位性部位を有する１価の有機基を表す。）で示される配位子が挙げられる。
【0050】
式（１）中、Ａｒは３価の芳香族基を表す。
Ａｒを構成する炭素原子の数は、通常３～２２、好ましくは３～１３、より好ましくは３～６である。
Ａｒを構成する炭素原子の数は、通常３～２２、好ましくは３～１３、より好ましくは３～６である。
【0051】
Ａｒとしては、６員環の芳香環１つからなる単環構造を有する３価の芳香族基や、６員環の芳香環が３個縮合してなる縮合環構造を有する３価の芳香族基が挙げられる。
【0052】
６員環の芳香環１つからなる単環構造を有する３価の芳香族基としては、下記式（２ａ）～式（２ｄ）で示される基が挙げられる。また、６員環の芳香環が３個縮合してなる縮合環構造を有する３価の芳香族基としては、下記式（２ｅ）で示される基が挙げられる。なお、式（２ａ）～式（２ｅ）において、「＊」は、それぞれ、Ｘ1～Ｘ3との結合位置を表す。
【0053】
【0054】
Ａｒは、式（２ａ）、式（２ｃ）～式（２ｅ）で示される芳香族基の任意の位置に置換基を有するものであってもよい。かかる置換基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ－プロピル基、ｔ－ブチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；等が挙げられる。これらの中でも、式（２ａ） 又は（２ｂ）で示される芳香族基が好ましく、式（２ｂ）で示される芳香族基が特に好ましい。
【0055】
Ｘ1～Ｘ3は、それぞれ独立に、２価の有機基、又はＡｒとＹ1～Ｙ3とを直接結ぶ単結合を表す。
【0056】
２価の有機基としては、Ａｒとともに、π電子共役系を構成し得るものが好ましい。Ｘ1～Ｘ3で表される２価の有機基がπ電子共役系を構成することで、式（１）で示される三座配位子の平面性が向上し、より強固な三次元ネットワーク構造が形成され易くなる。
２価の有機基を構成する炭素原子の数は、２～１８が好ましく、２～１２がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
２価の有機基を構成する炭素原子の数は、２～１８が好ましく、２～１２がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
【0057】
２価の有機基としては、炭素数２～１０の２価の不飽和脂肪族基、６員芳香環１つからなる単環構造を有する２価の有機基、６員芳香環が２～４個縮合してなる縮合環構造を有する２価の有機基、アミド基〔－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－〕、エステル基〔－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－〕、これらの２価の有機基の２種以上の組み合わせ等が挙げられる。
【0058】
炭素数２～１０の２価の不飽和脂肪族基としては、ビニレン基、アセチレン基（エチニレン基）等が挙げられる。
６員環の芳香環１つからなる単環構造を有する２価の有機基としては、１，４－フェニレン基等が挙げられる。
６員環の芳香環が２～４個縮合してなる縮合環構造を有する２価の有機基としては、１，４－ナフチレン基、１，５－ナフチレン基、２，６－ナフチレン基、アントラセン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
これらの２価の有機基の２種以上の組み合わせとしては、下記のものが挙げられる。
６員環の芳香環１つからなる単環構造を有する２価の有機基としては、１，４－フェニレン基等が挙げられる。
６員環の芳香環が２～４個縮合してなる縮合環構造を有する２価の有機基としては、１，４－ナフチレン基、１，５－ナフチレン基、２，６－ナフチレン基、アントラセン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
これらの２価の有機基の２種以上の組み合わせとしては、下記のものが挙げられる。
【0059】
【0060】
これらの芳香環は、環内に、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。
また、２価の有機基は、置換基を有するものであってもよい。かかる置換基としては、Ａｒの置換基として先に示したものと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｘ1～Ｘ3で表される２価の有機基としては、下記のものが好ましい。
また、２価の有機基は、置換基を有するものであってもよい。かかる置換基としては、Ａｒの置換基として先に示したものと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｘ1～Ｘ3で表される２価の有機基としては、下記のものが好ましい。
【0061】
【0062】
Ｙ1～Ｙ3は、それぞれ独立に、配位性部位を有する１価の有機基を表す。
Ｙ1～Ｙ3で表される有機基としては、Ａｒ、Ｘ1～Ｘ3とともに、π電子共役系を構成し得るものが好ましい。
Ｙ1～Ｙ3で表される有機基がπ電子共役系を構成することで、式（１）で示される三座配位子の平面性が向上し、強固な三次元ネットワーク構造が形成され易くなる。
Ｙ1～Ｙ3を構成する炭素原子の数は、５～１１が好ましく、５～７がより好ましい。
Ｙ1～Ｙ3で表される有機基としては、Ａｒ、Ｘ1～Ｘ3とともに、π電子共役系を構成し得るものが好ましい。
Ｙ1～Ｙ3で表される有機基がπ電子共役系を構成することで、式（１）で示される三座配位子の平面性が向上し、強固な三次元ネットワーク構造が形成され易くなる。
Ｙ1～Ｙ3を構成する炭素原子の数は、５～１１が好ましく、５～７がより好ましい。
【0063】
Ｙ1～Ｙ3としては、下記式（３ａ）～式（３ｆ）で示される有機基が挙げられる。なお、式（３ａ）～式（３ｆ）において、「＊」は、Ｘ1～Ｘ3との結合位置を表す。
【0064】
【0065】
Ｙ1～Ｙ3は、式（３ａ）～式（３ｆ）で示される有機基の任意の位置に、置換基を有するものであってもよい。かかる置換基としては、Ａｒの置換基として先に例示したものと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、式（３ａ）で表される基が特に好ましい。
これらの中でも、式（３ａ）で表される基が特に好ましい。
【0066】
式（１）で示される三座配位子中の、Ａｒ、Ｘ1～Ｘ3、Ｙ1～Ｙ3を適宜選択することで、高分子金属錯体の空隙の大きさを調節することができる。この方法を利用することで、分子構造を決定する有機化合物を包接し得る大きさの空隙を有する高分子金属錯体の単結晶を効率よく得ることができる。
【0067】
式（１）で示される三座配位子としては、強固な三次元ネットワーク構造が形成され易いことから、平面性及び対称性が高く、かつ、π共役系が配位子全体に広がっているものが好ましい。このような三座配位子としては、下記式（４ａ）～式（４ｆ）で示される配位子が挙げられる。
【0068】
【0069】
これらの中でも、式（１）で示される三座配位子としては、上記式（４ａ）で示される２，４，６－トリス（４－ピリジル）－１，３，５－トリアジン（ＴＰＴ）が特に好ましい。
【0070】
〔金属イオン〕
中心金属としての金属イオンは、前記多座配位子と配位結合を形成して、三次元ネットワーク構造を形成し得るものである限り特に限定されず、公知の金属イオンが挙げられる。なかでも、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、銀イオン等の周期表第８～１２族の金属のイオンが好ましく、２価の、周期表第８～１２族の金属イオンがより好ましい。なかでも、大きな空隙を有する高分子金属錯体が得られ易いことから、亜鉛（ＩＩ）イオン、コバルト（ＩＩ）イオンが特に好ましい。
中心金属としての金属イオンは、前記多座配位子と配位結合を形成して、三次元ネットワーク構造を形成し得るものである限り特に限定されず、公知の金属イオンが挙げられる。なかでも、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、銀イオン等の周期表第８～１２族の金属のイオンが好ましく、２価の、周期表第８～１２族の金属イオンがより好ましい。なかでも、大きな空隙を有する高分子金属錯体が得られ易いことから、亜鉛（ＩＩ）イオン、コバルト（ＩＩ）イオンが特に好ましい。
【0071】
〔高分子金属錯体を構成するその他の成分〕
高分子金属錯体は、通常、中性の多座配位子の他に、対イオンとなる単座配位子が配位することで安定化されている。
かかる単座配位子としては、塩化物イオン（Ｃｌ-）、臭化物イオン（Ｂｒ-）、ヨウ化物イオン（Ｉ-）、チオシアン酸イオン（ＳＣＮ-）等の１価の陰イオンが挙げられる。
高分子金属錯体は、通常、中性の多座配位子の他に、対イオンとなる単座配位子が配位することで安定化されている。
かかる単座配位子としては、塩化物イオン（Ｃｌ-）、臭化物イオン（Ｂｒ-）、ヨウ化物イオン（Ｉ-）、チオシアン酸イオン（ＳＣＮ-）等の１価の陰イオンが挙げられる。
【0072】
また、高分子金属錯体は、溶媒；アンモニア、モノアルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、エチレンジアミン等の電気的に中性の配位性化合物；後述する骨格形成性芳香族化合物；を含むものであってもよい。
【0073】
「骨格形成性芳香族化合物」とは、配位結合以外の結合又は相互作用によって、三次元ネットワーク構造中に拘束され、ホスト分子（ゲスト化合物を取り込むことができる化合物）の骨格の一部を構成する芳香族化合物をいう。高分子金属錯体が骨格形成性芳香族化合物を含むことで、その三次元ネットワーク構造がより強固になり易く、分子構造を決定する有機化合物の分子を包接した後であっても、三次元ネットワーク構造がより安定化する場合がある。
【0074】
骨格形成性芳香族化合物としては、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。例えば、下記式（５ａ）～式（５ｉ）で示されるものが挙げられる。
【0075】
【0076】
〔高分子金属錯体の三次元ネットワーク構造〕
高分子金属錯体の三次元ネットワーク構造は、前記多座配位子が前記金属イオンに配位して形成されたものであり、その内部に、三次元的に規則正しく整列した空隙を有する。
高分子金属錯体の三次元ネットワーク構造は、前記多座配位子が前記金属イオンに配位して形成されたものであり、その内部に、三次元的に規則正しく整列した空隙を有する。
【0077】
ここで、「三次元的に規則正しく整列した空隙」とは、単結晶Ｘ線構造解析によって、空隙を確認することができる程度に乱れなく、規則的に整列している空隙をいう。空隙は、以下に定義される細孔及び中空を含む。
「細孔」は、後述する図３（ａ）、（ｂ）に示すごとく、三次元ネットワーク構造の間に形成された空間Ａ、Ｂや、図４（ａ）に示すごとく、球状錯体構造の繰り返し単位間に形成された空間等のように、高分子金属錯体の三次元ネットワーク構造の間に形成された空間を意味する。また、「中空」とは、図４（ａ）に示す球状錯体構造の繰り返し単位（線で囲まれた部分、図４（ｂ）参照）における、球状錯体構造が有する内部空間をいう。
なお、本明細書において、「三次元ネットワーク構造内の細孔」、「高分子金属錯体の細孔」、「単結晶中の細孔」はいずれも同じ意味を表す。
「細孔」は、後述する図３（ａ）、（ｂ）に示すごとく、三次元ネットワーク構造の間に形成された空間Ａ、Ｂや、図４（ａ）に示すごとく、球状錯体構造の繰り返し単位間に形成された空間等のように、高分子金属錯体の三次元ネットワーク構造の間に形成された空間を意味する。また、「中空」とは、図４（ａ）に示す球状錯体構造の繰り返し単位（線で囲まれた部分、図４（ｂ）参照）における、球状錯体構造が有する内部空間をいう。
なお、本明細書において、「三次元ネットワーク構造内の細孔」、「高分子金属錯体の細孔」、「単結晶中の細孔」はいずれも同じ意味を表す。
【0078】
三次元ネットワーク構造は、上記の構造的特徴を有し、かつ、前記空隙が、分子構造を決定する有機化合物の分子を包接し得る大きさのものである限り、特に限定されない。
一般的に、配位子の中心から、配位性部位までの距離が長い多座配位子を用いると、相対的に空隙が大きい高分子金属錯体が得られ、配位子の中心から、配位性部位までの距離が短い多座配位子を用いると、相対的に空隙が小さい高分子金属錯体が得られる。
一般的に、配位子の中心から、配位性部位までの距離が長い多座配位子を用いると、相対的に空隙が大きい高分子金属錯体が得られ、配位子の中心から、配位性部位までの距離が短い多座配位子を用いると、相対的に空隙が小さい高分子金属錯体が得られる。
【0079】
細孔の大きさは、細孔が延在する方向に対して、最も垂直に近い結晶面と平行な面（以下、平行面ということがある。）における細孔の内接円（以下、単に「細孔の内接円」ということがある。）の直径と相関がある。
【0080】
「細孔が延在する方向」は、以下の方法により決定することができる。
すなわち、まず、対象の細孔を横切る適当な方向の結晶面Ｘ（Ａ面、Ｂ面、Ｃ面かそれぞれの対角面など）を選ぶ。そして、結晶面Ｘ上に存在し、かつ、ホスト分子を構成する原子を、ファンデルワールス半径を用いて表すことで、結晶面Ｘを切断面とする細孔の断面図を描く。同様に、当該結晶面Ｘと一単位胞ずれた結晶面Ｙを切断面とする細孔の断面図を描く。次に、それぞれの結晶面における細孔の断面形状の中心間を、立体図において直線（一点鎖線）で結ぶ（図１参照）。このとき得られる直線の方向が、細孔が延在する方向である。
すなわち、まず、対象の細孔を横切る適当な方向の結晶面Ｘ（Ａ面、Ｂ面、Ｃ面かそれぞれの対角面など）を選ぶ。そして、結晶面Ｘ上に存在し、かつ、ホスト分子を構成する原子を、ファンデルワールス半径を用いて表すことで、結晶面Ｘを切断面とする細孔の断面図を描く。同様に、当該結晶面Ｘと一単位胞ずれた結晶面Ｙを切断面とする細孔の断面図を描く。次に、それぞれの結晶面における細孔の断面形状の中心間を、立体図において直線（一点鎖線）で結ぶ（図１参照）。このとき得られる直線の方向が、細孔が延在する方向である。
【0081】
また、「細孔の内接円の直径」は、以下の方法により求めることができる。
すなわち、まず、上記と同様の方法により、前記平行面を切断面とする細孔の断面図を描く。次に、その断面図において細孔の内接円を描き、その直径を測定した後、得られた測定値を実際のスケールに換算することで、実際の細孔の内接円の直径を求めることができる。
さらに、前記平行面を、一単位胞分、徐々に平行移動させながら、各平行面における細孔の内接円の直径を測定することで、最も狭い部分の内接円の直径と、最も広い部分の内接円の直径が求められる。
すなわち、まず、上記と同様の方法により、前記平行面を切断面とする細孔の断面図を描く。次に、その断面図において細孔の内接円を描き、その直径を測定した後、得られた測定値を実際のスケールに換算することで、実際の細孔の内接円の直径を求めることができる。
さらに、前記平行面を、一単位胞分、徐々に平行移動させながら、各平行面における細孔の内接円の直径を測定することで、最も狭い部分の内接円の直径と、最も広い部分の内接円の直径が求められる。
【0082】
高分子金属錯体の細孔の内接円の直径は、２～３０Åが好ましく、３～１０Åがより好ましい。
【0083】
また、細孔の形状が真円とは大きく異なる場合、上記平行面における細孔の内接楕円の短径及び長径から、高分子金属錯体のゲスト分子包接能を予測することが好ましい。
高分子金属錯体の細孔の内接楕円の長径は、２～３０Åが好ましく、３～１０Åがより好ましい。また、高分子金属錯体の細孔の内接楕円の短径は、２～３０Åが好ましく、３～１０Åがより好ましい。
高分子金属錯体の細孔の内接楕円の長径は、２～３０Åが好ましく、３～１０Åがより好ましい。また、高分子金属錯体の細孔の内接楕円の短径は、２～３０Åが好ましく、３～１０Åがより好ましい。
【0084】
高分子金属錯体の細孔容積は、論文Ａｃｔａ Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．Ａ４６，１９４－２０１（１９９０）に記載の手法により求めることができる。すなわち、計算プログラム（ＰＬＡＴＯＮ ＳＱＵＥＥＺＥ ＰＲＯＧＲＡＭ）により算出したＳｏｌｖｅｎｔ Ａｃｃｅｓｓｉｂｌｅ Ｖｏｉｄ（単位格子内の空隙体積）をもとに「単結晶の体積×単位胞における空隙率」を用いて計算することができる。
高分子金属錯体の細孔容積（一粒の単結晶中のすべての細孔の容積）は、１×１０-7～０．１ｍｍ3が好ましく、１×１０-5～１×１０-3ｍｍ3がより好ましい。
高分子金属錯体の細孔容積（一粒の単結晶中のすべての細孔の容積）は、１×１０-7～０．１ｍｍ3が好ましく、１×１０-5～１×１０-3ｍｍ3がより好ましい。
【0085】
また、上述のように、高分子金属錯体が球状錯体構造の繰り返し単位からなる場合、各球状錯体構造は内部空間（中空）を有する。中空の大きさも、細孔容積と同様に、論文Ａｃｔａ Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．Ａ４６，１９４－２０１（１９９０）に記載の手法により求めることができる。
【0086】
高分子金属錯体は、ゲスト化合物をその空隙内に取り込んだ後においても結晶性を失わず、かつ、比較的大きな空隙を有するものが好ましい。
【0087】
これらの高分子金属錯体は、その空隙内に、高分子金属錯体の合成時に用いた有機溶媒（以下、「結晶化溶媒」ということがある。）を内包している。
この結晶化溶媒がゲスト化合物（Ａ）であれば、得られる高分子金属錯体は、ゲスト化合物内包高分子金属錯体に相当する。
結晶化溶媒がゲスト化合物（Ａ）でない場合には、後述するように、結晶化溶媒を、ゲスト化合物（Ａ）にゲスト置換することにより、結晶構造解析用試料の作製に好適に用いることができるゲスト化合物内包高分子金属錯体とすることができる。
この結晶化溶媒がゲスト化合物（Ａ）であれば、得られる高分子金属錯体は、ゲスト化合物内包高分子金属錯体に相当する。
結晶化溶媒がゲスト化合物（Ａ）でない場合には、後述するように、結晶化溶媒を、ゲスト化合物（Ａ）にゲスト置換することにより、結晶構造解析用試料の作製に好適に用いることができるゲスト化合物内包高分子金属錯体とすることができる。
【0088】
高分子金属錯体は、一般的には、配位性部位を２つ以上有する配位子の第１の溶媒溶液と、金属塩を含む第２の溶媒溶液とを、前記配位子と金属イオンとが所定割合となるように混合することで得ることができる。例えば、配位子として、前記式（１）で示される三座配位子を用い、金属塩として、ヨウ化亜鉛、臭化亜鉛等の亜鉛（ＩＩ）の塩；チオシアン酸コバルト等のコバルト（ＩＩ）の塩等を用いることができる。なお、高分子金属錯体の合成方法の詳細は後述する。
【0089】
高分子金属錯体の具体例としては、三座配位子として、前記式（４ａ）で示されるＴＰＴ（２，４，６－トリス（４－ピリジル）－１，３，５－トリアジン）を用いることにより得られる、下記式（６ａ）～式（６ｄ）で示される高分子金属錯体が挙げられる。これらの高分子金属錯体は、高分子金属錯体として特に適している。
【0090】
【0091】
上記式（６ａ）～式（６ｄ）中、「ｓｏｌｖ」は、空隙に内包された結晶化溶媒を表し、「ＳＡ」は、骨格形成性芳香族化合物を表し、ａ、ｂは任意の自然数を表す。
以下、これらの高分子金属錯体について詳しく説明する。なお、以下の説明中、配位子や溶媒分子を以下のように省略することがある。
以下、これらの高分子金属錯体について詳しく説明する。なお、以下の説明中、配位子や溶媒分子を以下のように省略することがある。
【0092】
ＰｈＮＯ2：ニトロベンゼン
ＴＰＨ：トリフェニレン
ＰＥＲ：ペリレン
ＭｅＯＨ：メタノール
ＤＣＢ：１，２－ジクロロベンゼン
ＴＰＨ：トリフェニレン
ＰＥＲ：ペリレン
ＭｅＯＨ：メタノール
ＤＣＢ：１，２－ジクロロベンゼン
【0093】
（１）［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ｓｏｌｖ）a］b （６ａ）
式（６ａ）で示される高分子金属錯体としては、特開２００８－２１４５８４号公報、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００４，ｖ．１２６，ｐｐ１６２９２－１６２９３に記載の［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＰｈＮＯ2）5.5］n（高分子金属錯体１）が挙げられる。
式（６ａ）で示される高分子金属錯体としては、特開２００８－２１４５８４号公報、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００４，ｖ．１２６，ｐｐ１６２９２－１６２９３に記載の［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＰｈＮＯ2）5.5］n（高分子金属錯体１）が挙げられる。
【0094】
高分子金属錯体１の三次元ネットワーク構造を図２（ａ）～（ｄ）に示す。
高分子金属錯体１の三次元ネットワーク構造は、２つの三次元ネットワーク構造５と６から構成される。三次元ネットワーク構造５、６中、各亜鉛（ＩＩ）イオンには、２つのＴＰＴのピリジル基と２つのヨウ化物イオンが四配位四面体型で配位している。そして、ＴＰＴによって、この亜鉛（ＩＩ）イオンを含む構造同士が三次元的に結ばれることで、それぞれの三次元ネットワーク構造が形成されている〔図２（ａ）〕。
高分子金属錯体１の三次元ネットワーク構造は、２つの三次元ネットワーク構造５と６から構成される。三次元ネットワーク構造５、６中、各亜鉛（ＩＩ）イオンには、２つのＴＰＴのピリジル基と２つのヨウ化物イオンが四配位四面体型で配位している。そして、ＴＰＴによって、この亜鉛（ＩＩ）イオンを含む構造同士が三次元的に結ばれることで、それぞれの三次元ネットワーク構造が形成されている〔図２（ａ）〕。
【0095】
三次元ネットワーク構造５、６は、それぞれ、最も短い閉鎖環状連鎖構造として、ＴＰＴ１０分子とＺｎ１０原子とからなる閉鎖環状連鎖構造を有している〔図２（ｂ）〕。
これらの三次元ネットワーク構造５、６は、（０１０）軸に沿ったピッチが１５Åの螺旋状のヘキサゴナル三次元ネットワーク構造とみなすことができる〔図２（ｃ）〕。
これらの三次元ネットワーク構造５、６は、（０１０）軸に沿ったピッチが１５Åの螺旋状のヘキサゴナル三次元ネットワーク構造とみなすことができる〔図２（ｃ）〕。
【0096】
三次元ネットワーク構造５、６は、同じ亜鉛（ＩＩ）イオンを共有することはなく、互いに独立している。そして、同一の空間を共有するように互いに入り組んだ入れ子状に相互貫通することで、複合化三次元ネットワーク構造を構成する。
この複合化三次元ネットワーク構造を有する高分子金属錯体１は、規則的に整列した１種類の細孔を有している〔図２（ｄ）〕。
この複合化三次元ネットワーク構造を有する高分子金属錯体１は、規則的に整列した１種類の細孔を有している〔図２（ｄ）〕。
【0097】
高分子金属錯体１の空隙率は、５０％である。
高分子金属錯体１の細孔の内接円の直径は、５～８Åである。
高分子金属錯体１の細孔の内接円の直径は、５～８Åである。
【0098】
（２）［（ＺｎＢｒ2）3（ＴＰＴ）2（ｓｏｌｖ）a］b （６ｂ）
式（６ｂ）で示される高分子金属錯体としては、特開２００８－２１４３１８号公報に記載の［（ＺｎＢｒ2）3（ＴＰＴ）2（ＰｈＮＯ2）5（Ｈ2Ｏ）］n（高分子金属錯体２）が挙げられる。
式（６ｂ）で示される高分子金属錯体としては、特開２００８－２１４３１８号公報に記載の［（ＺｎＢｒ2）3（ＴＰＴ）2（ＰｈＮＯ2）5（Ｈ2Ｏ）］n（高分子金属錯体２）が挙げられる。
【0099】
高分子金属錯体２は、（ＺｎＩ2）が（ＺｎＢｒ2）に置き換わっている点を除き、高分子金属錯体１の三次元ネットワーク構造と同様の構造を有している。
高分子金属錯体２の細孔の形状や大きさ、及び空隙率は、高分子金属錯体１のものとほぼ同じである。
高分子金属錯体２の細孔の形状や大きさ、及び空隙率は、高分子金属錯体１のものとほぼ同じである。
【0100】
（３）［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＳＡ）（ｓｏｌｖ）a）］b （６ｃ）
式（６ｃ）で示される高分子金属錯体としては、特開２００６－１８８５６０号公報に記載の［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＴＰＨ）（ＰｈＮＯ2）3.9（ＭｅＯＨ）1.8］n（高分子金属錯体３）や、［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＰＥＲ）（ＰｈＮＯ2）4］n（高分子金属錯体４）が挙げられる。
式（６ｃ）で示される高分子金属錯体としては、特開２００６－１８８５６０号公報に記載の［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＴＰＨ）（ＰｈＮＯ2）3.9（ＭｅＯＨ）1.8］n（高分子金属錯体３）や、［（ＺｎＩ2）3（ＴＰＴ）2（ＰＥＲ）（ＰｈＮＯ2）4］n（高分子金属錯体４）が挙げられる。
【0101】
高分子金属錯体３の三次元ネットワーク構造を図３（ａ）～（ｃ）に示す。
高分子金属錯体３の三次元ネットワーク構造は、２つの三次元ネットワーク構造７と８から構成される。三次元ネットワーク構造７、８中、各亜鉛（ＩＩ）イオンには、２つのヨウ化物イオンと２つのＴＰＴのピリジル基が四配位四面体型で配位している。そして、ＴＰＴによって、この亜鉛（ＩＩ）イオンを含む構造同士が三次元的に結ばれることで、それぞれの三次元ネットワーク構造が形成されている。
三次元ネットワーク構造７、８は、同じ亜鉛（ＩＩ）イオンを共有することはなく、互いに独立している。そして、同一の空間を共有するように互いに入り組んだ入れ子状に相互貫通することで、複合化三次元ネットワーク構造を構成する。
高分子金属錯体３の三次元ネットワーク構造は、２つの三次元ネットワーク構造７と８から構成される。三次元ネットワーク構造７、８中、各亜鉛（ＩＩ）イオンには、２つのヨウ化物イオンと２つのＴＰＴのピリジル基が四配位四面体型で配位している。そして、ＴＰＴによって、この亜鉛（ＩＩ）イオンを含む構造同士が三次元的に結ばれることで、それぞれの三次元ネットワーク構造が形成されている。
三次元ネットワーク構造７、８は、同じ亜鉛（ＩＩ）イオンを共有することはなく、互いに独立している。そして、同一の空間を共有するように互いに入り組んだ入れ子状に相互貫通することで、複合化三次元ネットワーク構造を構成する。
【0102】
高分子金属錯体３中で、トリフェニレン分子（１１）は、３次元ネットワーク構造７のトリス（４－ピリジル）トリアジン〔ＴＰＴ（９）〕のπ平面と、３次元ネットワーク構造８のトリス（４－ピリジル）トリアジン〔ＴＰＴ（１０）〕のπ平面との間に強固に挿入（インターカレート）されている〔図３（ｂ）〕。このとき、トリフェニレン分子は、ＴＰＴ（９）及びＴＰＴ（１０）間のπ－π相互作用によって安定化され、高分子金属錯体３の主骨格の一部として機能している。なお、図３（ｂ）は、図３（ａ）中の線で囲った部分を横から見たときの図である。
【0103】
高分子金属錯体３には、その三次元ネットワーク構造内に規則的に配列した２種の細孔（細孔Ａ及びＢ）が存在する〔図３（ｃ）〕。細孔Ａ及びＢは、ＴＰＴとＴＰＨが交互に積み重なった積み重ね構造の間に、それぞれ規則的に形成されている。
細孔Ａは、ほぼ円筒型であり、且つ、積み重なった無数のＴＰＴ及びＴＰＨのπ平面の側縁に存在する水素原子でほぼ取り囲まれている。
一方、細孔Ｂは、略三角柱型であり、且つ、その三角柱を形成する３方の面のうち、２つはＴＰＴのπ平面に取り囲まれ、もう一つは積み重なった無数のＴＰＴ及びＴＰＨのπ平面の側縁に存在する水素原子で取り囲まれている。
これら細孔Ａ及びＢは、若干蛇行した細長い形状を有している。
細孔Ａは、ほぼ円筒型であり、且つ、積み重なった無数のＴＰＴ及びＴＰＨのπ平面の側縁に存在する水素原子でほぼ取り囲まれている。
一方、細孔Ｂは、略三角柱型であり、且つ、その三角柱を形成する３方の面のうち、２つはＴＰＴのπ平面に取り囲まれ、もう一つは積み重なった無数のＴＰＴ及びＴＰＨのπ平面の側縁に存在する水素原子で取り囲まれている。
これら細孔Ａ及びＢは、若干蛇行した細長い形状を有している。
【0104】
高分子金属錯体３の細孔の空隙率は、２８％である。
高分子金属錯体３の細孔Ａの内接円の直径は、５～８Åである。
高分子金属錯体３の細孔Ｂの内接円の直径は、５～８Åである。
高分子金属錯体３の細孔Ａの内接円の直径は、５～８Åである。
高分子金属錯体３の細孔Ｂの内接円の直径は、５～８Åである。
【0105】
高分子金属錯体４は、高分子金属錯体３のトリフェニレン分子の代わりに、ペリレン分子が２つのＴＰＴの間に挿入されている点を除き、高分子金属錯体３と同様の骨格構造を有する。
高分子金属錯体４の細孔の形状や大きさ、及び空隙率は、高分子金属錯体３のものとほぼ同じである。
高分子金属錯体４の細孔の形状や大きさ、及び空隙率は、高分子金属錯体３のものとほぼ同じである。
【0106】
（４）［（Ｃｏ（ＮＣＳ）2）3（ＴＰＴ）4（ｓｏｌｖ）a］b （６ｄ）
式（６ｄ）で示される高分子金属錯体としては、ＷＯ２０１１／０６２２６０号公報に記載の［（Ｃｏ（ＮＣＳ）2）3（ＴＰＴ）4（ＤＣＢ）25（ＭｅＯＨ）5］n（高分子金属錯体５）が挙げられる。
式（６ｄ）で示される高分子金属錯体としては、ＷＯ２０１１／０６２２６０号公報に記載の［（Ｃｏ（ＮＣＳ）2）3（ＴＰＴ）4（ＤＣＢ）25（ＭｅＯＨ）5］n（高分子金属錯体５）が挙げられる。
【0107】
高分子金属錯体５の三次元ネットワーク構造を図４（ａ）に示す。
高分子金属錯体５は、構造単位として、コバルトイオン６個と、ＴＰＴ４個とから構成される〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造を有する。この構造単位は八面体型の立体形状を有し、該八面体の６つの頂点にコバルトイオンが配置されている〔図４（ｂ）〕。各コバルト（ＩＩ）イオンには、４つのＴＰＴのピリジル基と２つのチオシアン酸イオンとが六配位八面体型で配位している。なお、図４（ｂ）は、図４（ａ）中の線で囲った部分を拡大した図である。
そして、この〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造の各頂点に位置するコバルトイオンを共有しながら、〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造が三次元的に連結することで、〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造間に細孔が形成される〔図４（ｃ）〕。
また、前記構造単位は、内部に中空を有している。
高分子金属錯体５の空隙率は、７８％である。この値は、細孔及び中空の体積をあわせて算出した値である。
高分子金属錯体５の細孔の内接円の直径は、１０～１８Åである。
高分子金属錯体５は、構造単位として、コバルトイオン６個と、ＴＰＴ４個とから構成される〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造を有する。この構造単位は八面体型の立体形状を有し、該八面体の６つの頂点にコバルトイオンが配置されている〔図４（ｂ）〕。各コバルト（ＩＩ）イオンには、４つのＴＰＴのピリジル基と２つのチオシアン酸イオンとが六配位八面体型で配位している。なお、図４（ｂ）は、図４（ａ）中の線で囲った部分を拡大した図である。
そして、この〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造の各頂点に位置するコバルトイオンを共有しながら、〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造が三次元的に連結することで、〔Ｃｏ6（ＴＰＴ）4〕構造間に細孔が形成される〔図４（ｃ）〕。
また、前記構造単位は、内部に中空を有している。
高分子金属錯体５の空隙率は、７８％である。この値は、細孔及び中空の体積をあわせて算出した値である。
高分子金属錯体５の細孔の内接円の直径は、１０～１８Åである。
【0108】
ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶としては、空隙内に最終的に取り込みを希望する有機化合物の取り込みを阻害せず、空隙内に内包するゲスト化合物（Ａ）が有機化合物とゲスト交換し、有機化合物内包高分子金属錯体結晶となるものが好ましい。
【0109】
かかる観点から、ゲスト化合物（Ａ）としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、エーテル類、エステル類、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、及びニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましい。
【0110】
ゲスト化合物（Ａ）としての脂肪族炭化水素としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、テトラデカン、オクタデカン等の、鎖状又は分枝状の炭素数１～２０の飽和脂肪族炭化水素；分子内に１又は２以上の、二重結合又は三重結合を有する、鎖状又は分枝型の炭素数２～２０の不飽和脂肪族炭化水素；等が挙げられる。
【0111】
脂環式炭化水素としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロへキサン、シクロへプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、シクロドデカン、シクロウンデカン、デカリン等の炭素数３～２０の飽和脂環式炭化水素；これらの分子内に１又は２以上の、二重結合又は三重結合を有する炭素数３～２０の不飽和脂環式炭化水素；等が挙げられる。
【0112】
エーテル類としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ－ブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン等が挙げられる。
【0113】
エステル類としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、例えば、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、酢酸オクチル、乳酸エチル、プロピオン酸エチル、ブタン酸メチル、ブタン酸エチル、ブタン酸ペンチル、吉草酸ペンチル等が挙げられる。
【0114】
芳香族炭化水素としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等が挙げられる。
【0115】
ハロゲン化炭化水素としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、例えば、前記脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素として例示した化合物であって、分子内の炭素原子の１又は２以上が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等ハロゲン原子で置換された化合物を例示することができる。具体的には、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン、トリフルオロメタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン等が挙げられる。
【0116】
ニトリル類としては、前記空隙に入り得るものであれば特に制約はなく、アセトニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。
これらは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
これらは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【0117】
これらの中でも、有機化合物とゲスト交換し易く、高品質な結晶構造解析用試料を容易に作製できる観点から、炭素数３～２０の脂環式炭化水素、及び炭素数６～１０の芳香族炭化水素が好ましく、炭素数５～１０の脂環式炭化水素、及び炭素数６～１０の芳香族炭化水素がより好ましく、シクロへキサン、及びトルエンがさらに好ましく、シクロヘキサンが特に好ましい。
【0118】
高分子金属錯体中の前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量は、前記空隙内に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上、好ましくは７５％モル以上、より好ましくは９０モル％以上である。
前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙内に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上であれば、目的とする結晶構造解析用試料を容易に作製できるので好ましい。
前記ゲスト化合物（Ａ）の存在量が、前記空隙内に内包されているすべてのゲスト化合物に対して６０モル％以上であれば、目的とする結晶構造解析用試料を容易に作製できるので好ましい。
【0119】
また、ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶においては、前記高分子金属錯体の空隙内に内包されているすべてのゲスト化合物の占有率は、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましい。
前記占有率が１０％以上であれば、Ｘ線単結晶構造解析においてゲスト化合物の構造を決定することが容易になり、ここから得られる構造データも化学的な信頼度が高くなる。
前記占有率が１０％以上であれば、Ｘ線単結晶構造解析においてゲスト化合物の構造を決定することが容易になり、ここから得られる構造データも化学的な信頼度が高くなる。
【0120】
占有率は、単結晶構造解析により得られる値であり、理想的な包接状態におけるゲスト化合物の量を１００％としたときの、単結晶中に実際に存在するゲスト化合物の量を表すものである。
【0121】
Ｂ）ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶の製造方法
ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶の製造方法は、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む高分子金属錯体であって、前記配位子が前記金属イオンに配位して形成された三次元ネットワーク構造を有し、かつ、該三次元ネットワーク構造内に空隙を有する高分子金属錯体の空隙内に、結晶化溶媒（ゲスト化合物（Ａ）を除く、以下にて同じ。）が内包されてなる結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶を、液体状のゲスト化合物（Ａ）、又は、ゲスト化合物（Ａ）を含む不活性溶媒溶液中に浸漬させる工程を有することを特徴とする。
ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶の製造方法は、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む高分子金属錯体であって、前記配位子が前記金属イオンに配位して形成された三次元ネットワーク構造を有し、かつ、該三次元ネットワーク構造内に空隙を有する高分子金属錯体の空隙内に、結晶化溶媒（ゲスト化合物（Ａ）を除く、以下にて同じ。）が内包されてなる結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶を、液体状のゲスト化合物（Ａ）、又は、ゲスト化合物（Ａ）を含む不活性溶媒溶液中に浸漬させる工程を有することを特徴とする。
【0122】
すなわち、上記製造方法は、（ｉ）結晶化溶媒中で高分子金属錯体結晶を合成して結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶を得、次いで、(ｉｉ)得られた結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶を、液体状のゲスト化合物（Ａ）、又は、ゲスト化合物（Ａ）を含む不活性溶媒溶液中に浸漬させ、空隙内の結晶化溶媒を、ゲスト化合物（Ａ）に置換する工程を有する。
【0123】
（ｉ）結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶の合成
結晶化溶媒内包高分子金属錯体は、多座配位子及び金属イオン含有化合物等を反応させる公知の方法によって合成することができる。例えば、多座配位子の第１の溶媒の溶媒溶液に、金属イオン含有化合物の第２の溶媒の溶媒溶液を加え、このまま、０～７０℃で、数時間から数日間、静置する方法が挙げられる。
結晶化溶媒内包高分子金属錯体は、多座配位子及び金属イオン含有化合物等を反応させる公知の方法によって合成することができる。例えば、多座配位子の第１の溶媒の溶媒溶液に、金属イオン含有化合物の第２の溶媒の溶媒溶液を加え、このまま、０～７０℃で、数時間から数日間、静置する方法が挙げられる。
【0124】
金属イオン含有化合物は、特に制限されない。例えば、式：ＭＸnで示される化合物が挙げられる。ここで、Ｍは金属イオンを表し、Ｘは対イオンを表し、ｎはＭの価数を表す。
【0125】
前記Ｘの具体例としては、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＳＣＮ-、ＮＯ3
-、ＣｌＯ4
-、ＢＦ4
-、ＳｂＦ4
-、ＰＦ6
-、ＡｓＦ6
-、ＣＨ3ＣＯ2
-等が挙げられる。
【0126】
前記第１及び第２の溶媒としては、多座配位子等を溶解するものが好ましい。
具体例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族炭化水素類；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン等の脂環式炭化水素類；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ｎ－メチルピロリドン等のアミド類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン等のエーテル類；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルセロソルブ等のセロソルブ類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル、プロピオン酸エチル等のエステル類；水；等が挙げられる。これらの溶媒は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
具体例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族炭化水素類；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン等の脂環式炭化水素類；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ｎ－メチルピロリドン等のアミド類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン等のエーテル類；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルセロソルブ等のセロソルブ類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル、プロピオン酸エチル等のエステル類；水；等が挙げられる。これらの溶媒は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【0127】
比較的大きな高分子金属錯体の単結晶を得たい場合には、前記第１の溶媒と、第２の溶媒として、互いに相溶性を有さない（すなわち、２層分離する）ものを用いることが好ましい。具体的には、第１の溶媒として、ニトロベンゼン、ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、又はこれらとメタノールの混合溶媒を用い、第２の溶媒としてメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類を用いるのが好ましい。
上述したように、上記高分子金属錯体１～５については、それぞれ、上記文献に記載された方法にしたがって合成することができる。
上述したように、上記高分子金属錯体１～５については、それぞれ、上記文献に記載された方法にしたがって合成することができる。
【0128】
（ｉｉ）ゲスト化合物による置換
得られる高分子金属錯体は、三次元ネットワーク構造を有し、該三次元ネットワーク構造内に三次元的に規則正しく整列した空隙を有するが、その空隙内には、結晶化溶媒が内包されている。
この結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶を、液体状のゲスト化合物（Ａ）、又は、ゲスト化合物（Ａ）を含む不活性溶媒溶液中に浸漬させて静置し、空隙内の結晶化溶媒を、ゲスト化合物（Ａ）と置換することによって、目的とするゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を得ることができる。
得られる高分子金属錯体は、三次元ネットワーク構造を有し、該三次元ネットワーク構造内に三次元的に規則正しく整列した空隙を有するが、その空隙内には、結晶化溶媒が内包されている。
この結晶化溶媒内包高分子金属錯体結晶を、液体状のゲスト化合物（Ａ）、又は、ゲスト化合物（Ａ）を含む不活性溶媒溶液中に浸漬させて静置し、空隙内の結晶化溶媒を、ゲスト化合物（Ａ）と置換することによって、目的とするゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を得ることができる。
【0129】
ゲスト化合物（Ａ）としては、前記と同様のものが挙げられる。
用いる不活性溶媒としては、ゲスト化合物（Ａ）と相溶性があり、高分子金属錯体に対して、不活性、すなわち、ゲスト化合物（Ａ）よりも高分子金属錯体の空隙内に置換されにくいものであれば特に制約はない。不活性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類が挙げられる。
なお、ゲスト化合物（Ａ）が液体状であれば、そのまま用いることができる。
用いる不活性溶媒としては、ゲスト化合物（Ａ）と相溶性があり、高分子金属錯体に対して、不活性、すなわち、ゲスト化合物（Ａ）よりも高分子金属錯体の空隙内に置換されにくいものであれば特に制約はない。不活性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類が挙げられる。
なお、ゲスト化合物（Ａ）が液体状であれば、そのまま用いることができる。
【0130】
用いる液体状のゲスト化合物（Ａ）、又は、ゲスト化合物（Ａ）を含む不活性溶媒溶液（以下、「ゲスト化合物（Ａ）の溶液」と略記することがある。）の使用量は、高分子金属錯体結晶１００ｍｇに対し、通常１～１００ｍｌ、好ましくは５～３０ｍｌである。
【0131】
浸漬温度は、特に限定されないが、通常０～７０℃、好ましくは１０～７０℃、より好ましくは２０～６０℃である。
浸漬時間は、空隙内の６０％以上をゲスト化合物（Ａ）が占めるようになるまでの時間であり、通常６時間以上、好ましくは１２時間から１０日、より好ましくは１日～８日である。
また、この間は、置換を促進するために、１日おき程度に、浸漬液（ゲスト化合物（Ａ）の溶液）の上澄み液を傾斜法により除去し、除去した分、新たな浸漬液を追加するのが好ましい。
浸漬時間は、空隙内の６０％以上をゲスト化合物（Ａ）が占めるようになるまでの時間であり、通常６時間以上、好ましくは１２時間から１０日、より好ましくは１日～８日である。
また、この間は、置換を促進するために、１日おき程度に、浸漬液（ゲスト化合物（Ａ）の溶液）の上澄み液を傾斜法により除去し、除去した分、新たな浸漬液を追加するのが好ましい。
【0132】
空隙内にゲスト化合物（Ａ）が置換内包されたことは、元素分析、Ｘ線結晶構造解析等により確認することができる。
【0133】
以上のようにして得られるゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶は、空隙内のゲスト化合物（Ａ）が容易に微量の有機化合物試料とゲスト置換するものであるため、後述する結晶構造解析用試料の作製材料として有用である。
以上のようにして得られるゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶は、他の様々なゲスト化合物を包接する場合にゲスト交換を阻害することなく効率的な取り込みを行う事を可能にする。ゲスト交換における試料は、結晶性固体である必要が無く、液体、気体、非晶質固体などあらゆるものが適用可能である。包接に必要なゲスト化合物の重量は、５μｇ以下でよく、数十ｎｇの量でも十分に良好な単結晶X線構造解析のデータが得られる。結晶スポンジ法による単結晶X線構造解析では、分子の絶対配置を含めた立体構造が正確に決定できる。また、熱分解や加溶媒分解を起こしやすい不安定な化合物に対しても、加熱したり、種々の溶媒あるいは緩衝溶液等に溶解させたりすることなく立体構造（絶対構造）が得られるようになった。
以上のようにして得られるゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶は、他の様々なゲスト化合物を包接する場合にゲスト交換を阻害することなく効率的な取り込みを行う事を可能にする。ゲスト交換における試料は、結晶性固体である必要が無く、液体、気体、非晶質固体などあらゆるものが適用可能である。包接に必要なゲスト化合物の重量は、５μｇ以下でよく、数十ｎｇの量でも十分に良好な単結晶X線構造解析のデータが得られる。結晶スポンジ法による単結晶X線構造解析では、分子の絶対配置を含めた立体構造が正確に決定できる。また、熱分解や加溶媒分解を起こしやすい不安定な化合物に対しても、加熱したり、種々の溶媒あるいは緩衝溶液等に溶解させたりすることなく立体構造（絶対構造）が得られるようになった。
【0134】
ゲスト化合物高分子金属錯体結晶は、一辺が、１０～１０００μｍ、好ましくは６０～２００μｍの立方体又は直方体形状を有する単結晶であるのが好ましい。かかる形状を有する高分子金属錯体の単結晶を用いることで、良質の結晶構造解析用試料が得られ易くなる。
【0135】
ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶は、管電圧が２４ｋＶ、管電流が５０ｍＡで発生させたＭｏＫα線（波長：０．７１Å）、Ｃｕ線、放射光（例えば、波長０．７５Å）等を照射し、回折Ｘ線を半導体検出器、ＣＣＤ検出器、イメージングプレート検出器等で検出したときに、少なくとも１．５Åの分解能で分子構造を決定できるものが好ましい。かかる特性を有するゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶によれば、良質の結晶構造解析用試料を得ることができる。
【0136】
Ｃ）結晶構造解析用試料の作製方法
結晶構造解析用試料の作製方法は、高分子金属錯体結晶の空隙内に、分子構造を決定するための有機化合物の分子が規則性をもって配列されてなる結晶構造解析用試料の作製方法であって、前記有機化合物を含む溶媒溶液に、ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させる工程を有することを特徴とする。
結晶構造解析用試料の作製方法は、高分子金属錯体結晶の空隙内に、分子構造を決定するための有機化合物の分子が規則性をもって配列されてなる結晶構造解析用試料の作製方法であって、前記有機化合物を含む溶媒溶液に、ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させる工程を有することを特徴とする。
【0137】
〔分子構造を決定する有機化合物〕
結晶スポンジ法における分子構造を決定する有機化合物（以下、「有機化合物（α）」ということがある。）は、高分子金属錯体の空隙内に入り得る大きさのものである限り、特に限定されない。本発明においては、分子構造を決定する有機化合物は、極性基を有する親水性化合物である。
有機化合物（α）が低分子化合物の場合、その分子量は、通常、２０～３０００、好ましくは５０～１０００、より好ましくは１００～５００である。
また、有機化合物（α）がポリエチレン等のような、繰り返し単位を有する鎖状高分子化合物の場合、その分子量は、通常、１０3～１０6、好ましくは１０4～１０5である。さらに、有機化合物（α）は、室温付近（２５℃±５℃）において、固体であっても、液体であってもよい。
結晶スポンジ法における分子構造を決定する有機化合物（以下、「有機化合物（α）」ということがある。）は、高分子金属錯体の空隙内に入り得る大きさのものである限り、特に限定されない。本発明においては、分子構造を決定する有機化合物は、極性基を有する親水性化合物である。
有機化合物（α）が低分子化合物の場合、その分子量は、通常、２０～３０００、好ましくは５０～１０００、より好ましくは１００～５００である。
また、有機化合物（α）がポリエチレン等のような、繰り返し単位を有する鎖状高分子化合物の場合、その分子量は、通常、１０3～１０6、好ましくは１０4～１０5である。さらに、有機化合物（α）は、室温付近（２５℃±５℃）において、固体であっても、液体であってもよい。
【0138】
あらかじめ、核磁気共鳴分光法、質量分析法、元素分析等により、有機化合物（α）の大きさをある程度把握し、その大きさに合わせて、用いるゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を適宜選択することが好ましい。
【0139】
有機化合物（α）が、合成化合物（天然物由来の化合物や農医薬品、合成高分子等）に含まれる不純物の場合、液体クロマトグラフィー等の公知の精製方法によって有機化合物（α）の純度を高めてから、結晶構造解析用試料を作製することが好ましい。液体クロマトグラフィーを用いる場合には、目的物を含む溶離液を、そのまま後述する「有機化合物の溶媒溶液」として用いることもできる。
【0140】
結晶構造解析用試料の作製方法は、大量の有機化合物（α）を必要としないものであり、有機化合物（α）が、天然物由来の化合物や農医薬品中の不純物のように、元々微量しか入手できない場合に有用な方法である。また、有機化合物（α）は、室温（２０℃）で固体状のものであっても、液状のものであってもかまわない。
【0141】
溶媒溶液中の有機化合物（α）の含有量は、特に制限されないが、１００μｇ以下であってもよい。有機化合物（α）の含有量の下限値は、通常は、０．５μｇ以上である。
【0142】
結晶構造解析用試料の作製方法は、１００μｇ以下の有機化合物（α）を含む溶媒溶液に、下記式（２）から算出されるＡ値が、１００以下、好ましくは０．１～３０、より好ましくは１～５となる量のゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を浸漬させる工程を有することが好ましい。
【0143】
【0144】
式中、ｂは溶媒溶液中の有機化合物の量を表し、ａは高分子金属錯体結晶中のすべての空隙内を、比重１の物質で満たすと仮定したときに要する前記比重１の物質の量を表す。
【0145】
Ａ値が０．１～３０のとき、高分子金属錯体の単結晶の空隙内に有機化合物（α）が十分に取り込まれ、良質の結晶構造解析用試料が得られ易くなる。一方、Ａ値が大きい場合であっても、目的とする結晶構造解析用試料を得ることはできるが、それに見合う効果は得られず、有機化合物（α）が無駄になり易い。すなわち、この方法は、天然物由来の化合物や農医薬品中の不純物のように、元々微量しか入手できない有機化合物の構造を決定するための結晶構造解析用試料を作製する場合に有用な方法である。
【0146】
なお、高分子金属錯体が有するすべての空隙内に有機化合物（α）が取り込まれている必要はなく、Ａ値が１よりも小さい値の場合であっても、良質の結晶構造解析用試料を作製することができる。
【0147】
また、溶媒溶液中の有機化合物（α）の濃度は、特に限定されないが、良質の結晶構造解析用試料を効率よく作製する観点から、通常、０．００１～５０μｇ／μＬ、好ましくは０．０１～５μｇ／μＬ、より好ましくは０．１～１μｇ／μＬである。
【0148】
溶媒溶液の調製に用いる溶媒としては、高分子金属錯体の結晶を溶解せず、前記有機化合物（α）を溶解するものであって、有機化合物（α）の溶媒溶液から揮発させることにより、有機化合物（α）の溶媒溶液を濃縮することができるものであれば、特に限定されない。
かかる観点から、用いる溶媒としては、常圧（１×１０5Ｐａ）での沸点が、０～２５０℃のものが好ましく、０～１８５℃のものがより好ましく、３０～１５０℃のものがさらに好ましい。
かかる観点から、用いる溶媒としては、常圧（１×１０5Ｐａ）での沸点が、０～２５０℃のものが好ましく、０～１８５℃のものがより好ましく、３０～１５０℃のものがさらに好ましい。
【0149】
用いる溶媒の具体例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン等の脂環式炭化水素類；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン等のエーテル類；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルセロソルブ等のセロソルブ類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル、プロピオン酸エチル等のエステル類；水；等が挙げられる。これらの溶媒は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、良質な結晶構造解析用試料が得られる観点から、用いた前記ゲスト化合物（Ａ）を用いるのが好ましい。
これらの中でも、良質な結晶構造解析用試料が得られる観点から、用いた前記ゲスト化合物（Ａ）を用いるのが好ましい。
【0150】
上記方法においては、有機化合物（α）を含む溶媒溶液に、前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶を浸漬させる。
【0151】
浸漬させるゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶の数は、上記のＡ値に関する要件を満たす限り、特に制限されない。有機化合物（α）の量が極めて少ないときは、単結晶を一粒浸漬させることで、目的の結晶構造解析用試料を得ることができる。また、有機化合物（α）の量に余裕があるときは、同種のゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を二粒以上浸漬させたり、異種のゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を同時に浸漬させたりしてもよい。
【0152】
ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を浸漬させた後、溶媒を緩和な条件下で揮発させることで、溶媒溶液を濃縮することができる。この処理を行うことで、単結晶中の空隙内に、微量の有機化合物（α）を効率よく取り込ませることができる。
【0153】
このときの浸漬条件（濃縮条件）は、特に限定されないが、溶媒の温度は、好ましくは０～１８０℃、より好ましくは０～８０℃、さらに好ましくは２０～６０℃である。
浸漬時間（濃縮時間）は、通常、６時間以上、好ましくは１２～１６８時間、より好ましくは２４～７８時間である。
浸漬時間（濃縮時間）は、通常、６時間以上、好ましくは１２～１６８時間、より好ましくは２４～７８時間である。
【0154】
溶媒の揮発速度は、好ましくは０．１～１０００μＬ／２４時間、より好ましくは１～１００μＬ／２４時間、さらに好ましくは５～５０μＬ／２４時間である。
溶媒の揮発速度があまりに速い場合には、良質の結晶構造解析用試料を得られないおそれがある。一方、溶媒の揮発速度があまりに遅いと、作業効率の観点から好ましくない。
溶媒の揮発速度があまりに速い場合には、良質の結晶構造解析用試料を得られないおそれがある。一方、溶媒の揮発速度があまりに遅いと、作業効率の観点から好ましくない。
【0155】
溶媒を揮発させるときの温度は、用いる有機溶媒の沸点にもよるが、通常、０～１８０℃、好ましくは０～１２０℃、より好ましくは１５～６０℃である。
【0156】
また、ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を有機化合物（α）の溶媒溶液に浸漬させた後、溶媒を揮発させて、溶媒溶液を濃縮する操作は、常圧下で行っても、減圧下で行っても、加圧下で行ってもよい。
溶媒を揮発させて、溶媒溶液を濃縮する操作時の圧力は、通常、１～１×１０6Ｐａ、好ましくは、１×１０～１×１０6Ｐａである。
以上のように、溶媒溶液を濃縮する操作時において、温度や圧力を調節することで、溶媒の揮発速度を適宜なものに調節することができる。
溶媒を揮発させて、溶媒溶液を濃縮する操作時の圧力は、通常、１～１×１０6Ｐａ、好ましくは、１×１０～１×１０6Ｐａである。
以上のように、溶媒溶液を濃縮する操作時において、温度や圧力を調節することで、溶媒の揮発速度を適宜なものに調節することができる。
【0157】
また上記方法は、有機化合物（α）を含む混合物を、液体クロマトグラフィーにより分離して、有機化合物（α）の溶媒溶液を得るステップ（Ｉ）と、前記ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を、ステップ（Ｉ）で得られた分子構造を決定する有機化合物を含む溶媒溶液に浸漬させた後、溶媒を緩和な条件下で揮発させて、前記溶媒溶液を濃縮するステップ（ＩＩ）を有するものであってもよい。
【0158】
すなわち、有機化合物（α）を含む混合物を液体クロマトグラフィーの装置を使用して分離して、有機化合物（α）の溶媒溶液（溶媒以外に含まれる有機化合物が有機化合物（α）である溶液）を得、次いで、このフラクションＡ中に、ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を浸漬させ、溶媒を緩和な条件下で揮発させて、前記溶媒溶液を濃縮することで、結晶構造解析用試料を得ることができる。
この場合、前記溶媒溶液の溶媒を別の溶媒に置換したのち、得られた溶液中に、前記高分子錯体の結晶を浸漬させてもよい。
この場合、前記溶媒溶液の溶媒を別の溶媒に置換したのち、得られた溶液中に、前記高分子錯体の結晶を浸漬させてもよい。
【0159】
この方法は、構造が類似する複数の化合物の混合物を液体クロマトグラフィーにより分離して、それぞれ分離した化合物を含む溶媒溶液のそれぞれに高分子錯体の結晶を浸漬させて、結晶構造解析用試料を作製することができる。この方法によれば、ＮＭＲスペクトルなどの測定データだけでは、化合物の構造決定が困難である、構造が類似する化合物の混合物を分離し、分子構造を決定する場合にも有用である。
【0160】
また、上記結晶構造解析用試料の作製方法は、有機化合物（α）が室温付近（２５℃前後）において液状の物質である場合にも適用することができる。すなわち、液状物である有機化合物（α）の溶媒溶液に、ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を浸漬させた後、溶媒を緩和な条件下で揮発させて、前記溶媒溶液を濃縮することで、結晶構造解析用試料を作製することができる。
【0161】
さらにまた、図６に示すように、ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶に、極微量の液状物である有機化合物（α）を、スポイド等を用いて滴下し、室温２５℃で数時間から数日間放置することで、目的とするとする結晶構造解析用試料を作製することもできる。有機化合物（α）が室温（２５℃）付近で揮発性物質である場合には、ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶に、有機化合物（α）を滴下したサンプルを、バイアル瓶などの密閉容器中に載置しておくことが好ましい。
【0162】
得られる有機化合物内包高分子金属錯体の単結晶たる結晶構造解析用試料は、管電圧が２４ｋＶ、管電流が５０ｍＡで発生させたＭｏＫα線（波長：０．７１Å）または管電圧が４０ｋＶ、管電流が３０ｍＡで発生させたＣｕＫα線を照射し、回折Ｘ線をＣＣＤ検出器で検出したときに、少なくとも１．５Åの分解能で分子構造を決定できるものが好ましい。
【0163】
結晶構造解析用試料は、高分子金属錯体の単結晶中の空隙内に、ゲスト化合物（Ａ）と置換された有機化合物（α）の分子が規則性をもって配列されてなるものである。
ここで、「有機化合物の分子が規則性をもって配列される」とは、有機化合物の分子が、単結晶Ｘ線構造解析によって構造を決定することができる程度に乱れなく、高分子金属錯体の空隙内に規則正しく収容されていることをいう。
ここで、「有機化合物の分子が規則性をもって配列される」とは、有機化合物の分子が、単結晶Ｘ線構造解析によって構造を決定することができる程度に乱れなく、高分子金属錯体の空隙内に規則正しく収容されていることをいう。
【0164】
結晶構造解析用試料は、有機化合物（α）の構造を決定することができるものであれば、高分子金属錯体の単結晶中のすべての空隙内に有機化合物（α）が取り込まれている必要はない。例えば、前記高分子金属錯体の単結晶中の空隙内の一部に、有機化合物（α）の溶媒溶液に用いた溶媒が取り込まれたものであっても良い。
【0165】
結晶構造解析用試料は、前記有機化合物の分子の占有率が１０％以上のものであることが好ましい。前記有機化合物の分子の占有率は、単結晶構造解析により得られる値であり、理想的な包接状態におけるゲスト分子〔有機化合物（α）〕の量を１００％としたときの、単結晶中に実際に存在するゲスト分子の量を表すものである。
【0166】
Ａ値に関する上記要件を満たすとともに、上記のように、有機化合物（α）の分子の大きさにあった空隙を有する高分子金属錯体の結晶を選択し、良質の高分子金属錯体の単結晶を用いて、該単結晶の空隙内に有機化合物（α）を包接させることで、結晶構造解析用試料を効率よく作製することができる。
【0167】
なお、ゲスト化合物内包高分子金属錯体の単結晶を有機化合物（α）の溶媒溶液に浸漬させた後、溶媒を揮発させて、高分子金属錯体を濃縮するには、例えば、図５に示す作製装置Ａや作製装置Ｂを使用することができる。
【0168】
図５（ａ）は作製装置Ａの側面図であり、図５（ｂ）は作製装置Ａの上面図である。
１２は蓋部、１３は気体分子が通過可能な開口部、１４は容器本体、１５は有機化合物（α）の溶媒溶液、１６は高分子金属錯体の単結晶である。
蓋部（１２）としては、容器を密閉可能な状態にできるものであればよく、例えば、セプタム等のゴム製のものが使用できる。開口部（１３）は、例えば、蓋部（１２）にガス抜き用中空針を差し込むことで形成することができる。容器本体（１４）としては、例えば、試験管、耐圧ガラス瓶等のガラス製の容器が使用できる。容器本体（１４）の底部は、平坦であってもよいが、図５（ａ）に示すように、先端部が尖った形状を有する場合には、結晶の出し入れが容易であり、操作性に優れ好ましい。また、容器本体（１４）として、透明なものを使用する場合には、溶媒の揮発状態や結晶の色変化（ゲスト分子が高分子金属錯体の空隙内に取り込まれると、結晶の色が変化する。）を、外部から容易に観察することができる。
１２は蓋部、１３は気体分子が通過可能な開口部、１４は容器本体、１５は有機化合物（α）の溶媒溶液、１６は高分子金属錯体の単結晶である。
蓋部（１２）としては、容器を密閉可能な状態にできるものであればよく、例えば、セプタム等のゴム製のものが使用できる。開口部（１３）は、例えば、蓋部（１２）にガス抜き用中空針を差し込むことで形成することができる。容器本体（１４）としては、例えば、試験管、耐圧ガラス瓶等のガラス製の容器が使用できる。容器本体（１４）の底部は、平坦であってもよいが、図５（ａ）に示すように、先端部が尖った形状を有する場合には、結晶の出し入れが容易であり、操作性に優れ好ましい。また、容器本体（１４）として、透明なものを使用する場合には、溶媒の揮発状態や結晶の色変化（ゲスト分子が高分子金属錯体の空隙内に取り込まれると、結晶の色が変化する。）を、外部から容易に観察することができる。
【0169】
図５（ａ）、（ｂ）に示す装置において、有機化合物（α）の溶媒溶液（１５）の溶媒は、開口部（ガス抜き用中空針）（１３）の細い穴から徐々に揮発し、結果として有機化合物（α）から溶媒が完全に除かれる。次いで、蓋部（密封栓）（１２）を開け、容器本体（バイアル瓶）（１４）の中から結晶構造解析用試料を取り出し、このものを用いて結晶構造解析を行うことができる。
【0170】
図５（ｃ）は作製装置Ｂの側面図であり、図５（ｄ）は作製装置Ｂの上面図である。
装置Ｂは、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、蓋部（１２）、容器本体（１４）及び気体分子が通過可能な開口部（１３）を有する密閉可能な容器と、前記蓋部に固定された結晶支持体（１７）とを備え、前記結晶支持体（１７）の先端部が、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む三次元ネットワーク構造を有する高分子金属錯体の単結晶（１６）を固定し得るものであり、かつ、前記容器を閉じたときに、前記結晶支持体（１７）の先端部が下向きに容器内部に収容されるものである。
装置Ｂは、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、蓋部（１２）、容器本体（１４）及び気体分子が通過可能な開口部（１３）を有する密閉可能な容器と、前記蓋部に固定された結晶支持体（１７）とを備え、前記結晶支持体（１７）の先端部が、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンとを含む三次元ネットワーク構造を有する高分子金属錯体の単結晶（１６）を固定し得るものであり、かつ、前記容器を閉じたときに、前記結晶支持体（１７）の先端部が下向きに容器内部に収容されるものである。
【0171】
図５（ｃ）に示す作製装置Ｂでは、高分子金属錯体の単結晶（１６）は、単結晶支持体（１７）の先端部において、図示を省略するクライオループによって固定されている。
装置Ｂは、有機化合物（α）を高分子金属錯体の空隙内に包接させて、結晶解析用試料を得た後、そのまま、Ｘ線結晶解析装置等の結晶構造解析装置に載せ替えて、測定を行うことができるものであることが好ましい。
装置Ｂは、有機化合物（α）を高分子金属錯体の空隙内に包接させて、結晶解析用試料を得た後、そのまま、Ｘ線結晶解析装置等の結晶構造解析装置に載せ替えて、測定を行うことができるものであることが好ましい。
【0172】
Ｄ）有機化合物の分子構造決定方法
有機化合物の分子構造決定方法は、結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行うことにより、結晶構造解析用試料の空隙内に内包されている有機化合物の分子構造を決定することを特徴とする。
上記方法においては、Ｘ線回折、中性子線回折のいずれの方法も利用することができる。
上記方法により有機化合物の分子構造を決定する際は、従来の単結晶の代わりに、上記方法で得た結晶構造解析用試料をマウントする点を除き、従来と同様の方法を用いることができる。
有機化合物の分子構造決定方法は、結晶構造解析用試料の結晶構造解析を行うことにより、結晶構造解析用試料の空隙内に内包されている有機化合物の分子構造を決定することを特徴とする。
上記方法においては、Ｘ線回折、中性子線回折のいずれの方法も利用することができる。
上記方法により有機化合物の分子構造を決定する際は、従来の単結晶の代わりに、上記方法で得た結晶構造解析用試料をマウントする点を除き、従来と同様の方法を用いることができる。
【0173】
上記分子構造決定方法によれば、微量の有機化合物であっても、効率よく、結晶構造解析を行い、その分子構造を決定することができる。
また、常温で液体の有機化合物であっても、かかる有機化合物を包接する結晶構造解析用試料を用いることで、その分子構造を決定することができる。
試料作製に用いる有機化合物は、気体、液体、固体を問わず、有機溶媒に溶解させることができれば、高分子金属錯体の単結晶内に導入することができる。
１粒の高分子金属錯体の単結晶に対して必要な有機化合物の量は多くとも５μｇでよく、少ない場合では５０ｎｇでも単結晶構造を得られる。
結晶スポンジ法を用いれば、医薬中の微量の不純物、香料、食品添加物、動植物中の微量成分などの迅速且つ正確な構造決定を行うことができる。また、熱分解や加溶媒分解を起こしやすい不安定な化合物に対しても、加熱したり、種々の溶媒あるいは緩衝溶液等に溶解させたりすることなく立体構造（絶対構造）が得られる。
また、常温で液体の有機化合物であっても、かかる有機化合物を包接する結晶構造解析用試料を用いることで、その分子構造を決定することができる。
試料作製に用いる有機化合物は、気体、液体、固体を問わず、有機溶媒に溶解させることができれば、高分子金属錯体の単結晶内に導入することができる。
１粒の高分子金属錯体の単結晶に対して必要な有機化合物の量は多くとも５μｇでよく、少ない場合では５０ｎｇでも単結晶構造を得られる。
結晶スポンジ法を用いれば、医薬中の微量の不純物、香料、食品添加物、動植物中の微量成分などの迅速且つ正確な構造決定を行うことができる。また、熱分解や加溶媒分解を起こしやすい不安定な化合物に対しても、加熱したり、種々の溶媒あるいは緩衝溶液等に溶解させたりすることなく立体構造（絶対構造）が得られる。
【実施例】
【0174】
（機器類）
（１）ＮＭＲ
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＡＶＡＮＣＥ III ４００を用いて生成物の1Ｈ－ＮＭＲの測定を行った。
（２）ＬＣ／ＭＳ
Ｗａｔｅｒｓ社製 ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣシステム（ＳＱＤシステム）を用いて生成物のｍ／ｚの測定を行った。
（３）単結晶Ｘ線構造解析
実施例１，２，３，４，５，８，９，１０，１２のＸ線結晶構造解析は、リガク社製 ＸｔａＬＡＢ ｐｒｏ Ｐ２００ ＭＭ００７（線源：Ｍｏ－Ｋα線 波長０．７１Å，出力：５０ｍＡ，２４ｋＶ，測定温度９３Ｋ）を用いて行った。
実施例７のＸ線結晶構造解析は、リガク社製 Ｒ－ＡＸＩＳ ＲＡＰＩＤ １９１Ｒ（線源：Ｃｕ－Ｋα線 波長１．５４Å，出力：３０ｍＡ，４０ｋＶ，測定温度９８Ｋ）を用いて行った。
実施例６，１１，１３のＸ線結晶構造解析は、大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 放射光科学研究施設 ビームライン５A（波長０．７５Å，測定温度９５Ｋ）にて行った。
（１）ＮＭＲ
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＡＶＡＮＣＥ III ４００を用いて生成物の1Ｈ－ＮＭＲの測定を行った。
（２）ＬＣ／ＭＳ
Ｗａｔｅｒｓ社製 ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣシステム（ＳＱＤシステム）を用いて生成物のｍ／ｚの測定を行った。
（３）単結晶Ｘ線構造解析
実施例１，２，３，４，５，８，９，１０，１２のＸ線結晶構造解析は、リガク社製 ＸｔａＬＡＢ ｐｒｏ Ｐ２００ ＭＭ００７（線源：Ｍｏ－Ｋα線 波長０．７１Å，出力：５０ｍＡ，２４ｋＶ，測定温度９３Ｋ）を用いて行った。
実施例７のＸ線結晶構造解析は、リガク社製 Ｒ－ＡＸＩＳ ＲＡＰＩＤ １９１Ｒ（線源：Ｃｕ－Ｋα線 波長１．５４Å，出力：３０ｍＡ，４０ｋＶ，測定温度９８Ｋ）を用いて行った。
実施例６，１１，１３のＸ線結晶構造解析は、大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 放射光科学研究施設 ビームライン５A（波長０．７５Å，測定温度９５Ｋ）にて行った。
【0175】
（参考例１）
＜シクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の合成＞
特許第５９６９６１６号の実施例８と同様にして、シクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶を合成した。
＜シクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の合成＞
特許第５９６９６１６号の実施例８と同様にして、シクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶を合成した。
【0176】
（参考例２）
＜ノルマルヘプタン内包高分子金属錯体結晶の合成＞
溶媒をシクロヘキサンからノルマルヘプタンに替えた以外は特許第５９６９６１６号の実施例８と同様にして、シクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶を合成した。
＜ノルマルヘプタン内包高分子金属錯体結晶の合成＞
溶媒をシクロヘキサンからノルマルヘプタンに替えた以外は特許第５９６９６１６号の実施例８と同様にして、シクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶を合成した。
【0177】
（実施例１）
（工程ａ）Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１－ナフチルカルバモチオイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－（１－ナフチルカルバモチオイルアミノ）プロパノエート（化合物１）の合成
Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩（１００ｍｇ、０．７１６ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１ｍＬ）に溶解した。この溶液に氷冷下トリエチルアミン（１１０μＬ、０．７８８ ｍｍｏｌ）、イソチオシアンサン酸１－ナフチル（１４６ｍｇ、０．７８８ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌した。この反応液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝１／４～１／１）にて精製することで白色固体として表題化合物を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ９．７６（ｓ，１Ｈ），８．０６-７．７５（ｍ，４Ｈ），７．６６-７．４４（ｍ，４Ｈ），４．９７（ｐ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），１．３６（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．
（工程ａ）Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１－ナフチルカルバモチオイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－（１－ナフチルカルバモチオイルアミノ）プロパノエート（化合物１）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ９．７６（ｓ，１Ｈ），８．０６-７．７５（ｍ，４Ｈ），７．６６-７．４４（ｍ，４Ｈ），４．９７（ｐ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），１．３６（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．
【0178】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－（１－ナフチルカルバモチオイルアミノ）プロパノエート（化合物１）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を１００μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１の１ ｍｇ／ｍＬジクロロメタン溶液を１０μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、５０℃で２日間置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を１００μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１の１ ｍｇ／ｍＬジクロロメタン溶液を１０μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、５０℃で２日間置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0179】
【0180】
【0181】
（実施例２）
（工程ａ）Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］プロパノエート（化合物２）の合成
Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩（１００ｍｇ、０．７１６ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に氷冷下トリエチルアミン（２２０μＬ、１．５８ｍｍｏｌ）を加え５分間撹拌した。この溶液に氷冷下ジフェニルアセチルクロリド（１６５ｍｇ、０．７１６ｍｍｏｌ）を加え、９０分間撹拌した。この反応液を水（２ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（２ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝１／９～１／１）にて精製することで白色固体として表題化合物（１７８ ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．１８（ｍ，１１Ｈ），５．０１（ｓ，１Ｈ），４．２７（ｐ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），３．６１（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２９８（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］プロパノエート（化合物２）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．１８（ｍ，１１Ｈ），５．０１（ｓ，１Ｈ），４．２７（ｐ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），３．６１（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２９８（Ｍ＋Ｈ）+．
【0182】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］プロパノエート（化合物２）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を１００μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物２の０．２０ｍｇ／ｍＬのジクロロメタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、５０℃で２日間置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を１００μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物２の０．２０ｍｇ／ｍＬのジクロロメタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、５０℃で２日間置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0183】
【0184】
【0185】
（実施例３）
（工程ａ）Ｌ－フェニルアラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－フェニル－プロパノエート（化合物３）の合成
Ｌ－フェニルアラニンメチルエステル塩酸塩（１０３ｍｇ、０．４７８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に氷冷下トリエチルアミン（１４７μＬ、 １．０５ｍｍｏｌ）、ジフェニルアセチルクロリド（１１０ｍｇ、０．４７８ｍｍｏｌ）を加え、一晩撹拌した。この反応液を水（２ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（３ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝５～３５％）にて精製することで白色固体として表題化合物（１６６ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７３（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．２１（ｍ，６Ｈ），７．２６-７．１４（ｍ，６Ｈ），７．１７-７．０９（ｍ，２Ｈ），７．１０-７．０３（ｍ，２Ｈ），４．９９（ｓ，１Ｈ），４．５２（ｔｄ，Ｊ＝９．４，７．７，５．４Ｈｚ，１Ｈ），３．５９（ｓ，３Ｈ），３．０４（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，５．４Ｈｚ，１Ｈ），２．９１（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，９．４Ｈｚ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３７４（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－フェニルアラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－フェニル－プロパノエート（化合物３）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７３（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．２１（ｍ，６Ｈ），７．２６-７．１４（ｍ，６Ｈ），７．１７-７．０９（ｍ，２Ｈ），７．１０-７．０３（ｍ，２Ｈ），４．９９（ｓ，１Ｈ），４．５２（ｔｄ，Ｊ＝９．４，７．７，５．４Ｈｚ，１Ｈ），３．５９（ｓ，３Ｈ），３．０４（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，５．４Ｈｚ，１Ｈ），２．９１（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，９．４Ｈｚ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３７４（Ｍ＋Ｈ）+．
【0186】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－フェニル－プロパノエート（化合物３）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物３の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で一晩放置した後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、２６℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物３の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で一晩放置した後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、２６℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0187】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表３に、結晶構造を図１１に示した。
【0188】
【0189】
（実施例４）
（工程ａ）Ｌ－バリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－メチル－ブタノエート（化合物４）の合成
Ｌ－バリンメチルエステル塩酸塩（１００ｍｇ、０．５９７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ ｍＬ）に溶解した。この溶液に室温にてトリエチルアミン（１８３μＬ、１．３１ｍｍｏｌ）、ジフェニルアセチルクロリド（１３８ｍｇ、０．５９７ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。この反応液を水（３ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（２ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝１／８～１／６）にて精製することで白色固体として表題化合物（１８８ ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．５９（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．１７（ｍ，１０Ｈ），５．１８（ｓ，１Ｈ），４．２１（ｄｄ，Ｊ＝８．１，６．３Ｈｚ，１Ｈ），３．６２（ｓ，３Ｈ），２．０３（ｍ，１Ｈ），０．８５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），０．８２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３２６（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－バリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－メチル－ブタノエート（化合物４）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．５９（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．１７（ｍ，１０Ｈ），５．１８（ｓ，１Ｈ），４．２１（ｄｄ，Ｊ＝８．１，６．３Ｈｚ，１Ｈ），３．６２（ｓ，３Ｈ），２．０３（ｍ，１Ｈ），０．８５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），０．８２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３２６（Ｍ＋Ｈ）+．
【0190】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－メチル－ブタノエート（化合物４）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物４の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で一晩放置した後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し２６℃で１０日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物４の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で一晩放置した後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し２６℃で１０日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0191】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表４に，結晶構造を図１２に示した。
【0192】
【0193】
（実施例５）
（工程ａ）Ｌ－セリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－ヒドロキシ－プロパノエート（化合物５）の合成
Ｌ－セリンメチルエステル塩酸塩（１１８ｍｇ、０．７５８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ｍＬ）に溶解した。この溶液に０℃にてトリエチルアミン（１０６μＬ、０．７５８ｍｍｏｌ）、ジフェニルアセチルクロリド（２２７ｍｇ、０．９８５ｍｍｏｌ）を加え、室温まで昇温し１００分間撹拌した。この反応液に更にトリエチルアミン（１０６μＬ、０．７５８ｍｍｏｌ）を加え、室温にて８０分間撹拌した。この反応液を水（３ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（３ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝１／２～１／１）にて精製することで白色固体として表題化合物（１０１ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．６１（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．２４（ｍ，８Ｈ），７．２８-７．１７（ｍ，２Ｈ），５．１７（ｓ，１Ｈ），５．０８（ｔ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ），４．３７（ｄｔ，Ｊ＝７．５，４．８Ｈｚ，１Ｈ），３．７１（ｍ，１Ｈ），３．６１（ｓ，３Ｈ），３．６１（ｍ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３１４（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－セリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－ヒドロキシ－プロパノエート（化合物５）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．６１（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．２４（ｍ，８Ｈ），７．２８-７．１７（ｍ，２Ｈ），５．１７（ｓ，１Ｈ），５．０８（ｔ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ），４．３７（ｄｔ，Ｊ＝７．５，４．８Ｈｚ，１Ｈ），３．７１（ｍ，１Ｈ），３．６１（ｓ，３Ｈ），３．６１（ｍ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３１４（Ｍ＋Ｈ）+．
【0194】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］－３－ヒドロキシ－プロパノエート（化合物５）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物５の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉めセプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、２６℃で３日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物５の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉めセプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、２６℃で３日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0195】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表５に、結晶構造を図１３に示した。
【0196】
【0197】
（実施例６）
（工程ａ）Ｌ－グルタミン酸ジメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるジメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］ペンタンジオエート（化合物６）の合成
Ｌ－グルタミン酸ジメチルエステル塩酸塩（５１ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に０℃にてトリエチルアミン（６７μＬ、０．４８ｍｍｏｌ）、ジフェニルアセチルクロリド（５０ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）を加え、室温まで昇温し２時間撹拌した。この反応液を濃縮し、残渣を逆相ＨＰＣＬ（０．１％ＴＦＡアセトニトリル／０．１％ＴＦＡ水＝１５～９０％）にて精製後、凍結乾燥することで白色固体として表題化合物（５８ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７２（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．１８（ｍ，１０Ｈ），５．０３（ｓ，１Ｈ），４．２９（ｄｄｄ，Ｊ＝９．０，７．４，５．５Ｈｚ，１Ｈ），３．６０（ｓ，３Ｈ），３．５６（ｓ，３Ｈ），２．３９-２．２６（ｍ，２Ｈ），２．００（ｍ，１Ｈ），１．８４（ｍ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ３７０（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－グルタミン酸ジメチルエステル塩酸塩のアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるジメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］ペンタンジオエート（化合物６）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７２（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．１８（ｍ，１０Ｈ），５．０３（ｓ，１Ｈ），４．２９（ｄｄｄ，Ｊ＝９．０，７．４，５．５Ｈｚ，１Ｈ），３．６０（ｓ，３Ｈ），３．５６（ｓ，３Ｈ），２．３９-２．２６（ｍ，２Ｈ），２．００（ｍ，１Ｈ），１．８４（ｍ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ３７０（Ｍ＋Ｈ）+．
【0198】
（工程ｂ）ジメチル（２Ｓ）－２－［（２，２－ジフェニルアセチル）アミノ］ペンタンジオエート（化合物６）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物６の５ｍＭの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５０℃で１日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し６℃で５日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物６の５ｍＭの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５０℃で１日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し６℃で５日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0199】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表６に、結晶構造を図１４に示した。
【0200】
【0201】
（実施例７）
（工程ａ）Ｌ－フェニルアラニノールのアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるＮ－［（１Ｓ）－１－ベンジル－２－ヒドロキシ－エチル］－２，２－ジフェニル－アセトアミド（化合物７）の合成
Ｌ－フェニルアラニノール（３７ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に０℃にてトリエチルアミン（３４μＬ、０．２４ｍｍｏｌ）、ジフェニルアセチルクロリド（５０ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）を加え、室温まで昇温し３時間撹拌した。この反応液を濃縮し、残渣を逆相ＨＰＣＬ（０．１％ＴＦＡアセトニトリル／０．１％ＴＦＡ水＝５～９５％）にて精製後、凍結乾燥することで白色固体として表題化合物（７４ ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．１２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３４-７．０９（ｍ，１３Ｈ），７．０９-７．０１（ｍ，２Ｈ），４．９２（ｓ， １Ｈ），４．８１（ｓ，１Ｈ），３．９５（ｍ，１Ｈ），２．８４（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，５．３Ｈｚ，１Ｈ），２．６１（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，８．７Ｈｚ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３４６（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－フェニルアラニノールのアミノ基への１，１－ジフェニルアセチル基の導入によるＮ－［（１Ｓ）－１－ベンジル－２－ヒドロキシ－エチル］－２，２－ジフェニル－アセトアミド（化合物７）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．１２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３４-７．０９（ｍ，１３Ｈ），７．０９-７．０１（ｍ，２Ｈ），４．９２（ｓ， １Ｈ），４．８１（ｓ，１Ｈ），３．９５（ｍ，１Ｈ），２．８４（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，５．３Ｈｚ，１Ｈ），２．６１（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，８．７Ｈｚ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３４６（Ｍ＋Ｈ）+．
【0202】
（工程ｂ）Ｎ－［（１Ｓ）－１－ベンジル－２－ヒドロキシ－エチル］－２，２－ジフェニル－アセトアミド（化合物７）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例２で得られたノルマルヘプタン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物７の５ｍＭの酢酸１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉めセプタム部に注射針（２４Ｇ：内径０．３７ｍｍ）を刺し５０℃で１日置いた後、注射針を２１Ｇ（内径０．５７ｍｍ）に付け替え更に５０℃で２日間置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例２で得られたノルマルヘプタン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物７の５ｍＭの酢酸１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉めセプタム部に注射針（２４Ｇ：内径０．３７ｍｍ）を刺し５０℃で１日置いた後、注射針を２１Ｇ（内径０．５７ｍｍ）に付け替え更に５０℃で２日間置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0203】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表７に、結晶構造を図１５に示した。
【0204】
【0205】
（実施例８）
（工程ａ）Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］プロパノエート（化合物８）の合成
Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩（６０ｍｇ、０．４３ｍｍｏｌ）、Ｏ－（７－アザベンゾトリアゾール－１－イル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチルウロニウムヘキサフルオロりん酸塩（１８０ｍｇ、０．４７ｍｍｏｌ）、４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸（７７ｍｇ、０．４３ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に室温にてトリエチルアミン（１３０μＬ、０．９５ｍｍｏｌ）を加え７０分間撹拌した。この反応液を水（２ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（２ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン１５～４０％）にて精製することで無色シロップとして表題化合物（９０ ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７０（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），４．４７（ｍ，１Ｈ），３．６４（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２６４（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－アラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］プロパノエート（化合物８）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．７０（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），４．４７（ｍ，１Ｈ），３．６４（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２６４（Ｍ＋Ｈ）+．
【0206】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］プロパノエート（化合物８）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物８の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で１日放置した後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、５０℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物８の１ｍｇ／ｍＬの１，２－ジクロロエタン溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で１日放置した後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し、５０℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0207】
【0208】
【0209】
（実施例９）
（工程ａ）チロシンメチルエステルのアミノ基への４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］－３－（４－ヒドロキシフェニル）プロパノエート（化合物９）の合成
４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸（１０２ ｍｇ、０．５７２ ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１１０ ｍｇ、０．５７２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ ｍＬ）に溶解した。この溶液に室温にてトリエチルアミン（１５９ μＬ、１．１４ ｍｍｏｌ、，Ｌ－チロシンメチルエステル（１１２ ｍｇ、０．５７２ ｍｍｏｌ）を加え３時間撹拌した。この反応液を水（１０ ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（１０ ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン２５～５０％）にて精製することで無色シロップとして表題化合物（１６５ ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ９．１９（ｓ，１Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），６．６４（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），４．５５（ｄｄｄ，Ｊ＝９．９，７．８，５．３Ｈｚ，１Ｈ），３．６２（ｓ，３Ｈ），３．０３（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，５．３Ｈｚ，１Ｈ），２．９６（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，９．９Ｈｚ，１Ｈ），１．２９（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３５６（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）チロシンメチルエステルのアミノ基への４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］－３－（４－ヒドロキシフェニル）プロパノエート（化合物９）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ９．１９（ｓ，１Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），６．６４（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），４．５５（ｄｄｄ，Ｊ＝９．９，７．８，５．３Ｈｚ，１Ｈ），３．６２（ｓ，３Ｈ），３．０３（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，５．３Ｈｚ，１Ｈ），２．９６（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，９．９Ｈｚ，１Ｈ），１．２９（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ３５６（Ｍ＋Ｈ）+．
【0210】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］－３－（４－ヒドロキシフェニル）プロパノエート（化合物９）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物９の１ｍｇ／ｍＬの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５０℃で一晩置いた後、セプタム部に注射針（２４Ｇ：内径０．３７ｍｍ）を刺し５０℃で２日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物９の１ｍｇ／ｍＬの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５０℃で一晩置いた後、セプタム部に注射針（２４Ｇ：内径０．３７ｍｍ）を刺し５０℃で２日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0211】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表９に、結晶構造を図１８に示した。
【0212】
【0213】
（実施例１０）
（工程ａ）Ｌ－セリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］－３－ヒドロキシ－プロパノエート（化合物１０）の合成
４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸（５０ｍｇ、０．２８ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチルウロニウムヘキサフルオロりん酸塩（１２０ｍｇ、０．３１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に室温にてトリエチルアミン（３４μＬ、０．２４ｍｍｏｌ）、Ｌ－セリンメチルエステル塩酸塩（４８ｍｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を加え一晩撹拌した。この反応液を濃縮し、残渣を逆相ＨＰＣＬ（０．１％ＴＦＡアセトニトリル／０．１％ＴＦＡ水＝５～９５％）にて精製し後凍結乾燥することで白色固体として表題化合物（８５ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．４６（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８５-７．８０（ｍ，２Ｈ），７．５２-７．４６（ｍ，２Ｈ），４．５３（ｄｔ，Ｊ＝７．５，５．４Ｈｚ，１Ｈ），３．７９（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），３．６４（ｓ，３Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２８０（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－セリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］－３－ヒドロキシ－プロパノエート（化合物１０）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ８．４６（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８５-７．８０（ｍ，２Ｈ），７．５２-７．４６（ｍ，２Ｈ），４．５３（ｄｔ，Ｊ＝７．５，５．４Ｈｚ，１Ｈ），３．７９（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），３．６４（ｓ，３Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２８０（Ｍ＋Ｈ）+．
【0214】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－［（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）アミノ］－３－ヒドロキシ－プロパノエート（化合物１０）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１０の５ｍＭの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５セプタム部に注射針（２４Ｇ：内径０．３７ｍｍ）を刺し５０℃で３日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１０の５ｍＭの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５セプタム部に注射針（２４Ｇ：内径０．３７ｍｍ）を刺し５０℃で３日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0215】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表１０に、結晶構造を図１９に示した。
【0216】
【0217】
（実施例１１）
（工程ａ）Ｌ－プロリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への２－インドールカルボニル基の導入によるメチル（２Ｓ）－１－（１Ｈ－インドール－２－カルボニル）ピロリジン－２－カルボキシレート（化合物１１）の合成
Ｌ－プロリンメチルエステル塩酸塩（８３．５ｍｇ、０．５０４ｍｍｏｌ）、インドール－２－カルボン酸（８１．２ｍｇ、０．６０５ ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチルウロニウムヘキサフルオロりん酸塩（２３０ｍｇ、１．１１ ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に室温にてトリエチルアミン（１５５μＬ、１．１１ｍｍｏｌ）を加え、一晩撹拌した。この反応液を水（２０ｍＬ）にて希釈し、ジクロロメタン（１０ｍＬ）で３回抽出した。抽出液を合わせ濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝３０～５０％）にて精製し、更に残渣を逆相ＨＰＣＬ（０．１％ＴＦＡアセトニトリル／０．１％ＴＦＡ水＝１５～８０％）にて精製後、凍結乾燥することで白色固体として表題化合物（８８．３ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ １１．５９（ｓ，１Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ），７．２１（ｍ，１Ｈ），７．１０-７．０１（ｍ，２Ｈ），４．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．５，４．７Ｈｚ，１Ｈ），３．９６（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），２．２７（ｍ，１Ｈ），２．１０-１．９８（ｍ，２Ｈ），１．９３（ｍ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２７３（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－プロリンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への２－インドールカルボニル基の導入によるメチル（２Ｓ）－１－（１Ｈ－インドール－２－カルボニル）ピロリジン－２－カルボキシレート（化合物１１）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ １１．５９（ｓ，１Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ），７．２１（ｍ，１Ｈ），７．１０-７．０１（ｍ，２Ｈ），４．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．５，４．７Ｈｚ，１Ｈ），３．９６（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），２．２７（ｍ，１Ｈ），２．１０-１．９８（ｍ，２Ｈ），１．９３（ｍ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ２７３（Ｍ＋Ｈ）+．
【0218】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－１－（１Ｈ－インドール－２－カルボニル）ピロリジン－２－カルボキシレート（化合物１１）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１１の１ｍｇ／ｍＬの酢酸エチル溶液を１μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で１日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し５０℃で３日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１１の１ｍｇ／ｍＬの酢酸エチル溶液を１μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で１日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し５０℃で３日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0219】
【0220】
【0221】
（実施例１２）
（工程ａ）Ｌ－フェニルアラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への２－インドールカルボニル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－（１Ｈ－インドール－２－カルボニルアミノ）－３－フェニル－プロパノエート（化合物１２）の合成
インドール－２－カルボン酸（５０ｍｇ、０．３１ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチルウロニウムヘキサフルオロりん酸塩（１３０ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶解した。この溶液に室温にてトリエチルアミン（９５μＬ、０．６８ｍｍｏｌ）、Ｌ－フェニルアラニンメチルエステル塩酸塩（７４ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。この反応液を濃縮し、残渣を逆相ＨＰＣＬ（０．１％ＴＦＡアセトニトリル／０．１％ＴＦＡ水＝１５～９０％）にて精製後、凍結乾燥することで白色固体として表題化合物（８８ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ １１．５２（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．８４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．６３（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４０（ｄｄ，Ｊ＝８．３，１．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．２３（ｍ，４Ｈ），７．２２-７．１５（ｍ，３Ｈ），７．０３（ｍ，１Ｈ），４．７１（ｄｄｄ，Ｊ＝１０．１，８．０，５．２Ｈｚ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），３．１９（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，５．２Ｈｚ，１Ｈ），３．１０（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，１０．１Ｈｚ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ ｍ／ｚ３２３（Ｍ＋Ｈ）+．
（工程ａ）Ｌ－フェニルアラニンメチルエステル塩酸塩のアミノ基への２－インドールカルボニル基の導入によるメチル（２Ｓ）－２－（１Ｈ－インドール－２－カルボニルアミノ）－３－フェニル－プロパノエート（化合物１２）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ １１．５２（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．８４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．６３（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４０（ｄｄ，Ｊ＝８．３，１．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３５-７．２３（ｍ，４Ｈ），７．２２-７．１５（ｍ，３Ｈ），７．０３（ｍ，１Ｈ），４．７１（ｄｄｄ，Ｊ＝１０．１，８．０，５．２Ｈｚ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），３．１９（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，５．２Ｈｚ，１Ｈ），３．１０（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，１０．１Ｈｚ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ ｍ／ｚ３２３（Ｍ＋Ｈ）+．
【0222】
（工程ｂ）メチル（２Ｓ）－２－（１Ｈ－インドール－２－カルボニルアミノ）－３－フェニル－プロパノエート（化合物１２）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１２の５ｍＭの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５０℃で３日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し５０℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を５０μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１２の５ｍＭの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め、５０℃で３日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し５０℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0223】
得られた単結晶のＸ線結晶構造解析を行い結晶内に内包された分子を確認した。結晶学的データを表１２に、結晶構造を図２２に示した。
【0224】
【0225】
（実施例１３）
（工程ａ）Ｄ－マンデル酸のカルボキシ基へのジフェニルメチル基の導入によるベンズヒドリル（２Ｒ）－２－ヒドロキシ－２－フェニル－アセテート（化合物１３）の合成
Ｄ－マンデル酸（５１．５ ｍｇ， ０．３３８ ｍｍｏｌ）をジクロロエメタン（２ ｍＬ）に溶解し、ＳＹＮＬＥＴＴ ２０１４， ２５， ０２８３-０２８７．記載の方法で合成したジフェニルメチルトリクロロアセトイミダート（１１４ｍｇ、０．４３９ｍｍｏｌ）を加え、室温にて一晩撹拌した。この反応液を濃縮し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することで、表題化合物（９６．９ｍｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ７．４９-７．４２（ｍ，２Ｈ），７．４０-７．３０（ｍ，７Ｈ），７．２７（ｍ，１Ｈ），７．２３-７．１７（ｍ，３Ｈ），７．１４-７．０７（ｍ，２Ｈ），６．７７（ｓ，１Ｈ），６．１７（ｓ，１Ｈ），５．３０（ｓ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ１６７（Ｍ－Ｃ８Ｈ７Ｏ３）+．
（工程ａ）Ｄ－マンデル酸のカルボキシ基へのジフェニルメチル基の導入によるベンズヒドリル（２Ｒ）－２－ヒドロキシ－２－フェニル－アセテート（化合物１３）の合成
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ ７．４９-７．４２（ｍ，２Ｈ），７．４０-７．３０（ｍ，７Ｈ），７．２７（ｍ，１Ｈ），７．２３-７．１７（ｍ，３Ｈ），７．１４-７．０７（ｍ，２Ｈ），６．７７（ｓ，１Ｈ），６．１７（ｓ，１Ｈ），５．３０（ｓ，１Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ１６７（Ｍ－Ｃ８Ｈ７Ｏ３）+．
【0226】
（工程ｂ）ベンズヒドリル（２Ｒ）－２－ヒドロキシ－２－フェニル－アセテート（化合物１３）内包高分子金属錯体結晶の合成
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１３の１ｍｇ／ｍＬの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で１日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し５０℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
参考例１で得たシクロヘキサン内包高分子金属錯体結晶の単結晶１粒を４５μＬのシクロヘキサンと共に、セプタムキャップ付マイクロバイアル瓶に入れ、この中に工程ａで得た化合物１３の１ｍｇ／ｍＬの酢酸エチル溶液を５μＬ加えた。このマイクロバイアル瓶のキャップを閉め５０℃で１日置いた後、セプタム部に注射針（２１Ｇ：内径０．５７ｍｍ）を刺し５０℃で１日置くことでマイクロバイアル瓶内の溶液を濃縮した。
【0227】
【0228】
【産業上の利用可能性】
【0229】
本発明は、親水性有機化合物の構造解析、特に、海洋生物等に由来する微量の生理活性物質、農医薬品やその原料に含まれる微量物質、又は電子部品の製造に用いる原材料に含まれる微量物質としての親水性有機化合物の分子構造の同定に有用である。
【符号の説明】
【0230】
1 結晶面Ｘ
2 結晶面Ｙ
3 細孔
4 細孔が延在する方向
5 三次元ネットワーク構造
6 三次元ネットワーク構造
7 三次元ネットワーク構造
8 三次元ネットワーク構造
9 トリス（４－ピリジル）トリアジン
10 トリス（４－ピリジル）トリアジン
11 トリフェニレン分子
12 蓋部（セプタム付き蓋）
12a セプタム部
12b プラスチック部
13 開口部（ガス抜き用中空針）
14 容器本体（バイアル瓶）
15 有機化合物（α）の溶媒溶液
16 高分子金属錯体の単結晶
17 結晶支持体
A 細孔
B 細孔
2 結晶面Ｙ
3 細孔
4 細孔が延在する方向
5 三次元ネットワーク構造
6 三次元ネットワーク構造
7 三次元ネットワーク構造
8 三次元ネットワーク構造
9 トリス（４－ピリジル）トリアジン
10 トリス（４－ピリジル）トリアジン
11 トリフェニレン分子
12 蓋部（セプタム付き蓋）
12a セプタム部
12b プラスチック部
13 開口部（ガス抜き用中空針）
14 容器本体（バイアル瓶）
15 有機化合物（α）の溶媒溶液
16 高分子金属錯体の単結晶
17 結晶支持体
A 細孔
B 細孔
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
