特許7148022IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

液晶組成物の製造方法及びデルタディレイの測定方法とその測定装置、並びに液晶材料

要約特許出願時に添付された[要約書]

液晶材料を調製する工程(I)と、
前記液晶材料のデルタディレイ値を測定するデルタディレイ測定機構により、液晶材料を測定する工程(II)と、を有し、
前記デルタディレイ測定機構は、線状の内部導体及び当該内部導体が挿通される間隙を有する外部導体を含む同軸管を1本備え、基準電圧V0を前記内部導体及び前記外部導体間に印加した状態で前記内部導体と前記外部導体との間の前記間隙に充填された前記液晶材料に対して連続的に変化する周波数の電磁波を伝搬させることにより計測される伝送遅延時間t0と、前記基準電圧V0より大きい実行電圧Vを前記内部導体及び前記外部導体間に印加した状態で前記液晶材料に対して前記電磁波を伝搬させることにより計測される伝送遅延時間tvとの差分である前記液晶材料のデルタディレイ値を算出する機構を有する、液晶材料の製造方法である。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特に、液晶材料は、特有の誘電率異方性(Δε=ε∥-ε⊥)を有するため、電圧の印可の有無により測定試料中の液晶分子を特定の方向に配向させない状態と、特定の方向に配向させた状態とでさらに複数回の測定を強いられる。そのため、同軸管法を用いた液晶材料の誘電率(複素誘電率)の測定には、同軸管の脱着による測定誤差(電磁波の反射又は電磁波強度の損失の誤差)の累積及び測定再現性の低下という課題が付きまとうのが現状である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、課題について鋭意検討した結果、液晶材料の電気的特性を物理量(デルタディレイ(単位(nsec))を用いて特定すると、誘電率と比べて均質な電気的特性を有する液晶材料を製造又は評価することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 課題を解決する本発明の構成は、以下の通りである。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、均質な電気的特性を有する液晶材料及びその製造方法、並びに均質な電気的特性を有する液晶材料を測定する方法及びその測定装置を提供しうる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図1は、本実施形態におけるデルタディレイ測定系の構成の一例を示す概略図である。
【図2】 図2は、図1のI-I方向の断面図を示す概略図である。
1:処理装置 2:ベクトルネットワークアナライザ 3a,b:DCブロック用コンデンサ 4a,b:同軸コンポーネント 5a,b:アダプタ 6:同軸管 7:DC電源 8:内部導体 9:外部導体 10:液晶分子 100:デルタディレイ測定系

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