特許7153272IP Force 特許公報全文掲載

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電気特性測定装置及び電気特性測定方法に関し、例えば、ＭＩＳ構造のメモリ、ロジック、イメージセンサを構成する半導体ウェーハにおいて誘電体膜の絶縁特性等を非破壊、非接触に測定する電気特性測定装置及び電気特性測定方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１、２、３の方法は、いずれも半導体基板に誘電体膜、電極からなるＭＩＳ構造を形成する必要があり、評価サンプルを準備するのに時間を要し、破壊検査するものである。即ちシリコンウェーハを酸化、多結晶シリコン堆積、パターンニング、エッチング、という長い工程が必要で、サンプル形成に一週間以上の時間が必要される。 しかしながら、半導体デバイスの製造現場では、プロセスで形成した誘電体膜の絶縁特性を迅速に評価して、プロセス装置の状態などに迅速にフィードバックすることが求められており、このように長い時間がかかっていては、実用に適さないという課題があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

前記課題を解決するためになされた、本発明に係る電気特性測定装置は、誘電体膜が形成された半導体ウェーハの試料から生じる光伝導信号をパルス光伝導法により測定する電気特性測定装置であって、前記試料の誘電体膜に対し所定のギャップを空けて配置された電極と、前記電極から前記試料に対し矩形波状のパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段と、前記電極の位置から前記試料に対し紫外線のパルス光を照射するパルス光照射・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、誘電体膜が形成された半導体ウェーハの電気特性測定において、パルス光伝導法を用い、測定効率を向上することのできる電気特性測定装置及び電気特性測定方法を提供することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明に係る電気特性測定装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図2】 図２は、図１の電気特性測定装置の等価回路である。
【図3】 図３は、電気特性測定装置１の動作シーケンスを示すタイミング図である。
【図4】 図４は、電気特性測定装置１におけるリレー制御アルゴリズムのフローである。
【図5】 図５は、印加電圧と光信号のピーク電圧の関係をプロットしたグラフである。
【図6】 図６（ａ）、（ｂ）は、実施例１におけるリレー制御動作を実機確認した結果を示すタイミング図である。
【図7】 図７は、実施例２における印加電圧に対する光信号強度を示すグラフである。
【図8】 図８は、従来の電気特性測定装置の等価回路である。
【図9】 図９は、図８の電気特性測定装置の動作シーケンスを示すタイミング図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 電気特性測定装置 ２ 電極 ３ 光ファイバ ４ 紫外線パルス発光部（パルス光照射手段） ７ オシロスコープ １１ パルス電圧印加部（パルス電圧印加手段） １２ 試料 １３ 同軸ケーブル １４ プリアンプ １５ 測定点 １６ 充電リレー ２０ 制御部

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