特許7157708IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

電子線検査装置の二次光学系を評価する方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献1の方法では、複雑な積層構造を有する冷陰極(電子放出素子)を用いることから、コストが高いという問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第1の態様に係る方法は、 電子源から放出された電子線を観察対象位置に配置された試料に照射させる一次光学系と、前記試料から放出される電子線または前記試料を透過した電子線の拡大像を検出器に結像させる二次光学系と、を備えた電子線検査装置の前記二次光学系を評価する方法であって、 前記観察対象位置に光電面を配置し、前記光電面にレーザー光を照射し、前記光電面から放出される電子線の拡大像を・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、電子線検査装置の二次光学系を単体で低コストで評価できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図1は、第1の電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【図2】 図2は、第1の二次光学系評価用キットの概略構成を示す図である。
【図3】 図3は、第1の電子線検査装置の二次光学系を評価する方法を説明するための図である。
【図4】 図4は、第1の実施形態の一変形例に係る二次光学系を評価する方法を説明するための図である。
【図5】 図5は、第2の電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【図6】 図6は、第2の電子線検査装置の二次光学系を評価する方法を説明するための図である。
【図7】 図7は、第3の電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【図8】 図8は、第3の電子線検査装置の二次光学系を評価する方法を説明するための図である。

代表図 図1本件の代表的な図

10 電子線検査装置 10a 一次光学系 10b 二次光学系 11 一次光学系鏡筒 12 チャンバ 13 二次光学系鏡筒 14 電子源 15 ステージ 16 検出器 171 照射系レンズ 172 対物レンズ 173 中間レンズ 174 結像レンズ 20 二次光学系評価用キット 21 チャンバ 22 光電面 23 ビューポート 24 レーザー源 251 レンズ 252 レンズ 253 ミラー 29 閉止蓋 30 電子線検査装置 30a 一次光学系 30b 二次光学系 31 一次光学系鏡筒 32 チャンバ 33 二次光学系鏡筒 34 電子源 35 ステージ 36 検出器 371 照射系レンズ 372 中間レンズ 373 対物レンズ 374 結像レンズ 375 結像レンズ 38 ウィーンフィルタ 40 電子線検査装置 40a 一次光学系 40b 二次光学系 41 一次光学系鏡筒 42 チャンバ 43 二次光学系鏡筒 44 マルチ電子源 45 ステージ 46 検出器 471 照射系レンズ 472 中間レンズ 473 対物レンズ 474 結像レンズ 475 結像レンズ 48 ウィーンフィルタ W 試料

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