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特許 7160291出願番号 特願 2021-526020
エッチング方法、及びエッチング装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 37位 512件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 26位 543件（※）
出願人 ユニバーシテ ド オルレアン（識別番号 516017684）
2026年 特許公開件数ランキング 27487位 0件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 22606位 0件（※）
公報発行日 2022年10月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7160291 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
エッチング方法、及びエッチング装置に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
エッチング量を適切に制御することができる技術を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一態様によるエッチング方法は、エッチング対象膜が形成された被処理体を冷却しながら、第１の処理ガスの圧力が前記被処理体の温度に対する該第１の処理ガスの飽和蒸気圧よりも小さい条件下で該第１の処理ガスに基づく吸着物を前記エッチング対象膜に物理吸着させる物理吸着工程と、前記吸着物と前記エッチング対象膜とを第２の処理ガスのプラズマにより反応させることにより、前記エッチング対象膜をエッチングする・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、エッチング量を適切に制御することができるという効果を奏する。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、エッチング装置の断面の一例を概略的に示す図である。
【図2】
図２は、第１の処理ガスの蒸気圧曲線の一例を示す図である。
【図3】
図３は、ウェハの膜厚の時間的変化の一例を示す図である。
【図4】
図４は、ウェハの温度が－１１０℃である場合のＳｉＯ２膜上の吸着物の厚さの時間的変化をエリプソメータにより測定した結果を示すグラフである。
【図5】
図５は、ウェハの温度が－１１０℃である場合のＳｉＯ２膜付近のガス成分の強度の時間的変化をＱＭＳにより測定した結果を示すグラフである。
【図6】
図６は、ウェハの温度が－１１５℃である場合のＳｉＯ２膜上の吸着物の厚さの時間的変化をエリプソメータにより測定した結果を示すグラフである。
【図7】
図７は、ウェハの温度が－１１５℃である場合のＳｉＯ２膜付近のガス成分の強度の時間的変化をＱＭＳにより測定した結果を示すグラフである。
【図8】
図８は、ウェハの温度が－１２０℃である場合のＳｉＯ２膜上の吸着物の厚さの時間的変化をエリプソメータにより測定した結果を示すグラフである。
【図9】
図９は、ウェハの温度が－１２０℃である場合のＳｉＯ２膜付近のガス成分の強度の時間的変化をＱＭＳにより測定した結果を示すグラフである。
【図10】
図１０は、エッチング方法の流れの一例を示すフローチャートである。
代表図 図1本件の代表的な図
１０ エッチング装置
１２ チャンバ
１６ ステージ
１８ 下部電極
１８ｆ 流路
２０ 静電チャック
３０ 上部電極
４０ ガスソース群
５０ 排気装置
６２ 第１の高周波電源
６４ 第２の高周波電源
７０ 制御部
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