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特許7160779薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法
発明の名称 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法
出願人 信越半導体株式会社 （識別番号 190149）
特許公開件数ランキング 538 位（16件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 517 位（15件）（共同出願を含む）
出願人 ユニティ セミコンダクター （識別番号 517111000）
特許公開件数ランキング 13975 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 11821 位（0件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7160779
公報発行日 2022年10月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7160779
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