特許7161282IP Force 特許公報全文掲載

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酸化物層、強磁性槽、および非磁性層の組み合わせ（積層体）を有する複合磁気構造、およびその形成方法

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 ＭＲＡＭ、スピントランスファ発振器（ＳＴＯ）、または読出し／書込みヘッドで利用されるボトムスピンバルブ構成を有する従来技術の磁気トンネル接合の概念図である。
【図2】 リファレンス層がトンネルバリアの上にあり、図１と機能的に同等である従来のトップスピンバルブ構成のＭＴＪを表している。
【図3A】 本開示の第１の実施態様としての下部スピンバルブ構造を有するＭＴＪのトンネルバリアと酸化物キャッピング層との間に形成されたフリー層の断面図である。
【図3B】 本開示の第２の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪのシード層とトンネルバリアとの間に形成されたリファレンス層の断面図である。
【図4A】 本開示の第３の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図4B】 本開示の第４の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図5A】 本開示の第５の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図5B】 本開示の第６の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図6】 本開示の第７の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図7】 本開示の第８の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図8】 本開示の第９の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図9】 本開示の第１０の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図10】 本開示の第１１の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図11】 本開示の第１２の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図12】 本開示の第１３の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図13】 本開示の第１４の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図14】 本開示の第１５の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図15】 本開示の第１６の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図16】 本開示の第１７の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図17】 本開示の第１８の実施態様としてのスピンバルブ構造を有するＭＴＪの要部断面図である。
【図18】 本開示のＭＴＪの形成方法の一工程を表す要部断面図である。
【図19】 図１８に続く一工程を表す要部断面図である。
【図20】 図１９に続く一工程を表す要部断面図である。
【図21】 図１に示した従来のＯＬ／ＦＭＬ／ＯＬスタック構造のフリー層の厚さｔについてのヒステリシス曲線である。
【図22】 本開示のＯＬ／ＦＭＬ１（ｔ１）／ＮＭＬ／ＦＭＬ２（ｔ２）／ＯＬスタックにおけるフリー層の厚さｔについてのヒステリシス曲線である。但し、ｔ１＝ｔ２、ｔ＝ｔ１＋ｔ２となる。
【図23】 本開示のＯＬ／ＦＭＬ１（４オングストローム）／ＮＭＬ１／ＦＭＬ２（ｔ１）／ＮＭＬ２／ＦＭＬ３（ｔ２）／ＯＬスタックにおけるフリー層の厚さｔについてのヒステリシス曲線である。但し、ｔ１／ｔ２＝３／４であり、ｔ＝（４＋ｔ１＋ｔ２）である。
【図24】 ４００℃で５時間アニールされた非磁性層（ＮＭＬ）を有さないフリー層についてのヒステリシス曲線である。
【図25】 ４００℃で５時間アニールされた２つの非磁性層（ＮＭＬ）を有するフリー層についてのヒステリシス曲線である。

代表図 図1本件の代表的な図

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