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特許7163387減少した表面スクラッチを示すメモリハードディスクを研磨するための組成物および方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-10-21
(45)【発行日】2022-10-31
(54)【発明の名称】減少した表面スクラッチを示すメモリハードディスクを研磨するための組成物および方法
(51)【国際特許分類】
G11B 5/84 20060101AFI20221024BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20221024BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20221024BHJP
C09K 3/14 20060101ALI20221024BHJP
C09G 1/02 20060101ALI20221024BHJP
【ＦＩ】
G11B5/84 A
H01L21/304 622D
B24B37/00 H
C09K3/14 550D
C09K3/14 550Z
C09G1/02
【請求項の数】
18
(21)【出願番号】P 2020526585
(86)(22)【出願日】2018-10-25
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2021-02-12
(86)【国際出願番号】 US2018057478
(87)【国際公開番号】W WO2019099161
(87)【国際公開日】2019-05-23
【審査請求日】2021-10-04
(31)【優先権主張番号】15/817,959
(32)【優先日】2017-11-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】500397411
【氏名又は名称】シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100123582
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 真二
(74)【代理人】
【識別番号】100195213
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 健治
(74)【代理人】
【識別番号】100173107
【弁理士】
【氏名又は名称】胡田 尚則
(74)【代理人】
【識別番号】100219553
【氏名又は名称】板谷 一弘
(72)【発明者】
【氏名】チャン コー
【審査官】中野 和彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－０４３５７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－２０７１７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１３９３８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１７－５１５２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３１５４１７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１６６７７９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２００７／１２３２３５（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／８４
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｂ２４Ｂ ３７／００
Ｃ０９Ｋ ３／１４
Ｃ０９Ｇ １／０２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
化学機械研磨組成物であって、（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）
（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数であり、
Ｘは、存在しないか、またはＯである、式（Ｉ）のアルコールと、
（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｏは、１～６の整数であり、
ｐは、１～６の整数である、式（ＩＩ）のアルコールと、の組み合わせと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
前記式（Ｉ）のアルコールが、フェノキシエタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、またはベンジルアルコールであり、
前記研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物。
【請求項2】
前記湿式法シリカが、約５ｎｍ～約２５ｎｍの粒径を有する、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項3】
前記湿式法シリカが、約５ｎｍ～約１０ｎｍの粒径を有する、請求項２に記載の研磨組成物。
【請求項4】
前記式（Ｉ）のアルコールが、フェノキシエタノールである、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項5】
前記式（ＩＩ）のアルコールが、アミノエチルアミノエタノールである、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項6】
前記研磨組成物が、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの前記式（Ｉ）のアルコールおよび約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの前記式（ＩＩ）のアルコールを含む、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項7】
前記研磨組成物が、約１～約２のｐＨを有する、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項8】
基板を化学機械研磨する方法であって、（ｉ）基板を提供することと、
（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、
（ｉｉｉ）化学機械研磨組成物を提供することであって、前記化学機械研磨組成物が、
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）
（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数であり、
Ｘは、存在しないか、またはＯである、式（Ｉ）のアルコールと、
（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｏは、１～６の整数であり、
ｐは、１～６の整数である、式（ＩＩ）のアルコールと、の組み合わせと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
前記式（Ｉ）のアルコールが、フェノキシエタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、またはベンジルアルコールであり、
前記研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、前記化学機械研磨組成物を提供することと、
（ｉｖ）前記基板を前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物に接触させることと、
（ｖ）前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物を前記基板に対して動かして、前記基板の少なくとも一部を研削して、前記基板を研磨することと、を含む、方法。
【請求項9】
前記湿式法シリカが約５ｎｍ～約２５ｎｍの粒径を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記式（ＩＩ）のアルコールが、アミノエチルアミノエタノールである、請求項８に記載の方法。
【請求項11】
前記研磨組成物が、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの前記式（Ｉ）のアルコールおよび約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの前記式（ＩＩ）のアルコールを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項12】
前記基板が、ニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムメモリディスクであり、前記ニッケル－リンの少なくとも一部が研削されて前記基板を研磨する、請求項８に記載の方法。
【請求項13】
基板を化学機械研磨する方法であって、（ｉ）基板を提供することと、
（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、
（ｉｉｉ）化学機械研磨組成物を提供することであって、前記化学機械研磨組成物が、
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）式（ＩＩＩ）：Ｒ１－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数である、式（ＩＩＩ）のアルコールと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
前記式（ＩＩＩ）のアルコールが、フェノキシエタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、またはベンジルアルコールであり、
前記研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、前記化学機械研磨組成物を提供することと、
（ｉｖ）前記基板を前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物に接触させることと、
（ｖ）前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物を前記基板に対して動かして、前記基板の少なくとも一部を研削して、前記基板を研磨することと、を含む、方法。
【請求項14】
前記湿式法シリカが、約５ｎｍ～約２５ｎｍの粒径を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
前記研磨組成物が、式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールをさらに含み、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、請求項１３に記載の方法。
【請求項16】
前記式（ＩＩ）のアルコールが、アミノエチルアミノエタノールである、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記研磨組成物が、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの前記式（ＩＩＩ）のアルコールおよび約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの前記式（ＩＩ）のアルコールを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項18】
前記基板が、ニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムメモリディスクであり、前記ニッケル－リンの少なくとも一部が研削されて前記基板を研磨する、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
メモリまたはリジッドディスクの記憶容量の増加に対する需要と、メモリまたはリジッドディスクの小型化の傾向（コンピュータ機器のハードドライブの小型化に関する要求）により、メモリまたはリジッドディスクの製造プロセスの重要性が強調され続けている。いくつかの化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物および半導体デバイスの製造に関連して使用する方法が存在するが、従来のＣＭＰ法や市販のＣＭＰ組成物は、メモリまたはリジッドディスクの平坦化または研磨に適していない。
【0002】
２ステップのプロセスを使用して、メモリまたはリジッドディスクを研磨することができる。無電解コーティングプロセスを使用してニッケルリンでアルミニウムをコーティングした後、ディスク表面を平坦化するために第１の研磨ステップを実行し、続いて、均一な表面を達成するために第２の研磨ステップを実行する。この第２の研磨ステップでは、典型的には、研磨ステップで使用される研磨組成物中に存在するコロイドシリカ粒子などの研磨粒子の作用により、スクラッチおよび微小欠陥が生じる。スクラッチ欠陥のサイズおよび数を減らすと、ディスクの面密度を上げることができ、ディスクの記録容量を増やすことができる。
【発明の概要】
【0003】
本発明は、（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）（ｉ）式（Ｉ）のアルコール：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数、Ｘは、存在しないかまたはＯである、アルコールと、ｉｉ）式（ＩＩ）のアルコール：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨであって、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、アルコールとの組み合わせと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含み、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供する。
【0004】
本発明はまた、（ｉ）基板を提供することと、（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、（ｉｉｉ）（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数であり、Ｘは、存在しないかまたはＯである、アルコールと、ｉｉ）式（ＩＩ）のアルコール：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨであって、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、アルコールとの組み合わせと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含み、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供することと、（ｉｖ）基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させることと、（ｖ）基板に対して研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を動かして、基板の少なくとも一部を研削して基板を研磨することと、を含む、基板を化学機械研磨する方法も提供する。
【0005】
本発明は、さらに、（ｉ）基板を提供することと、（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、（ｉｉｉ）（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）式（ＩＩＩ）：Ｒ１－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数である、アルコールと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含み、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供することと、（ｉｖ）基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させることと、（ｖ）研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して動かして、基板の少なくとも一部を研削して基板を研磨することと、を含む、基板を化学機械研磨する方法を提供する。
【発明を実施するための形態】
【0006】
本発明は、（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数、Ｘは、存在しないかまたはＯである、アルコールと、（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、アルコールとの組み合わせと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含み、から本質的になる、またはからなる、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供する。
【0007】
湿式法シリカは、任意の好適な湿式法シリカであることができる。例えば、湿式法シリカは、縮合重合シリカであることができる。縮合重合シリカ粒子は、典型的には、Ｓｉ（ＯＨ）４を縮合してコロイド粒子を形成することにより調製し、コロイドとは、約１ｎｍ～約１０００ｎｍの平均粒径を有すると定義される。かかる研磨粒子は、米国特許第５，２３０，８３３号に従って調製することができ、またはＡｋｚｏ－Ｎｏｂｅｌ Ｂｉｎｄｚｉｌ ５０／８０、３０／３６０、１５９／５００、４０／２２０、および４０／１３０製品、Ｎａｌｃｏ １０５０、１０６０、２３２７、および２３２９製品、ならびにＤｕＰｏｎｔ、Ｂａｙｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ、Ｎｉｓｓａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｆｕｓｏ、およびＣｌａｒｉａｎｔから入手可能な他の同様の製品などの様々な市販製品のいずれかとして得ることができる。
【0008】
いくつかの実施形態では、湿式法シリカは、実質的に球状の粒子を含む。いくつかの他の実施形態において、湿式法シリカは、不規則な形状を有する粒子を含む。
【0009】
特定の実施形態では、湿式法シリカは、アルミニウムをドープした湿式法シリカであることができる。アルミニウムをドープした湿式法シリカ粒子は、粒子表面上の四価ケイ素原子の一部が三価アルミニウム原子で置換されている。好適なアルミニウムをドープした湿式法シリカの例は、Ａｋｚｏ－Ｎｏｂｅｌ Ｂｉｎｄｚｉｌ ２５７／３６０ ＦＧシリカである。Ｂｉｎｄｚｉｌ ２５７／３６０ ＦＧシリカ粒子はまた、不規則な形状も有する。
【0010】
湿式法シリカは、任意の好適な平均粒径（すなわち、平均粒子直径）を有することができる。研磨粒子の粒径は、研磨粒子を包含する最小の球の直径である。湿式法シリカは、約５ｎｍ以上、例えば、約６ｎｍ以上、約７ｎｍ以上、約８ｎｍ以上、約９ｎｍ以上、約１０ｎｍ以上、約１１ｎｍ以上、１２ｎｍ以上、約１３ｎｍ以上、約１４ｎｍ以上、または約１５ｎｍ以上の平均粒径を有することができる。あるいは、またはさらに、湿式法シリカは、約４０ｎｍ以下、例えば、約３８ｎｍ以下、約３６ｎｍ以下、約３４ｎｍ以下、約３２ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２８ｎｍ以下、または約２６ｎｍ以下、または約２５ｎｍ以下の平均粒径を有することができる。したがって、湿式法シリカは、湿式法シリカの粒径について列挙した上記の端点のいずれか２つによって範囲付けられる平均粒径を有することができる。例えば、湿式法シリカは、約５ｎｍ～約４０ｎｍ、約６ｎｍ～約４０ｎｍ、約７ｎｍ～約４０ｎｍ、約８ｎｍ～約４０ｎｍ、約９ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約３８ｎｍ、約１０ｎｍ～約３６ｎｍ、約１０ｎｍ～約３４ｎｍ、約１０ｎｍ～約３２ｎｍ、約１０ｎｍ～約３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２８ｎｍ、約１０ｎｍ～約２６ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、または約５ｎｍ～約１０ｎｍの平均粒径を有することができる。
【0011】
研磨組成物は、任意の好適な量の湿式法シリカを含むことができる。典型的には、研磨組成物は、約０．２重量％以上、例えば、約０．４重量％以上、約０．６重量％以上、約０．８重量％以上、または約１重量％以上の湿式法シリカを含むことができる。あるいは、またはさらに、研磨組成物は、約１０重量％以下、例えば、約９重量％以下、約８重量％以下、約７重量％以下、約６重量％以下、または約５重量％以下の湿式法シリカを含有することができる。したがって、研磨組成物は、湿式法シリカについて列挙した上記端点のいずれか２つによって範囲付けられる量の湿式法シリカを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約０．２重量％～約１０重量％の湿式法シリカ、約０．４重量％～約９重量％、約０．６重量％～約８重量％、約０．８重量％～約７重量％、約１重量％～約６重量％、または約１重量％～約５重量％の湿式法シリカを含むことができる。
【0012】
いくつかの実施形態において、研磨組成物は、２つ以上の異なる湿式法シリカを含むことができる。２つ以上の異なる湿式法シリカは、同じかまたは異なる平均粒径を有することができるが、但し、２つ以上の異なる湿式法シリカの各々が、本明細書に記載の平均粒径を有することを条件とする。
【0013】
湿式法シリカは、好ましくはコロイド安定性である研削粒子を含む。コロイドという用語は、水性キャリア中の研磨粒子の懸濁を指す。コロイド安定性とは、その懸濁液の経時的な維持を指す。本発明の文脈では、研削粒子を１００ｍｌのメスシリンダーに入れ、２時間撹拌せずに静置するとき、メスシリンダーの底部の５０ｍｌにおける粒子の濃度（［Ｂ］、単位ｇ／ｍｌ）と、メスシリンダーの上部５０ｍｌにおける粒子の濃度（［Ｔ］、単位ｇ／ｍｌ）との差を、研削組成物における粒子の初期濃度（［Ｃ］、単位ｇ／ｍｌ）で割る（すなわち｛［Ｂ］－［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）と０．５以下である場合、研削粒子は、コロイド的に安定であると考えられる。より好ましくは、［Ｂ］－［Ｔ］／［Ｃ］の値は０．３以下であり、最も好ましくは０．１以下である。
【0014】
研磨組成物は、（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数、Ｘは、存在しないかまたはＯである、アルコールと、（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、アルコールとの組み合わせを含む。Ｃ１～Ｃ６アルキル基は、直鎖または分枝鎖であることができ、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｓ－ブチル、イソブチル、ｎ－ヘプチル、イソヘプチル、ｎ－ヘキシル、イソヘキシルなどであることができる。式（Ｉ）のアルコールおよび式（ＩＩ）のアルコールは、任意の好適なかかるアルコールであることができる。式（Ｉ）のアルコールの非限定的な例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノ－ｓ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノヘプチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ベンジルアルコール、２－フェニルエタノール、２－フェノキシエタノール、および２－（２－ピリジル）－エタノールが挙げられる。式（ＩＩ）のアルコールの非限定的な例としては、アミノエチルアミノエタノール、アミノプロピルアミノエタノール、メチルアミノエタノール、エチルアミノエタノール、プロピルアミノエタノール、ブチルアミノエタノール、ヘプチルアミノエタノール、ヘキシルアミノエタノール、および２－（Ｎ－エチル－Ｎ－フェニルアミノ）エタノールが挙げられる。好ましい実施形態では、式（Ｉ）のアルコールはフェノキシエタノール（すなわち、ＰｈＯ（ＣＨ２）２ＯＨ）であり、式（ＩＩ）のアルコールはアミノエチルアミノエタノール（すなわち、Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）である。
【0015】
研磨組成物は、任意の好適な量の式（Ｉ）のアルコールを含む。典型的には、研磨組成物は、約５００ｐｐｍ以上、例えば、約７５０ｐｐｍ以上、約１０００ｐｐｍ以上、約１２５０ｐｐｍ以上、約１５００ｐｐｍ以上、約１７５０ｐｐｍ以上、約２０００ｐｐｍ以上を含み、約２２５０ｐｐｍ以上、約２５００ｐｐｍ以上、約２７５０ｐｐｍ以上、約３０００ｐｐｍ以上、約３２５０ｐｐｍ以上、約３５００ｐｐｍ以上、約３７５０ｐｐｍ以上、または約４０００ｐｐｍ以上の式（Ｉ）のアルコールを含む。あるいは、またはさらに、研磨組成物は、約１０，０００ｐｐｍ以下、例えば、約９７５０ｐｐｍ以下、約９５００ｐｐｍ以下、約９２５０ｐｐｍ以下、約９０００ｐｐｍ以下、約８７５０ｐｐｍ以下、約８５００ｐｐｍ以下、約８２５０ｐｐｍ以下、約８０００ｐｐｍ以下、約７７５０ｐｐｍ以下、約７５００ｐｐｍ以下、約７２５０ｐｐｍ以下、または約７０００ｐｐｍ以下含む。したがって、研磨組成物は、式（Ｉ）のアルコールについて列挙した上記の端点の任意の２つによって範囲付けられる量の式（Ｉ）のアルコールを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約５００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの式（Ｉ）のアルコール、例えば、約７５０ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ～約９５００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍ、約１５００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約８５００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約８０００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約７５００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約２５００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約３０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約３５００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約４０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約４５００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約７５００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約８０００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約８５００ｐｐｍ、または約５０００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍの式（Ｉ）のアルコールを含むことができる。
【0016】
研磨組成物は、任意の好適な量の式（Ｉ）のアルコールを含む。典型的には、研磨組成物は、約５０ｐｐｍ以上、例えば、約７５ｐｐｍ以上、約１００ｐｐｍ以上、約１２５ｐｐｍ以上、約１５０ｐｐｍ以上、約１７５ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上を含み、約２２５ｐｐｍ以上、約２５０ｐｐｍ以上、約２７５ｐｐｍ以上、または約３００ｐｐｍ以上の式（ＩＩ）のアルコールを含む。あるいは、またはさらに、研磨組成物は、約１０００ｐｐｍ以下の式（ＩＩ）のアルコール、例えば、約９７５ｐｐｍ以下、約９５０ｐｐｍ以下、約９２５ｐｐｍ以下、約９００ｐｐｍ以下、約８７５ｐｐｍ以下、約８５０ｐｐｍ以下、約８２５ｐｐｍ以下、約８００ｐｐｍ以下、約７７５ｐｐｍ以下、約７５０ｐｐｍ以下、約７２５ｐｐｍ以下、または約７００ｐｐｍ以下含む。したがって、研磨組成物は、式（ＩＩ）のアルコールについて列挙した上記の端点の任意の２つによって範囲付けられる量の式（ＩＩ）のアルコールを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約５０ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの式（ＩＩ）のアルコール、例えば、約７５ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍ、約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍ、約１００ｐｐｍ～約９５０ｐｐｍ、約１００ｐｐｍ～約９００ｐｐｍ、約１５０ｐｐｍ～約９００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍ～約９００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍ～約８５０ｐｐｍ、約２００ｐｐｍ～約８００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍ～約７５０ｐｐｍ、約２００ｐｐｍ～約７００ｐｐｍ、約２５０ｐｐｍ～約７００ｐｐｍ、または約３００ｐｐｍ～約７００ｐｐｍの式（Ｉ）のアルコールを含むことができる。
【0017】
特定の実施形態では、研磨組成物は、式（ＩＩＩ）：Ｒ１－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールを含み、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数である。Ｃ１～Ｃ６アルキル基は、直鎖または分枝鎖であることができ、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｓ－ブチル、イソブチル、ｎ－ヘプチル、イソヘプチル、ｎ－ヘキシル、イソヘキシルなどであることができる。式（ＩＩＩ）のアルコールは、任意の好適なかかるアルコールであることができる。式（ＩＩＩ）のアルコールの非限定的な例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノ－ｓ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノヘプチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、および２－フェノキシエタノールが挙げられる。好ましい実施形態では、式（ＩＩＩ）のアルコールは、フェノキシエタノール（すなわち、ＰｈＯ（ＣＨ２）２ＯＨ）である。
【0018】
研磨組成物は、任意の好適な量の式（ＩＩＩ）のアルコールを含む。典型的には、研磨組成物は、約５００ｐｐｍ以上、例えば、約７５０ｐｐｍ以上、約１０００ｐｐｍ以上、約１２５０ｐｐｍ以上、約１５００ｐｐｍ以上、約１７５０ｐｐｍ以上、約２０００ｐｐｍ以上を含み、約２２５０ｐｐｍ以上、約２５００ｐｐｍ以上、約２７５０ｐｐｍ以上、約３０００ｐｐｍ以上、約３２５０ｐｐｍ以上、約３５００ｐｐｍ以上、約３７５０ｐｐｍ以上、または約４０００ｐｐｍ以上の式（ＩＩＩ）のアルコールを含む。あるいは、またはさらに、研磨組成物は、約１０，０００ｐｐｍ以下、例えば、約９７５０ｐｐｍ以下、約９５００ｐｐｍ以下、約９２５０ｐｐｍ以下、約９０００ｐｐｍ以下、約８７５０ｐｐｍ以下、約８５００ｐｐｍ以下、約８２５０ｐｐｍ以下、約８０００ｐｐｍ以下、約７７５０ｐｐｍ以下、約７５００ｐｐｍ以下、約７２５０ｐｐｍ以下、または約７０００ｐｐｍ以下の式（ＩＩＩ）のアルコールを含む。したがって、研磨組成物は、式（ＩＩＩ）のアルコールについて列挙した上記の端点の任意の２つによって範囲付けられる量の式（ＩＩＩ）のアルコールを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約５００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの式（ＩＩＩ）のアルコール、例えば、約７５０ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ～約９５００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍ、約１５００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約８５００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約８０００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約７５００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約２５００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約３０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約３５００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約４０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約４５００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約７０００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約７５００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約８０００ｐｐｍ、約５０００ｐｐｍ～約８５００ｐｐｍ、または約５０００ｐｐｍ～約９０００ｐｐｍの式（ＩＩＩ）のアルコールを含むことができる。
【0019】
研磨組成物は、任意の好適なｐＨを有することができる。典型的には、研磨組成物は、約１以上、例えば、約１．２以上、約１．４以上、約１．６以上、約１．８以上、または約２以上のｐＨを有することができる。あるいは、またはさらに、研磨組成物は、約５以下、例えば、約４．５以下、約４以下、約３．５以下、または約３以下のｐＨを有することができる。したがって、研磨組成物は、研磨組成物のｐＨについて列挙した上記の端点のいずれか２つによって範囲付けられるｐＨを有することができる。例えば、研磨組成物は、約１～約５、例えば、約１～約４．５、約１～約４、約１～約３．５、約１～約３、約１～約２．５、または約１～約２のｐＨを有することができる。
【0020】
研磨組成物は過酸化水素を含む。過酸化水素は、研磨組成物中に任意の好適な量で存在することができる。例えば、研磨組成物は、約０．１重量％～約１０重量％の過酸化水素、例えば、約０．５重量％～約１０重量％、約０．５重量％～約５重量％、約０．１重量％～約５重量％、約０．１重量％～約２．５重量％、または約０．１重量％～約１重量％の過酸化水素を含むことができる。
【0021】
研磨組成物は鉱酸を含む。好適な鉱酸の非限定的な例としては、硝酸、硫酸、およびリン酸が挙げられる。
【0022】
研磨組成物は水を含む。水は、任意の好適な水であることができ、例えば、脱イオン水または蒸留水であることができる。いくつかの実施形態では、研磨組成物は、水と組み合わせて、１つ以上の有機溶媒をさらに含むことができる。例えば、研磨組成物は、ヒドロキシル溶媒、例えば、メタノールまたはエタノール、ケトン溶媒、アミド溶媒、スルホキシド溶媒、スルホキシド溶媒などをさらに含むことができる。好ましくは、研磨組成物は純水を含む。
【0023】
研磨組成物は、研磨組成物のｐＨを調整するための塩基をさらに含むことができる。適切な塩基の非限定的な例には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、および水酸化アンモニウムが含まれる。
【0024】
特定の実施形態では、研磨組成物は、水溶性ポリマー、特に５００以上の分子量を有する水溶性ポリマーを含まないか、また実質的に含まない。研磨組成物から除外され得る５００以上の分子量を有する水溶性ポリマーの例としては、多糖類、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン、プルラン；ポリカルボン酸、そのエステルおよび塩、例えば、ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリジン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ－スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩、およびポリグリオキシル酸；ビニルポリマー、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、およびポリアクロレインなどが挙げられる。
【0025】
特定の実施形態では、研磨組成物は複素環式芳香族化合物を含まないか、または実質的に含まない。研磨組成物から除外され得る５００以上の分子量を有する水溶性ポリマーの例としては、ピラジン、トリアジン、オキサジアゾール、チアジアゾール、アミノピラゾール、ピラゾール、アミノイミダゾール、メチルイミダゾール、エチルイミダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアゾール、アミノトリアゾール、メルカプトトリアゾール、テトラゾール、アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－トリルトリアゾール、アミノベンゾトリゾール、およびそれらのアルキルまたはアミノ置換誘導体が挙げられる。
【0026】
研磨組成物は、その多くが当業者には既知である任意の好適な技術によって調製することができる。研磨組成物は、バッチプロセスまたは連続プロセスで調製することができる。一般に、研磨組成物は、その成分を任意の順序で組み合わせることにより調製することができる。本明細書で使用される「成分」という用語は、個々の成分（例えば、湿式法シリカ、式（Ｉ）のアルコール、式（ＩＩ）のアルコール、式（ＩＩＩ）のアルコール、過酸化水素、鉱酸など）ならびに、成分の任意の組み合わせ（例えば、湿式法シリカ、式（Ｉ）のアルコール、式（ＩＩ）のアルコール、式（ＩＩＩ）のアルコール、過酸化水素、鉱酸など）を含む。
【0027】
例えば、湿式法シリカは水に分散させることができる。次いで、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩ）のアルコールまたは式（ＩＩＩ）のアルコール、および鉱酸を、添加し、研磨組成物に成分を組み込むことができる任意の方法により混合することができる。過酸化水素は、研磨組成物の調製中のいずれの時点でも添加することができる。使用直前に研磨組成物に過酸化水素などの１つ以上の成分を添加して、研磨組成物を使用前に調製することができる（例えば、使用前の約１分以内、または使用前の約１時間以内、または使用前の約７日以内）。研磨組成物はまた、研磨作業中に基板の表面で成分を混合することによっても調製することができる。
【0028】
研磨組成物は、湿式法シリカ、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩ）のアルコールまたは式（ＩＩＩ）のアルコール、鉱酸、および水を含むワンパッケージ系として供給することができる。あるいは、湿式法シリカは、第１の容器内の水中分散液として供給することができ、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩ）のアルコールまたは式（ＩＩＩ）のアルコール、および鉱酸を、第２の容器内に、乾燥形態で、または水溶液または水分散液として、供給することができる。過酸化水素は、望ましくは、研磨組成物の他の成分とは別個に供給され、例えば、エンドユーザーによって、使用直前に研磨組成物の他の成分と組み合わされる（例えば、使用前の１週間以内、使用前の１日以内、使用前の１時間以内、使用前の１０分以内、または使用前の１分以内）。第１または第２の容器中の成分は乾燥形態であってもよく、他方の容器中の成分は水性分散液の形態であってもよい。さらに、第１および第２の容器中の成分が異なるｐＨ値を有すること、あるいは実質的に同様の、または等しいｐＨ値を有することも適切である。研磨組成物の成分の別の２つの容器、または３つ以上の容器の組み合わせは、当業者の知識の範囲内である。
【0029】
本発明の研磨組成物は、使用前に適切な量の水で希釈することを意図した濃縮物として提供することもできる。かかる実施形態では、研磨組成物濃縮物は、過酸化水素の有無にかかわらず、湿式法シリカ、式（Ｉ）のアルコール、式（ＩＩ）のアルコールおよび／または鉱酸または式（ＩＩＩ）のアルコール、および水を、適切な量の水で濃縮物を希釈した際に、過酸化水素が適切な量で既に存在していない場合、研磨組成物の各成分が、各成分について上で列挙した適切な範囲内の量で研磨組成物中に存在することになるような量で、含むことができる。例えば、湿式法シリカ、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩ）のアルコールまたは式（ＩＩＩ）のアルコール、および鉱酸は各々、各成分について上記した濃度の約２倍（例えば、約３倍、約４倍、または約５倍）の量で濃縮物中に存在することができ、その濃縮物が、等量（例えば、それぞれ、２等量の水、３等量の水、または４等量の水）の水で、好適な量の過酸化水素と一緒に、希釈されるとき、各成分は、各成分について上記した範囲内の量で研磨組成物中に存在することになる。その上、当業者には理解されるように、濃縮物は、他の成分が少なくとも部分的にまたは完全に濃縮物中に溶解することを確実にするために、最終研磨組成物中に存在する水の好適な部分を含有することができる。
【0030】
本発明はまた、（ｉ）基板を提供することと、（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、（ｉｉｉ）（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数であり、Ｘは、存在しないかまたはＯである、アルコールと、ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、アルコールとの組み合わせと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含み、その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供することと、（ｉｖ）基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させることと、（ｖ）基板に対して研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を動かして、基板の少なくとも一部を研削して基板を研磨することと、を含む、基板を化学機械研磨する方法も提供する。
【0031】
他の実施形態では、本発明は、（ｉ）基板を提供することと、（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、（ｉｉｉ）（ａ）湿式法シリカと、（ｂ）式（ＩＩＩ）：Ｒ１－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｍは、１～６の整数であり、ｎは、１～６の整数である、アルコールと、（ｃ）過酸化水素と、（ｄ）鉱酸と、（ｅ）水と、を含み、その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供することと、（ｉｖ）基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させることと、（ｖ）研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して動かして、基板の少なくとも一部を研削して基板を研磨することと、を含む、基板を化学機械研磨する方法を提供する。
【0032】
本発明の方法を使用して研磨される基板は、任意の好適な基板、特にニッケルリンを含有する基板であることができる。好ましい基板は、ニッケル－リンの少なくとも一部が研削される（すなわち、除去される）ようにニッケル－リンを含む、本質的にそれからなる、またはそれからなる、研磨のための少なくとも１つの層、特に研磨のための露出層を含む。特に好適な基板としては、ニッケルリンでコーティングされたアルミニウムディスクなどのメモリまたはリジッドディスクが挙げられるが、それらに限定されない。
【0033】
本発明の研磨方法は、化学機械研磨（ＣＭＰ）装置とともに使用するのに特に好適である。通常、ＣＭＰ装置は、使用時に運動し、軌道運動、直線運動、または円運動から生じる速度を有するプラテンと、プラテンと接触し、運転時にプラテンとともに運動する研磨パッドと、研磨パッドの表面に対して接触し、動かすことにより、基板が研磨されるように保持するキャリアとを含む。基板の研磨は、基板が研磨パッドおよび本発明の研磨組成物と接触して配置され、次いで研磨パッドが基板に対して運動して、基板の少なくとも一部を研削して基板を研磨することにより行われる。
【0034】
基板は、任意の好適な研磨パッド（例えば研磨表面）とともに化学機械研磨組成物で平坦化または研磨することができる。好適な研磨パッドには、例えば、織布および不織布の研磨パッドが含まれる。さらに、好適な研磨パッドは、さまざまな密度、硬度、厚さ、圧縮率、圧縮時に反発する能力、および圧縮弾性率の任意の好適なポリマーを含むことができる。好適なポリマーには、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの成形製品、およびそれらの混合物を含み得る。
【0035】
望ましくは、ＣＭＰ装置は、その場での研磨エンドポイント検出システムをさらに含み、その多くは当技術分野で既知である。加工物の表面から反射された光または他の放射を分析することにより研磨プロセスを検査および監視する技術は、当該技術分野で既知である。そのような方法は、例えば、米国特許５，１９６，３５３号、米国特許５，４３３，６５１号、米国特許５，６０９，５１１号、米国特許５，６４３，０４６号、米国特許５，６５８，１８３号、米国特許５，７３０，６４２号、米国特許５，８３８，４４７号、米国特許５，８７２，６３３号、米国特許５，８９３，７９６号、米国特許５，９４９，９２７号、および米国特許５，９６４，６４３号に開示されている。研磨される加工物に関する研磨プロセスの進行の検査または監視により、研磨終点の決定、すなわち特定の加工物に関する研磨プロセスをいつ終了するかの決定が可能になることが望ましい。
【0036】
望ましくは、本発明の研磨組成物は、ニッケル－リンでコーティングされた基板を研磨するために使用すると、基板表面のスクラッチが著しく減少し、かつニッケル－リンの除去率が増加する。湿式法シリカおよび式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩＩ）のアルコールを含む研磨組成物は、基板のスクラッチを著しく減少させ、また、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩＩ）のアルコールを含有しない研磨組成物と比較して、ニッケル－リン除去率が増加する。湿式法シリカおよび式（ＩＩ）のアルコールを含む研磨組成物は、式（ＩＩ）のアルコールを含有しない研磨組成物と比較して、基板のスクラッチが著しく減少し、ニッケル－リン除去率がやや低下する。湿式法シリカと、および式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩＩ）のアルコールおよび式（ＩＩ）のアルコールの組み合わせと、を含む研磨組成物は、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩＩ）のアルコールまたは式（ＩＩ）のうちの１つのみを含む研磨組成物と比較して、また、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩＩ）のアルコールまたは式（ＩＩ）のアルコールのいずれかを含有しない研磨組成物と比較して、基板スクラッチが著しく低下する。特定の実施形態では、湿式法シリカと、式（Ｉ）のアルコールおよび／または式（ＩＩＩ）のアルコールおよび式（ＩＩ）のアルコールの組み合わせと、を含む研磨組成物は、式（Ｉ）、（ＩＩ）、または（ＩＩＩ）のアルコールのいずれも含有しない研磨組成物と比較して、増加したニッケル－リン除去率を示した。
【0037】
さらに、ニッケル－リン除去率は、湿式法シリカの選択によって影響を受ける可能性がある。式（Ｉ）もしくは式（ＩＩＩ）のアルコールと別々に組み合わせて、または式（Ｉ）のアルコールおよび式（ＩＩ）のアルコールの両方と組み合わせて、不規則な粒子形状および／または＞１２ｎｍなどの粒子直径を有することにより比較的機械的に強い湿式法シリカ粒子を含む研磨組成物は、アルコールを含有しない研磨組成物と比較して、ニッケル－リン除去率の増加を示す。式（ＩＩ）のアルコールのみと組み合わせた不規則な粒子形状および／または＞１２ｎｍなどの粒子直径を有する湿式法シリカ粒子を含む研磨組成物は、総スクラッチ数の改善および同じかまたはわずかに低いニッケル－リン除去率を示す。式（Ｉ）のアルコールおよび式（ＩＩ）のアルコールの両方と組み合わせて実質的に球形の粒子形状を有することにより、比較的機械的に弱い湿式法シリカ粒子を含む研磨組成物は、総スクラッチ数の改善を示し、同じかまたはわずかに低いニッケル－リン除去率を示す。
【0038】
本発明は、以下の実施形態によって特徴付けることができる。
実施形態
実施形態
【0039】
（１）実施形態（１）では、：
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）
（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数であり、
Ｘは、存在しないか、またはＯである、式（Ｉ）のアルコールと、
（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｏは、１～６の整数であり、
ｐは、１～６の整数である、式（ＩＩ）のアルコールと、の組み合わせと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含む化学機械研磨組成物であって、
その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提示する。
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）
（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数であり、
Ｘは、存在しないか、またはＯである、式（Ｉ）のアルコールと、
（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｏは、１～６の整数であり、
ｐは、１～６の整数である、式（ＩＩ）のアルコールと、の組み合わせと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含む化学機械研磨組成物であって、
その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提示する。
【0040】
（２）実施形態（２）では、湿式法シリカが、約５ｎｍ～約２５ｎｍの粒径を有する、実施形態１の研磨組成物を提示する。
【0041】
（３）実施形態（３）では、湿式法シリカが、約５ｎｍ～約１０ｎｍの粒径を有する、実施形態１または２の研磨組成物を提示する。
【0042】
（４）実施形態（４）では、式（Ｉ）のアルコールが、フェノキシエタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、またはベンジルアルコールである、実施形態１～３のいずれか１つの研磨組成物を提示する。
【0043】
（５）実施形態（５）では、式（Ｉ）のアルコールが、フェノキシエタノールである、実施形態４の研磨組成物を提示する。
【0044】
（６）実施形態（６）では、式（ＩＩ）のアルコールが、アミノエチルアミノエタノールである、実施形態１～５のいずれか１つの研磨組成物を提示する。
【0045】
（７）実施形態（７）では、研磨組成物が、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの式（Ｉ）のアルコールおよび約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの式（ＩＩ）のアルコールを含む、実施形態１～６のいずれか１つの研磨組成物を提示する。
【0046】
（８）実施形態（８）では、研磨組成物が約１～約２のｐＨを有する、実施形態１～７のいずれか１つの研磨組成物を提示する。
【0047】
実施形態（９）では、
（ｉ）基板を提供することと、
（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、
（ｉｉｉ）化学機械研磨組成物を提供することであって、その化学機械研磨組成物は、
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）
（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数であり、
Ｘは、存在しないか、またはＯである、式（Ｉ）のアルコールと、
（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｏは、１～６の整数であり、
ｐは、１～６の整数である、式（ＩＩ）のアルコールと、の組み合わせと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提示することと、
（ｉｖ）基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物に接触させることと、
（ｖ）研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して動かして、基板の少なくとも一部を研削して、基板を研磨することと、を含む、基板を化学的機械的に研磨する方法を提示する。
（ｉ）基板を提供することと、
（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、
（ｉｉｉ）化学機械研磨組成物を提供することであって、その化学機械研磨組成物は、
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）
（ｉ）式（Ｉ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数であり、
Ｘは、存在しないか、またはＯである、式（Ｉ）のアルコールと、
（ｉｉ）式（ＩＩ）：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｏは、１～６の整数であり、
ｐは、１～６の整数である、式（ＩＩ）のアルコールと、の組み合わせと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提示することと、
（ｉｖ）基板を研磨パッドおよび化学機械研磨組成物に接触させることと、
（ｖ）研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して動かして、基板の少なくとも一部を研削して、基板を研磨することと、を含む、基板を化学的機械的に研磨する方法を提示する。
【0048】
（１０）実施形態（１０）では、湿式法シリカが、約５ｎｍ～約２５ｎｍの粒径を有する、実施形態９の方法を提示する。
【0049】
（１１）実施形態（１１）では、式（Ｉ）のアルコールが、フェノキシエタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、またはベンジルアルコールである、実施形態９または１０の方法を提示する。
【0050】
（１２）実施形態（１２）では、式（ＩＩ）のアルコールが、アミノエチルアミノエタノールである、実施形態９～１１のいずれか１つの方法を提示する。
【0051】
（１３）実施形態（１３）では、研磨組成物が、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの式（Ｉ）のアルコールおよび約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの式（ＩＩ）のアルコールを含む、実施形態９～１２のいずれか１つの方法を提示する。
【0052】
（１４）実施形態（１４）では、基板がニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムメモリディスクであり、ニッケル－リンの少なくとも一部を研削して基板を研磨する、実施形態９～１３のいずれか１つの方法を提示する。
【0053】
実施形態（１５）では、
（ｉ）基板を提供することと、
（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、
（ｉｉｉ）化学機械研磨組成物を提供することであって、その化学機械研磨組成物は、
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）式（ＩＩＩ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数である、式（ＩＩＩ）のアルコールと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供することと、
（ｉｖ）前記基板を前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物に接触させることと、
（ｖ）研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して動かして、基板の少なくとも一部を研削して、基板を研磨することと、を含む、基板を化学機械研磨する方法を提示する。
（ｉ）基板を提供することと、
（ｉｉ）研磨パッドを提供することと、
（ｉｉｉ）化学機械研磨組成物を提供することであって、その化学機械研磨組成物は、
（ａ）湿式法シリカと、
（ｂ）式（ＩＩＩ）：Ｒ１－Ｘ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨのアルコールであって、
式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ＨＯ－（ＣＨ２）ｎ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、
ｍは、１～６の整数であり、
ｎは、１～６の整数である、式（ＩＩＩ）のアルコールと、
（ｃ）過酸化水素と、
（ｄ）鉱酸と、
（ｅ）水と、を含み、
その研磨組成物が、約１～約５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供することと、
（ｉｖ）前記基板を前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物に接触させることと、
（ｖ）研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して動かして、基板の少なくとも一部を研削して、基板を研磨することと、を含む、基板を化学機械研磨する方法を提示する。
【0054】
（１６）実施形態（１６）では、湿式法シリカが約５ｎｍ～約２５ｎｍの粒径を有する、実施形態１５の方法を提示する。
【0055】
（１７）実施形態（１７）では、式（ＩＩＩ）のアルコールがフェノキシエタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、またはベンジルアルコールである、実施形態１５または１６の方法を提示する。
【0056】
実施形態（１８）では、研磨組成物が、式（ＩＩ）のアルコール：Ｒ２－ＮＲ３－（ＣＨ２）ｏ－ＯＨをさらに含み、式中、Ｒ２は、フェニル、ピリジル、Ｈ２Ｎ－（ＣＨ２）ｐ－、またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、Ｒ３は、水素またはＣ１～Ｃ６アルキルであり、ｏは、１～６の整数であり、ｐは、１～６の整数である、実施形態１５～１７のいずれか１つの方法を提示する。
【0057】
（１９）実施形態（１９）では、式（ＩＩ）のアルコールが、アミノエチルアミノエタノールである、実施形態１５～１８のいずれか１つの方法を提示する。
【0058】
（２０）実施形態（２０）では、研磨組成物が、約１０００ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍの式（ＩＩＩ）のアルコールおよび約１００ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの式（ＩＩ）のアルコールを含む、実施形態１８または１９の方法を提示する。
【0059】
（２１）実施形態（２１）では、基板がニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムメモリディスクであり、ニッケル－リンの少なくとも一部を研削して基板を研磨する、実施形態１５～２０のいずれか１つの方法を提示する。
【実施例】
【0060】
以下の実施例は、本発明をさらに説明するが、もちろん、その範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
【0061】
以下の実施例では、ニッケルリンでコーティングされたアルミニウムディスクを、Ｈａｍａｉ ９Ｂ ポリッシャー（Ｈａｍａｉ Ｃｏ．，Ｌｔｄ，Ｔｏｋｙｏ Ｊａｐａｎ）を用いてＦＫ１Ｎ研磨パッド（Ｆｕｊｉｂｏ Ｇｒｏｕｐ，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）で、３００ｍＬ／分の研磨組成物流量、１１０ｇ／ｃｍ２のダウンフォース、約１ｒｐｍの上部プラテン速度、約３２ｒｐｍの下部プラテン速度で、研磨した。研磨後、Ｉｎｖｅｎｐｒｏ（商標）ＩＳＷ００１ （Ｉｎｖｅｎｐｒｏ，Ｓｅｌａｎｇｏｒ Ｄａｒｕｌ Ｅｈｓａｎ，Ｍａｌａｙｓｉａ）として市販されているクリーナーで、研磨後ディスクを清浄にし、乾燥させた。研磨後ディスクの重量測定を実施して、除去率を判定した。Ｃａｎｄｅｌａ（商標）７１００ウェーハ表面欠陥検査システム（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ，Ｍｉｌｐｉｔａｓ，ＣＡ）を使用して、総スクラッチ数を判定した。
実施例１
実施例１
【0062】
この実施例は、ニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムディスクを含む基板を研磨するために使用するときに、湿式法シリカおよび式（Ｉ）のアルコールを含む研磨組成物によって示される、ニッケル－リン除去率および総スクラッチ数を実証する。
【0063】
研磨組成物１Ａ～１Ｊは各々、７ｎｍの平均粒径を有し、かつ不規則な粒子形状を有する５重量％の湿式法シリカと、ｐＨ１．６の水中の０．６重量％の過酸化水素とを含有し、そのｐＨをＨ３ＰＯ４調整した。研磨組成物１Ａは、任意の追加の成分を含有していなかった。研磨組成物１Ｂ～１Ｄはさらに、それぞれ０．０５重量％、０．２重量％、および１重量％のエチレングリコールブチルエーテルを含有していた。研磨組成物１Ｅ～１Ｇはさらに、それぞれ０．０５重量％、０．２重量％、および０．５重量％のベンジルアルコールを含有していた。研磨組成物１Ｈ～１Ｊはさらに、それぞれ０．０５重量％、０．２重量％、および０．５重量％の２－フェノキシエタノールを含有していた。エチレングリコールブチルエーテル、ベンジルアルコール、および２－フェノキシエタノールは、式（Ｉ）のアルコールである。
【0064】
研磨後、ニッケル－リン除去率および総スクラッチ数を判定した。結果を表１に示す。
【表1】
【0065】
表１に示した結果から明らかなように、それぞれ１重量％、０．５重量％、および０．５重量％の式（Ｉ）のアルコールを含有していた研磨組成物１Ｄ、１Ｇ、および１Ｊは、式（Ｉ）のアルコールを含有していなかった研磨組成物１Ａによって示されたニッケル－リン除去率のそれぞれ約１０９％、１１４％、および１２５％であるニッケル－リン除去率を示した。研磨組成物１Ｄ、１Ｇ、および１Ｊを使用すると、研磨組成物１Ａによる研磨から生じる合計スクラッチ数のそれぞれ約４０％、３１％、および１９％である合計スクラッチ数となった。これらの結果は、ニッケル－リンの研磨組成物に式（Ｉ）のアルコールを使用することによりもたらされる改善された除去率と、減少したスクラッチ数との望ましい組み合わせを実証している。
実施例２
実施例２
【0066】
この実施例は、ニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムディスクを含む基板を研磨するために使用するときに、湿式法シリカと、式（Ｉ）のアルコールのみ、式（ＩＩ）のアルコールのみ、および式（Ｉ）のアルコールと式（ＩＩ）のアルコールとの組み合わせと、を含む研磨組成物によって示される、ニッケル－リン除去率および総スクラッチ数を実証する。
【0067】
研磨組成物２Ａ～２Ｈは各々、５重量％の湿式法シリカと、ｐＨ１．６の水中の０．６重量％の過酸化水素とを含有し、そのｐＨをＨ３ＰＯ４で調整した。研磨組成物２Ａ～２Ｄは、７ｎｍの粒径を有し、かつ不規則な粒子形状を有する湿式法シリカを含んでいた。研磨組成物２Ｅ～２Ｈは、７ｎｍの平均粒径を有する２．５重量％の湿式法シリカおよび５ｎｍの平均粒径を有する２．５重量％の湿式法シリカを含有し、両方の湿式法シリカは、実質的に球形の粒子形状を有する。研磨組成物２Ａおよび２Ｅ（対照）は、追加成分はなんら含有していなかった。研磨組成物２Ｂおよび２Ｆは、０．０３重量％のアミノエチルアミノエタノール（ＡＥＥＡ）（すなわち、式（ＩＩ）のアルコール）をさらに含有していた。研磨組成物２Ｃおよび２Ｇは、０．０３重量％の２－フェノキエタノール（ＰＯＥ）（すなわち、式（Ｉ）のアルコール）をさらに含有していた。研磨組成物２Ｄおよび２Ｈは、０．０３重量％のアミノエチルアミノエタノールおよび０．５重量％の２－フェノキシエタノールをさらに含有していた。
【0068】
研磨後、ニッケル－リン除去率および総スクラッチ数を判定した。結果を表２に示す。
【表2】
【0069】
表２に示した結果から明らかなように、７ｎｍの平均粒径を有し、かつ不規則な粒子形状および０．０３重量％のＡＥＥＡを有する、湿式法シリカを含有していた研磨組成物２Ｂは、ＡＥＥＡを含有していなかった研磨組成物２Ａによって示された除去率の約９３％および６５％のニッケル－リン除去率を示した。７ｎｍの平均粒径を有する実質的に球形の湿式法シリカと、５ｎｍの平均粒径を有しかつ０．０３重量％のＡＥＥＡを有する実質的に球形の湿式法シリカとの組み合わせを含有していた研磨組成物２Ｆは、ＡＥＥＡを含有していなかった研磨組成物２Ｅによって示された除去率の約６５％のニッケル－リン除去率を示した。研磨組成物２Ｆと比較して、研磨組成物２Ｂによって示された高いニッケル－リン除去率は、研磨組成物２Ｆに存在する実質的に球形の湿式法シリカと比較して、研磨組成物２Ｂに存在する不規則な形状の湿式法シリカの高い機械的強度に起因している。研磨組成物２Ｂおよび２Ｆは、研磨組成物２Ａおよび２Ｅによってそれぞれ示された総スクラッチ数のそれぞれ５８％および８２％である総スクラッチ数を示した。
【0070】
７ｎｍの平均粒径を有し、かつ不規則な粒子形状および０．５重量％のＰＯＥを有する湿式法シリカを含有していた研磨組成物２Ｃ、ならびに７ｎｍの平均粒径を有する実質的に球形の湿式法シリカと、５ｎｍの平均粒径および０．５重量％のＰＯＥを有する実質的に球形の湿式法シリカとの組み合わせを含んでいた研磨組成物２Ｇは、ＰＯＥを含有していなかった研磨組成物２Ａおよび２Ｅによって示された除去率のそれぞれ約１４９％および１２３％であるニッケル－リン除去率を示した。研磨組成物２Ｃおよび２Ｇは、研磨組成物２Ａおよび２Ｅによってそれぞれ示された総スクラッチ数のそれぞれ３９％および６１％である総スクラッチ数を示した。
【0071】
７ｎｍの平均粒径を有し、かつ不規則な粒子形状、０．０３重量％のＡＥＥＡ、および０．５重量％のＰＯＥを有する湿式法シリカを含有していた研磨組成物２Ｄ、ならびに７ｎｍの平均粒径を有する実質的に球形の湿式法シリカと、５ｎｍの平均粒径、０．０３重量％のＡＥＥＡ、および０．５重量％のＰＯＥを有する実質的に球形の湿式法シリカとの組み合わせを含んでいた研磨組成物２Ｈは、ＰＯＥを含有していなかった研磨組成物２Ａおよび２Ｅによって示された除去率のそれぞれ約１１８％および７６％であるニッケル－リン除去率を示した。研磨組成物２Ｄおよび２Ｈは、研磨組成物２Ａおよび２Ｅによってそれぞれ示された総スクラッチ数のそれぞれ１７％および２４％である総スクラッチ数を示した。
【0072】
したがって、式（Ｉ）のアルコールと式（ＩＩ）のアルコールとの組み合わせを含有する研磨組成物２Ｄおよび２Ｈは、有用なニッケル－リン除去率を維持しながら、すべての研磨組成物の中で最も低い総スクラッチ数を示した。
【0073】
加えて、７ｎｍの平均粒径を有し、かつ不規則な粒子形状を有する湿式法シリカを含み、さらにＰＯＥ、またはＰＯＥとＡＥＥＡとの組み合わせを含んでいた、研磨組成物２Ｃおよび２Ｄは、ＰＯＥまたはＡＥＥＡを含んでいなかった対照の研磨組成物によって示されたニッケル－リン除去率のそれぞれ約１４８％および１１８％であった。７ｎｍの平均粒径を有する実質的に球形の湿式法シリカと、５ｎｍの平均粒径を有する実質的に球形の湿式法シリカとの組み合わせを含み、さらにＰＯＥ、またはＰＯＥとＡＥＥＡとの組み合わせを含んでいた、研磨組成物２Ｇおよび２Ｈは、ＰＯＥまたはＡＥＥＡを含んでいなかった対照の研磨組成物によって示されたニッケル－リン除去率のそれぞれ約１２２％および７７％であるニッケル－リン除去率を示した。研磨組成物２Ｃおよび２Ｄと研磨組成物２Ｇおよび２Ｈとの間のニッケル－リン除去率の違いは、研磨組成物２Ｇおよび２Ｈと比較して、研磨組成物２Ｃおよび２Ｄにおける比較的機械的に硬い湿式法シリカ粒子に起因している。しかしながら、研磨組成物２Ｄおよび２Ｈによって示された総スクラッチ数は同等であった。
実施例３
実施例３
【0074】
この実施例は、ニッケル－リンでコーティングされたアルミニウムディスクを含む基板を研磨するために使用するときに、様々な粒径の湿式法シリカと、式（Ｉ）のアルコールと式（ＩＩ）のアルコールとの組み合わせと、を含む研磨組成物によって示されるニッケル－リン除去率および総スクラッチ数を実証する。
【0075】
研磨組成物３Ａ～３Ｊは各々、５重量％の湿式法シリカと、ｐＨ１．６の水中の０．６重量％の過酸化水素とを含有し、そのｐＨはＨ３ＰＯ４で調整された。研磨組成物３Ａと３Ｂ、３Ｃと３Ｄ、３Ｅと３Ｆ、３Ｇと３Ｈ、および３Ｉと３Ｊの各ペアは、表３に示すように、同じタイプの湿式法シリカを含んでいた。研磨組成物３Ａ、３Ｃ、３Ｅ、３Ｇ、および３Ｉは、追加成分をなんら含んでいなかった。研磨組成物３Ｂ、３Ｄ、３Ｆ、３Ｈ、および３Ｊは各々、０．０３重量％のアミノエチルアミノエタノール（ＡＥＥＡ）（すなわち、式（ＩＩ）のアルコール）と、０．５重量％の２－フェノキシエタノール（ＰＯＥ）（すなわち、式（Ｉ）のアルコール）との組み合わせをさらに含んでいた。
【0076】
研磨後、ニッケル－リン除去率および総スクラッチ数を判定した。結果を表３に示す。
【表3】
【0077】
表３に示した結果から明らかなように、発明の研磨組成物３Ｂ、３Ｄ、３Ｆ、３Ｈ、および３Ｊのすべては、比較研磨組成物３Ａ、３Ｃ、３Ｅ、３Ｇ、および３Ｉによって示された総スクラッチ数の１．６％～３８％の範囲の総スクラッチ数を示した。より具体的には、２２ｎｍの平均粒径を有する実質的に球形の湿式法シリカを含み、さらにＡＥＥＡおよびＰＯＥを含んでいた研磨組成物３Ｊは、ＡＥＥＡおよびＰＯＥを含んでいなかった比較研磨組成物３Ｉによって示された総スクラッチ数の約１．６％である総スクラッチ数を示した。
【0078】
７ｎｍの平均粒径を有し、かつ不規則な粒子形状を有する湿式法シリカを含み、さらにＡＥＥＡおよびＰＯＥを含んでいた、研磨組成物３Ｂは、ＡＥＥＡおよびＰＯＥを含んでいなかった比較研磨組成物３Ａによって示されたニッケル－リン除去率の約１６６％であるニッケル－リン除去率を示したことを除いては、ＡＥＥＡおよびＰＯＥの存在は、除去率にわずかな変化しかもたらさなかった。これらの結果は、式（Ｉ）のアルコールと式（ＩＩ）のアルコールの組み合わせは、有用なＮｉ－Ｐ除去率を望ましく維持するか、またはＮｉ－Ｐ除去率を改善すると同時に、湿式法シリカを含む研磨組成物による研磨から生じる総スクラッチ数を著しく減少させる、ことを実証している。これらの結果はさらに、式（Ｉ）のアルコールおよび式（ＩＩ）のアルコールと組み合わせた不規則な粒子形状を有する湿式法シリカを含む研磨組成物が、実質的に球形湿式法シリカを含む研磨組成物と比較して、増加したニッケルリン除去率を示すことを実証している。
実施例４
実施例４
【0079】
この実施例は、湿式法シリカ、過酸化水素、およびＡＥＥＡとＰＯＥとの組み合わせを含む研磨組成物によって示される除去率および総スクラッチ数に関する、アミノエチルアミノエタノール（ＡＥＥＡ）および２－フェノキシエタノール（ＰＯＥ）濃度の効果を実証する。
【0080】
ニッケル－リンでコーティングされたメモリディスクを含む基板を、Ｈ３ＰＯ４でｐＨを調整したｐＨ１．６の水中に、５．０重量％の実質的に球形の湿式法シリカ（Ｎａｌｃｏ １０３０Ｃ）、０．６重量％の過酸化水素、および表４に列記した様々な濃度のＡＥＥＡとＰＯＥを含む研磨組成物４Ａ－４Ｉで研磨した。０．３重量％、０．５重量％、および０．７重量％の３つのＡＥＥＡ濃度において、ＰＯＥ濃度は、０．０３重量％、０．０５重量％、および０．０７重量％であった。
【0081】
研磨後、各基板の除去率および総スクラッチ数を判定し、その結果を表４に示した。
【表4】
【0082】
表４に示す結果から明らかなように、ニッケル－リン除去率は、ＡＥＥＡの３つの濃度すべてでＰＯＥ濃度の増加とともに増加し、ＡＥＥＡ濃度はニッケル－リン除去率にはほとんど影響を示さなかった（例えば、研磨組成物４Ａ、４Ｄ、および４Ｇ；４Ｂ、４Ｅ、および４Ｈ；および４Ｃ、４Ｆ、および４ＩのＮｉ－Ｐ除去率と比較されたい）。
【0083】
０．３重量％の最低ＰＯＥ濃度での総スクラッチ数は、０．０３重量％～０．０７重量％のＡＥＥＡ濃度の増加とともに減少した（例えば、研磨組成物４Ａ、４Ｄ、および４Ｇによって示された総スクラッチ数と比較されたい）。最高のＰＯＥ濃度での総スクラッチ数は、ＡＥＥＡ濃度によって有意に影響を受けなかった（例えば、研磨組成物４Ｃ、４Ｆ、および４Ｉによって示された総スクラッチ数と比較されたい）。所定のＡＥＥＡ濃度では、ＰＯＥの濃度が増加すると、総スクラッチ数は減少した（例えば、研磨組成物４Ａ－４Ｃ、４Ｄ－４Ｆ、および４Ｇ－４Ｉによって示された総スクラッチ数と比較されたい）。
【0084】
本明細書に引用された刊行物、特許出願および特許を含むすべての参考文献は、各参考文献が個々にかつ具体的に参照により組み込まれることが示され、その全体が本明細書に記載されているのと同じ程度に参照により本明細書に組み込まれる。
【0085】
（特に以下の特許請求の範囲の文脈において）本発明を説明する文脈における「ａ」および「ａｎ」および「ｔｈｅ」および「少なくとも１つの（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」という用語および同様の指示対象の使用は、本明細書において別段の指示がない限り、または文脈で明らかに矛盾しない限り、単数および複数形の両方を包含すると解釈されるべきである。１つ以上の項目の列挙に続く「少なくとも１つの」という用語（例えば、「ＡおよびＢのうちの少なくとも１つ」）の使用は、本明細書において別段の指示がない限り、または文脈で明らかに矛盾しない限り、列挙された項目（ＡまたはＢ）から選択される１つの項目、または列挙された項目（ＡおよびＢ）の２つ以上の任意の組み合わせを意味すると解釈されるべきである。「備える」、「有する」、「含む」および「含有する」という用語は、別段の記載がない限り、オープンエンド用語（すなわち、「含むがこれらに限定されない」を意味する）として解釈されるべきである。本明細書における値の範囲の列挙は、本明細書において別段の指示がない限り、範囲内にある各別個の値を個々に参照する簡略方法としての役割を果たすことを単に意図しており、各別個の値は本明細書に個別に列挙されているかのように、本明細書に組み込まれる。本明細書に記載されるすべての方法は、本明細書において別段の指示がない限り、または文脈で明らかに矛盾しない限り、任意の好適な順序で実行することができる。本明細書において提供される任意のおよびすべての例、または例示的な言葉（例えば、「～など」）の使用は、単に本発明をより明らかにすることを意図しており、別段の主張がない限り、本発明の範囲を限定するものではない。本明細書中のいかなる言葉も、本発明の実施に必須であるとして特許請求されていないすべての要素を示すものとして解釈されるべきではない。
【0086】
本発明を行うために本発明者らに既知の最良の形態を含む、本発明の好ましい実施形態が本明細書に記載される。これらの好ましい実施形態の変形は、前述の説明を読むことにより当業者には明らかになり得る。本発明者らは、当業者がこのような変形を適切なものとして使用することを期待しており、本発明者らは本発明が本明細書に具体的に記載されたとおりではなく別の方法で実行されることを意図する。したがって、本発明は、適用法によって許容されるように、本明細書に添付の特許請求の範囲に列挙された主題のすべての変形および同等物を含む。さらに、本明細書において別段の指示がない限り、または文脈で明らかに矛盾しない限り、それらのすべての可能な変形における上記の要素の任意の組み合わせが本発明に包含される。