(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-10-28
(45)【発行日】2022-11-08
(54)【発明の名称】リソグラフィ装置内部のサポートをクリーニングするための装置及び方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20221031BHJP
【FI】
G03F7/20 521
(21)【出願番号】P 2021521367
(86)(22)【出願日】2019-10-22
(86)【国際出願番号】 EP2019078693
(87)【国際公開番号】W WO2020094388
(87)【国際公開日】2020-05-14
【審査請求日】2021-06-03
(32)【優先日】2018-11-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】503195263
【氏名又は名称】エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ウォルシュ,ジェームス,ハミルトン
(72)【発明者】
【氏名】ジョンソン,リチャード,ジョン
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン,クリストファー,ロッシ
【審査官】植木 隆和
(56)【参考文献】
【文献】特開平09-306829(JP,A)
【文献】特開2002-313717(JP,A)
【文献】特開2009-147227(JP,A)
【文献】特表2012-523961(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01L 21/027
G03F 7/20
G03F 9/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィシステムにおいてサポート構造のクリーニングに使用するための装置であって、
前記サポート構造によって支持されるように構成された基板と、
前記基板に機械的に結合及び取り付けられ、前記基板の運動を誘起するように配置された、少なくとも1つのモータと、
前記基板上に取り付けられ、前記モータに電気的に接続された電源と、
を備える、装置。
【請求項2】
前記少なくとも1つのモータがピエゾ素子を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記少なくとも1つのモータが微小電気機械的機械を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項4】
前記少なくとも1つのモータがオフセット重みに接続された回転子を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項5】
前記電源が、前記電源を前記モータに選択的に接続するためのスイッチングデバイスを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項6】
前記電源がバッテリを
更に備える、請求項5に記載の装置。
【請求項7】
前記基板が、平坦面と、前記平坦面の少なくとも一部のコーティングとを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項8】
前記コーティングが研磨剤コーティングである、請求項7に記載の装置。
【請求項9】
前記コーティングが吸収された液体を含む、請求項7に記載の装置。
【請求項10】
前記吸収された液体がアルコールを含む、請求項9に記載の装置。
【請求項11】
前記コーティングが乾燥コーティングである、請求項7に記載の装置。
【請求項12】
前記基板上に取り付けられた少なくとも1つのセンサを更に備える、請求項1から11のいずれか一項に記載の装置。
【請求項13】
前記センサが前記基板の横方向移動を測定するように構成された、請求項12に記載の装置。
【請求項14】
前記基板上に取り付けられた少なくとも1つの制御ユニットを更に備える、請求項1から13のいずれか一項に記載の装置。
【請求項15】
前記制御ユニットが、前記モータによって生じる前記基板の運動に関する少なくとも1つのパラメータを制御するように構成された、請求項14に記載の装置。
【請求項16】
前記パラメータが前記運動の振幅である、請求項15に記載の装置。
【請求項17】
前記パラメータが前記運動の周波数である、請求項15に記載の装置。
【請求項18】
前記パラメータが前記運動の持続時間である、請求項15に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は、2018年11月9日出願の米国仮特許出願第62/757,854号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本開示は、リソグラフィ装置内部のパターニングデバイス又はウェーハなどの基板を保持するために使用される、クランプなどのサポートをクリーニングするための方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、半導体材料のウェーハなどの基板上に、通常は基板のターゲット部分上に、所望のパターンを適用する機械である。パターニングデバイスは、代替的にマスク又はレチクルと呼ばれ、ウェーハの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成するために使用することができる。パターンの転写は、典型的には、ウェーハに提供される放射感応性材料(レジスト)の層上に結像することによって達成される。一般に、単一のウェーハは、連続的にパターン付与される近接するターゲット部分を含むことになる。本明細書の本箇所及び他の箇所で、「基板」という用語は、パターニングデバイス及びウェーハの両方を言い表すために使用され得る。
【0004】
[0004] リソグラフィは、IC並びに他のデバイス及び/又は構造の製造における主要な工程の1つとして、広く理解される。リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型のICあるいは他のデバイス及び/又は構造を製造できるようにするための、より一層重要な要素になりつつある。
【0005】
[0005] リソグラフィツールにおける照明システムは、深紫外線(DUV)波長でレーザ放射を生成する。DUV放射を生成するための1つのシステムは、主発振器パワー増幅器(MOPA)デュアルガス放電チャンバ構成の使用を含む。パワー発振器(「PO」)などの他の増幅器構成をレーザシステムに提供する、同様の主発振器シードも使用可能である。これらは一般に、マルチチャンバレーザシステムであり、例えば、発振器シードパルス生成部分を含み、その後にシードパルスを受信する増幅器部分によるシードパルスの増幅が続く、2チャンバレーザシステムである。
【0006】
[0006] 極端紫外線(「EUV」)光、例えば、およそ50nm以下の波長を有し、また約13.5nmの波長の光を含む、電磁放射(軟X線と呼ばれることもある)は、フォトリソグラフィプロセスにおいて、シリコンウェーハなどの基板上に極端に小さなフィーチャを生成するために使用される。本明細書の本箇所及び他の箇所で、「光」という用語が使用されるが、この用語を使用して説明される放射はスペクトルの可視部分内に無くてもよいことを理解されよう。EUV光を生成するための方法は、ターゲット材料を液体状態からプラズマ状態に変換することを含む。ターゲット材料は、好ましくは、EUV領域内に1本以上の輝線を伴う、少なくとも1つの元素、例えばキセノン、リチウム、又はスズを含む。こうした、しばしばレーザ生成プラズマ(「LPP」)と呼ばれる一方法において、必要なプラズマは、レーザビームを使用して、必要な線発光元素を有するターゲット材料を照射することによって生成される。
【0007】
[0007] DUVシステム及びEUVシステムはどちらも、ウェーハを照明するために使用するビーム上に結像されるレチクルなどの、何らかの形のパターニングデバイスを使用する。パターニングデバイス及びウェーハはどちらも、何らかの形のクランプ構造によって定位置に保持される。例えばリソグラフィ装置では、スキャンステージ上のパターニングレチクルを保持するために、静電チャック(ESC)が使用される。真空チャック又は機械的クランプ構造も使用可能である。使用の過程で、これらのクランプ構造の表面は汚染される可能性がある。レチクルを例にとると、現在のマイクロリソグラフィツールに装荷される多数のレチクルは、レチクルクランプ表面の汚染につながる可能性がある。この汚染は、生成問題につながる可能性がある。例えば汚染は、オーバーレイエラーを生じさせ、機能しないデバイスの製造につながる可能性がある。したがって、汚染物質を除去するために、これらのクランプ構造をクリーニングする必要がある。レチクルステージチャックの手動クリーニングは、典型的には溶剤及び拭き取り布を使用して実施される。そのためには人がアクセスするためのツールの開口部が必要であり、これが他の汚染、生産性損失の拡張、及びツールへの損傷の可能性につながる可能性がある。
【0008】
[0008] 別の例として、DUVツールの場合、クリーニングレチクルの自動的な移動が、移送中にレチクルの表面をツールの他の部分に接触させ、したがって潜在的に汚染を広げる可能性がある。レチクル移送システムは、ステージ上のレチクルのディストーションを最小限にするように設計されるため、レチクル移送システムにおける横方向の力は最小限になる。これにより、レチクルステージチャック表面をクリーニングするための側面負荷の印加は実質的に排除される。レチクルとステージチャックとの間に横方向の力がない場合、クリーニング運動は困難である。
【0009】
[0009] 同様の汚染問題は、リソグラフィツール内の他のクランプ表面についても存在する。本明細書及びその他において確認されるかどうかにかかわらず、これらの問題を緩和すること、又は、既存の装置又は方法の代替を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【0010】
[0010] 下記に、実施形態を基本的に理解するための1つ以上の実施形態の簡略化された概要を提示する。本概要は、すべての企図される実施形態の広範な概要ではなく、すべての実施形態の主要な要素又は必須の要素を識別すること、あるいは、いずれか又はすべての実施形態の範囲の境界を画することは、意図されていない。その唯一の目的は、後に提示するより詳細な説明の前段階として、1つ以上の実施形態のいくつかの概要を簡略化された形で提示することである。
【0011】
[0011] 一実施形態の一態様に従い、リソグラフィシステムにおいてサポート構造のクリーニングに使用するための装置が開示され、装置は、サポート構造によって支持されるように構成された基板と、基板に機械的に取り付け及び結合され、基板の運動を誘起するように配置された、少なくとも1つのモータとを備える。少なくとも1つのモータは、例えば、ピエゾ素子、微小電気機械的機械、又はオフセット重みに接続された回転子を、備えることができる。装置は、基板上に取り付けられ、モータに選択的電気的に接続された電源を、更に備えることができる。電源は、バッテリを備えることができる。基板は、平坦面と、平坦面の少なくとも一部のコーティングとを、備えることができる。コーティングは、研磨剤コーティングであってよい。コーティングは、アルコールを含み得る吸収された液体を含むことができる。コーティングは、乾燥コーティングであってよい。装置は、基板上に取り付けられた少なくとも1つのセンサを更に備えることができる。センサは、基板の横方向移動を測定するように構成可能である。装置は、基板上に取り付けられた少なくとも1つの制御ユニットを更に備えることができる。制御ユニットは、モータによって生じる基板の運動に関する少なくとも1つのパラメータを制御するように構成可能である。パラメータは、運動の振幅、又は運動の周波数、又は運動の持続時間であってよい。
【0012】
[0012] 一実施形態の一態様に従い、リソグラフィ装置内のサポートの表面から粒子を除去する方法が開示され、方法は、サポート構造上の基板を位置決めするステップであって、基板は少なくとも1つのモータを含む、基板を位置決めするステップと、モータにパワーを供給することによって、基板が表面と接触している間に表面に対して横方向に移動するように、基板の原因運動を印加することによって、サポートの表面をクリーニングするステップと、基板を表面から遠くへ移動させるステップと、を含む。基板には材料の層を提供することが可能であり、表面をクリーニングするステップは、モータにパワーを供給することによって、表面に接触している間に材料の層を表面に対して横方向に移動させるステップを含むことができる。材料の層は研磨剤であってよい。材料の層は、アルコールを含み得る吸収された液体を含むことができる。材料の層は乾燥コーティングであってよい。クリーニングステップは、所定の持続時間の間に実行することができる。基板には、基板上に取り付けられた制御ユニットが提供可能であり、クリーニングステップの1つのパラメータは、制御ユニットによって制御可能である。パラメータは、運動の振幅、又は運動の周波数、又は運動の持続時間であってよい。
【0013】
[0013] 本発明の更なる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら下記で詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。こうした実施形態は、単なる例示の目的で本明細書に提示される。当業者であれば、本明細書に含まれる教示に基づいて、追加の実施形態が明らかとなろう。
【0014】
[0014] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、更に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【
図1】[0015]本発明の一実施形態に従った、リソグラフィ装置を示す非一定縮尺図である。
【
図2A】[0016]本発明の一実施形態の一態様に従った、クリーニング基板の実施形態を示す平面図である。
【
図2B】[0017]線B-Bに沿った
図2Aのクリーニング基板の断面図である。
【
図3A】[0018]本発明の一実施形態の一態様に従った、クランプ構造をクリーニングするためのクリーニング基板の使用を示す図である。
【
図3B】[0018]本発明の一実施形態の一態様に従った、クランプ構造をクリーニングするためのクリーニング基板の使用を示す図である。
【
図3C】[0018]本発明の一実施形態の一態様に従った、クランプ構造をクリーニングするためのクリーニング基板の使用を示す図である。
【
図3D】[0018]本発明の一実施形態の一態様に従った、クランプ構造をクリーニングするためのクリーニング基板の使用を示す図である。
【
図4】[0019]本発明の一実施形態の一態様に従った、クリーニング基板上の電子コンポーネントの可能な一配置を示す図である。
【
図5】[0020]本発明の一実施形態の一態様に従った、クランプ構造をクリーニングするためのクリーニング基板を使用する可能な方法を示すフローチャートである。
【0016】
[0021] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になるであろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び/又は構造が類似する要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の数字によって示される。
【発明を実施するための形態】
【0017】
[0022] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される1つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される1つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【0018】
[0023] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
【0019】
[0024] 本発明の実施形態の態様は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのいずれかの組み合わせにおいて実施可能である。また、本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実施することができる。機械読み取り可能媒体は、機械(例えばコンピューティングデバイス)によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含み得る。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号(例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等)、及び他のものを含むことができる。更に、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を記載することができる。しかしながらそのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。
【0020】
[0025] このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。
【0021】
[0026]
図1を参照すると、照明システム105を含むフォトリソグラフィシステム100である。下記で更に十分に説明するように、照明システム105は、パルス光ビーム110を生成し、これにパターンを付与し、これをウェーハ120に誘導する、光源を含む。ウェーハ120は、ウェーハ120を保持するように構成され、特定のパラメータに従ってウェーハ120を正確に位置決めするように構成されたポジショナに接続された、ウェーハテーブル125上に配置される。ウェーハテーブル120は、図に示されるように、バールトップ127を有することができる。
【0022】
[0027] サポート構造145は、パターニングデバイス140の配向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かなどの他の条件に応じた手法でパターニングデバイス140を保持する。サポート構造145は、機械的、真空式、静電式、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイス140を保持することができる。サポート構造145は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。サポート構造145は、パターニングデバイス140が例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにできる。サポート構造145には、図に示されるようにバールトップを提供することもできる。
【0023】
[0028] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するように、放射ビームにパターンを付与するために使用可能な、任意のデバイスを指すものとして広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応可能である。
【0024】
[0029] パターニングデバイスは、透過型又は反射型とすることができる。本明細書に示される場合、パターニングデバイスは反射型である(例えば、反射マスクを使用する)。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリ型、レベンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフト、並びに様々なハイブリッドマスク型などの、マスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、各小型ミラーを個別に傾斜させて入射する放射ビームを様々な方向に反射させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
【0025】
[0030] フォトリソグラフィシステム100は、例えば前述のようにDUV領域内又はEUV領域内の波長を有する、光ビーム110を使用する。光ビーム110の帯域幅は、その光学スペクトル(又は発光スペクトル)の実際の瞬時帯域幅とすることが可能であり、光ビーム110の光エネルギーが異なる波長にわたってどのように分散されるかに関する情報を含む。対物系配置(図示せず)は投影レンズを含み、パターニングデバイス140からウェーハ120への像転写を可能にする。照明システム105は、マスクに衝突する光ビーム110の角度領域を調節する。また照明システム105は、マスク全体にわたる光ビーム110の強度分布を均等化する。
【0026】
[0031] スキャナ115は、フィーチャの中でもとりわけ、リソグラフィコントローラ130、エアコンディショニングデバイス、及び様々な電気コンポーネント用の電源を含むことができる。リソグラフィコントローラ130は、層がウェーハ120上にどのようにプリントされるかを制御する。リソグラフィコントローラ130は、プロセスレシピなどの情報を記憶するメモリを含む。プロセスのプログラム又はレシピは、ウェーハ120上の露光の長さ、使用されるマスク、並びに露光に影響を与える他の要因を決定する。リソグラフィの間、光ビーム110の複数のパルスは、照明ドーズを構成するためにウェーハ120の同じエリアを照明する。
【0027】
[0032] フォトリソグラフィシステム100は、好ましくは制御システム135も含む。一般に、制御システム135は、デジタル電子回路、コンピュータハードウェア、ファームウェア、及びソフトウェアのうちの1つ以上を含む。制御システム135は、読み取り専用メモリ及び/又はランダムアクセスメモリであることが可能な、メモリも含む。コンピュータプログラム命令及びデータを有形に具体化するのに適したストレージデバイスは、例として、EPROM、EEPROM、及びフラッシュメモリデバイスなどの半導体メモリデバイスを含むすべての形の不揮発性メモリ、内部ハードディスク及びリムーバブルディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、並びに、CD-ROMディスクを含む。
【0028】
[0033] 制御システム135は、1つ以上の入力デバイス(キーボード、タッチスクリーン、マイクロフォン、マウス、ハンドヘルド入力デバイスなど)、及び1つ以上の出力デバイス(スピーカ又はモニタなど)も含むことができる。制御システム135は、1つ以上のプログラマブルプロセッサ、及び、1つ以上のプログラマブルプロセッサによる実行のために機械可読ストレージデバイス内に有形に具体化された1つ以上のコンピュータプログラム製品も含む。1つ以上のプログラマブルプロセッサは、各々、入力データ上で動作すること及び適切な出力を生成することによって、所望の機能を実行するための命令のプログラムを実行することができる。一般にプロセッサは、メモリから命令及びデータを受信する。前述のいずれも、特別に設計されたASIC(特定用途向け集積回路)によって補完するか、又はこうしたASICに組み込むことができる。制御システム135は、集中させるか、又は、フォトリソグラフィシステム100全体を通じて部分的又は全体的に分散させることができる。
【0029】
[0034] 投影システムは、照明システムと同様に、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、EUV放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
【0030】
[0035] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)又はそれ以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に1つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
【0031】
[0036] 前述のように、サポートのクランプ表面は、使用の間に汚染する可能性がある。基板の例として再度レチクルを使用する場合、現在のマイクロリソグラフィツールに装荷される多数のレチクルが、レチクルクランプ表面の汚染につながる可能性がある。これが、そうした表面のクリーニングの必要性につながる。手動のクリーニング動作を可能にするためにリソグラフィシステムを開くことで生産性が妨げられ、他の汚染問題又は手動動作からのツール損傷につながる可能性がある。したがって、ツールをオフラインで利用してシステムを開くいかなる必要もなしに、クランプ表面をインシチュ(in situ)でクリーニングできるシステムが求められている。
【0032】
[0037] この要求には、一実施形態の一態様に従い、横方向に移転すること、例えば、クランプ表面に接触している間に振動することが可能な、独自の動力源が与えられた専用のクリーニング基板を提供することによって応えられる。
【0033】
[0038]
図2Aは、一実施形態の一態様に従った、専用クリーニング基板200の平面図である。
図2Aのクリーニング基板200は、レチクルステージをクリーニングするために使用されるクリーニングレチクルであるが、他のタイプのクリーニング基板を使用して、リソグラフィツール内の他のサポートをクリーニングすることが可能であることを理解されよう。クリーニング基板200は、リソグラフィツール内でレチクル移送システムによって移送可能なように構成される。クリーニング基板200には、通常はこうしたフィデューシャル、プリアライメントマーク、アライメントマーク、バーコードなどを有するレチクルなどの、マーキング210が提供され得る。したがって、クリーニング基板200は、通常は完全に自動化された装荷及び移送を可能にするために必要な、すべてのマークを有する。
【0034】
[0039] クリーニング基板200には、モータ220の形の動力源も提供される。本明細書で使用する「モータ」という用語は、供給されたエネルギーを動力に変換することが可能な任意の装置又はデバイスを意味する。モータ220はクリーニング基板200上に取り付けられる。本明細書の本箇所及び他の箇所で使用する「取り付けられる」という用語は、クリーニング基板200と共に移送され、「オンボード」と本質的に同義であるように、クリーニング基板200に機械的に結合されることを意味する。モータ220は、例えばピエゾ素子、微小電気機械的機械、又は、回転素子及びオフセットを含むページャ型モータ(pager-type motor)とすることができる。モータ220は、クリーニング基板200のベースを横方向に(図の平面内を上下又は左右に)移動させるように配置可能である。モータ220は2つのモータを含むことが可能であり、一方は横方向に往復運動させ、他方は横方向に垂直に往復運動させるものである。モータ220は、異なる方向又は同じ方向に往復運動させる、複数のモータで構成可能である。モータ220は、クリーニング基板200が振動する速さを含む、様々な速さで運動可能である。
【0035】
[0040]
図2Aに示された配置は、オンボード電子モジュール230も含む。電子モジュール230の寸法は、自動化移送が可能な最大容量限界内でクリーニング基板が電子モジュール230を担持するように決定される。電子モジュール230はモータ220の駆動信号を生成する。電子モジュール230はオンボード電源を含むことができる。代替として、電力は、レチクルステージからクリーニングレチクル200上の接点を介して供給してもよい。電子モジュール230は、電源に加えて、(例えば、振幅、持続時間、周波数について、予めプログラム可能な)振動パターンを決定するための、論理も含むことができる。電子モジュール230は、振動を検証するため、あるいはクリーニング動作の他の態様を感知又は検出するための、センサも含むことができる。
【0036】
[0041]
図2Bは、
図2Aの線BBに沿ったクリーニング基板200の断面図である。図を見るとわかるように、クリーニング基板200は、クリーニングするべきクランプ表面に接触する層240も含むことができる。層240は、クリーニングを実行するためのパッドを含むことができる。層240は必要又は所望に応じて、研磨剤表面、クリーナ又はアルコールを伴う湿った表面、又は乾燥表面とすることができる。層240は、レチクルステージチャックをクリーニングするのに適した特性を備えた、薄膜からなるものとすることができる。層240は、チャックから荷電粒子を引き付けるように、静電的に帯電させることも可能である。
【0037】
[0042] クリーニング基板200がステージ上でレチクルハンドラグリッパによってクランプされると、モータ220が作動してクリーニング基板200を振動させ、レチクルチャックに対する小さな運動を可能にし、クリーニング動作を実行することができる。クリーニングの際、クリーニング基板200とそのモータ及び電子回路並びにレチクルハンドラグリッパの質量は、クリーニングを可能にするのに十分な垂直抗力をレチクルステージチャックに与えることができる。振動動作は、レチクルのディストーションを制限するために横方向の力を制限する既存のツールの変更なしに、レチクルチャック接触表面に対するクリーニング表面の横方向の移動を可能にする。
【0038】
[0043] クランプ表面をインシチュで(すなわち、クランプはチャンバから取り外さずに定位置のままで、クランプが配置されているチャンバ内の真空を妨げることなく)クリーニングする機能は、クランプを取り外すダウンタイムの不利益を回避する。
【0039】
[0044]
図3Aから
図3Dは、実施形態の一態様に従った、粒子除去プロセスを示す。クリーニング基板200と共に、クランプ構造300の側面図が示される。
図3Aでは、クリーニング基板200は、クランプ構造300のクランプ表面に近づけるように準備される。
図3Bでは、クリーニング基板200は、クランプ構造300のクランプ表面と接触するように移動される。
図3Cでは、クリーニング基板200は横方向に移動され、したがってクランプ構造300のクランプ表面に対して相対的に横方向のクリーニング基板200の変位を作り出す。この相対的変位が、クランプ表面の汚染物質を取り除き、クリーニング基板200に転移させる。
図3Dでは、クリーニング基板はクランプ表面から遠くへ移動される。次いでクリーニング基板200は、従来のレチクルと同様に移送及び取り外すことができる。
【0040】
[0045] 一実施形態において、
図3Aから
図3Dに示された各動作は、例えばリソグラフィ装置内で自動的に実行可能である。したがってクリーニング手順は、クランプ構造300を手動でクリーニングする必要なく実行することができる。例えばリソグラフィ装置内でのクランプ構造300の手動クリーニングは、装置の通気及び/又は部分的な分解を必要とする。加えて手順は、クランプ構造300の表面から更なる汚染物質を除去し続けるために、所望に応じて何回も繰り返してよい。手順は、同じクリーニングレチクル、同じタイプの新しいクリーニングレチクル、又は異なるタイプの層を有するクリーニングレチクルを使用して、繰り返すことができる。
【0041】
[0046] クランプ構造300の表面に対するクリーニング基板200の横方向運動は、振幅(横方向偏差の範囲)、往復運動の周波数、持続時間、及び反復を含む、いくつかのパラメータによって特徴付けることができる。振幅は、例えばマイクロメートルから数百マイクロメートルの領域内とすることができる。周波数は、例えば約10Hzから約1000Hzの範囲とすることができる。持続時間は、例えば約100ミリ秒からおそらく約10秒の範囲とすることができる。反復は、電源の交換又はおそらく再充電、あるいはクリーニング層の交換又は補充の必要性によって制限される、所望の回数だけ繰り返すことができる。
【0042】
[0047]
図4は、モータ220及び電子回路モジュール230の例の追加の細部を示す、機能ブロック図である。図に示されるように、電子回路モジュール230は、電源400、論理回路410、及びセンサ420を含むことができる。電源400に関しては、電圧源が基板上に取り付け可能なように企図される一方で、基板が動作位置にあるときに、外部電圧供給との接続を形成するように配置された接点を伴う電極に電気的に接続された、少なくとも1つの接点を、基板に提供することも可能である。オンボード電源400は、バッテリ及び電圧コンバータを備えることができる。オンボード電源400は、オンボード電源400を電極に選択的に接続するためのスイッチングデバイスも備えることができる。スイッチングデバイスは、例えば、クランプ構造300が配設された真空チャンバの外側から制御可能な機械インターフェースによって伝送される信号によって、活動化することができる。
【0043】
[0048]
図5は、開示するクリーニング基板を使用する方法を示すフローチャートである。ステップS510において、図内ではCSと略されるクリーニング基板は、真空の外側のポジショナ上に配置され、クランプに近い真空内の位置に移動される。ステップS512において、クリーニング基板はクリーニングするべきクランプ表面と接触するように移動される。ステップS514において、クリーニング基板がクランプ表面に対して移動するように、クリーニング基板は通電され、すなわちクリーニング基板上のモータは電圧源に接続される。ステップS516において、クランプから十分な汚染が除去されたかどうかを判定する。十分な汚染が除去されていない場合、方法はステップS514に戻り、クリーニング基板は通電されたままである。十分な汚染が除去された場合、ステップS518において、クリーニング基板は通電解除され、すなわちモータは電圧源から切断される。次いでステップS520において、クリーニング基板をクランプから遠くへ、また真空の外へ、移動するために、ポジショナが活動化される。ステップS516は、十分な粒子を取り除くのに十分なように、先験的に既知の所定の時間長さの間、クリーニング基板を通電することのみによって実装可能であるか、又は、ステップS516は、クランプ表面の汚染を調査し、その調査の結果に基づいてクリーニング基板の通電をいつ停止するかを決定する、監視システムの使用によって実装可能であることを、理解されたい。
【0044】
[0049] 粒子がクランプ構造300から除去されると、粒子がクリーニングされたクリーニング基板200を取り外して再使用することができる。
【0045】
[0050] 下記の条項を使用して、実施形態を更に説明することができる。
1.リソグラフィシステムにおいてサポート構造のクリーニングに使用するための装置であって、
サポート構造によって支持されるように構成された基板と、
基板に機械的に結合及び取り付けられ、基板の運動を誘起するように配置された、少なくとも1つのモータと、
を備える、装置。
2.少なくとも1つのモータがピエゾ素子を備える、条項1の装置。
3.少なくとも1つのモータが微小電気機械的機械を備える、条項1の装置。
4.少なくとも1つのモータがオフセット重みに接続された回転子を備える、条項1の装置。
5.基板上に取り付けられ、モータに選択的電気的に接続された電源を、更に備える、条項1の装置。
6.電源がバッテリを備える、条項5の装置。
7.基板が、平坦面と、平坦面の少なくとも一部のコーティングとを備える、条項1の装置。
8.コーティングが研磨剤コーティングである、条項7の装置。
9.コーティングが吸収された液体を含む、条項7の装置。
10.吸収された液体がアルコールを含む、条項9の装置。
11.コーティングが乾燥コーティングである、条項7の装置。
12.基板上に取り付けられた少なくとも1つのセンサを更に備える、条項1から11のいずれか一項の装置。
13.センサが基板の横方向移動を測定するように構成された、条項12の装置。
14.基板上に取り付けられた少なくとも1つの制御ユニットを更に備える、条項1から13のいずれか一項の装置。
15.制御ユニットが、モータによって生じる基板の運動に関する少なくとも1つのパラメータを制御するように構成された、条項14の装置。
16.パラメータが運動の振幅である、条項15の装置。
17.パラメータが運動の周波数である、条項15の装置。
18.パラメータが運動の持続時間である、条項15の装置。
19.リソグラフィ装置内のサポートの表面から粒子を除去する方法であって、方法は、
サポート構造上の基板を位置決めするステップであって、基板は少なくとも1つのモータを含む、基板を位置決めするステップと、
モータにパワーを供給することによって、基板が表面と接触している間に表面に対して横方向に移動するように、基板の原因運動を印加することによって、サポートの表面をクリーニングするステップと、
基板を表面から遠くへ移動させるステップと、
を含む。
20.基板に材料の層が提供され、表面をクリーニングするステップは、モータにパワーを供給することによって、表面に接触している間に材料の層を表面に対して横方向に移動させるステップを含む、条項19の方法。
21.材料の層が研磨剤である、条項20の方法。
22.材料の層が吸収された液体を含む、条項20の方法。
23.吸収された液体がアルコールを含む、条項22の方法。
24.材料の層が乾燥コーティングである、条項20の方法。
25.クリーニングステップが所定の持続時間の間に実行される、条項19の方法。
26.基板に、基板上に取り付けられた制御ユニットが提供され、クリーニングステップの1つのパラメータが、制御ユニットによって制御される、条項19又は20の方法。
27.パラメータが運動の振幅である、条項26の方法。
28.パラメータが運動の周波数である、条項26の方法。
29.パラメータが運動の持続時間である、条項26の方法。
【0046】
[0051] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【0047】
[0052] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【0048】
[0053] 特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【0049】
[0054] 以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。
【0050】
[0055] 特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び/又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示及び案内に照らして当業者によって解釈されるべきである。
【0051】
[0056] 本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。