特許7169513IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

基板の裏面に蛍光体を含む透光体を接合した後、基板および透光体を一括して割断する場合には、基板の裏面側から透光体を介して基板の内部にレーザ光を集光させることは難しい。そのため、複数の凸部が形成された基板の表面側からレーザ光を照射し、基板の内部に改質領域を形成することが求められる。しかしながら、その場合、レーザ光が複数の凸部によって散乱され、基板の内部に改質領域を形成することが困難となる懸念がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、複数の凸部が形成された第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する基板の前記第1面上に、発光層を含む半導体構造を形成する工程と、前記半導体構造の一部を除去し、前記半導体構造から前記第1面が露出した露出領域を形成することで、前記半導体構造を複数の発光部に区画する工程と、前記露出領域に形成された前記凸部をエッチングする工程と、前記第2面に蛍光体を含・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の発光素子の製造方法によれば、レーザ光を基板の内部に効率良く集光させることで改質領域を形成し、複数の凸部が形成された基板と、蛍光体を含む透光体との接合体を改質領域に沿って分割することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図1B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図2A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図2B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図3A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式平面図である。
【図3B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図4A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図4B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図5A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式平面図である。
【図5B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図6A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図6B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図7A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を示す模式平面図である。
【図7B】 本発明の一実施形態の発光素子の模式平面図である。
【図8A】 本発明の他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図8B】 本発明の他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図9】 本発明の他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式平面図である。
【図10A】 本発明の他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図10B】 本発明の他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図11A】 本発明のさらに他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図11B】 本発明のさらに他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図12A】 本発明のさらに他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
【図12B】 本発明のさらに他の実施形態の発光素子の製造方法を示す模式断面図である。
1…発光素子、10…基板、11…第1面、12…第2面、13…凸部、14…第3面、20…半導体構造、20a…発光層、20n…n側半導体層、20p…p側半導体層、21n…n電極、21p…p電極、31…発光部、32…露出領域、40…透光体、50…接合体、60…改質領域、71…第1領域、72…第2領域

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