特許7172747シリコン単結晶の抵抗率測定方法

発明の名称　シリコン単結晶の抵抗率測定方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 517 位（17件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 498 位（16件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7172747

公報発行日　2022年11月16

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7172747

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