(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-08
(45)【発行日】2022-11-16
(54)【発明の名称】アノードホルダ、及びめっき装置
(51)【国際特許分類】
C25D 17/10 20060101AFI20221109BHJP
C25D 17/00 20060101ALI20221109BHJP
C25D 21/04 20060101ALI20221109BHJP
【ＦＩ】
C25D17/10 A
C25D17/00 H
C25D21/04
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2019107724
(22)【出願日】2019-06-10
(65)【公開番号】P2020200502
(43)【公開日】2020-12-17
【審査請求日】2021-10-12
(73)【特許権者】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【弁理士】
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(74)【代理人】
【識別番号】100186613
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100172041
【弁理士】
【氏名又は名称】小畑 統照
(72)【発明者】
【氏名】神田 裕之
(72)【発明者】
【氏名】池田 大成
(72)【発明者】
【氏名】木村 誠章
(72)【発明者】
【氏名】長井 瑞樹
【審査官】池ノ谷 秀行
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－１５１５５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２７５６９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００７－５０５９９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０３８２０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１５１２１８（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２５Ｄ １７／００－２１／２２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
めっき装置に用いられるアノードを保持するためのアノードホルダであって、前記アノードホルダの内部に形成され、前記アノードを収容するための内部空間と、
複数の孔を有し、前記内部空間の前面を覆うように構成されるマスクと、
隔膜であって、前記マスクにおける前記内部空間の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、
を備え、
前記隔膜および前記マスクを介して前記アノードホルダの前記内部空間と外部とが仕切られ、
前記マスクは、前記隔膜における前記内部空間とは反対側に固定されており、
前記隔膜は、前記マスクと前記アノードとによって挟まれることにより前記マスクに固定される、
アノードホルダ。
【請求項2】
前記隔膜と前記マスクとを密着させる密着層を備える、請求項１に記載のアノードホルダ。
【請求項3】
前記隔膜と前記マスクとは互いに接着または溶着されている、請求項１又は２に記載のアノードホルダ。
【請求項4】
前記複数の孔による開口率が２％以上２５％以下である、請求項１から３の何れか１項に記載のアノードホルダ。
【請求項5】
前記隔膜と前記マスクとの少なくとも一方を支持する基体を備え、前記隔膜と前記マスクとは、前記基体によって支持される第１領域とは異なる第２領域で互いに固定される、
請求項１から４の何れか１項に記載のアノードホルダ。
【請求項6】
前記複数の孔のそれぞれは、前記隔膜から離れるほど径が大きくなるテーパ状である、請求項１から５の何れか１項に記載のアノードホルダ。
【請求項7】
前記隔膜と前記マスクとは、前記めっき装置において鉛直方向に延在するように配置される、請求項１から６の何れか１項に記載のアノードホルダ。
【請求項8】
前記マスクは樹脂で形成される、請求項１から７の何れか１項に記載のアノードホルダ。
【請求項9】
前記隔膜は、イオン交換膜又は中性隔膜である、請求項１から８の何れか１項に記載のアノードホルダ。
【請求項10】
めっき液槽と、複数の孔を有し、前記めっき液槽を、アノードが配置されるアノード槽とカソードが配置されるカソード槽とに区分けするマスクと、
隔膜であって、前記マスクにおける前記アノード槽の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、
を備え、
前記隔膜および前記マスクを介して前記アノード槽と前記カソード槽とが仕切られ、
前記マスクは、前記隔膜における前記カソード槽側に固定されており、
前記隔膜は、前記マスクと前記アノードとによって挟まれることにより前記マスクに固定される、
めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、アノードホルダ、及びめっき装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【0003】
電解めっき法に用いるめっき装置は、半導体ウェハ等の基板を保持した基板ホルダと、アノードを保持したアノードホルダと、多種類の添加剤を含むめっき液を収容するめっき液槽とを有する。このめっき装置において半導体ウェハ等の基板表面にめっき処理を行うときは、基板ホルダとアノードホルダとがめっき液槽内で対向配置される。この状態で基板とアノードとを通電させることで、基板表面にめっき膜が形成される。なお、添加剤は、めっき膜の成膜速度を促進又は抑制する効果や、めっき膜の膜質を向上させる効果等を有する。
【0004】
従来、アノードホルダに保持されるアノードとして、めっき液に溶解する溶解性アノード又はめっき液に溶解しない不溶性アノードが用いられている。不溶性アノードを用いてめっき処理を行った場合、アノードとめっき液との反応により酸素が発生する。めっき液の添加剤はこの酸素と反応して分解される。添加剤が分解されると、添加剤は上述した効果を失い、基板表面に所望の膜を得ることができないという問題がある（たとえば、特許文献１参照）。また、溶解性アノードとしてたとえば含リン銅を用いた場合、非電解時にアノードから発生する一価銅との反応により、添加剤、特に促進剤の変質が生じることも知られている。これを防止するためには、めっき液中の添加剤の濃度が一定以上に保たれるように添加剤をめっき液に随時追加すればよい。しかしながら、添加剤は高価であるので、できる限り添加剤の分解を抑制することが望ましい。
【0005】
このため、めっき液槽内において、アノードが配置される空間（アノード槽）と、基板およびカソードが配置される空間（カソード槽）とを、隔膜で仕切り、めっき液中の添加剤がアノードへ到達することを抑制して添加剤の分解を抑制することが提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特許第２５１０４２２号
【文献】特開２００９－１５５７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記のように、添加剤を構成する分子の平均的な大きさよりも小さい微細孔を有する隔膜によって、カソード槽内のめっき液に含まれる添加剤がアノード槽内へ移動することが抑制され、添加剤の分解が抑制される。ここで、従来、隔膜は、アノードホルダ、アノードボックス、又はレギュレートプレートにおける開口を覆うように設けられていた。しかしながら、本発明者らの研究により、従来の構成では、隔膜がカソード槽内のめっき液と
作用する領域が広いために添加材が消耗しており、改良の余地があることが分かった。
作用する領域が広いために添加材が消耗しており、改良の余地があることが分かった。
【0008】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、めっき装置における添加剤の消耗を抑制することができるアノードホルダ、及びめっき装置を提案することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一実施形態によれば、めっき装置に用いられるアノードを保持するためのアノードホルダが提案され、前記アノードホルダは、前記アノードホルダの内部に形成され、前記アノードを収容するための内部空間と、複数の孔を有し、前記内部空間の前面を覆うように構成されるマスクと、隔膜であって、前記マスクにおける前記内部空間の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、を備える。かかるアノードホルダによれば、マスクによって隔膜とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、アノードへ添加剤が到達することをより抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【0010】
本発明の別の一実施形態によれば、めっき装置が提案され、前記めっき装置は、めっき液槽と、複数の孔を有し、前記めっき液槽を、アノードが配置されるアノード槽とカソードが配置されるカソード槽とに仕切るマスクと、隔膜であって、前記マスクにおける前記内部空間の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、を備える。かかるめっき装置によれば、マスクによって隔膜とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、アノードへ添加剤が到達することをより抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】第１実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。
【図2】本実施形態に係るアノードホルダの平面図である。
【図4】ホルダベースカバーを取り外した状態のアノードホルダの分解斜視図である。
【図5】ホルダベースカバーを取り外した状態のアノードホルダの平面図である。
【図7】第１変形例による隔膜及びマスクの取付構造を模式的に示す図である。
【図8】第２変形例による隔膜及びマスクの取付構造を模式的に示す図である。
【図9】第３変形例による隔膜及びマスクの取付構造を模式的に示す図である。
【図10】第４変形例による隔膜及びマスクの取付構造を模式的に示す図である。
【図11】第５変形例による隔膜及びマスクの取付構造を模式的に示す図である。
【図12】第６変形例による隔膜及びマスクの取付構造を模式的に示す図である。
【図13】第１例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図14】第２例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図15】第３例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図16】第４例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図17】第５例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図18】第６例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図19】第７例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図20】第８例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図21】第９例の隔膜とマスクとの固定部分を示している。
【図22】第２の実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。
【図23】第３の実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下に、本発明に係るめっき装置、及びアノードホルダの実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
【0013】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。図１に示すように、めっき装置は、内部にめっき液を保持するめっき液槽５０と、めっき液槽５０内に配置されたアノード４０と、アノード４０を保持するアノードホルダ６０と、基板ホルダ１８とを備えている。基板ホルダ１８は、ウェハなどの基板Ｗを着脱自在に保持し、かつ基板Ｗをめっき液槽５０内のめっき液に浸漬させるように構成されている。本実施形態に係るめっき装置は、めっき液に電流を流すことで基板Ｗの表面を金属でめっきする電解めっき装置である。
図１は、第１実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。図１に示すように、めっき装置は、内部にめっき液を保持するめっき液槽５０と、めっき液槽５０内に配置されたアノード４０と、アノード４０を保持するアノードホルダ６０と、基板ホルダ１８とを備えている。基板ホルダ１８は、ウェハなどの基板Ｗを着脱自在に保持し、かつ基板Ｗをめっき液槽５０内のめっき液に浸漬させるように構成されている。本実施形態に係るめっき装置は、めっき液に電流を流すことで基板Ｗの表面を金属でめっきする電解めっき装置である。
【0014】
基板Ｗは、例えば、半導体基板、ガラス基板、または樹脂基板である。基板Ｗの表面にめっきされる金属は、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、Ｓｎ－Ａｇ合金、またはコバルト（Ｃｏ）である。
【0015】
アノード４０および基板Ｗは鉛直方向に延在するように、つまりアノード４０および基板Ｗの板面が水平方向に向くように配置され、且つめっき液中で互いに対向するように配置される。アノード４０はアノードホルダ６０を介して電源９０の正極に接続され、基板Ｗは基板ホルダ１８を介して電源９０の負極に接続される。アノード４０と基板Ｗとの間に電圧を印加すると、電流は基板Ｗに流れ、めっき液の存在下で基板Ｗの表面に金属膜が形成される。
【0016】
めっき液槽５０は、基板Ｗおよびアノード４０が内部に配置されるめっき液貯留槽５２と、めっき液貯留槽５２に隣接するオーバーフロー槽５４とを備えている。めっき液貯留槽５２内のめっき液はめっき液貯留槽５２の側壁を越流してオーバーフロー槽５４内に流入するようになっている。
【0017】
オーバーフロー槽５４の底部には、めっき液循環ライン５８ａの一端が接続され、めっき液循環ライン５８ａの他端はめっき液貯留槽５２の底部に接続されている。めっき液循環ライン５８ａには、循環ポンプ５８ｂ、恒温ユニット５８ｃ、及びフィルタ５８ｄが取り付けられている。めっき液は、めっき液貯留槽５２の側壁をオーバーフローしてオーバーフロー槽５４に流入し、さらにオーバーフロー槽５４からめっき液循環ライン５８ａを通ってめっき液貯留槽５２に戻される。このように、めっき液は、めっき液循環ライン５８ａを通じてめっき液貯留槽５２とオーバーフロー槽５４との間を循環する。
【0018】
めっき装置は、基板Ｗ上の電位分布を調整する調整板（レギュレーションプレート）１４と、めっき液貯留槽５２内のめっき液を攪拌するパドル１６とをさらに備えている。調整板１４は、パドル１６とアノード４０との間に配置されており、めっき液中の電場を制限するための開口１４ａを有している。パドル１６は、めっき液貯留槽５２内の基板ホルダ１８に保持された基板Ｗの表面近傍に配置されている。パドル１６は例えばチタン（Ｔｉ）または樹脂から構成されている。パドル１６は、基板Ｗの表面と平行に往復運動することで、基板Ｗのめっき中に十分な金属イオンが基板Ｗの表面に均一に供給されるようにめっき液を攪拌する。
【0019】
図２は、アノードホルダ６０の平面図であり、図３は、図２に示した３－３断面におけるアノードホルダ６０の側断面図であり、図４は、ホルダベースカバー６３を取り外した状態のアノードホルダ６０の分解斜視図であり、図５は、ホルダベースカバー６３を取り外した状態のアノードホルダ６０の平面図である。なお、図５においては便宜上、把持部６４－２が透過した状態のアノードホルダ６０が示されている。また、図４及び図５においては、便宜上、アノード４０が取り外された状態のアノードホルダ６０が示されている。また、本明細書において、「上」及び「下」はアノードホルダ６０がめっき液槽５０に鉛直に収容された状態における上方向及び下方向をいう。同様に、本明細書において、「前面」は、アノードホルダ６０が基板ホルダと対向する側の面をいい、「背面」は前面と逆側の面をいう。
【0020】
図２～図４に示すように、本実施形態に係るアノードホルダ６０は、アノード４０を収容する内部空間６１を有する略矩形状のホルダベース６２と、ホルダベース６２の上部に形成された一対の把持部６４－１，６４－２と、同じくホルダベース６２の上部に形成された一対のアーム部７０－１，７０－２と、を備える。また、アノードホルダ６０は、ホルダベース６２の前面を部分的に覆うホルダベースカバー６３と、内部空間６１を覆うようにホルダベースカバー６３の前面に設けられた隔膜６６と、複数の孔６７ａを有して隔膜６６に固定されたマスク６７と、隔膜６６及びマスク６７の前面に設けられた外縁マスク６８と、を有する。なお、本実施形態では、隔膜６６とマスク６７とを支持するホルダベースカバー６３が「基体」に当たる。
【0021】
図２及び図５に示すように、ホルダベース６２は、その下部の外表面から内部空間６１まで延在し、内部空間６１に連通する孔７１を有する。また、ホルダベース６２は、その上部の把持部６４－１，６４－２間に、内部空間６１の空気を排出するための空気排出口８１を有する。ホルダベース６２がめっき液に浸漬されたとき、めっき液が孔７１から内部空間６１に流入するとともに、内部空間６１の空気が空気排出口８１から排出される。また、アノード４０として不溶性アノードを用いた場合、めっき処理中にアノード４０から発生する酸素も、空気排出口８１を通じて排出される。空気排出口８１は、空気の排出を妨げないように形成された蓋８３により閉止される。
【0022】
また、図３に示すように、ホルダベースカバー（基体）６３の略中央部には、アノード４０の径よりも大きい径を有する環状の開口６３ａが形成されている。ホルダベースカバー６３は、ホルダベース６２とともに内部空間６１を形成する。隔膜６６は、開口６３ａの前面に設けられ、内部空間６１を閉鎖する。本実施形態では、隔膜６６の一方の板面には、複数の孔６７ａを有するマスク６７が固定されている。隔膜６６及びマスク６７の外周縁部の前方には、隔膜押え６９が取り付けられ、隔膜押え６９の前方に外縁マスク６８が設けられる。また、ホルダベースカバー６３の前面には、開口６３ａに沿って、例えばＯ－リング等からなる環状の第１のシール部材８４が設けられる。隔膜押え６９により隔膜６６及びマスク６７が第１のシール部材８４に押圧されることで、開口６３ａが密閉される。即ち、第１のシール部材８４は、隔膜６６と内部空間６１との間を密閉することができる。これにより、隔膜６６及びマスク６７を介して内部空間６１と外部空間とが仕切られる。
【0023】
隔膜６６は、例えば陽イオン交換膜のようなイオン交換膜、又は中性隔膜である。隔膜６６は、めっき液中の添加剤を通過させることなく、めっき処理時にアノード側からカソード側へ陽イオンを通過させることができる。隔膜６６の具体的な一例として、（株）ユアサメンブレン製のユミクロン（登録商標）が挙げられる。
【0024】
マスク６７は、複数の孔６７ａを有する板状の部材であり、隔膜６６とめっき液とが接触する領域を低減するために設けられている。マスク６７の板厚は、例えば約１ｍｍであ
る。マスク６７は、例えば、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）といった樹脂、又はチタン（Ｔｉ）といった金属などで形成される。マスク６７は、隔膜６６の板面に固定される。図２～図５に示す例では、マスク６７は、隔膜６６の前方、つまり隔膜６６における外部空間側（内部空間６１とは反対側）に固定されている。ただし、こうした例に限定されず、マスク６７は、隔膜６６の後方、つまり隔膜６６における内部空間６１側に固定されてもよいし、隔膜６６の前方および後方の両方に固定されてもよい。
る。マスク６７は、例えば、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）といった樹脂、又はチタン（Ｔｉ）といった金属などで形成される。マスク６７は、隔膜６６の板面に固定される。図２～図５に示す例では、マスク６７は、隔膜６６の前方、つまり隔膜６６における外部空間側（内部空間６１とは反対側）に固定されている。ただし、こうした例に限定されず、マスク６７は、隔膜６６の後方、つまり隔膜６６における内部空間６１側に固定されてもよいし、隔膜６６の前方および後方の両方に固定されてもよい。
【0025】
マスク６７には、複数の孔６７ａが形成されている。複数の孔６７ａのそれぞれは、例えば一端から他端までの最大距離（複数の孔６７ａが円形である場合には内径）が１０ｍｍ以下であることが好ましく、特に、８ｍｍ以下、５ｍｍ以下、３ｍｍ以下、又は２ｍｍ以下であることが好ましい。また、複数の孔６７ａのそれぞれは、円形であることが好ましいが、楕円形、又は多角形等であってもよい。さらに、図２～図５に示す例では、複数の孔６７ａのそれぞれは同一寸法であるものとしているが、こうした例に限定されない。例えば、複数の孔６７ａは、アノード４０の中心に近いほど寸法が大きくアノード４０の中心から離れるほど寸法が小さくされてもよいし、反対にアノード４０の中心に近いほど寸法が小さくアノード４０の中心から離れるほど寸法が大きくされてもよい。また、図２～図５に示す例では、複数の孔６７ａは、マスク６７の板面における二軸方向において均等な間隔で設けられるものとしているが、こうした例に限定されない。例えば、複数の孔６７ａは、アノード４０の中心に近いほど互いの距離が小さくアノード４０の中心から離れるほど互いの距離が大きくなるように配置されてもよいし、反対にアノード４０の中心に近いほど互いの距離が大きくアノード４０の中心から離れるほど互いの距離が小さくなるように配置されてもよい。さらに、複数の孔６７ａは、放射状に配置されてもよい。
【0026】
また、複数の孔６７ａは、開口率が２％以上２５％以下であることが好ましく、特に、開口率が３％以上、５％以上、１０％以下、又は１２．５％以下であることが好ましい。これは、開口率が大きいと、隔膜６６とめっき液との接触領域が大きいため添加剤の消耗を低減させる効果が小さくなると共に、隔膜６６とマスク６７とを十分に固定させることが困難になることに基づく。また、開口率が小さいと、孔６７ａから気体（泡）を取り除くことが困難になるとと共に、隔膜６６を通じたアノード側からカソード側への陽イオンの通過が不足してしまうことに基づく。本実施形態では、複数の孔６７ａは、概ね均等に配置されており、複数の孔６７ａによる開口率は６％である。ただし、こうした例に限定されず、例えば、マスク６７は、アノード４０の中心に近いほど開口率が小さくアノード４０の中心から離れるほど開口率が大きくなるように形成されてもよいし、反対にアノード４０の中心に近いほど開口率が大きくアノード４０の中心から離れるほど開口率が小さくなるように形成されてもよい。
【0027】
また、複数の孔６７ａは、前後方向において同一の径で形成されてもよいし、テーパ状に形成されてもよい。特に、マスク６７の複数の孔６７ａは、隔膜６６に近いほど径が小さく、隔膜６６から離れるほど径が大きいテーパ状に形成されることが好ましい。こうすれば、気体または泡などの異物が孔６７ａ内に留まることを抑制することができる。
【0028】
マスク６７は、隔膜６６に固定されている。換言すれば、隔膜６６は、マスク６７に固定されている。隔膜６６は、マスク６７における内部空間６１の前面を覆う領域、つまりホルダベースカバー６３の開口６３ａを覆う領域において、少なくとも一部がマスク６７に固定されている。ただし、隔膜６６とマスク６７とは、内部空間６１の前面を覆う領域以外の領域においても互いに固定されてもよい。なお、マスク６７は、隔膜６６に「固着」されている、と言い換えることもできる。
【0029】
本実施形態では、マスク６７は、溶着によって隔膜６６に貼り付けられている。しかしマスク６７と隔膜６６を固定する方法は、溶着に限定されない。例えば、隔膜６６とマス
ク６７は、密着層を介して着脱不能に、溶着、圧着、又は接着（以下、合わせて「密着」ともいう）されるとよい。具体的には、隔膜６６とマスク６７とは、シーラー等による熱溶着、レーザ溶着、超音波溶着、又は振動溶着によって互いに密着されてもよい。また、隔膜６６とマスク６７とは、パウチ加工技術、ラミネート加工技術、又は塩化ビニル等の接着剤、を用いて互いに密着されてもよい。パウチ加工技術、及びラミネート加工技術としては、ＰＥＴ材などのシート材料を高温および高圧で貼り付けること、ＰＥＴ材などのシート材料をプラズマ処理で貼り合わせること、及びＰＥ材などのシート材料を用いた押出しラミネートを採用することができる。また、接着剤としては、タキロン製のＰＶＣ用接着剤であるタキボンド（登録商標）、ＰＥ及びＰＥＴ用のエポキシ系樹脂接着剤、又はサンスター技研製の低アウトガス接着剤を採用することができる。
ク６７は、密着層を介して着脱不能に、溶着、圧着、又は接着（以下、合わせて「密着」ともいう）されるとよい。具体的には、隔膜６６とマスク６７とは、シーラー等による熱溶着、レーザ溶着、超音波溶着、又は振動溶着によって互いに密着されてもよい。また、隔膜６６とマスク６７とは、パウチ加工技術、ラミネート加工技術、又は塩化ビニル等の接着剤、を用いて互いに密着されてもよい。パウチ加工技術、及びラミネート加工技術としては、ＰＥＴ材などのシート材料を高温および高圧で貼り付けること、ＰＥＴ材などのシート材料をプラズマ処理で貼り合わせること、及びＰＥ材などのシート材料を用いた押出しラミネートを採用することができる。また、接着剤としては、タキロン製のＰＶＣ用接着剤であるタキボンド（登録商標）、ＰＥ及びＰＥＴ用のエポキシ系樹脂接着剤、又はサンスター技研製の低アウトガス接着剤を採用することができる。
【0030】
マスク６７と隔膜６６とは、マスク６７のすべての領域において着脱不能に密着されてもよいし、一部の領域において着脱不能に密着されることにより互いに固定されてもよい。ただし、マスク６７と隔膜６６との隙間にめっき液が侵入することによって隔膜６６とめっき液との接触領域が増える。特に本実施形態のめっき装置は、パドル１６によってめっき液が撹拌されるため、マスク６７と隔膜６６との隙間にめっき液が侵入しやすい。このため、マスク６７と隔膜６６とは、めっき液の隙間への侵入が低減されるように、広い領域において着脱不能に密着されることが好ましい。
【0031】
このように本実施形態のアノードホルダ６０は、内部空間６１の前面を覆うように複数の孔６７ａを有するマスク６７が設けられ、隔膜６６がマスク６７に固定して設けられている。これにより、マスク６７が設けられていない場合に比して、隔膜６６がめっき液と接触する領域を小さくすることができ、アノード４０へ添加剤が到達することを抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【0032】
外縁マスク６８は、中央部に環状の開口を有する板状の部材であり、隔膜押え６９の前面に着脱自在に取り付けられる。外縁マスク６８の開口の径は、アノード４０の外径よりも小さい。このため、外縁マスク６８は、外縁マスク６８が隔膜押え６９に取り付けられたときに、図２に示した平面から見てアノード４０の外周縁部を覆うように構成されている。これにより、外縁マスク６８は、めっき処理時にアノード４０の表面の電場を制御することができる。
【0033】
ホルダベースカバー６３はホルダベース６２に対してねじ結合や溶着などにより固定されており、ホルダベースカバー６３とホルダベース６２との結合部は密着されている。なお、ホルダベースカバー６３とホルダベース６２は一体に形成してもよい。
【0034】
図２、図４及び図５に示すように、把持部６４－１，６４－２は、ホルダベース６２の上部に形成された連結部６２－１，６２－２を介してホルダベース６２と連結している。把持部６４－１，６４－２は、連結部６２－１，６２－２からホルダベース６２の中央方向に延在して形成される。把持部６４－１，６４－２は、アノードホルダ６０がめっき液槽５０に搬送されるときに、図示しないチャックによって把持される。
【0035】
連結部６２－１，６２－２から外側方向に延在するアーム部７０－１の下部には、アノード４０に電圧を印加するための電極端子８２が設けられている。電極端子８２は、アノードホルダ６０がめっき液槽に収容されたときに、電源９０の正極に接続される。また、アノードホルダ６０は、電極端子８２から内部空間６１の略中央部まで延在する給電部材８９を有する。給電部材８９は、略板状の導電部材であり、電極端子８２と電気的に接続される。
【0036】
図３に示すように、給電部材８９の前面には、例えばねじ等からなる固定部材８８によ
り、アノード４０が固定されている。これにより、電極端子８２及び給電部材８９を介して電源９０によりアノード４０に電圧を印加することができる。
り、アノード４０が固定されている。これにより、電極端子８２及び給電部材８９を介して電源９０によりアノード４０に電圧を印加することができる。
【0037】
ホルダベース６２の略中央部、即ち固定部材８８に対応する位置には、アノード４０を交換するための環状の開口部６２ａが形成されている。開口部６２ａは、内部空間６１の背面側に連通しており、蓋８６により覆われる。ホルダベース６２の背面側には、開口部６２ａに沿って、例えばＯ－リング等からなる環状の第２のシール部材８５が設けられている。この第２のシール部材８５により、開口部６２ａと蓋８６との間が密閉される。
【0038】
蓋８６は、アノード４０を交換するときに取り外される。具体的には、例えばアノード４０が耐用年数を経過したときに、オペレータにより蓋８６が取り外され、開口部６２ａを介して固定部材８８が取り外される。オペレータは外縁マスク６８を隔膜押え６９から取り外し、アノード４０を内部空間６１から取り出す。続いて、別のアノード４０を内部空間６１に収容し、開口部６２ａを介して固定部材８８によりアノード４０を給電部材８９の前面に固定する。最後に、蓋８６により開口部６２ａを封止し、外縁マスク６８を隔膜押え６９に取り付ける。
【0039】
ホルダベース６２の背面には、重り８７が取り付けられている。これにより、アノードホルダ６０をめっき液に浸漬したときに、浮力によりアノードホルダ６０が水面上に浮き上がることを防止することができる。
【0040】
図５に示すように、アノードホルダ６０は、孔７１を封止可能に構成された弁９１と、弁９１が閉じるように弁９１を付勢するためのばね９６と、ばね９６の付勢力を弁９１に伝達するためのシャフト９３と、弁９１の開閉を操作する操作部であるプッシュロッド９５と、プッシュロッド９５に加えられた力をシャフト９３に伝達するための中間部材９４と、をさらに備える。
【0041】
弁９１は、孔７１をホルダベース６２の内部側から封止できるように、ホルダベース６２の内部に配置される。シャフト９３は、上下方向に沿ってホルダベース６２の内部に配置される。シャフト９３は、その一端が弁９１に連結され、他端がばね９６に連結される。これによりシャフト９３は、ばね９６の付勢力を弁９１に伝達し、弁９１が孔７１をホルダベース６２の内部側から封止するように弁９１を付勢する。
【0042】
このようにアノードホルダ６０が孔７１を封止する弁９１を備えることにより、アノードホルダ６０をめっき液に浸漬して内部空間６１にめっき液を満たした後に、孔７１を封止することができる。これにより、アノード４０近傍で酸素、次亜塩素酸、又は一価の銅が発生しても、外部空間と内部空間６１とが仕切られているため、添加剤の分解の進行を抑制することができる。なお、めっき装置では、めっき液貯留槽５２にベース液を入れた状態でめっき液貯留槽５２内にアノードホルダ６０を配置し、アノードホルダ６０の内部空間６１にベース液が満たされて封止された後に、めっき液貯留槽５２内に添加剤を含む液体が入れられて外部空間におけるめっき液が用意されてもよい。こうすれば、アノードホルダ６０の内部空間６１に添加剤が含まれないため、アノード４０近傍において添加剤が消耗されることをより抑制することができる。ただし、こうした例に限定されず、めっき液貯留槽５２に添加剤を含むめっき液を入れた状態でめっき液貯留槽５２内にアノードホルダ６０を配置し、アノードホルダ６０の内部空間６１に添加剤を含むめっき液が満たされて封止されてもよい。
【0043】
次に、アノードホルダ６０における隔膜６６とマスク６７との固定について説明する。図６Ａは、図３における隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。なお、図６Ａ及び以降の図では、隔膜６６とマスク６７とを密着する密着層を符号１００で
示している。また、図６Ａ及び以降の図では、隔膜６６は、マスク６７の前面または背面の一方に固定されているが、こうした例に限定されず、マスク６７の前面または背面の他方に固定されてもよい。また、マスク６７の前面と背面との両方に隔膜６６が固定されてもよいし、隔膜６６の前方と後方との両方にマスク６７が固定されてもよい。
示している。また、図６Ａ及び以降の図では、隔膜６６は、マスク６７の前面または背面の一方に固定されているが、こうした例に限定されず、マスク６７の前面または背面の他方に固定されてもよい。また、マスク６７の前面と背面との両方に隔膜６６が固定されてもよいし、隔膜６６の前方と後方との両方にマスク６７が固定されてもよい。
【0044】
図６Ａに示す例では、隔膜６６とマスク６７との両方が隔膜押え６９の開口よりも大きい寸法を有し、隔膜６６とマスク６７との両方が隔膜押え６９とホルダベースカバー６３との間に挟まれることによって、アノードホルダ６０において支持されている。また、隔膜６６とマスク６７とは、密着層１００で密着されている。こうした構成によれば、アノードホルダ６０と隔膜６６との間をより確実に密閉することができると共に、マスク６７を隔膜６６と隔膜押え６９とで物理的に挟んで強固に支持することができる。図６Ａに示す例では、隔膜６６は、マスク６７の背面（図６中下側）に密着されている。マスク６７が隔膜６６の前方に位置することで、アノード４０が配置される内部空間６１で酸素が発生しても、酸素が孔６７ａ内に侵入することを抑制することができ、酸素が孔６７ａ内に位置することで電場が遮蔽される不都合を抑制できる。
【0045】
図６Ｂは、図６Ａに示す取付構造の別の一例を模式的に示す図である。図６Ｂに示す例は、隔膜６６とマスク６７とが密着層１００によって密着されるのに代えて、隔膜６６がアノード４０によってマスク６７に押し付けられて固定されている点で、図６Ａに示す例と異なり、その他の点は図６Ａに示す例と同一である。図６Ｂに示す例では、隔膜６６は、内部空間６１側からアノード４０によってマスク６７に押し付けられて固定されている。換言すれば、隔膜６６は、ホルダベース６２の開口６３ａを覆う領域において、マスク６７とアノード４０とによって挟まれて支持される。こうした構成によっても、図６Ｂと同様の効果を奏することができる。なお、図６Ｂに示す例では、密着層１００を有しないものとしたが、こうした例に限定されず、隔膜６６は、マスク６７とアノード４０とによって挟まれて支持されると共に、密着層１００によってマスク６７に密着されてもよい。また、以下の図７～図９に示すような密着層１００によって隔膜６６とマスク６７とが密着される取り付け構造の例においても、密着層１００に代えて又は加えて隔膜６６をマスク６７とアノード４０とで挟んで固定させてもよい。
【0046】
図７は、第１変形例による隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。図７に示す例では、隔膜６６は、隔膜押え６９の開口の寸法より大きく、マスク６７は、隔膜押え６９の開口の寸法より小さく形成されている。そして、隔膜６６は、隔膜押え６９とホルダベースカバー６３との間に挟まれることによって支持され、マスク６７は、隔膜６６の前面（図７中上側）に固定されることにより隔膜６６を介して間接的に支持される。ここで、図７に示す構成を採用する場合には、マスク６７の外周端部と隔膜押え６９との間に隙間が生じることが想定されるため、当該隙間を封止するためにシール部材１０２が設けられてもよい。こうした構成によれば、アノードホルダ６０と隔膜６６との間をより確実に密閉することができる
【0047】
図８は、第２変形例による隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。図８に示す例では、隔膜６６は、隔膜押え６９の開口の寸法より小さく、マスク６７は、隔膜押え６９の開口の寸法より大きく形成されている。そして、マスク６７は、隔膜押え６９とホルダベースカバー６３との間に挟まれることによって支持され、隔膜６６は、マスク６７の背面（図８中下側）に固定されることによりマスク６７を介して間接的に支持される。こうした構成によれば、マスク６７を隔膜６６と隔膜押え６９とで物理的に挟んで強固に支持することができる。
【0048】
図９は、第３変形例による隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。図９に示す例では、隔膜押え６９が設けられておらずマスク６７が直接にホルダベース
カバー６３に固定されている点を除いて、図８に示す取付構造と同一である。図９に示す例では、隔膜６６は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より小さく、マスク６７は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より大きく形成されている。また、マスク６７は、外周縁部周辺に厚みが大きい肉厚部１０６を有しており、肉厚部１０６においてホルダベースカバー６３にねじ止めされている。隔膜６６は、マスク６７の背面（図９中下側）に固定されることによりマスク６７を介して間接的に支持される。肉厚部１０６を設けることにより、外周縁部周辺の剛性を高くすることができ、例えば隔膜６６とマスク６７とを熱溶着する場合にマスク６７が変形することを抑制できる。なお、マスク６７の肉厚部１０６は、隔膜６６と固定される面（図９中、下側）とは反対側（図９中、上側）に突出するように肉厚に形成されている。
カバー６３に固定されている点を除いて、図８に示す取付構造と同一である。図９に示す例では、隔膜６６は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より小さく、マスク６７は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より大きく形成されている。また、マスク６７は、外周縁部周辺に厚みが大きい肉厚部１０６を有しており、肉厚部１０６においてホルダベースカバー６３にねじ止めされている。隔膜６６は、マスク６７の背面（図９中下側）に固定されることによりマスク６７を介して間接的に支持される。肉厚部１０６を設けることにより、外周縁部周辺の剛性を高くすることができ、例えば隔膜６６とマスク６７とを熱溶着する場合にマスク６７が変形することを抑制できる。なお、マスク６７の肉厚部１０６は、隔膜６６と固定される面（図９中、下側）とは反対側（図９中、上側）に突出するように肉厚に形成されている。
【0049】
図１０は、第４変形例による隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。図１０に示す例では、図９に示す例と同様に、隔膜押え６９が設けられておらず、マスク６７が直接にホルダベースカバー６３に固定されている。図１０に示す例では、隔膜６６は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より小さく、マスク６７は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より大きく形成されている。また、マスク６７は、外周縁部周辺に厚みが大きい肉厚部１０６を有しており、肉厚部１０６においてホルダベースカバー６３にねじ止めされている。隔膜６６は、マスク６７の前面（図１０中、上側）に固定されることによりマスク６７を介して間接的に支持される。なお、図１０に示す例では、マスク６７の肉厚部１０６は、隔膜６６と固定される面（図１０中、上側）とは反対側（図１０中、下側）に突出するように肉圧に形成されている。肉厚部１０６を設けることにより、外周縁部周辺の剛性を高くすることができ、例えば隔膜６６とマスク６７とを熱溶着する場合にマスク６７が変形することを抑制できる。また、肉厚部１０６が後方に突出するように形成されることにより、内部空間６１の体積を大きくすることができる。また、肉厚部１０６は、隔膜６６が固定される領域と滑らかに連続するように、内周側の縁部がテーパ状に形成されている。これにより、内部空間６１で発生した酸素が内部空間６１内に留まることを防止して、酸素がスムーズに空気排出口８１から排出されるようにすることができる。また、図１０に示すようにマスク６７が隔膜６６の後方（内部空間６１側）に位置することで、パドル１６によってめっき液貯留槽５２内のめっき液が攪拌されても、隔膜６６とマスク６７との固定が剥がれてしまう可能性を小さくすることができる。なお、図１０に示す例では、隔膜６６は、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より小さく形成されるものとしたが、ホルダベースカバー６３の開口の寸法より大きく形成されてもよい。
【0050】
図１１は、第５変形例による隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。図１１に示す例では、マスク６７は、隔膜押え６９の開口の寸法より大きく形成されており、隔膜押え６９とホルダベースカバー６３との間に挟まれることによってマスク６７が支持される。一方、図１１に示す例では、隔膜６６は、マスク６７の複数の孔６７ａのそれぞれに対応した形状で複数設けられている。そして、複数の隔膜６６は、マスク６７の複数の孔６７ａのそれぞれを覆うようにマスク６７に固定されることにより、マスク６７を介して間接的に支持される。ここで、図９に示す例では、マスク６７における複数の孔６７ａは、隔膜６６の寸法よりも小さくなるように形成された段差部６７ｂを有し、隔膜６６が段差部６７ｂに固定されることにより、隔膜６６とマスク６７とが固定されている。また、図９に示すように、マスク６７と隔膜６６との封止をより確実にするために、マスク６７と隔膜６６との少なくとも一方に接着または溶着される円形のシール部材１０４が設けられてもよい。この場合には、隔膜６６とマスク６７とは、密着層１００を介して互いに密着されてもよいし、密着層１００を介することなくシール部材１０４を介して互いに固定されてもよい。こうした例においても、隔膜６６がめっき液と接触する領域を小さくすることができ、添加剤の消耗を抑制することができる。
【0051】
図１２は、第６変形例による隔膜６６及びマスク６７の取付構造を模式的に示す図である。図１２に示す取付構造は、隔膜６６とマスク６７との固定方法を除いて、図７に示す取付構造と同一である。図１０に示す例では、マスク６７と隔膜６６とは、密着層１００を介することなく、ねじ止めによって互いに固定されている。ここで、マスク６７と隔膜６６とのねじ止めによる固定は、ホルダベースカバー６３及び隔膜押え６９の開口においてなされている。換言すれば、隔膜６６とマスク６７とは、ホルダベースカバー（基体）６３及び隔膜押え６９によって挟まれる領域（第１領域）ではなく、ホルダベースカバー６３及び隔膜押え６９によって支持されていない領域（第２領域）で互いに固定されている。ただし、隔膜６６とマスク６７とは、第２領域のみで互いに固定されるものに限定されず、第１領域で互いに固定されてもよい。具体的には、図１０に示す例では、マスク６７は、隔膜６６の前方（図１０中上側）に設けられる第１マスク部材１１１と、隔膜６６の後方（図１０中下側）に設けられる第２マスク部材１１２とを備えている。そして、隔膜６６を挟んだ状態で、第１マスク部材１１１と第２マスク部材１１２とがねじ止めされることにより、マスク６７と隔膜６６とが固定されている。こうした例においても、他の例と同様に、隔膜６６がめっき液と接触する領域を小さくすることができ、添加剤の消耗を抑制することができる。
【0052】
次に、隔膜６６とマスク６７との固定の具体的な一例について説明する。図１３～図２１は、隔膜６６とマスク６７との固定部分を模式的に示す図であり、隔膜６６とマスク６７とが着脱不能に固定されている領域にハッチングが付されている。なお、図１３～図２１に示す例では、隔膜６６とマスク６７とは、一部分の領域が互いに着脱不能に固定されるものとしているが、内部空間６１の前面を覆う領域において、つまりホルダベースカバー６３の開口６３ａを覆う領域において、隔膜・BR>U６の一部がマスク６７に固定されていればよく、すべての領域が互いに着脱不能に固定されてもよい。なお、隔膜６６とマスク６７との着脱不能な固定としては、上記したように溶着、接着等を用いることができる。また、図１３～図２１に示す例では、マスク６７の複数の孔６７ａは、第１整列方向（図中、上下方向）と第２整列方向（図中、左右方向）とのそれぞれに均等な間隔で設けられるものとしている。さらに、図１３～図２１においては、図中の上下方向は、図１の上下方向（鉛直方向）と同一であるが、こうした例に限定されず、図１の上下方向（鉛直方向）に対して傾斜していてもよい。また、図１３～図２１では、説明の容易のため、隔膜６６とマスク６７との外形寸法を同一としているが、こうした例には限定されない。
【0053】
図１３～図１６は、第１～第４例の隔膜６６とマスク６７との着脱不能な固定部分を示している。第１～第４例では、隔膜６６とマスク６７との外周縁部は、直接的には固定されておらず、内周側の領域における一部分の領域において互いに着脱不能に固定されている。こうした例は、隔膜６６とマスク６７との両方の外周縁部がホルダベースカバー６３と隔膜押え６９とによって挟まれて支持される図６に示すような構成において、特に有効であると考えられる。
【0054】
具体的には、図１３に示す第１例では、隔膜６６とマスク６７とは、複数の孔６７ａの第１整列方向（図１３中、上下方向）に沿った複数の密着領域１２０において着脱不能に密着されている。なお、図１３に示す例では、第２整列方向（図中、左右方向）において、複数の孔６７ａと密着領域１２０とが交互に配置されているが、こうした例に限定されない。例えば、第１整列方向に沿った密着領域１２０は、第２整列方向において、２つ以上の孔６７ａ毎に設けられてもよい。なお、図１３に示す第１例において、密着領域１２０は、第１整列方向として鉛直方向または水平方向に長い長尺状であってもよいし、鉛直方向または水平方向に傾斜した長尺状であってもよい。
【0055】
図１４に示す第２例では、隔膜６６とマスク６７とは、複数の孔６７ａの第１整列方向（図１４中、上下方向）と第２整列方向（図１４中、左右方向）とのそれぞれに沿った格
子状の密着領域１２０において着脱不能に密着されている。なお、図１４に示す例では、第１整列方向と第２整列方向とのそれぞれにおいて２つの孔６７ａごとに密着領域１２０が配置されるようになっているが、こうした例に限定されない。例えば、密着領域１２０は、第１整列方向又は第２整列方向において１つの孔６７ａ毎、又は３つ以上の孔６７ａ毎に設けられてもよい。また、密着領域１２０は、第１整列方向と第２整列方向とにおいて異なる間隔で設けられてもよい。
子状の密着領域１２０において着脱不能に密着されている。なお、図１４に示す例では、第１整列方向と第２整列方向とのそれぞれにおいて２つの孔６７ａごとに密着領域１２０が配置されるようになっているが、こうした例に限定されない。例えば、密着領域１２０は、第１整列方向又は第２整列方向において１つの孔６７ａ毎、又は３つ以上の孔６７ａ毎に設けられてもよい。また、密着領域１２０は、第１整列方向と第２整列方向とにおいて異なる間隔で設けられてもよい。
【0056】
図１５に示す第３例では、隔膜６６とマスク６７とは、複数の小さな領域からなる密着領域１２０において着脱不能に密着されている。換言すれば、隔膜６６とマスク６７とは、複数の小さな密着点で密着されている。なお、図１５に示す例では、第１整列方向と第２整列方向とのそれぞれにおいて２つの孔６７ａごとに密着領域１２０が配置されるようになっているが、こうした例に限定されない。例えば、密着領域１２０は、第１整列方向又は第２整列方向において１つの孔６７ａ毎、又は３つ以上の孔６７ａ毎に設けられてもよい。また、密着領域１２０は、第１整列方向と第２整列方向とにおいて異なる間隔で設けられてもよい。
【0057】
図１６に示す第４例では、隔膜６６とマスク６７とは、複数の孔６７ａの縁部において着脱不能に密着されている。なお、図１６に示す例では、すべての複数の孔６７ａの縁部が密着領域１２０とされているが、複数の孔６７ａのうち一部の孔６７ａの縁部が密着領域１２０とされてもよい。
【0058】
図１７～図２１は、第５～第９例の隔膜６６とマスク６７との固定部分を示している。第５～第９例では、隔膜６６とマスク６７との外周縁部が密着領域１２０によって着脱不能に密着されている。こうした例は、隔膜６６とマスク６７との少なくとも一方の外周縁部がホルダベースカバー６３と隔膜押え６９とによって挟まれていない図７～図１０に示すような構成において、特に有効であると考えられる。
【0059】
具体的には、図１７に示す第５例では、隔膜６６とマスク６７とは、隔膜６６又はマスク６７の外周縁部において着脱不能に固定され、内周側の領域においては直接的には着脱不能に固定されていない。また、図１８～図２１に示す第６～第９例は、隔膜６６又はマスク６７の外周縁部において着脱不能に固定されている点を除いて、図１３～図１６に示す第１～第４例と同一である。図１８～図２１について、重複した説明は省略する。
【0060】
（第２実施形態）
図２２は、第２実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。第２実施形態に係るめっき装置では、隔膜６６とマスク６７とが、アノードホルダ６０ではなく、調整板１４における開口１４ａに取り付けられている点で、第１実施形態に係るめっき装置と異なる。以下の説明では、第１実施形態と重複する説明については省略する。
図２２は、第２実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。第２実施形態に係るめっき装置では、隔膜６６とマスク６７とが、アノードホルダ６０ではなく、調整板１４における開口１４ａに取り付けられている点で、第１実施形態に係るめっき装置と異なる。以下の説明では、第１実施形態と重複する説明については省略する。
【0061】
第２実施形態に係るめっき装置では、めっき液貯留槽５２にシールドボックス１６０が配置され、これによって、めっき液貯留槽５２の内部は、シールドボックス１６０内部のアノード槽１７０と、外部のカソード槽１７２と、に区分されている。図２２に示す例では、アノード４０を保持するアノードホルダ６０と調整板１４とがアノード槽１７０の内部に配置され、パドル１６と基板ホルダ１８（カソード）とがカソード槽１７２の内部に配置されている。
【0062】
シールドボックス１６０は、調整板１４の開口１４ａに対応する位置に開口１６０ａを有している。また、調整板１４の開口１４ａを画定する筒状部は、シールドボックス１６０の開口１６０ａ内に嵌合されている。こうした構成により、アノード槽１７０とカソード槽１７２とは、調整板１４の開口１４ａを通じて連通される。そして、第２実施形態で
は、調整板１４の開口１４ａに隔膜６６とマスク６７とが取り付けられ、隔膜６６とマスク６７とによってアノード槽１７０とカソード槽１７２とが仕切られている。なお、隔膜６６とマスク６７とは、調整板１４におけるアノード槽１７０側から取り付けられるものとしてもよいし、カソード槽１７２側から取り付けられるものとしてもよい。
は、調整板１４の開口１４ａに隔膜６６とマスク６７とが取り付けられ、隔膜６６とマスク６７とによってアノード槽１７０とカソード槽１７２とが仕切られている。なお、隔膜６６とマスク６７とは、調整板１４におけるアノード槽１７０側から取り付けられるものとしてもよいし、カソード槽１７２側から取り付けられるものとしてもよい。
【0063】
隔膜６６及びマスク６７は、一例として、環状の隔膜押え６９によって調整板１４に取り付けられる。ここで、調整板１４における隔膜６６とマスク６７との固定については、第１実施形態のアノードホルダ６０における隔膜６６とマスク６７との固定と同様になされるとよい。つまり、一例として、隔膜６６とマスク６７とは、図６～図１２に示される取付構造において、ホルダベースカバー６３を調整板１４に置き換えた取付構造で調整板１４に取り付けられるとよい。また、隔膜６６とマスク６７との固定についても、第１実施形態と同様になされるとよい。
【0064】
第２実施形態のめっき装置では、カソード槽１７２内のめっき液は、めっき液貯留槽５２の側壁をオーバーフローしてオーバーフロー槽５４内に流入されるようになっている。一方、アノード槽１７０内のめっき液は、オーバーフローしないように構成されている。また、アノード槽１７０には、開閉弁１８６が設置された液排出ライン１９０が接続されている。こうした液排出ライン１９０によって、例えばアノード４０として溶解性のアノードを用いた場合には、アノード槽１７０内で生じたブラックフィルムを外部に排出することができる。よって、第２実施形態のめっき装置によれば、アノード槽１７０内のめっき液（ベース液）に含まれるブラックフィルムの量を削減することができ、めっき液中に浮遊するブラックフィルムがカソード槽１７２内に入り込むことをほぼ完全に阻止することができる。
【0065】
また、第２実施形態のめっき装置では、めっき液循環ライン５８ａに、ベース液供給ライン１５８が接続されている。このベース液供給ライン１５８は、基板Ｗのめっき中にめっき液をめっき液貯留槽５２に供給するためのものではなく、めっき処理を行うために最初にめっき液貯留槽５２にベース液を供給する、いわゆる建浴のためにのみ使用されるものである。ベース液供給ライン１５８には、第１の供給弁１５１が設けられている。また、第２実施液体のめっき装置では、めっき液循環ライン５８ａと液排出ライン１９０とを接続する接続ライン１９２が設けられている。接続ライン１９２には、第２の供給弁１５２が設けられている。さらに、第２実施形態のめっき装置には、カソード槽１７２に添加剤を供給するための添加剤供給ライン１５９が設けられている。添加剤供給ライン１５９には、第３の供給弁１５３が設けられている。通常は、第１～第３の供給弁１５１～１５３は閉じられている。
【0066】
こうした第２実施形態のめっき装置によれば、建浴時にのみ第１の供給弁１５１と第２の供給弁１５２とが開かれ、ベース液供給ライン１５８からのベース液が液排出ライン１９０及びめっき液循環ライン５８ａを通ってアノード槽１７０及びカソード槽１７２内に供給される。そして、第３の供給弁１５３が開かれることにより、カソード槽１７２にのみ添加剤が供給される。こうした構成により、アノード槽１７０に添加剤が含まれないため、アノード４０近傍において添加剤が消耗されることを抑制できる。
【0067】
以上説明した第２実施形態のめっき装置においては、めっき液貯留槽５２がシールドボックス１６０と調整板１４とによって、アノード槽１７０とカソード槽１７２とに区分されている。そして、調整板１４の開口１４ａに、隔膜６６と、複数の孔を有して隔膜６６に固定されたマスク６７と、が設けられている。こうした構成により、第１実施形態のめっき装置と同様に、隔膜６６とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、アノード４０へ添加剤が到達することを抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【0068】
（第３実施形態）
図２３は、第３実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。第３実施形態に係るめ
っき装置では、第２実施形態と同様に、シールドボックス１６０を備え、隔膜６６とマスク６７とが、調整板１４における開口１４ａに取り付けられている。第３実施形態に係るめっき装置は、めっき液貯留槽５２とシールドボックス１６０とに関する構成が第２実施形態に係るめっき装置と異なり、その他の点においては第２実施形態に係るめっき装置と同一である。以下の説明では、第２実施形態と重複する説明については省略する。
図２３は、第３実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。第３実施形態に係るめ
っき装置では、第２実施形態と同様に、シールドボックス１６０を備え、隔膜６６とマスク６７とが、調整板１４における開口１４ａに取り付けられている。第３実施形態に係るめっき装置は、めっき液貯留槽５２とシールドボックス１６０とに関する構成が第２実施形態に係るめっき装置と異なり、その他の点においては第２実施形態に係るめっき装置と同一である。以下の説明では、第２実施形態と重複する説明については省略する。
【0069】
第３実施形態に係るめっき装置では、めっき液貯留槽５２内に底板５１が配置され、これによって、めっき液貯留槽５２の内部は、上方の基板処理室と、下方のめっき液分散室５３とに区分されている。シールドボックス１６０は、上方の基板処理室内に配置される。シールドボックス１６０によって、基板処理室は、アノード槽１７０と、カソード槽１７２とに区分される。
【0070】
第３実施形態のめっき装置は、第２実施形態のめっき装置と同様に、カソード槽１７２内のめっき液はオーバーフローしてオーバーフロー槽５４内に流入することができ、アノード槽１７０内のめっき液はオーバーフローしないように構成されている。オーバーフロー槽５４の底部には、めっき液循環ライン５８ａの一端が接続され、めっき液循環ライン５８ａの他端はめっき液分散室５３の底部に接続されている。
【0071】
めっき液貯留槽５２内の底板５１には、下方に垂下してめっき液の流れを規制する遮蔽板５１ｃが取付けられている。また、底板５１には、カソード槽１７２とめっき液分散室５３とを連通する第１めっき液流通口５１ａが形成されている。さらに、底板５１にはアノード槽１７０の下方に位置する第２めっき液流通口５１ｂが形成されている。シールドボックス１６０の底部には、第２めっき液流通口５１ｂと対応する位置に底部開口が形成されている。めっき液分散室５３は、第２めっき液流通口５１ｂ及びシールドボックス１６０の底部開口を通じてアノード槽１７０に連通している。シールドボックス１６０の底部開口は、通常、めっき液栓２１０で封止される。めっき液栓２１０は、上下方向に伸びてシールドボックス１６０の外まで延在するめっき液栓ぬき棒２１２に接続されている。めっき液栓ぬき棒２１２が鉛直方向に移動することにより、開口１６０ｂが開閉される。ここで、めっき液栓ぬき棒２１２は、手動で操作されるものとしてもよいし、モータ、ソレノイド、又は空気圧アクチュエータ等、種々の動力源によって操作されるものとしてもよい。
【0072】
こうした第３実施形態のめっき装置では、建浴時に、添加剤を含むめっき液がめっき液貯留槽５２に貯められる。続いて、めっき液栓２１０が開けられた状態で、シールドボックス１６０がめっき液内に配置されて、アノード槽１７０内がめっき液で満たされる。そして、めっき液栓２１０が閉められることにより、アノード槽１７０とカソード槽１７２とが仕切られる。
【0073】
こうした第３実施形態のめっき装置においても、基板処理層がシールドボックス１６０と調整板１４とによって、アノード槽１７０とカソード槽１７２とに区分されている。そして、調整板１４の開口１４ａに、隔膜６６と、複数の孔を有して隔膜６６に固定されたマスク６７と、が設けられている。このため、第１実施形態のめっき装置と同様に、隔膜６６とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、カソード槽１７２内の添加剤がアノード４０へ到達することを抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【0074】
なお、上記した第１～第３実施形態では、隔膜６６とマスク６７とは、めっき装置において鉛直方向に延在するように（板面が水平方向に向くように）配置されるものとしたが、こうした例に限定されない。例えば、隔膜６６とマスク６７とは、めっき装置において水平方向に延在するように（板面が鉛直方向に向くように）配置されてもよい。
【0075】
以上説明した本実施形態は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、めっき装置に用いられるアノードを保持するためのアノードホルダが提案される。前記アノードホルダは、前記アノードホルダの内部に形成され、前記アノードを収容するための内部空間と、複数の孔を有し、前記内部空間の前面を覆うように構成されるマスクと、隔膜であって、前記マスクにおける前記内部空間の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、を備える。形態１によるアノードホルダによれば、マスクによって隔膜とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、アノードへ添加剤が到達することをより抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
［形態１］形態１によれば、めっき装置に用いられるアノードを保持するためのアノードホルダが提案される。前記アノードホルダは、前記アノードホルダの内部に形成され、前記アノードを収容するための内部空間と、複数の孔を有し、前記内部空間の前面を覆うように構成されるマスクと、隔膜であって、前記マスクにおける前記内部空間の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、を備える。形態１によるアノードホルダによれば、マスクによって隔膜とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、アノードへ添加剤が到達することをより抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【0076】
［形態２］形態２によれば、形態１において、前記隔膜と前記マスクとは密着層を介して互いに密着される。
［形態３］形態３によれば、形態１又は２において、前記隔膜と前記マスクとは互いに接着または溶着されている。
［形態４］形態４によれば、前記複数の孔による開口率が２％以上２５％以下である。
［形態３］形態３によれば、形態１又は２において、前記隔膜と前記マスクとは互いに接着または溶着されている。
［形態４］形態４によれば、前記複数の孔による開口率が２％以上２５％以下である。
【0077】
［形態５］形態５によれば、形態１から４において、前記隔膜と前記マスクとの少なくとも一方を支持する基体を備え、前記隔膜と前記マスクとは、前記基体によって支持される第１領域とは異なる第２領域で互いに固定される。形態５によれば、隔膜とマスクとの隙間にめっき液が侵入することを抑制することができ、添加剤の消耗をより抑制することができる。
【0078】
［形態６］形態６によれば、形態１から５において、前記マスクは、前記隔膜における前記内部空間側に固定されている。
［形態７］形態７によれば、形態１から５において、前記マスクは、前記隔膜における前記内部空間とは反対側に固定されている。
［形態８］形態８によれば、形態７において、前記隔膜は、前記マスクと前記アノードとによって挟まれることにより前記マスクに固定される。
［形態７］形態７によれば、形態１から５において、前記マスクは、前記隔膜における前記内部空間とは反対側に固定されている。
［形態８］形態８によれば、形態７において、前記隔膜は、前記マスクと前記アノードとによって挟まれることにより前記マスクに固定される。
【0079】
［形態９］形態９によれば、形態１から８において、前記複数の孔のそれぞれは、前記隔膜から離れるほど径が大きくなるテーパ状である。形態９によれば、マスクの複数の孔に異物が留まることを抑制できる。
【0080】
［形態１０］形態１０によれば、形態１から９において、前記隔膜と前記マスクとは、前記めっき装置において鉛直方向に延在するように配置される。
［形態１１］形態１１によれば、形態１から１０において、前記マスクは樹脂で形成される。
［形態１２］形態１２によれば、形態１から１１において、前記隔膜は、イオン交換膜又は中性隔膜である。
［形態１１］形態１１によれば、形態１から１０において、前記マスクは樹脂で形成される。
［形態１２］形態１２によれば、形態１から１１において、前記隔膜は、イオン交換膜又は中性隔膜である。
【0081】
［形態１３］形態１３によれば、めっき装置が提案される。前記めっき装置は、めっき液槽と、複数の孔を有し、前記めっき液槽を、アノードが配置されるアノード槽とカソードが配置されるカソード槽とに仕切るマスクと、隔膜であって、前記マスクにおける前記内部空間の前面を覆う領域において当該隔膜の少なくとも一部が前記マスクに固定された隔膜と、を備える。形態１３のめっき装置によれば、マスクによって隔膜とめっき液とが接触する領域を小さくすることができ、アノードへ添加剤が到達することをより抑制して添加剤の消耗を抑制することができる。
【0082】
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明
には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【符号の説明】
【0083】
１４…調整板
１４ａ…開口
１６…パドル
１８…基板ホルダ
４０…アノード
５０…めっき液槽
５２…めっき液貯留槽
５４…オーバーフロー槽
６０…アノードホルダ
６１…内部空間
６２…ホルダベース
６３…ホルダベースカバー
６６…隔膜
６７…マスク
６７ａ…孔
６８…外縁マスク
６９…隔膜押え
１００…密着層
１０２…シール部材
１０４…シール部材
１０６…肉厚部
１０８…シールドボックス
１１１…第１マスク部材
１１２…第２マスク部材
１２０…密着領域
１６０…シールドボックス
１７０…アノード槽
１７２…カソード槽
１４ａ…開口
１６…パドル
１８…基板ホルダ
４０…アノード
５０…めっき液槽
５２…めっき液貯留槽
５４…オーバーフロー槽
６０…アノードホルダ
６１…内部空間
６２…ホルダベース
６３…ホルダベースカバー
６６…隔膜
６７…マスク
６７ａ…孔
６８…外縁マスク
６９…隔膜押え
１００…密着層
１０２…シール部材
１０４…シール部材
１０６…肉厚部
１０８…シールドボックス
１１１…第１マスク部材
１１２…第２マスク部材
１２０…密着領域
１６０…シールドボックス
１７０…アノード槽
１７２…カソード槽
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】