(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-08
(45)【発行日】2022-11-17
(54)【発明の名称】めっき装置
(51)【国際特許分類】
C25D 17/10 20060101AFI20221109BHJP
【ＦＩ】
C25D17/10 C
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2022557181
(86)(22)【出願日】2022-06-01
(86)【国際出願番号】 JP2022022275
【審査請求日】2022-09-21
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【弁理士】
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(74)【代理人】
【識別番号】100186613
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100163061
【弁理士】
【氏名又は名称】山田 祐樹
(72)【発明者】
【氏名】中濱 重之
【審査官】瀧口 博史
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２１－１１６２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／３３３４９５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００２－４０９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２９０７９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭５４－１３８６２５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２５Ｄ １７／１０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、
前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、
前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノードと、
電気が供給される給電部位と、少なくとも１つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、
前記めっき槽の内部における前記補助アノードと前記基板との間に配置され、前記補助アノードに沿うように延在する、少なくとも１つのイオン抵抗体と、を備え、
前記イオン抵抗体は、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている、めっき装置。
【請求項2】
前記イオン抵抗体は、複数の開口を有し、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の開口率が低くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっている、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項3】
前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の厚みが厚くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっている、請求項１に記載のめっき装置。【請求項4】
前記バスバーは、前記給電部位と前記接続部位とを連結する連結部位を有し、前記連結部位は、前記基板の外周縁に沿うように延在する複数の延在部位を有し、
複数の前記延在部位は、枠状に配置され、
少なくとも１つの前記補助アノードは、複数の前記補助アノードを含み、
各々の前記補助アノードは、複数の前記接続部位を介して各々の前記延在部位に接続されている、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項5】
少なくとも１つの前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、前記収容部には、前記基板の方を向くような開口が設けられ、
前記収容部の前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されている、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項6】
めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、
前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、
前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノードと、
電気が供給される給電部位と、少なくとも１つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、を備え、
前記補助アノードは、前記補助アノードの延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記補助アノードと前記基板との距離が大きくなるように構成されている、めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、めっき装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板にめっき処理を施すめっき装置として、めっき液を貯留するめっき槽と、めっき槽の内部に配置されたアノードと、めっき槽の内部においてアノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、めっき槽の内部におけるアノードと基板との間に配置され、基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノード（補助電極）と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０２１－１１６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述したような従来のめっき装置において、補助アノードに電気を供給するために、バスバーを用いることがある。具体的には、このバスバーは、電気が供給される給電部位と、補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、給電部位に供給された電気を、接続部位を介して補助アノードに流すように構成されている。
【0005】
上述したようなめっき装置の場合、バスバーの接続部位の抵抗値は、給電部位に近づくほど小さくなる。これに起因して、めっき処理時にバスバーから補助アノードに流れる電気の量は、給電部位に近づくほど大きくなる傾向がある。このような状況下で、基板にめっき処理を施した場合、基板の外周縁の膜厚が不均一になるおそれがある。
【0006】
本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、基板の外周縁の膜厚が不均一になることを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノードと、電気が供給される給電部位と、少なくとも１つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、前記めっき槽の内部における前記補助アノードと前記基板との間に配置され、前記補助アノードに沿うように延在する、少なくとも１つのイオン抵抗体と、を備え、前記イオン抵抗体は、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノードと、電気が供給される給電部位と、少なくとも１つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、前記めっき槽の内部における前記補助アノードと前記基板との間に配置され、前記補助アノードに沿うように延在する、少なくとも１つのイオン抵抗体と、を備え、前記イオン抵抗体は、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている。
【0008】
この態様によれば、バスバーの接続部位の抵抗値が給電部位に近づくほど小さくなることに起因して基板の外周縁の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【0009】
（態様２）
上記の態様１において、前記イオン抵抗体は、複数の開口を有し、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の開口率が低くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっていてもよい。
上記の態様１において、前記イオン抵抗体は、複数の開口を有し、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の開口率が低くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっていてもよい。
【0010】
（態様３）
上記の態様１において、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の厚みが厚くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっていてもよい。
上記の態様１において、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の厚みが厚くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっていてもよい。
【0011】
（態様４）
上記の態様１～３のいずれか１態様において、前記バスバーは、前記給電部位と前記接続部位とを連結する連結部位を有し、前記連結部位は、前記基板の外周縁に沿うように延在する複数の延在部位を有し、複数の前記延在部位は、枠状に配置され、少なくとも１つの前記補助アノードは、複数の前記補助アノードを含み、各々の前記補助アノードは、複数の前記接続部位を介して各々の前記延在部位に接続されていてもよい。
上記の態様１～３のいずれか１態様において、前記バスバーは、前記給電部位と前記接続部位とを連結する連結部位を有し、前記連結部位は、前記基板の外周縁に沿うように延在する複数の延在部位を有し、複数の前記延在部位は、枠状に配置され、少なくとも１つの前記補助アノードは、複数の前記補助アノードを含み、各々の前記補助アノードは、複数の前記接続部位を介して各々の前記延在部位に接続されていてもよい。
【0012】
（態様５）
上記の態様１～４のいずれか１態様は、少なくとも１つの前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、前記収容部には、前記基板の方を向くような開口が設けられ、前記収容部の前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されていてもよい。
上記の態様１～４のいずれか１態様は、少なくとも１つの前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、前記収容部には、前記基板の方を向くような開口が設けられ、前記収容部の前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されていてもよい。
【0013】
（態様６）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノードと、電気が供給される給電部位と、少なくとも１つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、を備え、前記補助アノードは、前記補助アノードの延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記補助アノードと前記基板との距離が大きくなるように構成されている。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも１つの補助アノードと、電気が供給される給電部位と、少なくとも１つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、を備え、前記補助アノードは、前記補助アノードの延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記補助アノードと前記基板との距離が大きくなるように構成されている。
【0014】
この態様によれば、バスバーの接続部位の抵抗値が給電部位に近づくほど小さくなることに起因して基板の外周縁の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】実施形態１に係るめっき装置の全体配置図である。
【図2】実施形態１に係るめっき装置における１つのめっき槽の周辺構成を示す模式的な断面図である。
【図3】実施形態１に係る基板の模式的な正面図である。
【図4】実施形態１に係る中間マスクの周辺構成の模式的な斜視図である。
【図5】実施形態１に係るバスバー及び補助アノードの模式的な正面図である。
【図6】実施形態１に係るイオン抵抗体の模式的な正面図である。
【図7】実施形態１に係る補助アノードの周辺構成の模式的な側面図である。
【図8】実施形態１に係るイオン抵抗体の模式的な正面図である。
【図10】実施形態２に係るめっき装置における１つのめっき槽の周辺構成を示す模式的な断面図である。
【図11】実施形態２に係る補助アノードの周辺構成の模式的な側面図である。
【図12】実施形態２に係る互いに隣接する一対の補助アノードを比較するための模式図である。
【図13】膜厚の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の各実施形態では、同一又は対応する構成については同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、実施形態の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
【0017】
（実施形態１）
まず、本発明の実施形態１に係るめっき装置１について説明する。図１は、本実施形態に係るめっき装置１の全体配置図である。図１に例示するように、本実施形態に係るめっき装置１は、２台のカセットテーブル１０２と、基板Ｗｆのオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１０４と、めっき処理後の基板Ｗｆを乾燥させるリンスドライヤ１０６とを備える。カセットテーブル１０２は、半導体ウェハ等の基板Ｗｆを収納したカセット１００を搭載する。リンスドライヤ１０６の近くには、基板ホルダ２０を載置して基板Ｗｆの着脱を行うロード／アンロードステーション１２０が設けられている。搬送ロボット１２２は、カセット１００、アライナ１０４、リンスドライヤ１０６、及び、ロード／アンロードステーション１２０の間で基板Ｗｆを搬送するためのロボットである。
まず、本発明の実施形態１に係るめっき装置１について説明する。図１は、本実施形態に係るめっき装置１の全体配置図である。図１に例示するように、本実施形態に係るめっき装置１は、２台のカセットテーブル１０２と、基板Ｗｆのオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１０４と、めっき処理後の基板Ｗｆを乾燥させるリンスドライヤ１０６とを備える。カセットテーブル１０２は、半導体ウェハ等の基板Ｗｆを収納したカセット１００を搭載する。リンスドライヤ１０６の近くには、基板ホルダ２０を載置して基板Ｗｆの着脱を行うロード／アンロードステーション１２０が設けられている。搬送ロボット１２２は、カセット１００、アライナ１０４、リンスドライヤ１０６、及び、ロード／アンロードステーション１２０の間で基板Ｗｆを搬送するためのロボットである。
【0018】
ロード／アンロードステーション１２０は、レール１５０に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート１５２を備えている。２個の基板ホルダ２０は、この載置プレート１５２に水平状態で並列に載置されている。一方の基板ホルダ２０と搬送ロボット１２２との間で基板Ｗｆの受渡しが行われた後、載置プレート１５２が横方向にスライドされ、他方の基板ホルダ２０と搬送ロボット１２２との間で基板Ｗｆの受渡しが行われる。
【0019】
また、めっき装置１は、ストッカ１２４と、プリウェットモジュール１２６と、プリソークモジュール１２８と、第１リンスモジュール１３０ａと、ブローモジュール１３２と、第２リンスモジュール１３０ｂと、めっきモジュール１１０と、搬送装置１４０と、制御モジュール１７０と、を備えている。ストッカ１２４では、基板ホルダ２０の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェットモジュール１２６では、基板Ｗｆが純水に浸漬される。プリソークモジュール１２８では、基板Ｗｆの表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。第１リンスモジュール１３０ａでは、プリソーク後の基板Ｗｆが基板ホルダ２０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブローモジュール１３２では、洗浄後の基板Ｗｆの液切りが行われる。第２リンスモジュール１３０ｂでは、めっき処理後の基板Ｗｆが基板ホルダ２０と共に洗浄液で洗浄される。
【0020】
めっきモジュール１１０は、例えば、オーバーフロー槽１３６の内部に複数のめっき槽１０を収納するように構成されている。各々のめっき槽１０は、内部に１つの基板Ｗｆを収納し、内部に保持しためっき液中に基板Ｗｆを浸漬させて基板Ｗｆの表面に銅めっき等を施すように構成されている。
【0021】
搬送装置１４０は、めっき装置１を構成する各機器の間で基板ホルダ２０を基板Ｗｆとともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した搬送装置である。本実施形態に係る搬送装置１４０は、一例として、第１搬送装置１４２及び第２搬送装置１４４を有している。第１搬送装置１４２は、ロード／アンロードステーション１２０、ストッカ１２４、プリウェットモジュール１２６、プリソークモジュール１２８、第１リンスモジュール１３０ａ、及び、ブローモジュール１３２との間で基板Ｗｆを搬送する。第２搬送装置１４４は、第１リンスモジュール１３０ａ、第２リンスモジュール１３０ｂ、ブローモジュール１３２、及び、めっきモジュール１１０との間で基板Ｗｆを搬送する。なお、めっき装置１は、第２搬送装置１４４を備えずに、第１搬送装置１４２のみを備えるようにしてもよい。
【0022】
オーバーフロー槽１３６の両側には、各々のめっき槽１０の内部に位置してめっき槽１０内のめっき液を攪拌するパドルを駆動する、パドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２が配置されている。
【0023】
制御モジュール１７０は、めっき装置１の動作を制御するように構成されている。具体的には、本実施形態に係る制御モジュール１７０は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１７１や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置１７２、等を備えている。制御モジュール１７０は、記憶装置１７２に記憶されたプログラムの指令に従ってＣＰＵ１７１が作動することで、めっき装置１の被制御部を制御する。
【0024】
めっき装置１による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、カセットテーブル１０２に搭載したカセット１００から、搬送ロボット１２２で基板Ｗｆを１つ取出し、アライナ１０４に基板Ｗｆを搬送する。アライナ１０４は、オリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。この所定の方向に位置が合わせられた基板Ｗｆを搬送ロボット１２２でロード／アンロードステーション１２０にまで搬送する。
【0025】
ロード／アンロードステーション１２０においては、ストッカ１２４内に収容されていた基板ホルダ２０を搬送装置１４０の第１搬送装置１４２で２基同時に把持して、ロード／アンロードステーション１２０にまで搬送する。そして、２基の基板ホルダ２０を、ロード／アンロードステーション１２０の載置プレート１５２の上に同時に水平に載置する。この状態で、それぞれの基板ホルダ２０に搬送ロボット１２２が基板Ｗｆを搬送し、搬送した基板Ｗｆを基板ホルダ２０で保持する。
【0026】
次に、基板Ｗｆを保持した基板ホルダ２０を搬送装置１４０の第１搬送装置１４２で２基同時に把持し、プリウェットモジュール１２６に収納する。次に、プリウェットモジュール１２６で処理された基板Ｗｆを保持した基板ホルダ２０を、第１搬送装置１４２でプリソークモジュール１２８に搬送し、プリソークモジュール１２８で基板Ｗｆ上の酸化膜をエッチングする。続いて、この基板Ｗｆを保持した基板ホルダ２０を、第１リンスモジュール１３０ａに搬送し、第１リンスモジュール１３０ａに収納された純水で基板Ｗｆの表面を水洗する。
【0027】
水洗が終了した基板Ｗｆを保持した基板ホルダ２０は、第２搬送装置１４４により、第１リンスモジュール１３０ａからめっきモジュール１１０に搬送され、めっき槽１０に収納される。第２搬送装置１４４は、上記の手順を順次繰り返し行って、基板Ｗｆを保持した基板ホルダ２０を順次めっきモジュール１１０の各々のめっき槽１０に収納する。
【0028】
各々のめっき槽１０では、めっき槽１０内のアノードと基板Ｗｆとの間にめっき電圧が印加されて、基板Ｗｆの表面にめっき処理が施される。このめっき処理時において、パドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２によりパドルが駆動されることで、めっき槽１０のめっき液は撹拌されてもよい。但し、めっき装置１の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、めっき装置１は、パドル、パドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２を備えていない構成とすることもできる。
【0029】
めっき処理が施された後、めっき処理後の基板Ｗｆを保持した基板ホルダ２０を第２搬送装置１４４で２基同時に把持し、第２リンスモジュール１３０ｂまで搬送し、第２リンスモジュール１３０ｂに収容された純水に浸漬させて基板Ｗｆの表面を純水で洗浄する。次に、基板ホルダ２０を、第２搬送装置１４４によってブローモジュール１３２に搬送し、エアーの吹き付け等によって基板ホルダ２０に付着した水滴を除去する。その後、基板ホルダ２０を、第１搬送装置１４２によってロード／アンロードステーション１２０に搬送する。
【0030】
ロード／アンロードステーション１２０では、搬送ロボット１２２によって基板ホルダ２０から処理後の基板Ｗｆが取り出され、リンスドライヤ１０６に搬送される。リンスドライヤ１０６は、めっき処理後の基板Ｗｆを乾燥させる。乾燥した基板Ｗｆは、搬送ロボット１２２によりカセット１００に戻される。
【0031】
【0032】
続いて、めっき装置１におけるめっき槽１０の周辺構成の詳細について説明する。なお、本実施形態に係る複数のめっき槽１０の構成は同様であるので、１つのめっき槽１０の周辺構成について説明する。
【0033】
図２は、本実施形態に係るめっき装置１における１つのめっき槽１０の周辺構成を示す模式的な断面図である。図２に例示されているめっき装置１は、一例として、基板Ｗｆの面方向（面に沿った方向）を上下方向にして基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させるタイプのめっき装置（すなわち、ディップ式のめっき装置）である。
【0034】
但し、めっき装置１の具体例は、これに限定されるものではない。他の一例を挙げると、めっき装置１は、基板Ｗｆの面方向を水平方向にして基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させるタイプのめっき装置（すなわち、カップ式のめっき装置）であってもよい。
【0035】
図２に例示するように、めっき槽１０は、上部が開口した有底の容器によって構成されていてもよい。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。
【0036】
めっき装置１は、めっき槽１０の内部に、アノード３０を備えている。アノード３０は、電源に電気的に接続されている。アノード３０の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード３０の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
【0037】
めっき装置１は、図２に例示するように、めっき槽１０の内部に、アノードボックス４０と、隔膜５０と、アノードマスク４５とを備えていてもよい。アノードボックス４０は、アノード３０を内部に収容するための部材（収容部材）である。アノードボックス４０における基板Ｗｆに対向した部分には、開口４０ａが設けられている。隔膜５０は、この開口４０ａを閉塞するように設けられている。アノードボックス４０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。
【0038】
隔膜５０は、めっき液Ｐｓに含まれる金属イオン（例えば硫酸銅中の銅イオン）が通過することは許容する一方でアノード３０の表面から発生した酸素が通過することは抑制する膜によって構成されている。このような隔膜５０としては、例えば中性隔膜を用いることができる。
【0039】
本実施形態によれば、上記のようにアノード３０がアノードボックス４０の内部に収容され、このアノードボックス４０の開口４０ａが隔膜５０によって閉塞されているので、めっき処理時において仮にアノード３０の表面から酸素が発生した場合であっても、この発生した酸素がアノードボックス４０の外側のめっき液Ｐｓに侵入することを抑制することができる。これにより、このアノードボックス４０の外側のめっき液Ｐｓに侵入した酸素に起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【0040】
アノードマスク４５は、アノード３０と基板Ｗｆとの間に配置されている。具体的には、本実施形態に係るアノードマスク４５は、アノードボックス４０の内部に配置されている。アノードマスク４５は、アノード３０と基板Ｗｆとの間を移動するイオン等が通過可能な孔４５ａを、アノードマスク４５の中央に有している。
【0041】
基板ホルダ２０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持するための部材である。基板ホルダ２０は、めっき槽１０の内部において、アノード３０に対向するように基板Ｗｆを配置可能に構成されている。具体的には、基板ホルダ２０は、基板Ｗｆへのめっき処理時において、基板Ｗｆの表面がアノード３０に対向するように、基板Ｗｆを保持する。より具体的には、本実施形態に係る基板ホルダ２０は、基板Ｗｆの面方向が上下方向になるように基板Ｗｆを保持している。めっき処理によって、基板Ｗｆの被めっき面（アノード３０に対向する面）に、めっき皮膜が形成される。
【0042】
図３は、基板Ｗｆの模式的な正面図である。具体的には、図３は、基板Ｗｆの被めっき面の法線方向から基板Ｗｆを視認した様子を図示している。基板Ｗｆの具体的な形状は特に限定されるものではないが、図３に例示するように、複数の辺を有する角形の基板であってもよい。基板Ｗｆの辺の個数は特に限定されるものではなく、３つでもよく、４つでもよく、５つ以上でもよい。
【0043】
本実施形態に係る基板Ｗｆの辺の個数は、一例として４つである。すなわち、本実施形態に係る基板Ｗｆは、辺９０ａ、辺９０ｂ、辺９０ｃ、及び、辺９０ｄを有する、四角形の角形基板である。辺９０ａ及び辺９０ｂは互いに対向し、辺９０ｃ及び辺９０ｄは互いに対向している。辺９０ａと辺９０ｃとの間にコーナー部９１ａが設けられ、辺９０ａと辺９０ｄとの間にコーナー部９１ｂが設けられ、辺９０ｂと辺９０ｄとの間にコーナー部９１ｃが設けられ、辺９０ｂと辺９０ｃとの間にコーナー部９１ｄが設けられている。
【0044】
また、一例として、本実施形態に係る基板Ｗｆの各々の辺の長さは、互いに等しい。すなわち、本実施形態に係る基板Ｗｆは、正面視で正方形の形状を有している。但し、基板Ｗｆの構成はこれに限定されるものではなく、例えば、基板Ｗｆの各々の辺の長さは互いに異なっていてもよい。
【0045】
また、本実施形態において、基板Ｗｆの各々の辺から基板Ｗｆに対して電気が供給される。具体的には、本実施形態に係る基板Ｗｆは、基板Ｗｆの各々の辺から、コンタクト部材（図示せず）を介して、電気が供給される。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、基板Ｗｆに供給される電気は、基板Ｗｆの互いに向かい合う２辺から供給することも可能である。
【0046】
図２を再び参照して、本実施形態に係るめっき装置１は、めっき槽１０の内部に、少なくとも１つの補助アノードを備えている。すなわち、めっき装置１は、補助アノードを１つのみ備えていてもよく、補助アノードを複数備えていてもよい。本実施形態に係るめっき装置１は、一例として、複数の補助アノード（補助アノード６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ）を備えている。
【0047】
補助アノード６０ａ～６０ｄは、めっき槽１０の内部におけるアノード３０と基板Ｗｆとの間の部分に配置されている。具体的には、図２に例示する補助アノード６０ａ～６０ｄは、基板Ｗｆと後述する中間マスク７０との間の部分に配置されている。また、本実施形態に係る補助アノード６０ａ～６０ｄは、後述する収容部７１の内部に収容されている。
【0048】
補助アノード６０ａ～６０ｄの具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、補助アノード６０ａ～６０ｄの一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウムやチタン等の種々の金属を用いることができる。本実施形態に係る補助アノード６０ａ～６０ｄは、一例として、板状のチタンによって構成されており、このチタンの表面に酸化イリジウムがコーティングされている。
【0049】
図２を再び参照して、めっき装置１は、中間マスク７０と、隔膜５１とを備えていてもよい。図４は、中間マスク７０の周辺構成の模式的な斜視図である。図２及び図４を参照して、中間マスク７０は、アノード３０と基板Ｗｆとの間に配置されている。具体的には、本実施形態に係る中間マスク７０は、アノードボックス４０と基板Ｗｆとの間に配置されている。中間マスク７０は、イオンが移動可能な孔７０ａを、中間マスク７０の中央に有している。
【0050】
本実施形態において、中間マスク７０の孔７０ａは、一例として角形の孔になっており、基板Ｗｆの複数の辺にそれぞれ対応する複数の辺（辺７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ）を有している。具体的には、辺７２ａは、基板Ｗｆの辺９０ａに対応し、辺７２ｂは基板Ｗｆの辺９０ｂに対応し、辺７２ｃは基板Ｗｆの辺９０ｃに対応し、辺７２ｄは基板Ｗｆの辺９０ｄに対応している。また、辺７２ａは辺９０ａの延在方向に延在し、辺７２ｂは辺９０ｂの延在方向に延在し、辺７２ｃは辺９０ｃの延在方向に延在し、辺７２ｄは辺９０ｄの延在方向に延在している。
【0051】
本実施形態に係る中間マスク７０の基板Ｗｆに対向する面には、補助アノード６０ａ～６０ｄを収容するための収容部７１が設けられている。収容部７１は、基板Ｗｆの方を向くように開口した開口７１ａを有している。
【0052】
隔膜５１は、収容部７１の開口７１ａを閉塞している。収容部７１の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。隔膜５１としては、前述した隔膜５０と同様のものを用いることができる。すなわち、本実施形態に係る隔膜５１は、めっき液Ｐｓに含まれる金属イオン（例えば硫酸銅中の銅イオン）が通過することは許容する一方で補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する膜によって構成されている。このような隔膜５１としては、例えば中性隔膜を用いることができる。
【0053】
本実施形態によれば、上記のように補助アノード６０ａ～６０ｄが収容部７１に収容され、この収容部７１の開口７１ａが隔膜５１によって閉塞されているので、めっき処理時において仮に補助アノード６０ａ～６０ｄの表面から酸素が発生した場合であっても、この発生した酸素が収容部７１の外側のめっき液Ｐｓに侵入することを抑制することができる。これにより、この収容部７１の外側のめっき液Ｐｓに侵入した酸素に起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【0054】
図２を参照して、本実施形態に係るめっき装置１は、めっき槽１０の内部に、バスバー６１と、少なくとも１つのイオン抵抗体と、を備えている。本実施形態に係るめっき装置１は、一例として、複数のイオン抵抗体（イオン抵抗体８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄ）を備えている。
【0055】
図５は、バスバー６１及び補助アノード６０ａ～６０ｄの模式的な正面図である。なお、図５には、参考用として、基板Ｗｆも二点鎖線で図示されている。また、図５には、電気の流れる方向（すなわち、電流の方向）が、「Ｉ」で例示されている。図６は、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの模式的な正面図である。なお、図６には、参考用として、バスバー６１及び補助アノード６０ａ～６０ｄも二点鎖線で図示されている。図７は、補助アノード６０ａの周辺構成の模式的な側面図である。
【0056】
図５に例示するように、本実施形態に係る補助アノード６０ａ～６０ｄの個数は、基板Ｗｆの辺の個数と一致している。また、補助アノード６０ａ～６０ｄは、所定の空間領域Ａ１の周りを囲むように配置されている。具体的には、本実施形態に係る補助アノード６０ａ～６０ｄは、基板Ｗｆの被めっき面の法線方向から視認した場合に、基板Ｗｆの外周縁を囲むように配置されている。なお、本実施形態において、この空間領域Ａ１は、基板Ｗｆよりもアノード３０の側の領域であって、且つ、アノード３０よりも基板Ｗｆの側の領域である。
【0057】
補助アノード６０ａ～６０ｄは、基板Ｗｆの外周縁に沿うように延在している。具体的には、本実施形態に係る各々の補助アノード６０ａ～６０ｄは、基板Ｗｆの各々の辺に対応するように配置されて、基板Ｗｆの各々の辺の延在方向に延在している。
【0058】
より具体的には、図５に例示するように、補助アノード６０ａは基板Ｗｆの辺９０ａに対応し、辺９０ａの延在方向（Ｙ方向）に延在している。補助アノード６０ｂは辺９０ｂに対応し、辺９０ｂの延在方向（Ｙ方向）に延在している。補助アノード６０ｃは辺９０ｃに対応し、辺９０ｃの延在方向（Ｚ方向）に延在している。補助アノード６０ｄは辺９０ｄに対応し、辺９０ｄの延在方向（Ｚ方向）に延在している。
【0059】
図５を参照して、バスバー６１は、補助アノード６０ａ～６０ｄに電気を供給するための部材である。バスバー６１の具体的な構成は特に限定されるものではないが、本実施形態に係るバスバー６１は、例えばチタンのような電気導電率の良好な材質によって構成されている。また、本実施形態に係るバスバー６１は、一例として、平板状の部材によって構成されている。なお、バスバー６１は、めっき液Ｐｓによる腐食を効果的に抑制するために、被覆材によって被覆されていてもよい。
【0060】
本実施形態に係るバスバー６１は、給電部位６２と、複数の接続部位６３と、連結部位６４と、を備えている。給電部位６２は、電源２００と電気的に接続されており、この電源２００から電気が供給されるように構成された部位である。
【0061】
図５及び図７を参照して、接続部位６３は、補助アノード６０ａ～６０ｄに接続された部位（すなわち、接続ボス）である。具体的には、本実施形態に係る接続部位６３は、突起状になっており、補助アノード６０ａ～６０ｄと連結部位６４の後述する延在部位６６ａ～６６ｄとを連結している。図５には、複数の接続部位６３について＃１～＃１２の番号が付与されている。図５に例示するように、複数の接続部位６３は、隣接する接続部位６３との間に間隔をあけて、補助アノード６０ａ～６０ｄの延在方向に配列している。
【0062】
連結部位６４は、給電部位６２と接続部位６３とを連結するように構成された部位である。図５に例示するように、本実施形態に係る連結部位６４は、導入部位６５と、延在部位６６ａ～６６ｄと、を備えている。導入部位６５は、延在部位６６ａ～６６ｄと給電部位６２とを連結して、給電部位６２の電気を延在部位６６ａ～６６ｄに導入するように構成された部位である。
【0063】
延在部位６６ａ～６６ｄは、補助アノード６０ａ～６０ｄに沿うように延在している。具体的には、延在部位６６ａは、補助アノード６０ａの延在方向に延在し、延在部位６６ｂは、補助アノード６０ｂの延在方向に延在している。延在部位６６ｃは、補助アノード６０ｃの延在方向に延在し、延在部位６６ｄは、補助アノード６０ｄの延在方向に延在している。
【0064】
延在部位６６ａと延在部位６６ｄとは電気的に直列に接続されている。延在部位６６ｃと延在部位６６ｂとは電気的に直列に接続されている。そして、延在部位６６ａ，６６ｄと延在部位６６ｃ，６６ｂとは、電気的に並列に接続されている。この結果、補助アノード６０ａと補助アノード６０ｃとは電気的に並列になるように配置され、補助アノード６０ｄと補助アノード６０ｂとは電気的に並列になるように配置されている。
【0065】
また、延在部位６６ａ～６６ｄは、所定の空間領域Ａ１の周りを囲むように配置されている。具体的には、本実施形態に係る延在部位６６ａ～６６ｄは、基板Ｗｆの被めっき面の法線方向から視認した場合に、基板Ｗｆの外周縁を囲むように配置されている。また、本実施形態に係る延在部位６６ａ～６６ｄは、互いに連結して、枠状に配置されている。具体的には、本実施形態に係る延在部位６６ａ～６６ｄは、一例として、角形（本実施形態では一例として四角形）の枠状になっている。
【0066】
各々の補助アノード６０ａ～６０ｄは、複数の接続部位６３を介して各々の延在部位６６ａ～６６ｄに接続されている。具体的には、補助アノード６０ａは、＃１～＃３の接続部位６３を介して延在部位６６ａに接続されている。補助アノード６０ｂは、＃１０～＃１２の接続部位６３を介して延在部位６６ｂに接続されている。補助アノード６０ｃは、＃７～＃９の接続部位６３を介して延在部位６６ｃに接続されている。補助アノード６０ｄは、＃４～＃６の接続部位６３を介して延在部位６６ｄに接続されている。
【0067】
電源２００から給電部位６２を介してバスバー６１に供給された電気は、連結部位６４を流れた後に、接続部位６３を流れて、補助アノード６０ａ～６０ｄに供給される。具体的には、給電部位６２に供給された電気は、連結部位６４の導入部位６５を流れた後に、連結部位６４の延在部位６６ａ及び延在部位６６ｃにそれぞれ流入する。延在部位６６ａを流れた電気は延在部位６６ｄを流れ、延在部位６６ｃを流れた電気は延在部位６６ｂを流れる。延在部位６６ａの電気は、接続部位６３を介して補助アノード６０ａに流れ、延在部位６６ｂの電気は、接続部位６３を介して補助アノード６０ｂに流れる。延在部位６６ｃの電気は、接続部位６３を介して補助アノード６０ｃに流れ、延在部位６６ｄの電気は、接続部位６３を介して補助アノード６０ｄに流れる。
【0068】
ここで、バスバー６１の接続部位６３の抵抗値は、給電部位６２に近い箇所ほど小さくなる（逆にいうと、給電部位６２から遠くなるほど大きくなる）。なお、「給電部位６２に近い」とは、具体的には、「給電部位６２からの電気的な距離が短い」ことを意味している。
【0069】
例えば１００（ｍＡ）の電流をバスバー６１に流した場合の各接続部位６３の抵抗値の一例を列挙すると、＃１は８（ｍΩ）、＃２は１０（ｍΩ）、＃３は１２（ｍΩ）、＃４は１２（ｍΩ）、＃５は１３（ｍΩ）、＃６は１５（ｍΩ）、＃７は８（ｍΩ）、＃８は１０（ｍΩ）、＃９は１２（ｍΩ）、＃１０は１３（ｍΩ）、＃１１は１４（ｍΩ）、＃１２は１５（ｍΩ）である。
【0070】
このように、バスバー６１の接続部位６３の抵抗値が給電部位６２に近づくほど小さくなる結果、めっき処理時にバスバー６１から補助アノード６０ａ～６０ｄに流れる電気の量（すなわち電流値）は、給電部位６２に近づくほど大きくなる傾向がある。このため、仮に、後述するイオン抵抗体８０ａ～８０ｄが設けられていない場合、基板Ｗｆの外周縁の膜厚は、給電部位６２に近い箇所ほど厚くなるおそれがある。具体的には、図３を参照して、基板Ｗｆのコーナー部９１ａの周辺の膜厚が最も厚くなるおそれがある。この問題に対処するために、本実施形態では、以下に説明するイオン抵抗体８０ａ～８０ｄを備えている。
【0071】
図２、図６、及び、図７を参照して、イオン抵抗体（イオン抵抗体８０ａ～８０ｄ）は、めっき液Ｐｓにおけるイオンの移動に対する抵抗として機能する部材であり、具体的には、めっき液Ｐｓの電気抵抗よりも高い電気抵抗を有する部材によって構成されている。このような機能を有するものであれば、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの具体的な材質は特に限定されるものではないが、例えば、セラミックス等のような、めっき液Ｐｓに対する耐腐食性能の高い材質を用いることが好ましい。
【0072】
また、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、めっき槽１０の内部における補助アノード６０ａ～６０ｄと基板Ｗｆとの間に配置されている。具体的には、本実施形態に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、図２に例示するように、収容部７１の内部に配置されており、具体的には、補助アノード６０ａ～６０ｄと隔膜５１との間の領域に配置されている。イオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、所定の取付部材（図示せず）によって、めっき槽１０の内部に取り付けられている。
【0073】
イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの「厚みｔ１（具体的には、アノード３０から基板Ｗｆに向かう方向の長さ（ｍｍ））」は、特に限定されるものではないが、隔膜５１及び補助アノード６０ａ～６０ｄにイオン抵抗体８０ａ～８０ｄが接触しないような値になっている。すなわち、本実施形態に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、隔膜５１との間に空間を有し、且つ、補助アノード６０ａ～６０ｄとの間にも空間を有するように配置されている。また、図７に例示するように、本実施形態に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの厚みｔ１は、一例として、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの延在方向に亘って同じ値（すなわち一様）になっている。
【0074】
図６に例示するように、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、補助アノード６０ａ～６０ｄに沿うように延在している。具体的には、イオン抵抗体８０ａは、補助アノード６０ａの延在方向に延在し、イオン抵抗体８０ｂは、補助アノード６０ｂの延在方向に延在している。また、イオン抵抗体８０ｃは、補助アノード６０ｃの延在方向に延在し、イオン抵抗体８０ｄは、補助アノード６０ｄの延在方向に延在している。
【0075】
また、イオン抵抗体８０ａは補助アノード６０ａに対向するように配置され、イオン抵抗体８０ｂは補助アノード６０ｂに対向するように配置されている。イオン抵抗体８０ｃは補助アノード６０ｃに対向するように配置され、イオン抵抗体８０ｄは補助アノード６０ｄに対向するように配置されている。また、これらのイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、空間領域Ａ１の周りを囲むように配置されている。具体的には、本実施形態に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、基板Ｗｆの被めっき面の法線方向から視認した場合に、基板Ｗｆの外周縁を囲むように配置されている。
【0076】
図６を参照して、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの延在方向の長さ（Ｌ１）は、特に限定されるものではなく、補助アノード６０ａ～６０ｄの延在方向の長さよりも長くてもよく、短くてもよく、同じであってもよい。本実施形態では、一例として、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの長さ（Ｌ１）は、補助アノード６０ａ～６０ｄの長さの８０％以上、１３０％以下の範囲内、具体的には、補助アノード６０ａ～６０ｄの長さの９０％以上、１２０％以下の範囲内になっている。なお、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの長さ（Ｌ１）は、補助アノード６０ａ～６０ｄの長さと同じか、補助アノード６０ａ～６０ｄの長さよりも長いことが好ましい。
【0077】
また、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの幅（Ｌ２）は、特に限定されるものではなく、補助アノード６０ａ～６０ｄの幅よりも長くてもよく、短くてもよく、同じであってもよい。本実施形態では、一例として、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの幅（Ｌ２）は、補助アノード６０ａ～６０ｄの幅の８０％以上、１２０％以下の範囲内になっている。
【0078】
図８は、複数のイオン抵抗体８０ａ～８０ｄのうちの１つのイオン抵抗体（具体的にはイオン抵抗体８０ａ）の模式的な正面図である。図６及び図８を参照して、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの延在方向で給電部位６２に近づくほど、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの抵抗率（Ω・ｃｍ）が高くなるように構成されている。具体的には、イオン抵抗体８０ａの抵抗率は、図６でＹ方向に向かうほど高くなっている。イオン抵抗体８０ｂの抵抗率は、図６でＹ方向に向かうほど高くなっている。イオン抵抗体８０ｃの抵抗率は、図６でＺ方向に向かうほど高くなっている。イオン抵抗体８０ｄの抵抗率は、図６でＺ方向に向かうほど高くなっている。
【0079】
より具体的には、図８に例示するように、本実施形態に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、それぞれ、複数の開口８１を有している。そして、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの開口率（すなわち、イオン抵抗体の単位面積当たりに占める開口８１部分の面積の比率）は、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの延在方向で給電部位６２に近づくほど低くなるように構成されている。これにより、本実施形態によれば、簡易な構成で、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの抵抗率を給電部位６２に近づくほど高くすることができる。
【0080】
なお、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの各々の開口８１は、めっき処理中に補助アノード６０ａ～６０ｄから発生する気泡（具体的には酸素からなる気泡）が、この開口８１を通過できるような大きさになっていることが好ましい。この構成によれば、補助アノード６０ａ～６０ｄから発生した気泡がイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの補助アノード６０ａ～６０ｄに対向した面に滞留することを効果的に抑制することができる。なお、この構成は、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄが水平方向に延在するように配置されている場合に、特に高い効果を発揮することができる。
【0081】
また、各々のイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの全体の抵抗率は、互いに同じであってもよい。具体的には、イオン抵抗体８０ａの全体の抵抗率（イオン抵抗体８０ａの一端から他端までの全抵抗率）と、イオン抵抗体８０ｂの全体の抵抗率と、イオン抵抗体８０ｃの全体の抵抗率と、イオン抵抗体８０ｄの全体の抵抗率とは、互いに同じ値であってもよい。
【0082】
あるいは、各々のイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの全体の抵抗率は、互いに異なっていてもよい。この場合、給電部位６２の近くに配置されているイオン抵抗体の方が、給電部位６２から遠くに配置されているイオン抵抗体よりも、全体の抵抗率が高くなるように構成されていることが好ましい。
【0083】
具体的には、イオン抵抗体８０ａの方がイオン抵抗体８０ｄよりも、全体の抵抗率が高い方が好ましい。換言すると、イオン抵抗体８０ａの給電部位６２から遠い側の端部（「遠位端（図６では－Ｙ方向側の端部）」）の抵抗値は、イオン抵抗体８０ｄの給電部位６２に近い側の端部（「近位端（図６ではＺ方向側の端部）」）の抵抗値よりも高い方が好ましい。また、イオン抵抗体８０ｃの方がイオン抵抗体８０ｂよりも、全体の抵抗率が高い方が好ましい。換言すると、イオン抵抗体８０ｃの遠位端（図６では－Ｚ方向側の端部）の抵抗値は、イオン抵抗体８０ｂの近位端（図６ではＹ方向側の端部）の抵抗値よりも高い方が好ましい。
【0084】
以上説明したような本実施形態によれば、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの抵抗率が給電部位６２に近づくほど高くなるように構成されているので、バスバー６１の接続部位６３の抵抗値が給電部位６２に近づくほど小さくなることに起因して基板Ｗｆの外周縁の膜厚が不均一になることを抑制することができる。すなわち、本実施形態によれば、基板Ｗｆの外周縁の膜厚の均一化を図ることができる。この結果、基板Ｗｆの面内の膜厚の均一化を図ることもできる。
【0085】
（実施形態１の変形例）
イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの構成は図８で説明した構成に限定されるものではない。イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの他の一例として、以下のものを用いることもできる。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、実施形態１の変形例に係るめっき装置１Ａのイオン抵抗体８０ａ～８０ｄを説明するための模式図である。具体的には、図９（Ａ）は、本変形例に係る１つのイオン抵抗体（イオン抵抗体８０ａ）の模式的な正面図であり、図９（Ｂ）は、本変形例に係る１つのイオン抵抗体（イオン抵抗体８０ａ）の模式的な側面図である。
イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの構成は図８で説明した構成に限定されるものではない。イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの他の一例として、以下のものを用いることもできる。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、実施形態１の変形例に係るめっき装置１Ａのイオン抵抗体８０ａ～８０ｄを説明するための模式図である。具体的には、図９（Ａ）は、本変形例に係る１つのイオン抵抗体（イオン抵抗体８０ａ）の模式的な正面図であり、図９（Ｂ）は、本変形例に係る１つのイオン抵抗体（イオン抵抗体８０ａ）の模式的な側面図である。
【0086】
本変形例に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの厚みｔ１が、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの延在方向で給電部位６２に近づくほど、厚くなるように構成されている（図９（Ｂ）参照）。
【0087】
具体的には、図９（Ｂ）及び前述した図６を参照して、本変形例に係るイオン抵抗体８０ａの厚みｔ１は、イオン抵抗体８０ａの延在方向でＹ方向に向かうほど厚くなっている。本変形例に係るイオン抵抗体８０ｂの厚みｔ１も、イオン抵抗体８０ｂの延在方向で、Ｙ方向に向かうほど厚くなっている。本変形例に係るイオン抵抗体８０ｄの厚みｔ１は、イオン抵抗体８０ｄの延在方向で、Ｚ方向に向かうほど厚くなっている。本変形例に係るイオン抵抗体８０ｃの厚みｔ１も、イオン抵抗体８０ｃの延在方向で、Ｚ方向に向かうほど厚くなっている。
【0088】
また、図９（Ａ）に例示するように、本変形例に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄは、複数の開口８１を有していてもよい。この場合、図９（Ａ）に例示するように、本変形例に係るイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの開口率は、給電部位６２からの電気的な距離にかかわらず、一様であってもよい。
【0089】
本変形例によれば、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄの厚みｔ１がイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの延在方向で給電部位６２に近づくほど厚くなるという簡易な構成で、給電部位６２に近づくほどイオン抵抗体８０ａ～８０ｄの抵抗率を高くすることができる。
【0090】
（実施形態２）
続いて、実施形態２に係るめっき装置１Ｂについて説明する。図１０は、本実施形態に係るめっき装置１Ｂにおける１つのめっき槽１０の周辺構成を示す模式的な断面図である。本実施形態に係るめっき装置１Ｂは、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄを備えていない点において、図２で例示しためっき装置１と異なっている。
続いて、実施形態２に係るめっき装置１Ｂについて説明する。図１０は、本実施形態に係るめっき装置１Ｂにおける１つのめっき槽１０の周辺構成を示す模式的な断面図である。本実施形態に係るめっき装置１Ｂは、イオン抵抗体８０ａ～８０ｄを備えていない点において、図２で例示しためっき装置１と異なっている。
【0091】
図１１は、本実施形態に係る１つの補助アノード（補助アノード６０ａ）の周辺構成の模式的な側面図である。図１２は、互いに隣接する一対の補助アノードを比較するための模式図である。図１１、図１２、及び前述した図５を参照して、本実施形態に係る補助アノード６０ａ～６０ｄは、補助アノード６０ａ～６０ｄの延在方向で給電部位６２に近づくほど、補助アノード６０ａ～６０ｄと基板Ｗｆとの距離Ｄ１が大きくなるように構成されている点において、前述した実施形態に係る補助アノード（図７参照）と異なっている。本実施形態に係る補助アノード６０ａ～６０ｄの他の構成は、前述した実施形態に係る補助アノードと同様である。
【0092】
具体的には、本実施形態に係る補助アノード６０ａは、Ｙ方向に向かうほど補助アノード６０ａと基板Ｗｆ（具体的には辺９０ａ）との距離Ｄ１が大きくなるように構成されている。本実施形態に係る補助アノード６０ｂも、Ｙ方向に向かうほど補助アノード６０ｂと基板Ｗｆ（具体的には辺９０ｂ）との距離Ｄ１が大きくなるように構成されている。本実施形態に係る補助アノード６０ｃは、Ｚ方向に向かうほど補助アノード６０ｃと基板Ｗｆ（具体的には辺９０ｃ）との距離Ｄ１が大きくなるように構成されている。本実施形態に係る補助アノード６０ｄも、Ｚ方向に向かうほど補助アノード６０ｄと基板Ｗｆ（具体的には辺９０ｄ）との距離Ｄ１が大きくなるように構成されている。
【0093】
また、図１２に例示するように、電気の流れる方向で見て互いに隣接する一対の補助アノードを比較した場合、給電部位６２に近い位置に配置された補助アノードの方が、給電部位６２から遠い位置に配置された補助アノードに比較して、補助アノードと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａが大きいことが好ましい。
【0094】
具体的には、図１２に例示するように、互いに隣接する補助アノード６０ａと補助アノード６０ｄとを比較した場合、補助アノード６０ａと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａは、補助アノード６０ｄと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａよりも大きいことが好ましい。同様に、互いに隣接する補助アノード６０ｃと補助アノード６０ｂとを比較した場合、補助アノード６０ｃと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａは、補助アノード６０ｂと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａよりも大きいことが好ましい。
【0095】
また、この場合、補助アノード６０ａと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａは、補助アノード６０ｃと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａと同じであってもよい。同様に、補助アノード６０ｄと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａは、補助アノード６０ｂと基板Ｗｆとの距離の平均値Ｄ１ａと同じであってもよい。
【0096】
本実施形態によれば、補助アノード６０ａ～６０ｄの延在方向で給電部位６２に近づくほど補助アノード６０ａ～６０ｄと基板Ｗｆとの距離Ｄ１が大きくなるように構成されているので、バスバー６１の接続部位６３の抵抗値が給電部位６２に近づくほど小さくなることに起因して基板Ｗｆの外周縁の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【0097】
（実施例）
上述した実施形態の作用効果について、実験によって確認した。これについて説明する。まず、実施例に係るめっき装置として、前述した実施形態１に係るめっき装置１を準備した。また、比較例に係るめっき装置として、イオン抵抗体を備えていない点以外は実施例に係るめっき装置１と同じ構成を有するめっき装置を準備した。
上述した実施形態の作用効果について、実験によって確認した。これについて説明する。まず、実施例に係るめっき装置として、前述した実施形態１に係るめっき装置１を準備した。また、比較例に係るめっき装置として、イオン抵抗体を備えていない点以外は実施例に係るめっき装置１と同じ構成を有するめっき装置を準備した。
【0098】
そして、実施例に係るめっき装置１及び比較例に係るめっき装置をそれぞれ用いて、同じめっき処理条件で、基板Ｗｆにめっき処理を施し、このめっき処理後の基板Ｗｆの膜厚を測定した。具体的には、図３を参照して、めっき処理後の基板Ｗｆのめっき皮膜の外周縁の膜厚を測定した。より具体的には、給電部位６２に最も近いコーナー部９１ａの周辺の膜厚を「始点」として、図３において矢印で示す方向（時計回りの方向）に膜厚を測定した。この膜厚の測定結果を図１３に示す。
【0099】
図１３の横軸は「始点」からの距離（ｍｍ）を示している。図１３の縦軸は、基板Ｗｆの膜厚（すなわち、基板Ｗｆに形成されためっき皮膜の膜厚（μｍ））を示している。図１３から分かるように、比較例に係るめっき装置を用いて基板Ｗｆにめっき処理を施した場合、基板Ｗｆの外周縁のうち、給電部位６２に近いコーナー部９１ａの周辺の膜厚が最も高く、給電部位６２から遠いコーナー部９１ｃの周辺の膜厚が最も低くなっている。そして、比較例の場合、基板Ｗｆのめっき皮膜の外周縁の膜厚分布は、「Ｒａｎｇｅ／２Ａｖｅ（すなわち、（膜厚の最大値－最小値）／（膜厚の平均値×２））」で測定した場合で、６．８％である。
【0100】
これに対して、実施例に係るめっき装置１を用いて基板Ｗｆにめっき処理を施した場合、全体的に見ると、基板Ｗｆにおける給電部位６２に近いコーナー部９１ａの周辺の膜厚が最も高く、給電部位６２から遠いコーナー部９１ｃの周辺の膜厚が最も低くなっているが、コーナー部９１ａの周辺の膜厚の厚みは、比較例に比較して小さくなっている。この結果、実施例の場合、比較例に比較して、基板Ｗｆの外周縁の膜厚は全体的に均一化されている。具体的な数値を挙げると、実施例の場合、基板Ｗｆの外周縁の膜厚分布は、５．５％（Ｒａｎｇｅ／２Ａｖｅ）であり、比較例に比較して数値が小さくなっている。すなわち、実施例は、比較例に比較して、基板Ｗｆの外周縁の膜厚分布の均一化が図られている。
【0101】
なお、前述した実施形態１の変形例に係るめっき装置１Ａ、及び、実施形態２に係るめっき装置１Ｂについても、実施形態１の場合と同様の条件で基板Ｗｆにめっき処理を施して膜厚を測定した。この結果、めっき装置１Ａ及びめっき装置１Ｂにおいても、実施例に係るめっき装置１の場合と同様に、基板Ｗｆの外周縁の膜厚分布として５．５％（Ｒａｎｇｅ／２Ａｖｅ）の値が得られた。以上のように、前述した実施形態の効果は実験によって確認された。
【0102】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0103】
１ めっき装置
１０ めっき槽
２０ 基板ホルダ
３０ アノード
５１ 隔膜
６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ 補助アノード
６１ バスバー
６２ 給電部位
６３ 接続部位
６４ 連結部位
７１ 収容部
８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄ イオン抵抗体
Ｐｓ めっき液
Ｗｆ 基板
Ｄ１ 距離
ｔ１ 厚み
１０ めっき槽
２０ 基板ホルダ
３０ アノード
５１ 隔膜
６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ 補助アノード
６１ バスバー
６２ 給電部位
６３ 接続部位
６４ 連結部位
７１ 収容部
８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄ イオン抵抗体
Ｐｓ めっき液
Ｗｆ 基板
Ｄ１ 距離
ｔ１ 厚み
【要約】
基板の外周縁の膜厚が不均一になることを抑制することができる技術を提供する。
めっき装置１は、めっき槽と、アノードと、基板ホルダと、少なくとも１つの補助アノード６０ａ～６０ｄと、電気が供給される給電部位６２と少なくとも１つの補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位６３とを有するバスバー６１と、少なくとも１つのイオン抵抗体８０ａ～８０ｄと、を備え、イオン抵抗体は、イオン抵抗体の延在方向で給電部位に近づくほど、イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている。
めっき装置１は、めっき槽と、アノードと、基板ホルダと、少なくとも１つの補助アノード６０ａ～６０ｄと、電気が供給される給電部位６２と少なくとも１つの補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位６３とを有するバスバー６１と、少なくとも１つのイオン抵抗体８０ａ～８０ｄと、を備え、イオン抵抗体は、イオン抵抗体の延在方向で給電部位に近づくほど、イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
