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公報発行日 2022年11月17
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7174816 ログイン済みの方はこのURLへ
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本発明によれば半導体装置用の銅合金ボンディングワイヤ中にNi,Zn,Ga,Ge,Rh,In,Ir,Ptから選ばれる少なくとも1種以上の元素を総計で0.03質量%以上3質量%以下含有することにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。
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