特許7177796IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

高純度のアジルサルタン(化学名称:1-[[2′-(4,5-ジヒドロ-5-オキソ-1,2,4-オキサジアゾール-3-イル)[1,1′-ビフェニル-4-イル]メチル]-2-エトキシ-1H-ベンゾイミダゾール-7-カルボン酸)A型結晶の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

したがって、本発明の目的は、安定して高純度、かつ安定なアジルサルタンの結晶を簡便に製造できる方法を提供することにある。特にアジルサルタンの分解物であるデスエチル体の含有量が低減されたアジルサルタンA型結晶を安定的、且つ効率的に製造する方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、課題に対して鋭意検討を行った。本発明者らは、アジルサルタンの他結晶形として、Cu-Kα線を用いるX線回折により、少なくとも2θ=9.4°、11.5°、13.3°、14.8°、26.0°に特徴的なピークを有するアジルサルタン結晶(以下、「アジルサルタンM型結晶」とも言う)を見出し、該結晶形でデスエチル体が効率的に低減できることを既に提案している(WO2017/131218)。・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の方法によれば、特に、不純物であるデスエチル体の含有量が低減された、高純度のアジルサルタンA型結晶を、精製操作を繰り返すことなく、安定的かつ簡便な方法によって製造することができるため、その工業的利用価値は高い。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 製造例3において製造された本発明のアジルサルタンM型結晶のX線回折チャートである。
【図2】 実施例1において製造された本発明のアジルサルタンA型結晶のX線回折チャートである。

代表図 図1本件の代表的な図

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

[広告欄]

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります