特許7180745IP Force 特許公報全文掲載

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面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１実施形態の面位置検出装置１００の構成を概略的に示す図。
【図2】 面位置検出装置１００の一部の構成を、－Ｙ方向から見た側面図。
【図3】 面位置検出装置１００の一部の構成を、＋Ｚ方向から見た上面図。
【図4】 検出光分割部材の一例を示す図。
【図5】 図５（ａ）は、被検面ＷＡ上の照射領域ＩＡを示す図。図５（ｂ）は、照射領域ＩＡのＸ軸方向の光量分布を示す図。
【図6】 受光プリズム２３の入射面２３ａを、入射面２３ａに対する法線の方向から見た図。
【図7】 複合分離部材２５の一例を示す図。
【図8】 受光面２９ａに形成される開口部ＳＬのＰ偏光成分の像を示す図。
【図9】 被検面ＷＡのＺ軸方向の位置（横軸）と、光電変換信号Ｓ１ｂおよび光電変換信号Ｓ２ｂとの関係の一例を示す図。
【図10】 図１０（ａ）は別の例の検出光分割部材を示す斜視図。図１０（ｂ）は別の例の検出光分割部材を送光側第１レンズ１７側から見た図。
【図11】 図１１（ａ）は、第２実施形態の面位置検出装置における、被検面ＷＡ上の第１検出光、第２検出光、および第３検出光の光量分布を表す図。図１１（ｂ）は、被検面ＷＡのＺ軸方向の位置（横軸）と、光電変換信号との関係を示す図。
【図12】 第３実施形態の露光装置２００の概略を示す図。
【図13】 第４実施形態の基板処理システム３００を含む、基板処理ラインの概略を示す図。
【図14】 デバイス製造方法の概要を示す図。

代表図 図1本件の代表的な図

１００，１００ａ：面位置検出装置、２００：露光装置、３００：基板処理システム、ＴＳ：送光部、ＲＳ：受光部、ＰＵ：演算部、Ｗ：被計測物、ＷＡ：被検面、１４：回折格子板、１７：送光側第１レンズ、１５：送光側第２レンズ、１８，１９：ミラー、ＴＰ：瞳面、ＲＰ１：瞳面、ＲＰ２：瞳面、ＡＸ１～ＡＸ６：光軸、２０：受光側第１レンズ、２２：受光側第２レンズ、２３：受光プリズム、２４：前側レンズ群、２６：後側レンズ群、２７：偏光分離プリズム、２８ａ，２８ｂ：光検出部、２９ａ，２９ｂ：受光面、ＳＴ：ステージＳＴ、１２：光導入部１２、１３：コンデンサーレンズ、１６：検出光分割部材、２５：複合分離部材、２５ａ：光分離部材２５ａ、２５ｂ分光部材、ＩＡ：照射領域、ＤＡ：検出領域、ＤＰ：＋１次回折光、ＤＭ：－１次回折光、ＤＬ１，ＤＬ１０：第１検出光、ＤＬ２，ＤＬ２０：第２検出光、ＳＬ：開口部、ＩＭ１ａ～ＩＭ１ｃ，ＩＭ２ａ～ＩＭ２ｃ：像、Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ：光電変換信号

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