特許7181337IP Force 特許公報全文掲載

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一般的には半導体処理装置においてガスを分配するためのシャワーヘッドに関する。本開示の特定の態様は、原子層堆積プロセスでガスを分配するための多孔バッフル、フェースプレートの小径貫通穴、および／またはフェースプレートの追加のエッジ貫通穴を有する低容積シャワーヘッド

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 バッフルを有する例示的シャワーヘッドの等角断面図である。
【図2】 多孔バッフルを有する例示的低容積シャワーヘッドの等角断面図である。
【図3】 図２の低容積シャワーヘッドの多孔バッフルの拡大等角断面図である。
【図4】 ２つのシャワーヘッド例の側方断面図の対照比較を示す説明図である。
【図5】 低容積シャワーヘッドのフェースプレート用および多孔バッフル用の貫通穴の配置の例示的レイアウトを示す図である。
【図6A】 低容積シャワーヘッド内における名目上のガス流方向を示す矢印を伴った、多孔バッフルを備える例示的低容積シャワーヘッドの一部分の断面図である。
【図6B】 低容積シャワーヘッド内における名目上のガス流方向を示す矢印を伴った、多孔バッフルを備える例示的低容積シャワーヘッドの一部分の側方断面図である。
【図7A】 シャワーヘッド内における例示的バッフルの等角図である。
【図7B】 シャワーヘッド内における複数の貫通穴を備える例示的バッフルの等角図である。
【図8】 フェースプレートの径方向寸法に対するシャワーヘッドのフェースプレートからのガスの軸方向流速を示すグラフである。
【図9】 ２つのシャワーヘッドについての原子層堆積の非均一性の割合を示すグラフである。
【図10】 複数のフェースプレート貫通穴を有する例示的フェースプレートの底面図である。
【図11】 複数の小径のフェースプレート貫通穴を有する例示的フェースプレートの底面図である。
【図12】 ラジカルの逆拡散を制限するフェースプレート貫通穴の概略断面図である。
【図13A】 フェースプレート貫通穴の直径の縮小に伴うフェースプレートの径方向距離に対するフェースプレートからのガスの軸方向流速を示すグラフである。
【図13B】 ０．０４インチ径のフェースプレート貫通穴を有する低容積シャワーヘッドと、０．０２インチ径フェースプレート貫通穴を有する低容積シャワーヘッドとの膜非均一性を示すグラフである。
【図14A】 複数の中央貫通穴および複数のエッジ貫通穴を有する例示的フェースプレートの底面図である。
【図14B】 複数の中央貫通穴、第１のリングに沿った複数のエッジ貫通穴、および第２のリングに沿った複数のエッジ貫通穴を有する例示的フェースプレートの底面図である。
【図14C】 中央貫通穴とある角度で傾斜されたエッジ貫通穴とを有する例示的フェースプレートの拡大等角断面図である。
【図15A】 中央貫通穴を有する例示的フェースプレートと、中央貫通穴およびエッジ貫通穴を有する例示的フェースプレートとを備える側方断面図である。
【図15B】 図１５Ａの２つの例示的フェースプレートを対比する部分拡大側方断面図である。
【図15C】 図１５Ａの２つの例示的フェースプレートを対比する部分拡大斜視断面図である。
【図16】 低容積シャワーヘッドを備え得るマルチステーション処理ツールの概略図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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