(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-05
(45)【発行日】2022-12-13
(54)【発明の名称】気相成長装置及びこれに用いられるキャリア
(51)【国際特許分類】
H01L 21/205 20060101AFI20221206BHJP
H01L 21/673 20060101ALI20221206BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20221206BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20221206BHJP
C23C 16/458 20060101ALI20221206BHJP
【ＦＩ】
H01L21/205
H01L21/68 U
H01L21/68 N
C23C16/44 F
C23C16/458
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2019075501
(22)【出願日】2019-04-11
(65)【公開番号】P2020174138
(43)【公開日】2020-10-22
【審査請求日】2021-05-06
(73)【特許権者】
【識別番号】302006854
【氏名又は名称】株式会社ＳＵＭＣＯ
(74)【代理人】
【識別番号】110000486
【氏名又は名称】弁理士法人とこしえ特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】和田 直之
(72)【発明者】
【氏名】南出 由生
【審査官】宇多川 勉
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１８－５３６９８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－１８６６５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０８－００８１９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－２９７７８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２１６６１４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／２０５
Ｈ０１Ｌ ２１／６７３
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
Ｃ２３Ｃ １６／４４
Ｃ２３Ｃ １６／４５８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ウェーハの外縁を支持するリング状のキャリアを備え、複数の当該キャリアを用いて、複数の処理前のウェーハを、少なくとも前記ウェーハにＣＶＤ膜を形成する反応室へ順次搬送するとともに、
前記反応室には、前記キャリアを支持するサセプタが設けられた気相成長装置において、
前記キャリアは、前記サセプタの上面に載置される底面と、前記ウェーハの裏面の外縁に接触して支持する上面と、外周側壁面と、内周側壁面とを有するリング状に形成され、
前記ウェーハ、前記キャリア及び前記サセプタで仕切られる空間と、前記サセプタの裏面との間を貫通するガス抜き孔が、前記サセプタ及び前記キャリアを貫通して設けられている気相成長装置。
【請求項2】
前記複数の当該キャリアを用いて、複数の処理前のウェーハを、少なくともロードロック室及びウェーハ移載室を介して反応室へ順次搬送するとともに、
複数の処理後のウェーハを、前記反応室から、前記ウェーハ移載室、前記ロードロック室へ順次搬送し、
前記ロードロック室は、第１ドアを介してファクトリインターフェースと連通するとともに、第２ドアを介して前記ウェーハ移載室と連通し、
前記ウェーハ移載室は、ゲートバルブを介して、前記ウェーハにＣＶＤ膜を形成する前記反応室と連通し、
前記ウェーハ移載室には、前記ロードロック室に搬送されてきた処理前のウェーハをキャリアに搭載された状態で前記反応室に投入するとともに、前記反応室において処理を終えた処理後のウェーハをキャリアに搭載された状態で前記反応室から取り出して前記ロードロック室に搬送する第１ロボットが設けられ、
前記ファクトリインターフェースには、処理前のウェーハをウェーハ収納容器から取り出し、前記ロードロック室にて待機するキャリアに搭載するとともに、前記ロードロック室に搬送されてきた、キャリアに搭載された処理後のウェーハを、ウェーハ収納容器に収納する第２ロボットが設けられ、
前記ロードロック室には、キャリアを支持するホルダが設けられ、
前記反応室には、前記キャリアを支持するサセプタが設けられた請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項3】
前記サセプタに形成されたガス抜き孔と、前記キャリアに形成されたガス抜き孔は、直径が異なる請求項１又は２に記載の気相成長装置。
【請求項4】
ウェーハの外縁を支持するリング状のキャリアであって、前記キャリアを用いて、
複数の処理前のウェーハを、少なくとも前記ウェーハにＣＶＤ膜を形成する反応室へ順次搬送する気相成長装置用キャリアにおいて、
前記反応室のサセプタの上面に載置される底面と、前記ウェーハの裏面の外縁に接触して支持する上面と、外周側壁面と、内周側壁面とを有するリング状に形成されるとともに、前記ウェーハ、前記キャリア及び前記サセプタで仕切られる空間と、前記サセプタの裏面との間を貫通するガス抜き孔が、前記サセプタ及び当該キャリアを貫通して設けられている気相成長装置用キャリア。
【請求項5】
前記キャリアを用いて、複数の処理前のウェーハを、少なくともロードロック室及びウェーハ移載室を介して前記反応室へ順次搬送するとともに、
複数の処理後のウェーハを、前記反応室から、前記ウェーハ移載室、前記ロードロック室へ順次搬送する請求項４に記載の気相成長装置用キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造などに用いられる気相成長装置及びこれに用いられるキャリアに関するものである。
【背景技術】
【0002】
エピタキシャルウェーハの製造などに用いられる気相成長装置において、シリコンウェーハ裏面への損傷を最小限にするために、シリコンウェーハをリング状のキャリアに搭載した状態で、ロードロック室から反応室までの工程を搬送することが提案されている（特許文献１）。
【0003】
この種の気相成長装置では、ロードロック室において待機したリング状のキャリアに処理前のウェーハを搭載して反応室へ搬送する一方、処理後のウェーハは、リング状のキャリアに搭載されたまま反応室からロードロック室に搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許出願公開２０１７／０１１０３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
反応室においては、ウェーハを搭載した状態のリング状キャリアをサセプタに載置し、この状態でエピタキシャル成長などの処理が行われる。しかしながら、上記従来技術では、反応室において、ウェーハ、リング状キャリア及びサセプタで仕切られる空間は、ほぼ密閉されているため、ウェーハを搭載した状態のリング状キャリアをサセプタの上に載置する際に、ウェーハが滑って位置がずれるおそれがある。
【0006】
また、反応処理中において、ウェーハとリング状キャリアとの接触部分の僅かな隙間から上記密閉空間へ反応ガスが流れ込むと、ウェーハの裏面の外周に反応膜が堆積し、これがウェーハの平坦度に影響を及ぼすことから、ウェーハの裏面への反応ガスの流れは、できる限り均一にすることが必要とされる。
【0007】
本発明が解決しようとする課題は、ウェーハを搭載したキャリアをサセプタに載置する際のウェーハの滑りを防止するとともに、ウェーハ裏面への反応ガスの流れを均一にできる気相成長装置及びこれに用いられるキャリアを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、ウェーハの外縁（端部または外周部の範囲を含む、以下、本明細書において同じ。）を支持するリング状のキャリアを備え、複数の当該キャリアを用いて、
複数の処理前のウェーハを、少なくともロードロック室及びウェーハ移載室を介して反応室へ順次搬送するとともに、
複数の処理後のウェーハを、前記反応室から、前記ウェーハ移載室、前記ロードロック室へ順次搬送する気相成長装置であって、
前記ロードロック室は、第１ドアを介して前記ファクトリインターフェースと連通するとともに、第２ドアを介して前記ウェーハ移載室と連通し、
前記ウェーハ移載室は、ゲートバルブを介して、前記ウェーハにＣＶＤ膜を形成する前記反応室と連通し、
前記ウェーハ移載室には、前記ロードロック室に搬送されてきた処理前のウェーハをキャリアに搭載された状態で前記反応室に投入するとともに、前記反応室において処理を終えた処理後のウェーハをキャリアに搭載された状態で前記反応室から取り出して前記ロードロック室に搬送する第１ロボットが設けられ、
前記ファクトリインターフェースには、処理前のウェーハをウェーハ収納容器から取り出し、前記ロードロック室にて待機するキャリアに搭載するとともに、前記ロードロック室に搬送されてきた、キャリアに搭載された処理後のウェーハを、ウェーハ収納容器に収納する第２ロボットが設けられ、
前記ロードロック室には、キャリアを支持するホルダが設けられ、
前記反応室には、前記キャリアを支持するサセプタが設けられた気相成長装置において、
前記キャリアは、前記サセプタの上面に載置される底面と、前記ウェーハの裏面の外縁に接触して支持する上面と、外周側壁面と、内周側壁面とを有するリング状に形成され、
前記サセプタ、又は前記サセプタ及び前記キャリアに、前記ウェーハ、前記キャリア及び前記サセプタで仕切られる空間と、前記サセプタの裏面との間を貫通するガス抜き孔が設けられている気相成長装置である。
複数の処理前のウェーハを、少なくともロードロック室及びウェーハ移載室を介して反応室へ順次搬送するとともに、
複数の処理後のウェーハを、前記反応室から、前記ウェーハ移載室、前記ロードロック室へ順次搬送する気相成長装置であって、
前記ロードロック室は、第１ドアを介して前記ファクトリインターフェースと連通するとともに、第２ドアを介して前記ウェーハ移載室と連通し、
前記ウェーハ移載室は、ゲートバルブを介して、前記ウェーハにＣＶＤ膜を形成する前記反応室と連通し、
前記ウェーハ移載室には、前記ロードロック室に搬送されてきた処理前のウェーハをキャリアに搭載された状態で前記反応室に投入するとともに、前記反応室において処理を終えた処理後のウェーハをキャリアに搭載された状態で前記反応室から取り出して前記ロードロック室に搬送する第１ロボットが設けられ、
前記ファクトリインターフェースには、処理前のウェーハをウェーハ収納容器から取り出し、前記ロードロック室にて待機するキャリアに搭載するとともに、前記ロードロック室に搬送されてきた、キャリアに搭載された処理後のウェーハを、ウェーハ収納容器に収納する第２ロボットが設けられ、
前記ロードロック室には、キャリアを支持するホルダが設けられ、
前記反応室には、前記キャリアを支持するサセプタが設けられた気相成長装置において、
前記キャリアは、前記サセプタの上面に載置される底面と、前記ウェーハの裏面の外縁に接触して支持する上面と、外周側壁面と、内周側壁面とを有するリング状に形成され、
前記サセプタ、又は前記サセプタ及び前記キャリアに、前記ウェーハ、前記キャリア及び前記サセプタで仕切られる空間と、前記サセプタの裏面との間を貫通するガス抜き孔が設けられている気相成長装置である。
【0009】
本発明において、前記ガス抜き孔は、前記サセプタにのみ設けられているか、又は前記サセプタ及び前記キャリアを貫通して設けられていることがより好ましい。
【0010】
本発明において、ガス抜き孔を前記サセプタ及び前記キャリアを貫通して設ける場合、前記サセプタに形成されたガス抜き孔と、前記キャリアに形成されたガス抜き孔とを、直径が異なるように構成することがより好ましい。
【0011】
また本発明は、ウェーハの外縁を支持するリング状のキャリアであって、
前記キャリアを用いて、
複数の処理前のウェーハを、少なくともロードロック室及びウェーハ移載室を介して反応室へ順次搬送するとともに、
複数の処理後のウェーハを、前記反応室から、前記ウェーハ移載室、前記ロードロック室へ順次搬送する気相成長装置用キャリアにおいて、
前記反応室のサセプタの上面に載置される底面と、前記ウェーハの裏面の外縁に接触して支持する上面と、外周側壁面と、内周側壁面とを有するリング状に形成されるとともに、前記ウェーハ、前記キャリア及び前記サセプタで仕切られる空間と、前記サセプタの裏面との間を貫通するガス抜き孔が設けられている気相成長装置用キャリアである。
前記キャリアを用いて、
複数の処理前のウェーハを、少なくともロードロック室及びウェーハ移載室を介して反応室へ順次搬送するとともに、
複数の処理後のウェーハを、前記反応室から、前記ウェーハ移載室、前記ロードロック室へ順次搬送する気相成長装置用キャリアにおいて、
前記反応室のサセプタの上面に載置される底面と、前記ウェーハの裏面の外縁に接触して支持する上面と、外周側壁面と、内周側壁面とを有するリング状に形成されるとともに、前記ウェーハ、前記キャリア及び前記サセプタで仕切られる空間と、前記サセプタの裏面との間を貫通するガス抜き孔が設けられている気相成長装置用キャリアである。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、ウェーハを搭載したキャリアをサセプタに載置する際に、ウェーハ、リング状キャリア及びサセプタで仕切られる空間のガスをガス抜き孔からサセプタの裏面に排気することができるので、ウェーハの滑りを防止することができる。また、反応処理中において、ウェーハとリング状キャリアとの接触部分の僅かな隙間から、ウェーハ、リング状キャリア及びサセプタで仕切られる空間へ反応ガスが流れ込むと、これをサセプタの裏面へ排気することができるので、ウェーハ裏面への反応ガスの流れを均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の実施形態に係る気相成長装置を示すブロック図である。
【図2A】本発明の実施形態に係るキャリアを示す平面図である。
【図2B】ウェーハ及び反応炉のサセプタを含めたキャリアの断面図である。
【図3A】ロードロック室に設けられたホルダを示す平面図である。
【図3B】ウェーハおよびキャリアを含めたホルダの断面図である。
【図4】ロードロック室におけるウェーハ及びキャリアの移載手順を示す平面図及び断面図である。
【図5】反応室内におけるウェーハ及びキャリアの移載手順を示す平面図及び断面図である。
【図7】本発明の実施形態に係る気相成長装置におけるウェーハ及びキャリアの取り廻し手順を示す図（その１）である。
【図8】本発明の実施形態に係る気相成長装置におけるウェーハ及びキャリアの取り廻し手順を示す図（その２）である。
【図9】本発明の実施形態に係る気相成長装置におけるウェーハ及びキャリアの取り廻し手順を示す図（その３）である。
【図10】本発明の実施形態に係る気相成長装置におけるウェーハ及びキャリアの取り廻し手順を示す図（その４）である。
【図11A】本発明の実施形態に係る気相成長装置の反応室におけるウェーハ、キャリア及びサセプタの一例を示す平面図である。
【図12A】本発明の実施形態に係る気相成長装置の反応室におけるウェーハ、キャリア及びサセプタの他の例を示す平面図である。
【図13A】本発明の実施形態に係る気相成長装置の反応室におけるウェーハ、キャリア及びサセプタのさらに他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る気相成長装置１を示すブロック図であり、中央に示す気相成長装置１の本体は、平面図により示したものである。本実施形態の気相成長装置１は、いわゆるＣＶＤ装置であり、一対の反応炉１１，１１と、単結晶シリコンウェーハなどのウェーハＷＦをハンドリングする第１ロボット１２１が設置されたウェーハ移載室１２と、一対のロードロック室１３と、ウェーハＷＦをハンドリングする第２ロボット１４１が設置されたファクトリインターフェース１４と、複数枚のウェーハＷＦを収納したウェーハ収納容器１５（カセットケース）を設置するロードポートと、を備える。
【0015】
ファクトリインターフェース１４は、ウェーハ収納容器１５が載置されるクリーンルームと同じ大気雰囲気とされた領域である。このファクトリインターフェース１４には、ウェーハ収納容器１５に収納された処理前のウェーハＷＦを取り出してロードロック室１３へ投入する一方、ロードロック室１３へ搬送されてきた処理後のウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５へ収納する第２ロボット１４１が設けられている。第２ロボット１４１は、第２ロボットコントローラ１４２により制御され、ロボットハンドの先端に装着された第２ブレード１４３が、予めティーチングされた所定の軌跡に沿って移動する。
【0016】
ロードロック室１３とファクトリインターフェース１４との間には、気密性を有する開閉可能な第１ドア１３１が設けられ、ロードロック室１３とウェーハ移載室１２との間には、同じく気密性を有する開閉可能な第２ドア１３２が設けられている。そして、ロードロック室１３は、不活性ガス雰囲気とされたウェーハ移載室１２と、大気雰囲気とされたファクトリインターフェース１４との間で、雰囲気ガスを置換するスペースとして機能する。そのため、ロードロック室１３の内部を真空排気する排気装置と、ロードロック室１３に不活性ガスを供給する供給装置とが設けられている。
【0017】
たとえば、ウェーハ収納容器１５から処理前のウェーハＷＦをウェーハ移載室１２に搬送する場合には、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１を閉じ、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２を閉じ、ロードロック室１３を不活性ガス雰囲気とした状態で、第２ロボット１４１を用いて、ウェーハ収納容器１５のウェーハＷＦを取り出し、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１を開け、ウェーハＷＦをロードロック室１３に搬送する。次いで、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１を閉じて当該ロードロック室１３を再び不活性ガス雰囲気にしたのち、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２を開き、第１ロボット１２１を用いて、当該ウェーハＷＦをウェーハ移載室１２に搬送する。
【0018】
逆に、ウェーハ移載室１２から処理後のウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５へ搬送する場合には、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１を閉じ、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２を閉じ、ロードロック室１３を不活性ガス雰囲気とした状態で、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２を開き、第１ロボット１２１を用いて、ウェーハ移載室１２のウェーハＷＦをロードロック室１３に搬送する。次いで、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２を閉じて当該ロードロック室１３を再び不活性ガス雰囲気にしたのち、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１を開き、第２ロボット１４１を用いて、当該ウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５に搬送する。
【0019】
ウェーハ移載室１２は、密閉されたチャンバからなり、一方がロードロック室１３と開閉可能な気密性を有する第２ドア１３２を介して接続され、他方が気密性を有する開閉可能なゲートバルブ１１４を介して接続されている。ウェーハ移載室１２には、処理前のウェーハＷＦをロードロック室１３から反応室１１１へ搬送するとともに、処理後のウェーハＷＦを反応室１１１からロードロック室１３へ搬送する第１ロボット１２１が設置されている。第１ロボット１２１は、第１ロボットコントローラ１２２により制御され、ロボットハンドの先端に装着された第１ブレード１２３が、予めティーチングされた動作軌跡に沿って移動する。
【0020】
気相成長装置１の全体の制御を統括する統括コントローラ１６と、第１ロボットコントローラ１２２と、第２ロボットコントローラ１４２とは、相互に制御信号を送受信する。そして、統括コントローラ１６からの動作指令信号が第１ロボットコントローラ１２２に送信されると、第１ロボットコントローラ１２２は、第１ロボット１２１の動作を制御し、当該第１ロボット１２１の動作結果が第１ロボットコントローラ１２２から統括コントローラ１６へ送信される。これにより、統括コントローラ１６は、第１ロボット１２１の動作状態を認識する。同様に、統括コントローラ１６からの動作指令信号が第２ロボットコントローラ１４２に送信されると、第２ロボットコントローラ１４２は第２ロボット１４１の動作を制御し、当該第２ロボット１４１の動作結果が第２ロボットコントローラ１４２から統括コントローラ１６へ送信される。これにより、統括コントローラ１６は、第２ロボット１４１の動作状態を認識する。
【0021】
ウェーハ移載室１２には、図示しない不活性ガス供給装置から不活性ガスが供給され、排気口に接続されたスクラバ（洗浄集塵装置）によってウェーハ移載室１２のガスが浄化されたのち、系外へ放出される。この種のスクラバは、詳細な図示は省略するが、たとえば従来公知の加圧水式スクラバを用いることができる。
【0022】
反応炉１１は、ＣＶＤ法によりウェーハＷＦの表面にエピタキシャル膜を生成するための装置であって、反応室１１１を備え、当該反応室１１１内にウェーハＷＦを載置して回転するサセプタ１１２が設けられ、また反応室１１１に水素ガス及びＣＶＤ膜を生成するための原料ガス（ＣＶＤ膜がシリコンエピタキシャル膜の場合は、たとえば四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４やトリクロロシランＳｉＨＣｌ３など）やドーパントガスを供給するガス供給装置１１３が設けられている。また図示は省略するが、反応室１１１の周囲には、ウェーハＷＦを所定温度に昇温するための加熱ランプが設けられている。さらに、反応室１１１とウェーハ移載室１２との間には、ゲートバルブ１１４が設けられ、ゲートバルブ１１４を閉塞することで反応室１１１のウェーハ移載室１２との気密性が確保される。これら反応炉１１のサセプタ１１２の駆動、ガス供給装置１１３によるガスの供給・停止、加熱ランプのＯＮ／ＯＦＦ、ゲートバルブ１１４の開閉動作の各制御は、統括コントローラ１６からの指令信号により制御される。なお、図１に示す気相成長装置１は、一対の反応炉１１，１１を設けた例を示したが、一つの反応炉１１でもよく、３つ以上の反応炉でもよい。
【0023】
反応炉１１にも、ウェーハ移載室１２と同様の構成を有するスクラバ（洗浄集塵装置）が設けられている。すなわち、ガス供給装置１１３から供給された水素ガス又は原料ガスやドーパントガスは、反応室１１１に設けられた排気口に接続されたスクラバによって浄化されたのち、系外へ放出される。このスクラバについても、たとえば従来公知の加圧水式スクラバを用いることができる。
【0024】
本実施形態の気相成長装置１では、ウェーハＷＦを、当該ウェーハＷＦの全周外縁を支持するリング状のキャリアＣを用いて、ロードロック室１３と反応室１１１との間を搬送する。図２Ａは、キャリアＣを示す平面図、図２Ｂは、ウェーハＷＦ及び反応炉１１のサセプタ１１２を含めたキャリアＣの断面図、図５は、反応室１１１内におけるウェーハＷＦ及びキャリアＣの移載手順を示す平面図及び断面図である。
【0025】
本実施形態のキャリアＣは、たとえばＳｉＣなどの材料からなり、リング状に形成され、図２Ｂに示すサセプタ１１２の上面に載置される底面Ｃ１１と、ウェーハＷＦの裏面の外縁全周に接触して支持する上面Ｃ１２と、外周側壁面Ｃ１３と、内周側壁面Ｃ１４とを有する。そして、キャリアＣに支持されたウェーハＷＦが、反応室１１１内に搬入される場合には、図５（Ａ）の平面図に示すように、第１ロボット１２１の第１ブレード１２３にキャリアＣを載置した状態で、同図（Ｂ）に示すようにサセプタ１１２の上部まで搬送し、同図（Ｃ）に示すようにサセプタ１１２に対して上下移動可能に設けられた３つ以上のキャリアリフトピン１１５により、一旦キャリアＣを持ち上げ、同図（Ｄ）に示すように第１ブレード１２３を後退させたのち、同図（Ｅ）に示すようにサセプタ１１２を上昇させることで、サセプタ１１２の上面にキャリアＣを載置する。
【0026】
逆に、反応室１１１において処理を終了したウェーハＷＦをキャリアＣに搭載した状態で取り出す場合は、図５（Ｅ）に示す状態から、同図（Ｄ）に示すようにサセプタ１１２を下降させてキャリアリフトピン１１５のみによってキャリアＣを支持し、同図（Ｃ）に示すように、キャリアＣとサセプタ１１２との間に第１ブレード１２３を前進させたのち、同図（Ｂ）に示すように３つのキャリアリフトピン１１５を下降させて第１ブレード１２３にキャリアＣを載置し、第１ロボット１２１のハンドを動作させる。これにより、処理を終了したウェーハＷＦをキャリアＣに搭載した状態で取り出すことができる。
【0027】
また本実施形態の気相成長装置１では、キャリアＣを、ロードロック室１３から反応室１１１までの工程間を搬送するため、ロードロック室１３において、処理前のウェーハＷＦをキャリアＣに載置し、処理後のウェーハＷＦをキャリアＣから取り出す。そのため、ロードロック室１３には、キャリアＣを上下２段に支持するホルダ１７が設けられている。図３Ａは、ロードロック室１３に設けられたホルダ１７を示す平面図、図３Ｂは、ウェーハＷＦを含めたホルダ１７の断面図である。本実施形態のホルダ１７は、固定されたホルダベース１７１と、当該ホルダベース１７１に対して上下に昇降可能に設けられた、２つのキャリアＣを上下２段に支持する第１ホルダ１７２及び第２ホルダ１７３と、ホルダベース１７１に対して上下に昇降可能に設けられた３つのウェーハリフトピン１７４と、を備える。
【0028】
第１ホルダ１７２及び第２ホルダ１７３（図３Ａの平面図では、第２ホルダ１７３が第１ホルダ１７２により隠れているため、第１ホルダ１７２のみを図示する。）は、キャリアＣを４点で支持するための突起を有し、第１ホルダ１７２には１つのキャリアＣが載置され、第２ホルダ１７３にも１つのキャリアＣが載置される。なお、第２ホルダ１７３に載置されるキャリアＣは、第１ホルダ１７２と第２ホルダ１７３との間の隙間に挿入される。
【0029】
図４は、ロードロック室１３におけるウェーハＷＦ及びキャリアＣの移載手順を示す平面図及び断面図であり、同図（Ｂ）に示すように第１ホルダ１７２にキャリアＣが支持されている状態で、当該キャリアＣに処理前のウェーハＷＦを搭載する手順を示す。すなわち、ファクトリインターフェース１４に設けられた第２ロボット１４１は、ウェーハ収納容器１５に収納された１枚のウェーハＷＦを第２ブレード１４３に載せ、ロードロック室１３の第１ドア１３１を介して、同図（Ｂ）に示すようにホルダ１７の上部まで搬送する。次いで、同図（Ｃ）に示すように、ホルダベース１７１に対して３つのウェーハリフトピン１７４を上昇させ、ウェーハＷＦを一旦持ち上げ、同図（Ｄ）に示すように第２ブレード１４３を後退させる。なお、３つのウェーハリフトピン１７４は、同図（Ａ）の平面図に示すように、第２ブレード１４３と干渉しない位置に設けられている。次いで、同図（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、３つのウェーハリフトピン１７４を下降させるとともに第１ホルダ１７２及び第２ホルダ１７３を上昇させることで、キャリアＣにウェーハＷＦを搭載する。
【0030】
逆に、キャリアＣに載置された状態でロードロック室１３に搬送されてきた処理後のウェーハＷＦを、ウェーハ収納容器１５へ搬送する場合には、図４（Ｅ）に示す状態から、同図（Ｄ）に示すように３つのウェーハリフトピン１７４を上昇させるとともに第１ホルダ１７２及び第２ホルダ１７３を下降させ、ウェーハリフトピン１７４のみによってウェーハＷＦを支持し、同図（Ｃ）に示すようにキャリアＣとウェーハＷＦとの間に第２ブレード１４３を前進させたのち、同図（Ｂ）に示すように３つのウェーハリフトピン１７４を下降させて第２ブレード１４３にウェーハＷＦを載せ、第２ロボット１４１のハンドを動作させる。これにより、処理を終了したウェーハＷＦをキャリアＣからウェーハ収納容器１５へ取り出すことができる。なお、図４（Ｅ）に示す状態は、処理を終了したウェーハＷＦがキャリアＣの搭載された状態で第１ホルダ１７２に搬送されているが、第２ホルダ１７３に搬送された場合も同様の手順で、ウェーハＷＦをキャリアＣからウェーハ収納容器１５へ取り出すことができる。
【0031】
図６（Ａ）は、第１ロボット１２１のハンドの先端に装着された第１ブレード１２３の一例を示す平面図、図６（Ｂ）は、キャリアＣを含めた第１ブレード１２３の断面図である。本実施形態の第１ブレード１２３は、短冊板状の本体の一面に、キャリアＣの外周側壁面Ｃ１３に対応した径の第１凹部１２４が形成されている。第１凹部１２４の径は、キャリアＣの外周側壁面Ｃ１３の径よりわずかに大きく形成されている。そして、第１ロボット１２１は、ウェーハＷＦを載せた又は空のキャリアＣを搬送する場合には、キャリアＣを第１凹部１２４に載せる。
【0032】
次に、本実施形態のサセプタ１１２の構成を説明する。図１１Ａは、本発明の実施形態に係る気相成長装置１の反応室１１１におけるウェーハＷＦ、キャリアＣ及びサセプタ１１２の一例を示す平面図、図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。上述した反応炉１１の反応室１１１内には、サセプタ１１２が設けられているが、このサセプタ１１２の上面に、ウェーハＷＦを搭載したキャリアＣを載置すると、ウェーハＷＦ、キャリアＣ及びサセプタ１１２で仕切られた空間が、いわゆるウェーハポケットＷＰとなり、ウェーハＷＦは、その外縁のみでキャリアＣの上面Ｃ１２２に接触する。なお、図２Ｂに示す断面図では、キャリアＣの上面Ｃ１２を概略図で示したが、本実施形態のキャリアＣの上面Ｃ１２は、図１１Ｂの断面図に示されるように、外周上面Ｃ１２１と外周上面Ｃ１２２とを含み、外周上面Ｃ１２１および外周上面Ｃ１２２は底面Ｃ１１と平行に形成される。この内周上面Ｃ１２２にウェーハＷＦを搭載することで、ウェーハＷＦはキャリアＣに外縁が接触することになる。
【0033】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、キャリアＣを載置した状態におけるサセプタ１１２の外周部分、すなわちキャリアＣの内周側壁面Ｃ１４に沿う外周部分には、全周に亘って溝１１２１が形成され、さらにこの溝１１２１の底部からサセプタ１１２の裏面に貫通する貫通孔１１２２が、溝１１２１の円周方向に沿って所定間隔で形成されている。これら溝１１２１及び貫通孔１１２２が、本発明のガス抜き孔を構成する。溝１１２１は、図１１Ｂの断面図にて示すように、サセプタ１１２の半径方向に対し、溝の側壁が上に向かって拡開する傾斜面とされた溝であることが好ましい。また、貫通孔１１２２は、図１１Ａに示す例では８個の楕円孔として設けられているが、その個数や形状は特に限定されない。また、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す例では、キャリアＣの内周側壁面Ｃ１４の内側に沿って１列の溝１１２１と複数の貫通孔１１２２が設けられているが、２列以上の溝１１２１に複数の貫通孔１１２２を形成してもよい。
【0034】
このようにサセプタ１１２に、溝１１２１及び貫通孔１１２２を含むガス抜き孔を形成すると、処理前のウェーハＷＦを搭載したキャリアＣを反応室１１１内のサセプタ１１２に載置する際に、ウェーハＷＦ、リング状キャリアＣ及びサセプタ１１２で仕切られる空間（ウェーハポケットＷＰ）のガスを、溝１１２１及び貫通孔１１２２を含むガス抜き孔からサセプタ１１２の裏面に排気することができる。したがって、キャリアＣをサセプタ１１２に載置した瞬間にウェーハＷＦが浮いて位置が変動するといった、ウェーハＷＦの滑りを防止することができる。
【0035】
また、反応室１１１での反応処理中において、ウェーハＷＦとリング状キャリアＣとの接触部分の僅かな隙間から、ウェーハＷＦ、リング状キャリアＣ及びサセプタ１１２で仕切られる空間（ウェーハポケットＷＰ）へ反応ガスが流れ込むが、この反応ガスは、溝１１２１及び貫通孔１１２２を含むガス抜き孔からサセプタ１１２の裏面へ均一に排気することができる。したがって、ウェーハＷＦの裏面への反応ガスの流れを均一にすることができるので、ウェーハＷＦの裏面の外周堆積する反応膜の膜厚が均一になり、ウェーハの平坦度の低下を抑制することができる。
【0036】
サセプタ１１２に形成されるガス抜き孔は、上述した溝１１２１及び貫通孔１１２２を含むものに限定されず、貫通孔１１２２のみからなるガス抜き孔であってもよい。図１２Ａは、本発明の実施形態に係る気相成長装置１の反応室１１１におけるウェーハＷＦ、キャリアＣ及びサセプタ１１２の他の例を示す平面図、図１２Ｂは、図１２ＡのＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、本実施形態に係るサセプタ１１２にあっては、キャリアＣを載置した状態におけるサセプタ１１２の、キャリアＣの内周側壁面Ｃ１４より内側には、円周方向に沿って、サセプタ１１２の表面から裏面に貫通する複数の貫通孔１１２２が、所定間隔で形成されている。これらの貫通孔１１２２が、本発明のガス抜き孔を構成する。貫通孔１１２２は、図１２Ａに示す例では１６個の円形孔として設けられているが、その個数や形状は特に限定されない。また、図１２Ａ及び図１２Ｂに示す例では、キャリアＣの内周側壁面Ｃ１４の内側に沿って１列に並ぶ複数の貫通孔１１２２が設けられているが、２列以上に並ぶ複数の貫通孔１１２２を形成してもよい。
【0037】
図１１Ａ及び図１１Ｂ並びに図１２Ａ及び図１２Ｂに示すガス抜き孔は、いずれもサセプタ１１２にのみ形成したが、キャリアＣ及びサセプタ１１２の両方に共通するように形成してもよい。図１３Ａは、本発明の実施形態に係る気相成長装置１の反応室１１１におけるウェーハＷＦ、キャリアＣ及びサセプタ１１２のさらに他の例を示す平面図、図１３Ｂは、図１３ＡのＸIII－ＸIII線に沿う断面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、本実施形態のサセプタ１１２及びキャリアＣにあっては、キャリアＣの内周側に複数の貫通孔Ｃ１５が所定間隔で形成され、キャリアＣを載置した状態におけるサセプタ１１２の、貫通孔Ｃ１５に連通する位置に、サセプタ１１２の表面から裏面に貫通する複数の貫通孔１１２２が、所定間隔で形成されている。これらキャリアＣの貫通孔Ｃ１５及びサセプタ１１２の貫通孔１１２２が、本発明のガス抜き孔を構成する。
【0038】
図１３Ｂに示すように、キャリアＣの貫通孔Ｃ１５とサセプタ１１２の貫通孔１１２２とは、互いに連通するが、いずれか一方の孔径をいずれか他方の孔径より大きくすることが好ましい。こうすることで、キャリアＣがサセプタ１１２に載置される位置がずれても、キャリアＣの貫通孔Ｃ１５とサセプタ１１２の貫通孔１１２２とを互いに連通させることができる。また、キャリアＣの貫通孔Ｃ１５及びサセプタ１１２の貫通孔１１２２は、図１３Ａに示す例では１６個の円形孔として設けられているが、その個数や形状は特に限定されない。また、図１３Ａ及び図１３Ｂに示す例では、キャリアＣの内周側に１列に並ぶ複数の貫通孔Ｃ１５，１１２２が設けられているが、２列以上に並ぶ複数の貫通孔Ｃ１５，１１２２を形成してもよい。
【0039】
次に、本実施形態の気相成長装置１における、エピタキシャル膜の生成前（以下、単に処理前ともいう）及びエピタキシャル膜の生成後（以下、単に処理後ともいう）のウェーハＷＦと、キャリアＣとを、取り廻す手順を説明する。図７～図１０は、本実施形態の気相成長装置におけるウェーハ及びキャリアの取り廻し手順を示す模式図であり、図１の一方側のウェーハ収納容器１５、ロードロック室１３及び反応炉１１に対応し、ウェーハ収納容器１５には、複数枚のウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３…（たとえば合計２５枚）が収納され、この順で処理を開始するものとする。
【0040】
図７の工程Ｓ０は、これから気相成長装置１を用いて処理を開始するスタンバイ状態を示し、ウェーハ収納容器１５には、複数枚のウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３…（たとえば合計２５枚）が収納され、ロードロック室１３の第１ホルダ１７２には空のキャリアＣ１が支持され、第２ホルダ１７３には空のキャリアＣ２が支持され、ロードロック室１３は不活性ガス雰囲気になっているものとする。
【0041】
次の工程Ｓ１において、第２ロボット１４１は、ウェーハ収納容器１５に収納されたウェーハＷ１を第２ブレード１４３に載せ、ロードロック室１３の第１ドア１３１を開け、第１ホルダ１７２に支持されたキャリアＣ１に移載する。この移載の手順は、図４を参照して説明したとおりである。
【0042】
次の工程Ｓ２において、ロードロック室１３の第１ドア１３１を閉め、第２ドア１３２も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を再び不活性ガス雰囲気に置換する。そして、第２ドア１３２を開け、第１ロボット１２１の第１ブレード１２３にキャリアＣ１を載せ、反応炉１１のゲートバルブ１１４を開き、当該ゲートバルブ１１４を介してウェーハＷ１が搭載されたキャリアＣ１をサセプタ１１２に移載する。この移載の手順は、図４を参照して説明したとおりである。工程Ｓ２～Ｓ４において、反応炉１１では、ウェーハＷ１に対するＣＶＤ膜の生成処理が行われる。
【0043】
すなわち、処理前のウェーハＷ１が搭載されたキャリアＣ１を反応室１１１のサセプタ１１２に移載してゲートバルブ１１４を閉じ、所定時間だけ待機したのち、ガス供給装置１１３により反応室１１１に水素ガスを供給して反応室１１１を水素ガス雰囲気とする。次いで加熱ランプにて反応室１１１のウェーハＷ１を所定温度に昇温し、必要に応じてエッチングや熱処理などの前処理を施したのち、ガス供給装置１１３により原料ガスやドーパントガスの流量および／又は供給時間を制御しながら供給する。これにより、ウェーハＷ１の表面にＣＶＤ膜が生成される。ＣＶＤ膜が形成されたら、ガス供給装置１１３により反応室１１１に再び水素ガスを供給して反応室１１１を水素ガス雰囲気に置換したのち、所定時間だけ待機する。
【0044】
このように工程Ｓ２～Ｓ４において、反応炉１１によりウェーハＷ１に処理を行っている間、第２ロボット１４１は、ウェーハ収納容器１５から次のウェーハＷ２を取り出し、次の処理の準備をする。その前に、本実施形態では、工程Ｓ３において、ロードロック室１３の第２ドア１３２を閉め、第１ドア１３１も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、第２ドア１３２を開け、第１ロボット１２１により、第２ホルダ１７３に支持されているキャリアＣ２を第１ホルダ１７２に移載し、第２ドア１３２を閉じる。これに続いて、工程Ｓ４において、第２ロボット１４１は、ウェーハ収納容器１５に収納されたウェーハＷ２を第２ブレード１４３に載せ、第１ドア１３１を開けて、ロードロック室１３の第１ホルダ１７２に支持されたキャリアＣ２に移載する。
【0045】
このように本実施形態では、工程Ｓ３を追加し、ウェーハ収納容器１５に収納された処理前のウェーハＷＦは、ロードロック室１３のホルダ１７の最上段のホルダである第１ホルダ１７２に搭載する。これは以下の理由による。すなわち、工程Ｓ２に示すように、次のウェーハＷ２を搭載する空のキャリアＣ２が第２ホルダ１７３に支持されている場合、これにウェーハＷ２を搭載すると、処理後のウェーハＷ１を搭載したキャリアＣ１が第１ホルダ１７２に移載される可能性がある。本実施形態の気相成長装置１のキャリアＣは、反応室１１１にまで搬送されるため、キャリアＣがパーティクルの発生要因となり、処理前のウェーハＷ２の上部にキャリアＣ１が支持されると、処理前のウェーハＷ２に塵埃が落下するおそれがある。そのため、処理前のウェーハＷＦは、ロードロック室１３のホルダ１７の最上段のホルダ（第１ホルダ１７２）に搭載するように、工程Ｓ３を追加して、空のキャリアＣ２を第１ホルダ１７２に移載する。
【0046】
工程Ｓ５において、ロードロック室１３の第１ドア１３１を閉め、第２ドア１３２も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、反応炉１１のゲートバルブ１１４を開き、第１ロボット１２１の第１ブレード１２３を反応室１１１に挿入して、処理後のウェーハＷ１を搭載したキャリアＣ１を載せ、反応室１１１から取り出し、ゲートバルブ１１４を閉じた後、第２ドア１３２を開いて、ロードロック室１３の第２ホルダ１７３に移載する。これに続いて、第１ロボット１２１の第１ブレード１２３に、第１ホルダ１７２に支持されたキャリアＣ２を載せ、この処理前のウェーハＷ２を搭載したキャリアＣ２を、工程Ｓ６に示すように、ウェーハ移載室１２を介して、ゲートバルブ１１４を開けて反応炉１１のサセプタ１１２に移載する。
【0047】
工程Ｓ６～Ｓ９において、反応炉１１では、ウェーハＷ２に対するＣＶＤ膜の生成処理が行われる。すなわち、処理前のウェーハＷ２が搭載されたキャリアＣ２を反応室１１１のサセプタ１１２に移載してゲートバルブ１１４を閉じ、所定時間だけ待機したのち、ガス供給装置１１３により反応室１１１に水素ガスを供給して反応室１１１を水素ガス雰囲気とする。次いで加熱ランプにて反応室１１１のウェーハＷ２を所定温度に昇温し、必要に応じてエッチングや熱処理などの前処理を施したのち、ガス供給装置１１３により原料ガスを流量および／又は供給時間を制御しながら供給する。これにより、ウェーハＷ２の表面にＣＶＤ膜が生成される。ＣＶＤ膜が形成されたら、ガス供給装置１１３により反応室１１１に再び水素ガスを供給して反応室１１１を水素ガス雰囲気に置換したのち、所定時間だけ待機する。
【0048】
このように工程Ｓ６～Ｓ９において、反応炉１１によりウェーハＷ２に処理を行っている間、第２ロボット１４１は、処理後のウェーハＷ１をウェーハ収納容器１５に収納するとともに、ウェーハ収納容器１５から次のウェーハＷ３を取り出し、次の処理の準備をする。すなわち、工程Ｓ７において、ロードロック室１３の第２ドア１３２を閉め、第１ドア１３１も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、第１ドア１３１を開け、第２ロボット１４１により、第２ホルダ１７３に支持されているキャリアＣ１から処理後のウェーハＷ１を第２ブレード１４３に載せ、工程Ｓ８に示すように当該処理後のウェーハＷ１をウェーハ収納容器１５に収納する。これに続いて、上述した工程Ｓ３と同様に、工程Ｓ８において、ロードロック室１３の第１ドア１３１を閉め、第２ドア１３２も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、第２ドア１３２を開け、第１ロボット１２１により、第２ホルダ１７３に支持されているキャリアＣ１を第１ホルダ１７２に移載する。
【0049】
これに続いて、工程Ｓ９において、ロードロック室１３の第２ドア１３２を閉め、第１ドア１３１も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、第２ロボット１４１により、ウェーハ収納容器１５に収納されたウェーハＷ３を第２ブレード１４３に載せ、工程Ｓ９に示すように、第１ドア１３１を開け、ロードロック室１３の第１ホルダ１７２に支持されたキャリアＣ１に移載する。
【0050】
工程Ｓ１０においては、上述した工程Ｓ５と同様に、ロードロック室１３の第１ドア１３１を閉め、第２ドア１３２も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、反応炉１１のゲートバルブ１１４を開き、第１ロボット１２１の第１ブレード１２３を反応室１１１に挿入して、処理後のウェーハＷ２を搭載したキャリアＣ２を載せ、ゲートバルブ１１４を閉じた後、第２ドア１３２を開いて、反応室１１１からロードロック室１３の第２ホルダ１７３に移載する。これに続いて、第１ロボット１２１の第１ブレード１２３に、第１ホルダ１７２に支持されたキャリアＣ１を載せ、この処理前のウェーハＷ３を搭載したキャリアＣ１を、工程Ｓ１１に示すように、ウェーハ移載室１２を介して、反応炉１１のサセプタ１１２に移載する。
【0051】
工程Ｓ１０において、上述した工程Ｓ７と同様に、ロードロック室１３の第２ドア１３２を閉め、第１ドア１３１も閉めた状態で、ロードロック室１３の内部を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、第１ドア１３１を開け、第２ロボット１４１により、第２ホルダ１７３に支持されているキャリアＣ２から処理後のウェーハＷ２を第２ブレード１４３に載せ、工程Ｓ１１に示すように当該処理後のウェーハＷ２をウェーハ収納容器１５に収納する。以下、ウェーハ収納容器１５に収納された全ての処理前のウェーハＷＦの処理が終了するまで、以上の工程を繰り返す。
【0052】
以上のとおり、本実施形態の気相成長装置１においては、反応炉１１にて処理を行っている間に、次の処理前のウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５から取り出して準備したり、処理後のウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５に収納したりすることで、搬送のみに費やされる時間を極力少なくする。この場合、本実施形態のホルダ１７のように、ロードロック室１３におけるキャリアＣの待機数を２個以上に設定すると、搬送のみに費やされる時間の短縮自由度がより一層高くなる。そして、ロードロック室１３の専有スペースを考慮すると、複数のキャリアＣを左右に並べるより上下に多段に並べる方が、気相成長装置１の全体の専有スペースが小さくなる。ただし、複数のキャリアＣを上下に多段に並べると、処理前のウェーハＷＦの上部にキャリアＣが支持されることがあり、処理前のウェーハＷＦに塵埃が落下するおそれがある。しかしながら、本実施形態の気相成長装置１では、処理前のウェーハＷＦは、ロードロック室１３のホルダ１７の最上段のホルダ（第１ホルダ１７２）に搭載するように、工程Ｓ３，Ｓ８を追加し、空のキャリアＣ２を第１ホルダ１７２に移載するので、処理前のウェーハＷＦは最上段のキャリアＣに搭載される。この結果、キャリアＣに起因するパーティクルがウェーハＷＦに付着するのを抑制することができ、ＬＰＤ品質を高めることができる。
【符号の説明】
【0053】
１…気相成長装置
１１…反応炉
１１１…反応室
１１２…サセプタ
１１２１…溝（ガス抜き孔）
１１２２…貫通孔（ガス抜き孔）
１１３…ガス供給装置
１１４…ゲートバルブ
１１５…キャリアリフトピン
１２…ウェーハ移載室
１２１…第１ロボット
１２２…第１ロボットコントローラ
１２３…第１ブレード
１２４…第１凹部
１３…ロードロック室
１３１…第１ドア
１３２…第２ドア
１４…ファクトリインターフェース
１４１…第２ロボット
１４２…第２ロボットコントローラ
１４３…第２ブレード
１５…ウェーハ収納容器
１６…統括コントローラ
１７…ホルダ
１７１…ホルダベース
１７２…第１ホルダ
１７３…第２ホルダ
１７４…ウェーハリフトピン
Ｃ…キャリア
Ｃ１１…底面
Ｃ１２…上面
Ｃ１２１…外周上面
Ｃ１２２…内周上面
Ｃ１３…外周側壁面
Ｃ１４…内周側壁面
Ｃ１５…貫通孔
ＷＦ…ウェーハ
ＷＰ…ウェーハポケット
１１…反応炉
１１１…反応室
１１２…サセプタ
１１２１…溝（ガス抜き孔）
１１２２…貫通孔（ガス抜き孔）
１１３…ガス供給装置
１１４…ゲートバルブ
１１５…キャリアリフトピン
１２…ウェーハ移載室
１２１…第１ロボット
１２２…第１ロボットコントローラ
１２３…第１ブレード
１２４…第１凹部
１３…ロードロック室
１３１…第１ドア
１３２…第２ドア
１４…ファクトリインターフェース
１４１…第２ロボット
１４２…第２ロボットコントローラ
１４３…第２ブレード
１５…ウェーハ収納容器
１６…統括コントローラ
１７…ホルダ
１７１…ホルダベース
１７２…第１ホルダ
１７３…第２ホルダ
１７４…ウェーハリフトピン
Ｃ…キャリア
Ｃ１１…底面
Ｃ１２…上面
Ｃ１２１…外周上面
Ｃ１２２…内周上面
Ｃ１３…外周側壁面
Ｃ１４…内周側壁面
Ｃ１５…貫通孔
ＷＦ…ウェーハ
ＷＰ…ウェーハポケット
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】