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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-05
(45)【発行日】2022-12-13
(54)【発明の名称】磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20221206BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/706 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/584 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/714 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/735 20060101ALI20221206BHJP
G11B 23/107 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/39 20060101ALI20221206BHJP
G11B 20/10 20060101ALI20221206BHJP
G11B 5/09 20060101ALI20221206BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/78
G11B5/706
G11B5/584
G11B5/714
G11B5/738
G11B5/735
G11B23/107
G11B5/39
G11B20/10 321A
G11B5/09 321A
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2021214244
(22)【出願日】2021-12-28
(62)【分割の表示】P 2019016532の分割
【原出願日】2019-01-31
(65)【公開番号】P2022043266
(43)【公開日】2022-03-15
【審査請求日】2021-12-28
(73)【特許権者】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000109
【氏名又は名称】弁理士法人特許事務所サイクス
(72)【発明者】
【氏名】小沢 栄貴
(72)【発明者】
【氏名】笠田 成人
(72)【発明者】
【氏名】武者 敦史
【審査官】中野 和彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－１１７５０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－２２８３３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１８１３９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０４３４９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－０５７５６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－０７６９００（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２８７２２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１２３４２０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／７０
Ｇ１１Ｂ ５／７８
Ｇ１１Ｂ ５／７０６
Ｇ１１Ｂ ５／５８４
Ｇ１１Ｂ ５／７１４
Ｇ１１Ｂ ５／７３８
Ｇ１１Ｂ ５／７３５
Ｇ１１Ｂ ２３／１０７
Ｇ１１Ｂ ５／３９
Ｇ１１Ｂ ２０／１０
Ｇ１１Ｂ ５／０９
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、前記強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末およびε－酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末であり、
前記磁性層は、タイミングベースサーボパターンを有し、
前記タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と前記累積分布関数０．１％の値Ｌ０．１との差分、Ｌ９９．９－Ｌ０．１、が１８０ｎｍ以下である形状であり、かつ
前記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳａｆｔｅｒと、前記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳｂｅｆｏｒｅとの差分、Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ、が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である、磁気テープ。
【請求項2】
前記差分、Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ、が２．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項3】
前記差分、Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ、が３．０ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ。
【請求項4】
前記タイミングベースサーボパターンは、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延び、かつ前記幅方向に対して角度αで傾斜した直線状サーボパターンであり、かつ前記理想形状は、前記角度αの方向に延びる直線形状である、請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項5】
前記差分、Ｌ９９．９－Ｌ０．１、が１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項6】
前記磁性層の厚みが１０～１００ｎｍである、請求項１～５のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項7】
前記磁性層の厚みが１０～９０ｎｍである、請求項１～６のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項8】
前記磁性層の厚みが１０～７０ｎｍである、請求項１～７のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項9】
前記強磁性粉末の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項10】
前記強磁性粉末が垂直配向している、請求項１～９のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項11】
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項12】
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
【請求項14】
磁気テープと、読取素子ユニットと、
抽出部と、
を含み、
前記磁気テープは、請求項１～１２のいずれか１項に記載の磁気テープであり、
前記読取素子ユニットは、前記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取る複数の読取素子を有し、
前記抽出部は、前記読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、前記読取結果から、前記読取対象トラックに由来するデータを抽出する、磁気テープ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録媒体へのデータの記録および／または記録されたデータの読み取り（再生）を行う磁気記録再生装置は、磁気ディスク装置と磁気テープ装置に大別される。磁気ディスク装置の代表例はＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）である。磁気ディスク装置では、磁気記録媒体として磁気ディスクが使用される。一方、磁気テープ装置では、磁気記録媒体として磁気テープが使用される。
【0003】
磁気ディスク装置および磁気テープ装置のいずれにおいても、記録トラック幅を狭小化することは記録容量を高めるため（高容量化）に好ましい。他方、記録トラック幅を狭小化するほど、再生時に読取対象トラックの信号に隣接トラックの信号が混入し易くなるため、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）等の再生品質を維持することは困難になる。この点に関し、近年、複数の読取素子（「再生素子」とも呼ばれる。）によって記録トラックの信号を二次元的に読み取ることにより、再生品質の向上を図ることが提案されている（例えば特許文献１～３参照）。こうして再生品質を向上できれば、記録トラック幅を狭小化しても再生品質を維持することができるため、記録トラック幅の狭小化により記録容量を高めることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１６－１１０６８０号公報
【文献】特開２０１１－１３４３７２号公報
【文献】米国特許第７７５５８６３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１および２では、磁気ディスク装置に関する検討が行われている。一方、磁気テープは、近年、大容量のデータを長期間保存するためのデータストレージメディアとして注目されている。しかし、磁気テープ装置は、一般に、磁気テープと読取素子とが接触し摺動することによってデータ読取（再生）が行われる摺動型の装置である。そのため、再生時に読取素子と読取対象トラックとの相対位置が変動し易く、再生品質の向上は、磁気ディスク装置と比べてより困難な傾向がある。特許文献３には、磁気テープ装置（テープドライブ）に関する記載はあるものの、磁気テープ装置における再生品質向上のための具体的な手段は示されていない。
【0006】
本発明の一態様は、複数の読取素子（再生素子）を利用する磁気テープ装置において、良好な再生品質でのデータの再生が可能な磁気テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、
非磁性支持体と、強磁性粉末および結合剤を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
上記磁性層は、タイミングベースサーボパターンを有し、
上記タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と上記累積分布関数０．１％の値Ｌ０．１との差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）が１８０ｎｍ以下である形状であり、かつ
上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳａｆｔｅｒと、上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳｂｅｆｏｒｅとの差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）（以下、「メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）」または単に「差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）」とも記載する。）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である、磁気テープ、
に関する。
非磁性支持体と、強磁性粉末および結合剤を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
上記磁性層は、タイミングベースサーボパターンを有し、
上記タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と上記累積分布関数０．１％の値Ｌ０．１との差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）が１８０ｎｍ以下である形状であり、かつ
上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳａｆｔｅｒと、上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳｂｅｆｏｒｅとの差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）（以下、「メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）」または単に「差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）」とも記載する。）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である、磁気テープ、
に関する。
【0008】
一態様では、上記差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、２．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下であることができる。
【0009】
一態様では、上記差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、３．０ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下であることができる。
【0010】
一態様では、上記タイミングベースサーボパターンは、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延び、かつ上記幅方向に対して角度αで傾斜した直線状サーボパターンであることができ、上記理想形状は、上記角度αの方向に延びる直線形状であることができる。
【0011】
一態様では、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であることができる。
【0012】
一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有することができる。
【0013】
一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することができる。
【0014】
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【0015】
本発明の一態様は、
磁気テープと、
読取素子ユニットと、
抽出部と、
を含み、
上記磁気テープは、上記の本発明の一態様にかかる磁気テープであり、
上記読取素子ユニットは、上記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取る複数の読取素子を有し、
上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出する、磁気テープ装置、
に関する。
磁気テープと、
読取素子ユニットと、
抽出部と、
を含み、
上記磁気テープは、上記の本発明の一態様にかかる磁気テープであり、
上記読取素子ユニットは、上記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取る複数の読取素子を有し、
上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出する、磁気テープ装置、
に関する。
【0016】
一態様では、上記複数の読取素子は、磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータをリニアスキャン方式で各々読み取ることができる。
【0017】
一態様では、上記波形等化処理は、上記磁気テープと上記読取素子ユニットとの位置のずれ量に応じた波形等化処理であることができる。
【0018】
一態様では、上記波形等化処理は、上記ずれ量に応じて定められるタップ係数を用いて行われ得る。
【0019】
一態様では、上記ずれ量は、上記磁気テープの磁性層のタイミングベースサーボパターンを上記サーボ素子が読み取ることにより得られた結果に応じて定められ得る。
【0020】
一態様では、上記読取素子ユニットはサーボ素子を含むことができ、上記サーボ素子により行われる読取動作に同期して、上記読取素子ユニットの読取動作が行われ得る。
【0021】
一態様では、上記複数の読取素子の互いの一部は、上記磁気テープの走行方向で重なっていることができる。
【0022】
一態様では、上記特定トラック領域は、上記読取対象トラックと上記読取対象トラックに隣接している隣接トラックとを含む領域であることができ、上記複数の読取素子の各々は、上記磁気テープとの位置関係が変化した場合に、上記読取対象トラックおよび上記隣接トラックの双方に対して、共に跨っていることができる。
【0023】
一態様では、上記複数の読取素子は、上記磁気テープの幅方向に、近接した状態で並べて配置されていることができる。
【0024】
一態様では、上記磁気テープの幅方向において、上記複数の読取素子は、上記読取対象トラック内に収まっていることができる。
【0025】
一態様では、上記複数の読取素子の各々について、上記読取対象トラックとの重複領域と上記読取対象トラックに隣接している隣接トラックとの重複領域との比が上記ずれ量から特定され得て、特定された上記比に応じて上記タップ係数が定められ得る。
【0026】
一態様では、上記抽出部は、２次元ＦＩＲ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）フィルタを有することができ、上記２次元ＦＩＲフィルタは、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して上記波形等化処理を施すことにより得られた各結果を合成することによって、上記読取結果から上記読取対象トラックに由来するデータを抽出することができる。
【0027】
一態様では、上記複数の読取素子は一対の読取素子であることができる。
【発明の効果】
【0028】
本発明の一態様によれば、複数の読取素子（再生素子）を利用する磁気テープ装置において、良好な再生品質でのデータの再生が可能な磁気テープを提供することができる。本発明の一態様によれば、かかる磁気テープを含む磁気テープカートリッジを提供することもできる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気テープおよび複数の読取素子（再生素子）を有する磁気テープ装置を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】磁気テープ装置の全体構成の一例を示す概略構成図である。
【図2】磁気テープ装置に含まれる読取ヘッドと磁気テープとの平面視の概略構成の一例を示す概略平面図である。
【図3】読取素子ユニットと磁気テープとの平面視の概略構成の一例を示す概略平面図である。
【図4】トラック領域と読取素子対との平面視の概略構成の一例を示す概略平面図である。
【図5】単一読取素子データと第１条件下での第１合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例を示すグラフである。
【図6】単一読取素子データと第２条件下での第２合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例を示すグラフである。
【図7】磁気テープ装置の電気系のハードウェアの要部構成の一例を示すブロック図である。
【図8】ずれ量の算出方法の説明に供する概念図である。
【図9】磁気テープ読取処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図10】抽出部の２次元ＦＩＲフィルタで行われる処理の説明に供する概念図である。
【図11】読取素子ユニットが読取対象トラックと第２のノイズ混入源トラックとに跨っている状態の一例を示す概略平面図である。
【図12】読取素子ユニットの第１の変形例を示す概略平面図である。
【図13】読取素子ユニットの第２の変形例を示す概略平面図である。
【図14】データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。
【図15】ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ－Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのサーボパターン配置例を示す。
【図16】サーボパターンのエッジ形状に関する角度αの説明図である。
【図17】サーボパターンのエッジ形状に関する角度αの説明図である。
【図18】サーボパターンのエッジ形状の一例を示す。
【図19】サーボパターンの一例を示す。
【図20】サーボパターンの一例を示す。
【図21】サーボパターンの一例を示す。
【図22】第１の例の説明に供する概念図である。
【図23】第２の例の説明に供する概念図である。
【図24】単一読取素子から得られる再生信号の２次元像の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下に、まず複数の読取素子（再生素子）を利用する磁気テープ装置の構成等について説明する。
【0031】
磁気テープ装置は、磁気テープと、読取素子ユニットと、抽出部と、を含むことができる。磁気テープからのデータの読み取りに関して、図２２に示す例では、長尺状の読取ヘッド２００が、長手方向に沿って複数の読取素子２０２を備えている。磁気テープ２０４には、複数のトラック２０６が形成されている。読取ヘッド２００は、長手方向が磁気テープ２０４の幅方向に一致するように配置されている。また、複数の読取素子２０２の各々は、複数のトラック２０６の各々に対して１対１の関係で割り当てられており、対向する位置のトラック２０６からデータを読み取る。
【0032】
しかし、磁気テープ２０４は、通常、経時、環境、テンションの変動等に起因して伸縮する。磁気テープ２０４の幅方向に磁気テープが伸縮すると、読取ヘッド２００において、長手方向の両端に配置された読取素子２０２の中心は、トラック２０６の中心からずれてしまう。磁気テープ２０４が幅方向に伸縮することにより変形すると、特に、複数の読取素子２０２のうち、読取ヘッド２００の両端に近い読取素子２０２ほど、オフトラックの影響を大きく受けてしまう。オフトラックの影響を小さくするためには、例えば、トラック２０６の幅に余裕を持たせるという方法が考えられる。しかし、トラック２０６の幅を広げるほど、磁気テープ２０４の記録容量は小さくなってしまう。
【0033】
また、一例として図２３に示す例のように、読取ヘッド２００には、通常、サーボ素子２０８が設けられている。磁気テープ２０４に対して、磁気テープ２０４の磁性層に形成されたサーボパターンが、サーボ素子２０８によって読み取られる。そして、サーボ素子２０８によってサーボパターンが読み取られて得られたサーボ信号から、制御装置（図示省略）によって、例えば、一定の時間間隔で、読取素子２０２が磁気テープ２０４上のどの位置を走行しているかが特定される。これにより、磁気テープ２０４の幅方向のＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）が制御装置によって検出される。
【0034】
このように、制御装置により読取素子２０２の走行位置が特定されると、特定された走行位置に基づいて、制御装置により、読取ヘッド用のアクチュエータ（図示省略）に対して帰還制御が行われることにより、磁気テープ２０４の幅方向のトラッキングが実現される。
【0035】
しかし、トラッキングが行われたとしても、急峻な振動およびジッタの高周波成分等は、ＰＥＳが増大する要因となり、読取対象トラックから読み取られたデータの再生品質の低下に繋がってしまう。
これに対し、複数の読取素子を利用し、磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取り、かつ、読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から上記読取対象トラックに由来するデータを抽出すれば、読取対象トラックから単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、読取対象トラックから読み取られるデータの再生品質を高めることができる。その結果、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることができる。
ただし、読取素子と読取対象トラックとの相対位置の変動（以下、「相対位置変動」という。）が大きいと、複数の読取素子毎の読取結果の各々に対して施される波形等化処理が、必ずしも各読取結果に対する最適な波形等化処理とは言えない場合がある。例えば、２次元ＦＩＲフィルタにより施される波形等化処理が、必ずしも各読取結果に対する最適な波形等化処理とは言えない場合がある。これに対し、上記の相対位置変動を抑制することができれば、複数の読取素子により読み取られた読取結果の各々に対して、より適した波形等化処理を施すことが可能となる。その結果、上記の波形等化処理が施されて抽出された読取対象トラックに由来するデータについて良好な再生品質を確保できるずれ量の許容量を大きくすることができる。この点に関して、本発明の一態様にかかる磁気テープにおいて、上記のメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることは、上記の相対位置変動を抑制することに寄与すると推察される。この点については更に後述する。
また、サーボパターンが設計形状（例えば、詳細を後述する理想形状）により近い形状で形成されているほど、読取素子が走行している位置を特定する精度はより高まる。このことも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることにつながる。この点に関して、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、サーボパターン（タイミングベースサーボパターン）の形状に関する指標である。詳細は後述する。
以上のように、良好な再生品質を確保できるずれ量の許容量を大きくできることは、トラックマージン（記録トラック幅－再生素子幅）を小さくしても良好な再生品質（例えば高ＳＮＲ、低エラーレート等）での再生を可能にすることに寄与し得る。そしてトラックマージンを小さくできることは、記録トラック幅を小さくして磁気テープの幅方向に配置可能な記録トラック数を増すこと、即ち高容量化に寄与し得る。
これに対し、複数の読取素子を利用し、磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取り、かつ、読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から上記読取対象トラックに由来するデータを抽出すれば、読取対象トラックから単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、読取対象トラックから読み取られるデータの再生品質を高めることができる。その結果、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることができる。
ただし、読取素子と読取対象トラックとの相対位置の変動（以下、「相対位置変動」という。）が大きいと、複数の読取素子毎の読取結果の各々に対して施される波形等化処理が、必ずしも各読取結果に対する最適な波形等化処理とは言えない場合がある。例えば、２次元ＦＩＲフィルタにより施される波形等化処理が、必ずしも各読取結果に対する最適な波形等化処理とは言えない場合がある。これに対し、上記の相対位置変動を抑制することができれば、複数の読取素子により読み取られた読取結果の各々に対して、より適した波形等化処理を施すことが可能となる。その結果、上記の波形等化処理が施されて抽出された読取対象トラックに由来するデータについて良好な再生品質を確保できるずれ量の許容量を大きくすることができる。この点に関して、本発明の一態様にかかる磁気テープにおいて、上記のメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることは、上記の相対位置変動を抑制することに寄与すると推察される。この点については更に後述する。
また、サーボパターンが設計形状（例えば、詳細を後述する理想形状）により近い形状で形成されているほど、読取素子が走行している位置を特定する精度はより高まる。このことも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることにつながる。この点に関して、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、サーボパターン（タイミングベースサーボパターン）の形状に関する指標である。詳細は後述する。
以上のように、良好な再生品質を確保できるずれ量の許容量を大きくできることは、トラックマージン（記録トラック幅－再生素子幅）を小さくしても良好な再生品質（例えば高ＳＮＲ、低エラーレート等）での再生を可能にすることに寄与し得る。そしてトラックマージンを小さくできることは、記録トラック幅を小さくして磁気テープの幅方向に配置可能な記録トラック数を増すこと、即ち高容量化に寄与し得る。
【0036】
以下、本発明の一態様にかかる磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置について、更に詳細に説明する。以下では、磁気テープ装置等について図面を参照して説明することがある。ただし本発明は、図面に示す態様に限定されるものではない。
【0037】
［磁気テープ装置の構成および磁気テープ読取処理］
一例として図１に示すように、磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１２、搬送装置１４、読取ヘッド１６、および制御装置１８を備えている。
一例として図１に示すように、磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１２、搬送装置１４、読取ヘッド１６、および制御装置１８を備えている。
【0038】
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴから読取ヘッド１６を用いてデータをリニアスキャン方式で読み取る装置である。データの読み取りとは、データの再生とも言うことができる。
【0039】
制御装置１８は、磁気テープ装置１０の全体を制御する。一態様では、制御装置１８により行われる制御は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって実現され得る。また、一態様では、制御装置１８により行われる制御は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）によって実現され得る。また、制御装置１８により行われる制御は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、およびＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を含むコンピュータによって実現されてもよい。また、ＡＩＳＣ、ＦＰＧＡ、およびコンピュータのうちの２つ以上の組み合わせにより、上記制御が実現されてもよい。
【0040】
搬送装置１４は、磁気テープＭＴを順方向および逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ２０、巻取リール２２、巻取モータ２４、複数のガイドローラＧＲ、および制御装置１８を備えている。
【0041】
磁気テープカートリッジ１２内には、カートリッジリールＣＲが設けられている。カートリッジリールＣＲには磁気テープＭＴが巻き掛けられている。送出モータ２０は、制御装置１８の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内のカートリッジリールＣＲを回転駆動させる。制御装置１８は、送出モータ２０を制御することで、カートリッジリールＣＲの回転方向、回転速度、および回転トルク等を制御する。
【0042】
磁気テープＭＴが巻取リール２２によって巻き取られる場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ２０を回転させる。送出モータ２０の回転速度および回転トルク等は、巻取リール２２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【0043】
巻取モータ２４は、制御装置１８の制御下で、巻取リール２２を回転駆動させる。制御装置１８は、巻取モータ２４を制御することで、巻取リール２２の回転方向、回転速度、および回転トルク等を制御する。
【0044】
磁気テープＭＴが巻取リール２２によって巻き取られる場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように巻取モータ２４を回転させる。巻取モータ２４の回転速度および回転トルク等は、巻取リール２２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【0045】
このようにして送出モータ２０および巻取モータ２４の各々の回転速度および回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド１６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータシミュレーションおよび／または実機試験等により得られた張力の範囲を指す。
【0046】
磁気テープＭＴをカートリッジリールＣＲに巻き戻す場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ２０および巻取モータ２４を回転させる。
【0047】
一態様では、送出モータ２０および巻取モータ２４の回転速度および回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されている。また、一態様では、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されてもよい。
【0048】
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール２２との間において読取ヘッド１６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
【0049】
読取ヘッド１６は、読取部２６およびホルダ２８を備えている。読取部２６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ２８によって保持されている。
【0050】
一例として図２に示すように、磁気テープＭＴは、トラック領域３０およびサーボパターン３２を備えている。サーボパターン３２は、磁気テープＭＴに対する読取ヘッド１６の位置の検出に用いられるパターンである。サーボパターン３２は、テープ幅方向の両端部に、第１既定角度（例えば、９５度）の第１斜線３２Ａと、第２既定角度（例えば、８５度）の第２斜線３２Ｂとが磁気テープＭＴの走行方向に沿って一定のピッチ（周期）で交互に配置されたパターンである。ここで言う「テープ幅方向」とは、磁気テープＭＴの幅方向を指す。
【0051】
トラック領域３０は、読取対象とされるデータが書き込まれた領域であり、磁気テープＭＴのテープ幅方向の中央部に形成されている。ここで言う「テープ幅方向の中央部」とは、例えば、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２と他端部のサーボパターン３２との間の領域を指す。以下では、説明の便宜上、「磁気テープＭＴの走行方向」を単に「走行方向」と称する。
【0052】
読取部２６は、サーボ素子対３６および複数の読取素子ユニット３８を備えている。ホルダ２８は、テープ幅方向に長尺状に形成されており、ホルダ２８の長手方向の全長は、磁気テープＭＴの幅よりも長い。サーボ素子対３６は、ホルダ２８の長手方向の両端部に配置されており、複数の読取素子ユニット３８は、ホルダ２８の長手方向の中央部に配置されている。
【0053】
サーボ素子対３６は、サーボ素子３６Ａおよび３６Ｂを備えている。サーボ素子３６Ａは、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されており、サーボ素子３６Ｂは、磁気テープＭＴのテープ幅方向の他端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されている。
【0054】
ホルダ２８において、サーボ素子３６Ａとサーボ素子３６Ｂとの間には、複数の読取素子ユニット３８がテープ幅方向に沿って配置されている。トラック領域３０は、複数のトラックをテープ幅方向に等間隔に備えており、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、複数の読取素子ユニット３８の各々がトラック領域３０内の各トラックに対向して配置されている。
【0055】
よって、読取部２６と磁気テープＭＴとが磁気テープＭＴの長手方向に沿って直線状に相対移動することにより、トラック領域３０内の各トラックのデータは、複数の読取素子ユニット３８のうちの位置が対応する読取素子ユニット３８の各々によってリニアスキャン方式で読み取られる。また、リニアスキャン方式では、読取素子ユニット３８の読取動作と同期して、サーボ素子対３６によってサーボパターン３２が読み取られる。すなわち、リニアスキャン方式の一態様では、複数の読取素子ユニット３８とサーボ素子対３６によって磁気テープＭＴに対する読み取りが並行して行われる。
【0056】
ここで、上記の「トラック領域３０内の各トラック」とは、「磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを各々含む複数の特定トラック領域の各々」に含まれるトラックを指す。
【0057】
上記の「磁気テープ装置１０がデフォルトの状態」とは、磁気テープＭＴが変形することなく、かつ、磁気テープＭＴと読取ヘッド１６との位置関係が正しい位置関係にある状態を指す。ここで、「正しい位置関係」とは、例えば、磁気テープＭＴのテープ幅方向の中心と読取ヘッド１６の長手方向の中心とが一致する位置関係を指す。
【0058】
一態様において、複数の読取素子ユニット３８の各々は同じ構成である。以下では、説明の便宜上、複数の読取素子ユニット３８のうちの１つを例に挙げて説明する。一例として図３に示すように、読取素子ユニット３８は、一対の読取素子を備えている。図３に示す例において、「一対の読取素子」とは、第１読取素子４０および第２読取素子４２を指す。第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々は、トラック領域３０のうち読取対象トラック３０Ａを含む特定トラック領域３１からデータを読み取る。
【0059】
図３に示す例では、説明の便宜上、１つの特定トラック領域３１を示している。実際には、通常、トラック領域３０には、複数の特定トラック領域３１が存在し、各々の特定トラック領域３１に読取対象トラック３０Ａが含まれている。そして、複数の特定トラック領域３１の各々に対して読取素子ユニット３８が１つずつ割り当てられている。具体的には、複数の特定トラック領域３１の各々の読取対象トラック３０Ａに対して読取素子ユニット３８が１つずつ割り当てられている。
【0060】
特定トラック領域３１とは、隣接する３つのトラックを指す。隣接する３つのトラックのうちの１つ目のトラックは、トラック領域３０のうちの読取対象トラック３０Ａである。隣接する３つのトラックのうちの２つ目のトラックは、読取対象トラック３０Ａに隣接する隣接トラックの１つである第１のノイズ混入源トラック３０Ｂである。隣接する３つのトラックのうちの３つ目のトラックは、読取対象トラック３０Ａに隣接する隣接トラックの１つである第２のノイズ混入源トラック３０Ｃである。読取対象トラック３０Ａは、トラック領域３０において読取素子ユニット３８に対向する位置のトラックである。すなわち、読取対象トラック３０Ａとは、換言すると、読取素子ユニット３８のデータの読取対象とされたトラックを指す。
【0061】
第１のノイズ混入源トラック３０Ｂは、読取対象トラック３０Ａに対してテープ幅方向の一側方に隣接しており、読取対象トラック３０Ａから読み取られたデータに混入するノイズの混入源となるトラックである。第２のノイズ混入源トラック３０Ｃは、読取対象トラック３０Ａに対してテープ幅方向の他側方に隣接しており、読取対象トラック３０Ａから読み取られたデータに混入するノイズの混入源となるトラックである。以下では、説明の便宜上、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとを区別して説明する必要がない場合、符号を付さずに「隣接トラック」と称する。
【0062】
一態様では、トラック領域３０内において、テープ幅方向に一定の間隔で複数の特定トラック領域３１が配置されている。例えば、トラック領域３０内において、テープ幅方向に一定の間隔で３２個の特定トラック領域３１が配置されており、各特定トラック領域３１に対して読取素子ユニット３８が１つずつ割り当てられている。
【0063】
第１読取素子４０と第２読取素子４２とは、走行方向で近接した状態で、かつ、走行方向で一部が重なる位置に配置されている。磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、第１読取素子４０は、読取対象トラック３０Ａと第１のノイズ混入源トラック３０Ｂとを跨ぐ位置に配置されている。磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、第２読取素子４２は、読取対象トラック３０Ａと第１のノイズ混入源トラック３０Ｂとを跨ぐ位置に配置されている。
【0064】
磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、平面視において、第１読取素子４０のうちの読取対象トラック３０Ａと対向している部分の面積は、第１読取素子４０のうちの第１のノイズ混入源トラック３０Ｂと対向している部分の面積よりも大きい。一方、磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、平面視において、第２読取素子４２のうちの第１のノイズ混入源トラック３０Ｂと対向している部分の面積は、第１読取素子４０のうちの読取対象トラック３０Ａと対向している部分の面積よりも大きい。
【0065】
第１読取素子４０によって読み取られたデータに対しては後述の第１等化器７０（図７参照）によって波形等化処理が施される。第２読取素子４２によって読み取られたデータに対しては後述の第２等化器７２（図７参照）によって波形等化処理が施される。第１等化器７０および第２等化器７２の各々によって波形等化処理が施されて得られた各データは、加算器４４によって加算されることで合成される。
【0066】
図３では、読取素子ユニット３８が第１読取素子４０および第２読取素子４２を有する態様を例に説明している。ただし、例えば、一対の読取素子のうちの１つの読取素子のみ（以下、単一読取素子とも称する）を用いても、読取素子ユニット３８から得られる再生信号に相当する信号が得られる。
【0067】
この場合、例えば、一例として図８に示すように、単一読取素子から得られる再生信号を、再生信号と同期してサーボ素子対３６によって取得されたサーボ信号から算出されるトラック上の平面位置に割り当てる。そして、これをテープ幅方向に単一読取素子を移動させながら繰り返すことで、再生信号の２次元像（以下、単に「２次元像」と称する）を得る。ここで、２次元像、または、２次元像の一部を構成する再生信号（例えば、複数のトラックの位置に相当する再生信号）は、読取素子ユニット３８から得られる再生信号に相当する信号である。
【0068】
図２４には、ループ状にした磁気テープＭＴ（以下、「ループテープ」とも称する）について、ループテスタを用いて得た再生信号の２次元像の一例が示されている。ここで、ループテスタとは、例えば、ループテープを単一読取素子に対して繰り返し接触させた状態で搬送させる装置を指す。ループテスタと同様に２次元像を得るためには、リールテスタを用いてもよいし、実際のテープドライブを用いてもよい。ここで言う「リールテスタ」とは、例えば、磁気テープＭＴをリール形態で搬送させる装置を指す。
【0069】
このように、近接した位置に複数の読取素子を搭載した読取素子ユニットを有しない磁気テープ用ヘッドを用いたとしても、本明細書に記載の技術に係る効果を定量的に評価することができる。本明細書に記載の技術に係る効果を定量的に評価するための指標の一例として、ＳＮＲ、エラーレート等が挙げられる。
【0070】
図４～図６には、本発明者らが実験して得られた結果が示されている。一例として図４に示すように、トラック領域４９上には読取素子対５０が配置されている。トラック領域４９は、テープ幅方向に隣接する第１トラック４９Ａ、第２トラック４９Ｂ、および第３トラック４９Ｃを含む。読取素子対５０は、第１読取素子５０Ａおよび第２読取素子５０Ｂからなる。第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとは、テープ幅方向で近接する位置に配置されている。また、第１読取素子５０Ａは、読取対象トラックである第２トラック４９Ｂに対向し、かつ、第２トラック４９Ｂに収まるように配置されている。また、第２読取素子５０Ｂは、第２トラック４９Ｂの一側方に隣接する第１トラック４９Ａに対向し、かつ、第１トラック４９Ａに収まるように配置されている。
【0071】
図５には、単一読取素子データと第１条件下での第１合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例が示されている。また、図６には、単一読取素子データと第２条件下での第２合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例が示されている。
【0072】
ここで、単一読取素子データとは、図３に示す第１読取素子４０と同様に、第１読取素子５０Ａによって読み取られたデータに対して波形等化処理が施されて得られたデータを指す。第１条件とは、読取素子ピッチが７００ｎｍ（ナノメートル）との条件を指す。第２条件とは、読取素子ピッチが５００ｎｍとの条件を指す。読取素子ピッチとは、一例として図４に示すように、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとのテープ幅方向のピッチを指す。トラックオフセットとは、一例として図４に示すように、第２トラック４９Ｂのテープ幅方向の中心と第１読取素子５０Ａのトラック幅方向の中心とのずれ量を指す。
【0073】
第１合成データとは、第１条件下で各々得られた第１波形等化処理済みデータと第２波形等化処理済みデータとが加算されることで合成されたデータを指す。第１波形等化処理済みデータとは、図３に示す第１読取素子４０と同様に、第１読取素子５０Ａによって読み取られたデータに対して波形等化処理が施されて得られたデータを指す。第２波形等化処理済みデータとは、図３に示す第２読取素子４２と同様に、第２読取素子５０Ｂによって読み取られたデータに対して波形等化処理が施されて得られたデータを指す。第２合成データとは、第２条件下で各々得られた第１波形等化処理済みデータと第２波形等化処理済みデータとが加算されることで合成されたデータを指す。
【0074】
図５に示す第１合成データのＳＮＲと図６に示す第２合成データのＳＮＲとを比較すると、第１合成データのＳＮＲは、トラックオフセットが－０．４μｍ（マイクロメートル）～０．２μｍ辺りで急激に下落してグラフの途中で溝が生じているのに対し、第２合成データのＳＮＲは、第１合成データのＳＮＲのグラフのように途中で急激に下落することはない。第１合成データのＳＮＲおよび第２合成データのＳＮＲの各々は、単一読取素子データのＳＮＲよりも高く、特に、第２合成データのＳＮＲは、トラックオフセットの全範囲において、単一読取素子データのＳＮＲよりも高い。
【0075】
本発明者らは、図５および図６に示す実験結果から、第１読取素子５０Ａのみによりデータの読み取りが行われる場合に比べ、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとをテープ幅方向に近接させた状態でデータの読み取りを行わせることが好ましいことを知見した。ここで言う「近接させた状態」とは、例えば、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとが、接触することなく、トラックオフセットの全範囲において、単一読取素子データのＳＮＲよりもＳＮＲが高くなるようにテープ幅方向に並べて配置された状態を指す。
【0076】
一態様では、一例として図３に示すように、読取素子ユニット３８において、第１読取素子４０と第２読取素子４２とが走行方向に対して互いの一部をオーバーラップさせることで磁気テープＭＴに含まれるトラックの高密度化を実現している。
【0077】
一例として図７に示すように、磁気テープ装置１０は、アクチュエータ６０、抽出部６２、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）変換器６４、６６、６８、復号部６９、およびコンピュータ７３を備えている。
【0078】
制御装置１８は、サーボ素子対３６に対してＡ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）変換器６８を介して接続されている。Ａ／Ｄ変換器６８は、サーボ素子対３６に含まれるサーボ素子３６Ａおよび３６Ｂによってサーボパターン３２が読み取られて得られたアナログ信号をデジタル信号に変換することで得たサーボ信号を制御装置１８に出力する。
【0079】
制御装置１８は、アクチュエータ６０に接続されている。アクチュエータ６０は、読取ヘッド１６に取り付けられており、制御装置１８の制御下で、動力を読取ヘッド１６に付与することにより、読取ヘッド１６をテープ幅方向に変動させる。アクチュエータ６０は、例えば、ボイスコイルモータを含んでおり、読取ヘッド１６に付与される動力は、磁石のエネルギーを媒体として、コイルに流れる電流に基づく電気エネルギーが運動エネルギーに変換されることによって得られる動力である。
【0080】
ここでは、アクチュエータ６０にボイスコイルモータが搭載されている態様を挙げている。ただし、上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されず、例えば、ボイスコイルモータに代えて圧電素子を採用することも可能である。また、ボイスコイルモータおよび圧電素子を併用することも可能である。
【0081】
一態様では、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量が、サーボパターン３２をサーボ素子対３６が読み取って得た結果であるサーボ信号に応じて定められる。制御装置１８は、アクチュエータ６０を制御することにより、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量に応じた動力を読取ヘッド１６に付与することによって、読取ヘッド１６をテープ幅方向に変動させ、読取ヘッド１６の位置を正常な位置に調整する。ここで、正常な位置とは、例えば、図３に示すように、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態での読取ヘッド１６の位置を指す。
【0082】
ここでは、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量を、サーボパターン３２をサーボ素子対３６が読み取って得た結果であるサーボ信号に応じて定める態様を例示している。ただし本発明の一態様にかかる磁気テープ装置は、そのような例示に限定されない。例えば、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量として、サーボ素子３６Ａと磁気テープＭＴの予め定められた基準位置とのずれ量を採用してもよいし、読取ヘッド１６の端面と磁気テープＭＴに含まれる特定のトラックの中心位置とのずれ量を採用してもよい。磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量は、このように、読取対象トラック３０Ａのテープ幅方向の中心と読取ヘッド１６のテープ幅方向の中心とのずれ量に相当するずれ量であればよい。以下では、説明の便宜上、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量を単に「ずれ量」と称する。
【0083】
ずれ量は、例えば、図８に示すように、距離Ｂに対する距離Ａの割合に基づいて算出される。距離Ａとは、隣接する第１斜線３２Ａと第２斜線３２Ｂとがサーボ素子３６Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。距離Ｂとは、隣接する２つの第１斜線３２Ａがサーボ素子３６Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。
【0084】
抽出部６２は、制御装置１８および２次元ＦＩＲフィルタ７１を備えている。２次元ＦＩＲフィルタ７１は、加算器４４、第１等化器７０、および第２等化器７２を備えている。
【0085】
第１等化器７０は、Ａ／Ｄ変換器６４を介して第１読取素子４０に接続されている。また、第１等化器７０は、制御装置１８および加算器４４の各々に接続されている。第１読取素子４０によって特定トラック領域３１から読み取られたデータはアナログ信号であり、Ａ／Ｄ変換器６４は、第１読取素子４０によって特定トラック領域３１から読み取られたデータをデジタル信号に変換することで得た第１読取信号を第１等化器７０に出力する。
【0086】
第２等化器７２は、Ａ／Ｄ変換器６６を介して第２読取素子４２に接続されている。また、第２等化器７２は、制御装置１８および加算器４４の各々に接続されている。第２読取素子４２によって特定トラック領域３１から読み取られたデータはアナログ信号であり、Ａ／Ｄ変換器６６は、第２読取素子４２によって特定トラック領域３１から読み取られたデータをデジタル信号に変換することで得た第２読取信号を第２等化器７２に出力する。なお、第１読取信号および第２読取信号は、「読取素子毎の読取結果」の一例である。
【0087】
第１等化器７０は、入力された第１読取信号に対して、波形等化処理を施す。例えば、第１等化器７０は、入力された第１読取信号に対して、タップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号である第１の演算処理済み信号を出力する。
【0088】
第２等化器７２は、入力された第２読取信号に対して、波形等化処理を施す。例えば、第２等化器７２は、入力された第２読取信号に対して、タップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号である第２の演算処理済み信号を出力する。
【0089】
第１等化器７０および第２等化器７２の各々は、第１の演算処理済み信号および第２の演算処理済み信号を加算器４４に出力する。加算器４４は、第１等化器７０から入力された第１の演算処理済み信号と、第２等化器７２から入力された第２の演算処理済み信号とを加算することで合成し、合成して得た合成データを復号部６９に出力する。
【0090】
第１等化器７０および第２等化器７２の各々は、１次元ＦＩＲフィルタである。
【0091】
一態様では、ＦＩＲフィルタ自体は、正負を含む実数値の系列であり、系列の行数はタップ数と称され、数値自体はタップ係数と称される。また、一態様では、波形等化とは、読取信号に対して、上記の実数値の系列、すなわち、タップ係数を畳み込み演算（積和算）する処理を指す。ここで言う「読取信号」とは、第１読取信号および第２読取信号の総称を指す。また、一態様では、等化器とは、読取信号またはその他の入力信号に対し、タップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号を出力する処理を実行する回路を指す。また、一態様では、加算器とは、単純に２つの系列を加算する回路を指す。２つの系列の重み付けは、第１等化器７０および第２等化器７２で用いられるＦＩＲフィルタの数値、すなわち、タップ係数に反映される。
【0092】
制御装置１８は、第１等化器７０および第２等化器７２の各々のＦＩＲフィルタに対して、ずれ量に応じたタップ係数を設定することにより、第１等化器７０および第２等化器７２の各々に対して、ずれ量に応じた波形等化処理を実行させる。
【0093】
制御装置１８は、対応テーブル１８Ａを備えている。対応テーブル１８Ａでは、第１等化器７０および第２等化器７２の各々について、タップ係数とずれ量とが対応付けられている。タップ係数とずれ量との組み合わせは、例えば、実機の試験およびシミュレーションのうちの少なくとも一方が実施された結果に基づいて、加算器４４によって最良の合成データが得られるタップ係数とずれ量との組み合わせとして予め得られた組み合わせである。ここで言う「最良の合成データ」とは、読取対象トラックデータに相当するデータを指す。
【0094】
ここで、「読取対象トラックデータ」とは、「読取対象トラック３０Ａに由来するデータ」を指す。「読取対象トラック３０Ａに由来するデータ」とは、換言すると、読取対象トラック３０Ａに書き込まれているデータに相当するデータを指す。読取対象トラック３０Ａに書き込まれているデータに相当するデータの一例としては、読取対象トラック３０Ａから読み出されたデータであって、隣接トラックからのノイズ成分が混入されていないデータが挙げられる。
【0095】
上記では、対応テーブル１８Ａを例示している。他の態様では、対応テーブル１８Ａに代えて、演算式を採用してもよい。ここで言う「演算式」とは、例えば、独立変数をずれ量とし、従属変数をタップ係数とした演算式を指す。
【0096】
上記では、タップ係数とずれ量との組み合わせが規定された対応テーブル１８Ａからタップ係数が導出される態様が挙げられている。他の態様では、例えば、タップ係数と比との組み合わせが規定された対応テーブルまたは演算式からタップ係数が導出されてもよい。ここで言う「比」とは、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々についての、読取対象トラック３０Ａとの重複領域と隣接トラックとの重複領域との比を指す。比は、制御装置１８により、ずれ量から算出されることで特定され、特定された比に応じて、タップ係数が定められる。または、一態様では、複数のタップ係数の系列を、例えば、予めキャリブレーション領域において複数の読取素子の各々がデータを読み取ることにより得られた複数の読取結果を用いて、等化目標となる基本波形（ターゲット）からの誤差を最小化するように定めることもできる。
【0097】
復号部６９は、加算器４４から入力された合成データを復号し、復号して得た復号信号をコンピュータ７３に出力する。コンピュータ７３は、復号部６９から入力された復号信号に対して各種処理を施す。
【0098】
次に、抽出部６２によって実行される磁気テープ読取処理について、図９を参照して説明する。以下では、説明の便宜上、サンプリングの時期が到来すると、サーボ信号が制御装置１８に入力されることを前提として説明する。ここで、サンプリングとは、サーボ信号のサンプリングに限らず、読取信号のサンプリングも意味する。すなわち、一態様では、トラック領域３０が走行方向に沿ってサーボパターン３２と並行して形成されているので、サーボ素子対３６の読取動作に同期して読取素子ユニット３８の読取動作が行われる。
【0099】
図９に示す処理では、先ず、ステップ１００で、制御装置１８は、サンプリングの時期が到来したか否かを判定する。ステップ１００において、サンプリングの時期が到来した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップ１０２へ移行する。ステップ１００において、サンプリングの時期が到来していない場合は、判定が否定されて、ステップ１００の判定が再び行われる。
【0100】
ステップ１０２で、第１等化器７０は、第１読取信号を取得し、第２等化器７２は、第２読取信号を取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップ１０４へ移行する。
【0101】
ステップ１０４で、制御装置１８は、サーボ信号を取得し、取得したサーボ信号からずれ量を算出し、その後、磁気テープ読取処理はステップ１０６へ移行する。
【0102】
ステップ１０６で、制御装置１８は、第１等化器７０および第２等化器７２の各々の第１～第３タップについて、ステップ１０４の処理で算出したずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａから導出する。すなわち、本ステップ１０６の処理が実行されることで、第１等化器７０の一例である１次元ＦＩＲフィルタと第２等化器７２の一例である１次元フィルタとの組み合わせとして最適な組み合わせが定められる。ここで言う「最適な組み合わせ」とは、例えば、後述のステップ１１２の処理が実行されることで出力される合成データを、読取対象トラックデータに相当するデータにする組み合わせを指す。
【0103】
次のステップ１０８で、制御装置１８は、ステップ１０６の処理で導出したタップ係数を第１等化器７０および第２等化器７２の各々に対して設定し、その後、磁気テープ読取処理はステップ１１０へ移行する。
【0104】
ステップ１１０で、第１等化器７０は、ステップ１０２の処理で取得した第１読取信号に対して波形等化処理を施すことで、第１の演算処理済み信号を生成する。第１等化器７０は、生成した第１の演算処理済み信号を加算器４４に出力する。第２等化器７２は、ステップ１０２の処理で取得した第２読取信号に対して波形等化処理を施すことで、第２の演算処理済み信号を生成する。第２等化器７２は、生成した第２の演算処理済み信号を加算器４４に出力する。
【0105】
次のステップ１１２で、加算器４４は、一例として図１０に示すように、第１等化器７０から入力された第１の演算処理済み信号と、第２等化器７２から入力された第２の演算処理済み信号とを加算することで合成する。そして、加算器４４は、合成して得た合成データを復号部６９に出力する。
【0106】
図３に示す例のように読取素子ユニット３８が特定トラック領域３１上に配置されている場合、本ステップ１１２の処理が実行されることにより、合成データとして、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂからのノイズ成分が除去された読取対象トラックデータに相当するデータが出力される。つまり、ステップ１０２～ステップ１１２の処理が実行されることにより、抽出部６２によって、読取対象トラック３０Ａに由来するデータのみが抽出される。
【0107】
磁気テープＭＴのテープ幅方向が伸縮したり、磁気テープＭＴおよび読取ヘッド１６の少なくとも一方に対して振動が付与されたりした場合に、読取素子ユニット３８が、一例として図３に示す位置から図１１に示す位置に変位することがある。図１１に示す例では、第１読取素子４０と第２読取素子４２とが、読取対象トラック３０Ａと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとの双方に対して、共に跨る位置に配置される。この場合、ステップ１０２～ステップ１１２の処理が実行されることで、第２のノイズ混入源トラック３０Ｃからのノイズ成分が除去された読取対象トラックデータに相当するデータが合成データとして復号部６９に出力される。
【0108】
次のステップ１１４で、制御装置１８は、磁気テープ読取処理を終了する条件（以下、「終了条件」と称する）を満たしたか否かを判定する。終了条件とは、例えば、磁気テープＭＴの全てが巻取リール２２によって巻き取られたとの条件、磁気テープ読取処理を強制終了する指示が外部から与えられたとの条件等を指す。
【0109】
ステップ１１４において、終了条件を満たしていない場合は、判定が否定されて、磁気テープ読取処理はステップ１００へ移行する。ステップ１１４において、終了条件を満たした場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理が終了する。
【0110】
以上説明したように、磁気テープ装置１０の一態様では、近接した状態で配置された第１読取素子４０および第２読取素子４２により、特定トラック領域３１からデータが各々読み取られる。そして、抽出部６２により、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々に対して、ずれ量に応じた波形等化処理が施されることで、第１読取信号および第２読取信号から、読取対象トラック３０Ａに由来するデータが抽出される。従って、磁気テープ装置１０は、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの再生品質の低下を抑制することができる。
【0111】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、第１読取素子４０および第２読取素子４２の互いの一部が走行方向で重なっている。従って、磁気テープ装置１０は、複数の読取素子の互いの全体が走行方向で重なっている場合に比べ、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの再生品質を高めることができる。
【0112】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、特定トラック領域３１は、読取対象トラック３０Ａ、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂ、および第２のノイズ混入源トラック３０Ｃを含み、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々は、磁気テープＭＴとの位置関係が変化した場合に、読取対象トラック３０Ａおよび隣接トラックの双方に対して、共に跨っている。従って、磁気テープ装置１０は、読取対象トラック３０Ａから単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、テープ幅方向において読取対象トラック３０Ａから隣接トラックに入り込むことにより第１読取素子４０および第２読取素子４２のうちの一方の読取素子で生じるノイズ成分を、テープ幅方向において読取対象トラック３０Ａから隣接トラックに入り込んでいる他方の読取素子の読取結果を利用して低減することができる。
【0113】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、波形等化処理で用いられるタップ係数はずれ量に応じて定められる。ずれ量に応じてタップ係数を定めることにより、タップ係数がずれ量とは関連性のないパラメータに応じて定められる場合に比べ、テープ幅方向において隣接トラックから読取対象トラック３０Ａに入り込むことで生じるノイズ成分を、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置関係の変化に追従して即時的に低減することができる。
【0114】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々について、読取対象トラック３０Ａとの重複領域と隣接トラックとの重複領域との比がずれ量から特定され、特定された比に応じてタップ係数が定められる。これにより、磁気テープ装置１０は、複数の読取素子の各々についての読取対象トラック３０Ａとの重複領域と隣接トラックとの重複領域との比とは関連性のないパラメータに応じてタップ係数が定められる場合に比べ、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置関係が変化したとしても、ノイズ成分を正確に低減することができる。
【0115】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、ずれ量は、サーボパターン３２をサーボ素子対３６が読み取ることで得た結果に応じて定められる。これにより、磁気テープ装置１０は、磁気テープＭＴにサーボパターン３２が付与されていない場合に比べ、容易にずれ量を定めることができる。
【0116】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、サーボ素子対３６の読取動作に同期して読取素子ユニット３８の読取動作が行われる。これにより、磁気テープ装置１０は、サーボパターンとデータとを同期して読み取ることができない磁気ディスクおよびヘリカルスキャン方式の磁気テープに比べ、磁気テープの幅方向において隣接トラックから読取対象トラックに入り込むことで生じるノイズ成分を即時的に低減することができる。
【0117】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、抽出部６２が２次元ＦＩＲフィルタ７１を有している。そして、２次元ＦＩＲフィルタ７１により、第１読取信号および第２読取信号の各々に対して波形等化処理が施されることで得られた各結果を合成することで、第１読取信号および第２読取信号から読取対象トラック３０Ａに由来するデータが抽出される。これにより、磁気テープ装置１０は、１次元ＦＩＲフィルタのみを用いる場合に比べ、第１読取信号および第２読取信号から読取対象トラック３０Ａに由来するデータを迅速に抽出することができる。また、磁気テープ装置１０は、行列演算を行う場合に比べ、より少ない演算量での演算を実現することができる。
【0118】
また、磁気テープ装置１０の一態様では、一対の読取素子として第１読取素子４０および第２読取素子４２が採用されている。これにより、磁気テープ装置１０は、３つ以上の読取素子を用いる場合に比べ、読取素子ユニット３８の小型化に寄与することができる。読取素子ユニット３８が小型化されることにより、読取部２６および読取ヘッド１６も小型化可能となる。また、磁気テープ装置１０は、隣接する読取素子ユニット３８同士で接触するという事態の発生も抑制することができる。
【0119】
更に、磁気テープ装置１０の一態様では、複数の読取素子ユニット３８の各々により、複数の特定トラック領域３１の各々に含まれる対応する読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式でデータが読み取られる。これにより、磁気テープ装置１０は、複数の読取対象トラック３０Ａの各々から単一の読取素子ユニット３８のみによってデータが読み取られる場合に比べ、複数の読取対象トラック３０Ａからのデータの読み取りを迅速に完遂することができる。
【0120】
上記の態様では、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々が、読取対象トラック３０Ａおよび第１のノイズ混入源トラック３０Ｂの双方に対して、共に跨るように設けられている、ただし、上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。図１２に示す例では、上記で説明した読取素子ユニット３８に代えて読取素子ユニット１３８が採用されている。読取素子ユニット１３８は、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２を備えている。磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子１４０のテープ幅方向の中心は、読取対象トラック３０Ａのテープ幅方向の中心ＣＬと一致している。また、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２は、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂおよび第２のノイズ混入源トラック３０Ｃに食み出すことなく、読取対象トラック３０Ａに収まっている。更に、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、上記実施形態で説明した第１読取素子４０および第２読取素子４２と同様に、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２の各々は、走行方向で互いの一部が重なるように設けられている。
【0121】
一例として図１２に示すように第１読取素子１４０および第２読取素子１４２が読取対象トラック３０Ａから食み出ることなく読取対象トラック３０Ａに対面している状態であっても、読取素子ユニット１３８と磁気テープＭＴとの位置関係が変化することがある。すなわち、読取素子ユニット１３８が読取対象トラック３０Ａと第１のノイズ混入源トラック３０Ｂとに跨る場合と読取素子ユニット１３８が読取対象トラック３０Ａと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとに跨る場合とがある。これらの場合であっても、上述したステップ１０２～ステップ１１２の処理が実行されることにより、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂまたは第２のノイズ混入源トラック３０Ｃからのノイズ成分が除去された読取対象トラックデータに相当するデータを得ることが可能となる。
【0122】
また、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２が走行方向で互いの一部が重なる位置に配置されているので、読取対象トラック３０Ａのうち、第１読取素子１４０では読み取ることができない部分から第２読取素子１４２がデータを読み出すことができる。この結果、第１読取素子１４０が単一で読取対象トラック３０Ａからデータを読み取る場合に比べ、読取対象トラックデータの信頼性を高めることができる。
【0123】
また、一例として図１１に示すように、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々が、読取対象トラック３０Ａおよび第２のノイズ混入源トラック３０Ｃの双方に対して、共に跨る位置に配置されるようにしてもよい。
【0124】
また、上記では、第１読取素子４０および第２読取素子４２を含む読取素子ユニット３８を例示した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。図１３に示す例では、読取素子ユニット３８に代えて読取素子ユニット２３８が採用されている。読取素子ユニット２３８は、読取素子ユニット３８に比べ、第３読取素子２４４を有する点が異なる。磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４は、第１読取素子４０との間で、走行方向で互いの一部が重なる位置に配置されている。また、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４は、読取対象トラック３０Ａおよび第２のノイズ混入源トラック３０Ｃに跨る位置に配置されている。
【0125】
この場合、第１読取素子４０に対して第１等化器７０を割り当て、第２読取素子４２に第２等化器７２を割り当てた場合と同様に、第３読取素子２４４に対しても第３等化器（図示省略）を割り当てる。第３等化器も、上記で説明した第１等化器および第２等化器と同様の機能を有しており、第３読取素子２４４によって読み取られて得られた第３読取信号に対して波形等化処理を施す。そして、第３等化器は、第３読取信号に対して、例えばタップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号である第３の演算処理済み信号を出力する。加算器４４は、第１読取信号に対応する第１の演算処理済み信号と、第２読取信号に対応する第２の演算処理済み信号と、第３読取信号に対応する第３の演算処理済み信号とを加算することで合成し、合成して得た合成データを復号部６９に出力する。
【0126】
図１３に示す例では、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４が読取対象トラック３０Ａと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとに跨った位置に配置されているが、本開示の技術はこれに限定されない。磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４が読取対象トラック３０Ａから食み出すことなく読取対象トラック３０Ａに対面する位置に配置されるようにしてもよい。
【0127】
また、上記では、読取素子ユニット３８を例示した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。例えば、読取素子ユニット３８に代えて、図４に示す読取素子対５０が採用されてもよい。この場合、第１読取素子５０Ａおよび第２読取素子５０Ｂは、テープ幅方向で近接する位置に配置されるようにする。また、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとが、接触することなく、一例として図６に示すように、トラックオフセットの全範囲において、単一読取素子データのＳＮＲよりもＳＮＲが高くなるようにテープ幅方向に並べて配置されるようにする。
【0128】
図４に示す例では、例えば、第１読取素子５０Ａが平面視で第２トラック４９Ｂ内に納まっており、第２読取素子５０Ｂが平面視で第１トラック４９Ａ内に収まっている。
【0129】
また、上記では、サーボ素子対３６を例示した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。例えば、サーボ素子対３６に代えて、サーボ素子３６Ａおよび３６Ｂのうちの１つを採用してもよい。
【0130】
また、上記では、トラック領域３０内において、複数の特定トラック領域３１がテープ幅方向に一定の間隔で配列されている態様について説明した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。例えば、複数の特定トラック領域３１のうち、隣接する２つの特定トラック領域３１において、一方の特定トラック領域３１と他方の特定トラック領域３１とがテープ幅方向において１トラック分だけ重複するようにテープ幅方向に配列させるようにしてもよい。この場合、一方の特定トラック領域３１に含まれる一方の隣接トラック（例えば、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂ）が他方の特定トラック領域３１では読取対象トラック３０Ａになる。また、一方の特定トラック領域３１に含まれる読取対象トラック３０Ａは、他方の特定トラック領域３１では隣接トラック領域（例えば、第２のノイズ混入源トラック３０Ｃ）になる。
【0131】
以上説明した磁気テープ装置の構成および磁気テープ読取処理はあくまでも例示である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップの削除、新たなステップの追加、処理順序の入れ替え等が可能であることは言うまでもない。
また、上記磁気テープ装置は、磁気テープに記録されたデータの読み取り（再生）を行うことができ、更に、磁気テープへのデータの記録を行うための構成を有することもできる。
また、上記磁気テープ装置は、磁気テープに記録されたデータの読み取り（再生）を行うことができ、更に、磁気テープへのデータの記録を行うための構成を有することもできる。
【0132】
［磁気テープ］
次に、本発明の一態様にかかる磁気テープの詳細について説明する。
次に、本発明の一態様にかかる磁気テープの詳細について説明する。
【0133】
本発明の一態様にかかる磁気テープは、非磁性支持体と、強磁性粉末および結合剤を含む磁性層と、を有する。上記磁性層は、タイミングベースサーボパターンを有し、上記タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と上記累積分布関数０．１％の値Ｌ０．１との差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）が１８０ｎｍ以下である形状であり、かつ上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳａｆｔｅｒと、上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳｂｅｆｏｒｅとの差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である。
【0134】
サーボ信号を利用するヘッドトラッキングサーボを用いたシステム（以下、「サーボシステム」と記載する。）としては、近年、タイミングベースサーボ方式が広く用いられている。タイミングベースサーボ方式のサーボシステム（以下、「タイミングベースサーボシステム」と記載する。）では、二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンを磁性層に形成し、サーボ素子が、異なる形状の２つのサーボパターンを再生した（読み取った）時間間隔と、同種の形状の２つのサーボパターンを再生した時間間隔と、によりサーボ素子の位置を認識する。
本発明および本明細書における「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボシステムにおけるヘッドトラッキングが可能なサーボパターンをいう。タイミングベースサーボシステムにおけるヘッドトラッキングが可能なサーボパターンは、サーボパターンを形成するためのヘッドであるサーボライトヘッド（ｓｅｒｖｏ ｗｒｉｔｅ ｈｅａｄ）により、磁性層に二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンとして形成される。一例では、二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンが、同種の形状の複数のサーボパターンごとに連続して一定の間隔をもって配置される。他の一例では、異なる種類のサーボパターンが交互に配置される。なおサーボパターンが同種の形状であることに関しては、サーボパターンのエッジ形状の位置ずれは不問とする。タイミングベースサーボシステムにおけるヘッドトラッキングが可能なサーボパターンの形状およびサーボバンド上での配置は公知であり、具体的態様は後述する。以下、タイミングベースサーボパターンを、単にサーボパターンとも記載する。本発明および本明細書において、タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、データ（情報）を記録する際の磁気テープ走行方向（以下、単に「走行方向」とも記載する。）に対して下流側に位置するエッジ（端辺）の形状とする。
本発明および本明細書における「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボシステムにおけるヘッドトラッキングが可能なサーボパターンをいう。タイミングベースサーボシステムにおけるヘッドトラッキングが可能なサーボパターンは、サーボパターンを形成するためのヘッドであるサーボライトヘッド（ｓｅｒｖｏ ｗｒｉｔｅ ｈｅａｄ）により、磁性層に二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンとして形成される。一例では、二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンが、同種の形状の複数のサーボパターンごとに連続して一定の間隔をもって配置される。他の一例では、異なる種類のサーボパターンが交互に配置される。なおサーボパターンが同種の形状であることに関しては、サーボパターンのエッジ形状の位置ずれは不問とする。タイミングベースサーボシステムにおけるヘッドトラッキングが可能なサーボパターンの形状およびサーボバンド上での配置は公知であり、具体的態様は後述する。以下、タイミングベースサーボパターンを、単にサーボパターンとも記載する。本発明および本明細書において、タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、データ（情報）を記録する際の磁気テープ走行方向（以下、単に「走行方向」とも記載する。）に対して下流側に位置するエッジ（端辺）の形状とする。
【0135】
次に、本発明および本明細書における、タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状、このエッジ形状の磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と上記累積分布関数０．１％の値Ｌ０．１との差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）、および理想形状について説明する。
以下では、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延び、磁気テープの幅方向に対して角度αで傾斜した直線状サーボパターンを主に例に取り説明する。上記の角度αとは、データ（情報）を記録する際の磁気テープの走行方向に対して下流側に位置するサーボパターンのエッジのテープ幅方向の端部２箇所を結ぶ線分と磁気テープの幅方向とのなす角度をいうものとする。この点を含め、以下に更に説明する。
以下では、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延び、磁気テープの幅方向に対して角度αで傾斜した直線状サーボパターンを主に例に取り説明する。上記の角度αとは、データ（情報）を記録する際の磁気テープの走行方向に対して下流側に位置するサーボパターンのエッジのテープ幅方向の端部２箇所を結ぶ線分と磁気テープの幅方向とのなす角度をいうものとする。この点を含め、以下に更に説明する。
【0136】
例えば、磁気テープ装置の記録方式として広く用いられているリニアスキャン方式に適用される磁気テープには、通常、磁性層に、サーボパターンが形成された領域（「サーボバンド」と呼ばれる）が磁気テープの長手方向に沿って複数存在する。２本のサーボバンドに挟まれた領域は、データバンドと呼ばれる。情報（磁気信号）の記録はデータバンド上で行われ、各データバンドには複数のデータトラックが長手方向に沿って形成される。図１４に、データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。図１４中、磁気テープＭＴの磁性層には、複数のサーボバンド１が、ガイドバンド３に挟まれて配置されている。２本のサーボバンドに挟まれた複数の領域２が、データバンドである。サーボパターンは、磁化領域であって、サーボライトヘッドにより磁性層の特定の領域を磁化することによって形成される。サーボライトヘッドにより磁化する領域（サーボパターンを形成する位置）は規格により定められている。例えば業界標準規格であるＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープには、磁気テープ製造時に、図１５に示すようにテープ幅方向に対して傾斜した複数のサーボパターンが、サーボバンド上に形成される。詳しくは、図１５中、サーボバンド１上のサーボフレームＳＦは、サーボサブフレーム１（ＳＳＦ１）およびサーボサブフレーム２（ＳＳＦ２）から構成される。サーボサブフレーム１は、Ａバースト（図１５中、符号Ａ）およびＢバースト（図１５中、符号Ｂ）から構成される。ＡバーストはサーボパターンＡ１～Ａ５から構成され、ＢバーストはサーボパターンＢ１～Ｂ５から構成される。一方、サーボサブフレーム２は、Ｃバースト（図１５中、符号Ｃ）およびＤバースト（図１５中、符号Ｄ）から構成される。ＣバーストはサーボパターンＣ１～Ｃ４から構成され、ＤバーストはサーボパターンＤ１～Ｄ４から構成される。このような１８本のサーボパターンが５本と４本のセットで、５、５、４、４、の配列で並べられたサブフレームに配置され、サーボフレームを識別するために用いられる。図１５には、１つのサーボフレームを示したが、各サーボバンドには、複数のサーボフレームが走行方向に配置される。図１５中、矢印は走行方向を示している。矢印の進行方向側が上流側であり、反対側が下流側である。
【0137】
図１６および図１７は、角度αの説明図である。図１５に示すサーボパターンにおいて、サーボパターンＡ１～Ａ５、Ｃ１～Ｃ４のように走行方向の上流側に向けて傾斜しているサーボパターンについては、下流側のエッジＥＬの端部２箇所を結ぶ線分（図１６中、破線Ｌ１）とテープ幅方向（図１６中、破線Ｌ２）とのなす角度を角度αとする。一方、サーボパターンＢ１～Ｂ５、Ｄ１～Ｄ４のように走行方向の下流側に向けて傾斜しているサーボパターンについては、下流側のエッジＥＬの端部２箇所を結ぶ線分（図１７中、破線Ｌ１）とテープ幅方向（図１７中、破線Ｌ２）とのなす角度を角度αとする。この角度αは、一般にアジマス角と呼ばれ、サーボバンド上に磁化領域（サーボパターン）を形成する際のサーボライトヘッドの設定により定められる。
【0138】
サーボバンド上に磁化領域（サーボパターン）を形成する際、サーボパターンが理想的に形成されたならば、上記の磁気テープ幅方向に対して角度αで傾斜したサーボパターンのエッジ形状は、上記のエッジ端部２箇所を結ぶ線分（図１６、図１７中、破線Ｌ１）の形状と一致する。即ち直線になる。したがって、エッジ上の各箇所において、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅（以下、単に「位置ずれ幅」とも記載する。）はゼロになる。他方、図１８に一例を示すようにサーボパターンのエッジ形状が理想形状からずれてしまう場合がある。上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、サーボパターンのエッジ各位置で理想形状からの位置ずれ幅が小さく、かつエッジ各箇所での位置ずれ幅の値のばらつきが小さいことの指標となり得る値である。差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、以下の方法により求められる値である。
サーボパターンが形成された磁気テープの磁性層表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ；Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察する。測定範囲は、サーボパターンが５本含まれる範囲とする。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープでは、測定範囲を９０μｍ×９０μｍとすることにより、ＡバーストまたはＢバーストの５本のサーボパターンを観察することができる。測定範囲を１００ｎｍピッチで測定（粗測定）することによりサーボパターン（磁化領域）を抽出する。なお本発明および本明細書において、磁性層表面との語は、磁気テープの磁性層側表面と同義で用いるものとする。
その後、サーボパターンの、走行方向に対して下流側に位置するエッジにおいて磁化領域と非磁化領域との境界を検出するために、上記境界近傍において５ｎｍピッチで測定を行い磁気プロファイルを得る。得られた磁気プロファイルが、磁気テープの幅方向に対して角度α傾斜している場合には、解析ソフトにより磁気テープ幅方向に沿うように（α＝０°となるように）回転補正する。その後、解析ソフトにより、５ｎｍピッチで測定された各プロファイルのピーク値の位置座標を算出する。このピーク値の位置座標は、磁化領域と非磁化領域との境界の位置を示している。位置座標は、例えば、走行方向をｘ座標、幅方向をｙ座標とするｘｙ座標系により特定される。
理想形状が直線であって直線上のある位置の位置座標が（ｘ，ｙ）＝（ａ，ｂ）である場合を例に取ると、実際に求められたエッジ形状（上記境界の位置座標）が理想形状と一致していたならば、算出される位置座標は、（ｘ，ｙ）＝（ａ，ｂ）となる。この場合、位置ずれ幅はゼロである。これに対し、実際に求められたエッジ形状が理想形状からずれていたならば、上記境界のｙ＝ｂの位置のｘ座標は、ｘ＝ａ＋ｃまたはｘ＝ａ―ｃとなる。ｘ＝ａ＋ｃとは、例えば走行方向に対して上流側に幅ｃずれている場合であり、ｘ＝ａ－ｃとは、例えば走行方向に対して下流側に幅ｃ（即ち上流側を基準にすると－ｃ）ずれている場合である。ここでｃが、位置ずれ幅である。即ち、理想形状からのｘ座標の位置ずれ幅の絶対値が、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅である。こうして、５ｎｍピッチでの測定により求められた走行方向の下流側のエッジ各箇所での位置ずれ幅を求める。
各サーボパターンについて得られた値から、解析ソフトにより累積分布関数を得る。得られた累積分布関数から、累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と０．１％の値Ｌ０．１とを求め、求められた値から各サーボパターンについて差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求める。
以上の測定を、異なる３箇所の測定範囲で行う（測定数Ｎ＝３）。
各サーボパターンについて得られた差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）の算術平均を、磁気テープについての上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）と定義する。
サーボパターンが形成された磁気テープの磁性層表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ；Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察する。測定範囲は、サーボパターンが５本含まれる範囲とする。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープでは、測定範囲を９０μｍ×９０μｍとすることにより、ＡバーストまたはＢバーストの５本のサーボパターンを観察することができる。測定範囲を１００ｎｍピッチで測定（粗測定）することによりサーボパターン（磁化領域）を抽出する。なお本発明および本明細書において、磁性層表面との語は、磁気テープの磁性層側表面と同義で用いるものとする。
その後、サーボパターンの、走行方向に対して下流側に位置するエッジにおいて磁化領域と非磁化領域との境界を検出するために、上記境界近傍において５ｎｍピッチで測定を行い磁気プロファイルを得る。得られた磁気プロファイルが、磁気テープの幅方向に対して角度α傾斜している場合には、解析ソフトにより磁気テープ幅方向に沿うように（α＝０°となるように）回転補正する。その後、解析ソフトにより、５ｎｍピッチで測定された各プロファイルのピーク値の位置座標を算出する。このピーク値の位置座標は、磁化領域と非磁化領域との境界の位置を示している。位置座標は、例えば、走行方向をｘ座標、幅方向をｙ座標とするｘｙ座標系により特定される。
理想形状が直線であって直線上のある位置の位置座標が（ｘ，ｙ）＝（ａ，ｂ）である場合を例に取ると、実際に求められたエッジ形状（上記境界の位置座標）が理想形状と一致していたならば、算出される位置座標は、（ｘ，ｙ）＝（ａ，ｂ）となる。この場合、位置ずれ幅はゼロである。これに対し、実際に求められたエッジ形状が理想形状からずれていたならば、上記境界のｙ＝ｂの位置のｘ座標は、ｘ＝ａ＋ｃまたはｘ＝ａ―ｃとなる。ｘ＝ａ＋ｃとは、例えば走行方向に対して上流側に幅ｃずれている場合であり、ｘ＝ａ－ｃとは、例えば走行方向に対して下流側に幅ｃ（即ち上流側を基準にすると－ｃ）ずれている場合である。ここでｃが、位置ずれ幅である。即ち、理想形状からのｘ座標の位置ずれ幅の絶対値が、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅である。こうして、５ｎｍピッチでの測定により求められた走行方向の下流側のエッジ各箇所での位置ずれ幅を求める。
各サーボパターンについて得られた値から、解析ソフトにより累積分布関数を得る。得られた累積分布関数から、累積分布関数９９．９％の値Ｌ９９．９と０．１％の値Ｌ０．１とを求め、求められた値から各サーボパターンについて差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求める。
以上の測定を、異なる３箇所の測定範囲で行う（測定数Ｎ＝３）。
各サーボパターンについて得られた差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）の算術平均を、磁気テープについての上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）と定義する。
【0139】
本発明および本明細書におけるサーボパターンのエッジ形状の「理想形状」とは、位置ずれなくサーボパターンが形成された場合のエッジ形状をいう。例えば、一態様では、上記サーボパターンは、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的または不連続に延びる直線状サーボパターンである。なおサーボパターンについての「直線状」とは、エッジ形状の位置ずれは不問として、パターン形状として曲線部分を含まないことをいう。「連続的」とは、傾斜角度の変曲点なく、かつ途切れることなく、テープ幅方向の一方から他方に向かって延びることをいう。磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延びるサーボパターンの一例は、図１５に示したサーボパターンである。これに対し、「不連続」とは、傾斜角度の変曲点が１つ以上あるか、および／または、１箇所以上で途切れて延びていることをいう。傾斜角度の変曲点はあるが途切れずに延びる形状は、いわゆる折れ線形状である。傾斜角度の変曲点が１つで途切れることなくテープ幅方向の一方から他方に向かって延びる不連続なサーボパターンの一例は、図１９に示すサーボパターンである。一方、傾斜角度の変曲点なく１箇所で途切れてテープ幅方向の一方から他方に向かって延びる不連続なサーボパターンの一例は、図２０に示すサーボパターンである。また、傾斜角度の変曲点が１つで、１箇所で途切れてテープ幅方向の一方から他方に向かって延びる不連続なサーボパターンの一例は、図２１に示すサーボパターンである。
テープ幅方向の一方から他方に向かって連続的に延びる直線状サーボパターンについて、エッジ形状の「理想形状」とは、直線状のサーボパターンの走行方向の下流側のエッジの端部２箇所を結ぶ線分の形状（直線形状）である。例えば図１５に示した直線状サーボパターンについては、図１６または図１７中のＬ１で示した直線の形状である。一方、不連続に延びる直線状サーボパターンについては、理想形状とは、傾斜角度の変曲点がある形状については、傾斜角度が同じ部分の一端から他端を結ぶ線分の形状（直線形状）である。また、１箇所以上で途切れて延びている形状については、連続的に延びている各部分のそれぞれの一端から他端を結ぶ線分の形状（直線形状）である。例えば、図１９に示すサーボパターンについては、ｅ１とｅ２とを結ぶ線分、およびｅ２とｅ３とを結ぶ線分である。図２０に示すサーボパターンについては、ｅ４とｅ５とを結ぶ線分、およびｅ６とｅ７とを結ぶ線分である。図２１に示すサーボパターンについては、ｅ８とｅ９とを結ぶ線分、およびｅ１０とｅ１１とを結ぶ線分である。
テープ幅方向の一方から他方に向かって連続的に延びる直線状サーボパターンについて、エッジ形状の「理想形状」とは、直線状のサーボパターンの走行方向の下流側のエッジの端部２箇所を結ぶ線分の形状（直線形状）である。例えば図１５に示した直線状サーボパターンについては、図１６または図１７中のＬ１で示した直線の形状である。一方、不連続に延びる直線状サーボパターンについては、理想形状とは、傾斜角度の変曲点がある形状については、傾斜角度が同じ部分の一端から他端を結ぶ線分の形状（直線形状）である。また、１箇所以上で途切れて延びている形状については、連続的に延びている各部分のそれぞれの一端から他端を結ぶ線分の形状（直線形状）である。例えば、図１９に示すサーボパターンについては、ｅ１とｅ２とを結ぶ線分、およびｅ２とｅ３とを結ぶ線分である。図２０に示すサーボパターンについては、ｅ４とｅ５とを結ぶ線分、およびｅ６とｅ７とを結ぶ線分である。図２１に示すサーボパターンについては、ｅ８とｅ９とを結ぶ線分、およびｅ１０とｅ１１とを結ぶ線分である。
【0140】
上記では、直線状サーボパターンを例に説明した。ただし、サーボパターンはエッジ形状の理想形状が曲線形状のサーボパターンであってもよい。例えば走行方向に対して下流側のエッジ形状が理想的には部分円弧形状のサーボパターンについては、この部分円弧の位置座標に対して、走行方向に対して下流側のエッジ形状の磁気力顕微鏡により求められる位置座標により求められる位置ずれ幅から、差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求めることができる。
【0141】
以上の測定で用いる磁気力顕微鏡としては、市販の、または公知の構成の磁気力顕微鏡を周波数変調（ＦＭ：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）モードで用いる。磁気力顕微鏡のプローブとしては、例えば、Ｎａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ－ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）を用いることができる。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０～５０ｎｍの範囲とする。
また、上記解析ソフトとしては、市販の解析ソフト、または公知の演算式を組み込んだ解析ソフトを用いることができる。
また、上記解析ソフトとしては、市販の解析ソフト、または公知の演算式を組み込んだ解析ソフトを用いることができる。
【0142】
次に、上記のメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）の測定方法について説明する。本発明および本明細書において、「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
【0143】
本発明および本明細書において、「メチルエチルケトン洗浄」とは、磁気テープから切り出した試料片を液温２０～２５℃のメチルエチルケトン（２００ｇ）に浸漬して１００秒間超音波洗浄（超音波出力：４０ｋＨｚ）することをいうものとする。洗浄対象の磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を切り出してメチルエチルケトン洗浄に付す。磁気テープの幅および磁気テープから切り出される試料片の幅は、通常、１／２インチ（０．０１２７メートル）である。１／２インチ（０．０１２７メートル）幅以外の磁気テープについても、長さ５ｃｍの試料片を切り出してメチルエチルケトン洗浄に付せばよい。以下に詳述するメチルエチルケトン洗浄後のスペーシングの測定は、メチルエチルケトン洗浄後の試料片を、温度２３℃相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した後に行うものとする。
【0144】
本発明および本明細書において、磁気テープの磁性層表面において光学干渉法により測定されるスペーシングとは、以下の方法により測定される値とする。
磁気テープ（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気テープの磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープの磁性層側とは反対側から０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押しつける。１ａｔｍ＝１０１３２５Ｐａ（パスカル）である。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープの磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００～２０００００μｍ２）、磁気テープの磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００～７００ｎｍの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気記録媒体に光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光が透過する透明性を有する部材であればよい。
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、スペーシングとする。差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、上記３０００００ポイントにおけるメチルエチルケトン洗浄後の最頻値からメチルエチルケトン洗浄前の最頻値を差し引いた値をいうものとする。
同じ磁気テープから２つの試料片を切り出し、一方をメチルエチルケトン洗浄なしで上記スペーシングの値Ｓｂｅｆｏｒｅを求め、他方をメチルエチルケトン洗浄に付した後に上記スペーシングの値Ｓａｆｔｅｒを求めることによって、差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めてもよい。または、メチルエチルケトン洗浄前に上記スペーシングの値を求めた試料片を、その後にメチルエチルケトン洗浄に付した後に上記スペーシングの値を求めることによって差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めてもよい。
以上の測定は、例えばＭｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ等の市販のテープスペーシングアナライザー（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ；ＴＳＡ）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて実施した。
磁気テープ（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気テープの磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープの磁性層側とは反対側から０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押しつける。１ａｔｍ＝１０１３２５Ｐａ（パスカル）である。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープの磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００～２０００００μｍ２）、磁気テープの磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００～７００ｎｍの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気記録媒体に光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光が透過する透明性を有する部材であればよい。
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、スペーシングとする。差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、上記３０００００ポイントにおけるメチルエチルケトン洗浄後の最頻値からメチルエチルケトン洗浄前の最頻値を差し引いた値をいうものとする。
同じ磁気テープから２つの試料片を切り出し、一方をメチルエチルケトン洗浄なしで上記スペーシングの値Ｓｂｅｆｏｒｅを求め、他方をメチルエチルケトン洗浄に付した後に上記スペーシングの値Ｓａｆｔｅｒを求めることによって、差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めてもよい。または、メチルエチルケトン洗浄前に上記スペーシングの値を求めた試料片を、その後にメチルエチルケトン洗浄に付した後に上記スペーシングの値を求めることによって差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めてもよい。
以上の測定は、例えばＭｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ等の市販のテープスペーシングアナライザー（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ；ＴＳＡ）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて実施した。
【0145】
磁気テープからのデータの読み取りは、磁性層表面と読取素子とを接触させて摺動させることにより行われる。磁性層表面には、通常、磁性層表面と読取素子とが摺動する際に読取素子と主に接触（いわゆる真実接触）する部分（突起）と、この部分より低い部分（以下、「素地部分」と記載する。）とが存在する。先に説明したスペーシングは、磁性層表面と読取素子とが摺動する際の読取素子と素地部分との距離の指標になる値であると、本発明者らは考えている。ただし磁性層表面上に何らかの成分が存在していると、素地部分と読取素子との間に介在している上記成分の量が多いほど、スペーシングは狭くなると考えられる。他方、この成分がメチルエチルケトン洗浄によって除去されるとスペーシングが広がるため、メチルエチルケトン洗浄後のスペーシングＳａｆｔｅｒの値が、メチルエチルケトン洗浄前のスペーシングＳｂｅｆｏｒｅの値より大きくなる。したがって、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシングの差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、素地部分と読取素子との間に介在する上記成分の量の指標とすることができると考えられる。
以上の点に関して本発明者らは、メチルエチルケトン洗浄によって除去される成分が磁性層表面上に存在することが、読取素子と読取対象トラックとの相対位置の変動（相対位置変動）の原因になると推察している。そのため、メチルエチルケトン洗浄前後の差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を小さくすること、即ち上記成分量を低減することにより、上記の相対位置変動の発生を抑制することが可能になると推察される。このことが、複数の読取素子により得られた読取結果の各々に対して、より適した波形等化処理を施すことを可能にすることに寄与し、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることにつながると本発明者らは考えている。これに対し、本発明者らの検討によれば、メチルエチルケトン以外の溶媒、例えばｎ－ヘキサンによって洗浄する前と洗浄した後のスペーシングの差分の値と上記のトラックオフセット量の許容量との間には、相関は見られなかった。これは、ｎ－ヘキサン洗浄では、上記成分を除去できないか十分に除去できないことによるものと推察される。上記成分の詳細は明らかではない。あくまでも推察として、本発明者らは、上記成分は、磁性層に添加剤として通常添加される有機化合物より分子量が大きい成分ではないかと考えている。この成分の一態様について、本発明者らは以下のように推察している。磁性層は、一態様では、強磁性粉末および結合剤に加えて、硬化剤を含む磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に直接または他の層を介して塗布し、硬化処理を施し形成される。ここでの硬化処理により、結合剤と硬化剤とを硬化反応（架橋反応）させることができる。ただし、硬化剤と硬化反応しなかった結合剤または硬化剤との硬化反応が不十分であった結合剤は磁性層から遊離しやすく、磁性層表面上にも存在する場合があると考えられる。このような結合剤が磁性層表面上に存在することが、読取素子と読取対象トラックとの相対位置変動が発生する原因になるのではないかと本発明者らは推察している。
また、先に記載したように、サーボパターンが設計形状により近い形状で形成されていることも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることにつながると考えられる。この点に関して、上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、サーボパターンの形状に関する指標であって、この差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）が１８０ｎｍ以下であることも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与すると本発明者らは考えている。磁性層に形成されるサーボパターンの形状については、サーボライトヘッドが磁場を印加して磁性層に形成しようとするサーボパターン（磁化領域）の形状と、実際に磁性層に形成されるサーボパターンの形状とのずれを抑制するための手段の１つとしては、サーボライトヘッドの能力を高めること、具体的には磁場（漏れ磁界）が大きなサーボライトヘッドを使用することが考えられる。また、サーボライトヘッドが磁性層表面と接触して摺動しながら磁性層に磁場を印加してサーボパターンを形成する際に、磁性層のサーボパターンを形成すべき位置とサーボライトヘッドとの相対位置の変動が生じることは、サーボライトヘッドが磁場を印加して磁性層に形成しようとするサーボパターン（磁化領域）の形状と、実際に磁性層に形成されるサーボパターンの形状とのずれが発生する原因になると、本発明者らは推察している。この点に関して、メチルエチルケトン洗浄によって除去される成分が磁性層表面上に存在することは、磁性層のサーボパターンを形成すべき位置とサーボライトヘッドとの相対位置の変動の原因にもなると考えられる。これに対し、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることは、磁性層のサーボパターンを形成すべき位置とサーボライトヘッドとの相対位置の変動を抑制することにも寄与すると推察される。このことが、設計形状により近い形状のサーボパターンを形成すること、即ち、上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を１８０ｎｍ以下にすること、に寄与すると、本発明者らは考えている。
ただし、以上の推察に、本発明は限定されない。
以上の点に関して本発明者らは、メチルエチルケトン洗浄によって除去される成分が磁性層表面上に存在することが、読取素子と読取対象トラックとの相対位置の変動（相対位置変動）の原因になると推察している。そのため、メチルエチルケトン洗浄前後の差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を小さくすること、即ち上記成分量を低減することにより、上記の相対位置変動の発生を抑制することが可能になると推察される。このことが、複数の読取素子により得られた読取結果の各々に対して、より適した波形等化処理を施すことを可能にすることに寄与し、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることにつながると本発明者らは考えている。これに対し、本発明者らの検討によれば、メチルエチルケトン以外の溶媒、例えばｎ－ヘキサンによって洗浄する前と洗浄した後のスペーシングの差分の値と上記のトラックオフセット量の許容量との間には、相関は見られなかった。これは、ｎ－ヘキサン洗浄では、上記成分を除去できないか十分に除去できないことによるものと推察される。上記成分の詳細は明らかではない。あくまでも推察として、本発明者らは、上記成分は、磁性層に添加剤として通常添加される有機化合物より分子量が大きい成分ではないかと考えている。この成分の一態様について、本発明者らは以下のように推察している。磁性層は、一態様では、強磁性粉末および結合剤に加えて、硬化剤を含む磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に直接または他の層を介して塗布し、硬化処理を施し形成される。ここでの硬化処理により、結合剤と硬化剤とを硬化反応（架橋反応）させることができる。ただし、硬化剤と硬化反応しなかった結合剤または硬化剤との硬化反応が不十分であった結合剤は磁性層から遊離しやすく、磁性層表面上にも存在する場合があると考えられる。このような結合剤が磁性層表面上に存在することが、読取素子と読取対象トラックとの相対位置変動が発生する原因になるのではないかと本発明者らは推察している。
また、先に記載したように、サーボパターンが設計形状により近い形状で形成されていることも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることにつながると考えられる。この点に関して、上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、サーボパターンの形状に関する指標であって、この差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）が１８０ｎｍ以下であることも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与すると本発明者らは考えている。磁性層に形成されるサーボパターンの形状については、サーボライトヘッドが磁場を印加して磁性層に形成しようとするサーボパターン（磁化領域）の形状と、実際に磁性層に形成されるサーボパターンの形状とのずれを抑制するための手段の１つとしては、サーボライトヘッドの能力を高めること、具体的には磁場（漏れ磁界）が大きなサーボライトヘッドを使用することが考えられる。また、サーボライトヘッドが磁性層表面と接触して摺動しながら磁性層に磁場を印加してサーボパターンを形成する際に、磁性層のサーボパターンを形成すべき位置とサーボライトヘッドとの相対位置の変動が生じることは、サーボライトヘッドが磁場を印加して磁性層に形成しようとするサーボパターン（磁化領域）の形状と、実際に磁性層に形成されるサーボパターンの形状とのずれが発生する原因になると、本発明者らは推察している。この点に関して、メチルエチルケトン洗浄によって除去される成分が磁性層表面上に存在することは、磁性層のサーボパターンを形成すべき位置とサーボライトヘッドとの相対位置の変動の原因にもなると考えられる。これに対し、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることは、磁性層のサーボパターンを形成すべき位置とサーボライトヘッドとの相対位置の変動を抑制することにも寄与すると推察される。このことが、設計形状により近い形状のサーボパターンを形成すること、即ち、上記の差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を１８０ｎｍ以下にすること、に寄与すると、本発明者らは考えている。
ただし、以上の推察に、本発明は限定されない。
【0146】
以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。
【0147】
＜メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）＞
上記磁気テープの磁性層表面において光学干渉法により測定されるメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である。このことが、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与すると推察される。以上の観点からは、上記差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、１４．０ｎｍ以下であることが好ましく、１３．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２．０ｎｍ以下であることが更に好ましく、１１．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、１０．０ｎｍ以下であることがより一層好ましい。詳細を後述するように、上記差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、磁気テープの製造工程における磁性層の表面処理によって制御することができる。ただし、本発明者らの検討の結果、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍになるほどまでは磁性層の表面処理を実施せずに差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を０ｎｍ超とすることが、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与することも判明した。この理由は明らかではない。あくまでも推察として、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍになるほど磁性層の表面処理を実施してしまうと、走行安定性の向上に寄与する成分（例えば潤滑剤）が磁気テープから過剰に除去されてしまうことが一因ではないかと、本発明者らは考えている。この点から、上記磁気テープのメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は０ｎｍ超であり、１．０ｎｍ以上であることが好ましく、２．０ｎｍ以上であることがより好ましく、３．０ｎｍ以上であることが更に好ましく、４．０ｎｍ以上であることが一層好ましい。
上記磁気テープの磁性層表面において光学干渉法により測定されるメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である。このことが、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与すると推察される。以上の観点からは、上記差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、１４．０ｎｍ以下であることが好ましく、１３．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２．０ｎｍ以下であることが更に好ましく、１１．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、１０．０ｎｍ以下であることがより一層好ましい。詳細を後述するように、上記差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は、磁気テープの製造工程における磁性層の表面処理によって制御することができる。ただし、本発明者らの検討の結果、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍになるほどまでは磁性層の表面処理を実施せずに差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を０ｎｍ超とすることが、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与することも判明した。この理由は明らかではない。あくまでも推察として、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍになるほど磁性層の表面処理を実施してしまうと、走行安定性の向上に寄与する成分（例えば潤滑剤）が磁気テープから過剰に除去されてしまうことが一因ではないかと、本発明者らは考えている。この点から、上記磁気テープのメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）は０ｎｍ超であり、１．０ｎｍ以上であることが好ましく、２．０ｎｍ以上であることがより好ましく、３．０ｎｍ以上であることが更に好ましく、４．０ｎｍ以上であることが一層好ましい。
【0148】
＜差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）＞
上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、１８０ｎｍ以下である。このことも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与すると推察される。以上の観点からは、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、１７０ｎｍ以下であることが好ましく、１６０ｎｍ以下であることがより好ましく、１５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、例えば、５０ｎｍ以上、６０ｎｍ以上、７０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、９０ｎｍ以上または１００ｎｍ以上であることができる。ただし、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）の値が小さいほど、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくするうえで好ましいと考えられるため、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は上記で例示した下限を下回ってもよい。
上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、１８０ｎｍ以下である。このことも、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることに寄与すると推察される。以上の観点からは、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、１７０ｎｍ以下であることが好ましく、１６０ｎｍ以下であることがより好ましく、１５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は、例えば、５０ｎｍ以上、６０ｎｍ以上、７０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、９０ｎｍ以上または１００ｎｍ以上であることができる。ただし、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）の値が小さいほど、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくするうえで好ましいと考えられるため、上記差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）は上記で例示した下限を下回ってもよい。
【0149】
次に、上記磁気テープの磁性層等について、更に説明する。
【0150】
＜磁性層＞
（強磁性粉末）
磁性層は、強磁性粉末および結合剤を含む。磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
（強磁性粉末）
磁性層は、強磁性粉末および結合剤を含む。磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
【0151】
－六方晶フェライト粉末－
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
【0152】
本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。
【0153】
以下に、六方晶フェライト粉末の一態様である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。
【0154】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００～１６００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ３以上であり、例えば８５０ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１５００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１４００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１３００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１２００ｎｍ３以下であることがより一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることが更により一層好ましい。六方晶バリウムフェライト粉末の活性化体積についても、同様である。
【0155】
「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁束計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０－１Ｊ／ｍ３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
【0156】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0157】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５～５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶フェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶フェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
【0158】
六方晶フェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５～５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
【0159】
上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として一種の希土類原子のみ含んでもよく、二種以上の希土類原子を含んでもよい。二種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、二種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく、二種以上用いてもよい。二種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、二種以上の合計についていうものとする。
【0160】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか一種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。
【0161】
希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。
【0162】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５－９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍｌを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍｌを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍｌを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍｌを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
【0163】
磁気テープに記録された情報を再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁束計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）で測定される値とする。
【0164】
六方晶フェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０～１５．０原子％の範囲であることができる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて一種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５～５．０原子％の範囲であることができる。
【0165】
六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または二種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ１２Ｏ１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５～１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０～５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。
【0166】
－金属粉末－
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。
【0167】
－ε－酸化鉄粉末－
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
【0168】
ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００～１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε－酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ３以上であり、例えば５００ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【0169】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε－酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、ε－酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0170】
磁気テープに記録された情報を再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一態様では、ε－酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε－酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。
【0171】
本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
【0172】
粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【0173】
本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
【0174】
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【0175】
磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は、少なくとも結合剤であり、任意に一種以上の更なる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【0176】
（結合剤、硬化剤）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００４４～００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００４４～００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【0177】
一態様では、結合剤として、活性水素含有基を含む結合剤を用いることができる。本発明および本明細書における「活性水素含有基」とは、この基が硬化性官能基と硬化反応するとともにこの基に含まれる水素原子が脱離することによって架橋構造を形成可能な官能基をいう。活性水素含有基としては、ヒドロキシ基、アミノ基（好ましくは一級アミノ基または二級アミノ基）、メルカプト基、カルボキシ基等を挙げることができ、ヒドロキシ基、アミノ基およびメルカプト基が好ましく、ヒドロキシ基がより好ましい。活性水素含有基を含む結合剤において、活性水素含有基濃度は、０．１０ｍｅｑ／ｇ～２．００ｍｅｑ／ｇの範囲であることが好ましい。なおｅｑは当量（ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。また、活性水素含有基濃度は単位「ｍｇＫＯＨ／ｇ」により表示することもできる。一態様では、活性水素含有基を含む樹脂において、活性水素含有基濃度は、１～２０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であることが好ましい。
【0178】
一態様では、結合剤として、酸性基を含む結合剤を用いることができる。本発明および本明細書における「酸性基」とは、水中または水を含む溶媒（水性溶媒）中でＨ＋を放出してアニオンに解離可能な基およびその塩の形態を包含する意味で用いるものとする。酸性基の具体例としては、例えば、スルホン酸基（－ＳＯ３Ｈ）、硫酸基（－ＯＳＯ３Ｈ）、カルボキシ基、リン酸基、それらの塩の形態等を挙げることができる。例えば、スルホン酸基（－ＳＯ３Ｈ）の塩の形態とは、－ＳＯ３Ｍで表され、Ｍが水中または水性溶媒中でカチオンになり得る原子（例えばアルカリ金属原子等）を表す基を意味する。この点は、上記の各種の基の塩の形態についても同様である。酸性基を含む結合剤の一例としては、例えば、スルホン酸基およびその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の酸性基を含む樹脂（例えばポリウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂等）を挙げることができる。ただし、磁性層に含まれる樹脂は、これらの樹脂に限定されるものではない。また、酸性基を含む結合剤において、酸性基含有量は、例えば０．０３～０．５０ｍｅｑ／ｇの範囲であることができる。樹脂に含まれる酸性基等の各種官能基の含有量は、官能基の種類に応じて公知の方法で求めることができる。結合剤は、磁性層形成用組成物中に、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
【0179】
また、結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
【0180】
（その他の成分）
磁性層には、強磁性粉末および結合剤が含まれ、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。
磁性層には、強磁性粉末および結合剤が含まれ、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。
【0181】
例えば潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドを挙げることができ、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上を用いて磁性層を形成することができる。
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０.０質量部であり、好ましくは０．１～１０.０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層形成用組成物における脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１～１０.０質量部であり、好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３.０質量部であり、好ましくは０～２．０質量部であり、より好ましくは０～１．０質量部である。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは１．０～１０．０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。非磁性層形成用組成物における脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは０．１～８．０質量部である。非磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３．０質量部であり、好ましくは０～１．０質量部である。
本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく二種以上用いてもよい。ある成分が二種以上用いられる場合の含有量とは、これら二種以上の合計含有量をいうものとする。
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０.０質量部であり、好ましくは０．１～１０.０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層形成用組成物における脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１～１０.０質量部であり、好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３.０質量部であり、好ましくは０～２．０質量部であり、より好ましくは０～１．０質量部である。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは１．０～１０．０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。非磁性層形成用組成物における脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは０．１～８．０質量部である。非磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３．０質量部であり、好ましくは０～１．０質量部である。
本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく二種以上用いてもよい。ある成分が二種以上用いられる場合の含有量とは、これら二種以上の合計含有量をいうものとする。
【0182】
また、磁性層形成のために用いられる非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。なお後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を、研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。強磁性粉末の分散性を向上させるための分散剤については、特開２０１７－０１６７２１号公報の段落００３５を参照できる。また、分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１も参照できる。磁性層の添加剤については、特開２０１６－５１４９３号公報の段落００３５～００７７も参照できる。
分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
各種添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。
分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
各種添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。
【0183】
以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。
【0184】
＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
【0185】
非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【0186】
上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【0187】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
【0188】
＜バックコート層＞
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもでき、有さなくてもよい。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤、任意に含まれ得る各種添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもでき、有さなくてもよい。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤、任意に含まれ得る各種添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【0189】
＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、例えば３．０～８０．０μｍの範囲であり、好ましくは３．０～５０．０μｍの範囲であり、より好ましくは３．０～１０．０μｍの範囲である。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは、１００ｎｍ以下であることが好ましい。磁性層の厚みは、より好ましくは１０ｎｍ～１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは２０～９０ｎｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば５０ｎｍ以上であり、好ましくは７０ｎｍ以上であり、より好ましくは１００ｎｍ以上である。一方、非磁性層の厚みは、８００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍの範囲であることが更に好ましい。
非磁性支持体の厚みは、例えば３．０～８０．０μｍの範囲であり、好ましくは３．０～５０．０μｍの範囲であり、より好ましくは３．０～１０．０μｍの範囲である。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは、１００ｎｍ以下であることが好ましい。磁性層の厚みは、より好ましくは１０ｎｍ～１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは２０～９０ｎｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば５０ｎｍ以上であり、好ましくは７０ｎｍ以上であり、より好ましくは１００ｎｍ以上である。一方、非磁性層の厚みは、８００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍの範囲であることが更に好ましい。
【0190】
磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。
【0191】
＜磁気テープの製造方法＞
＜＜サーボパターンが形成される磁気テープの作製＞＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、粒径（ビーズ径）と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
＜＜サーボパターンが形成される磁気テープの作製＞＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、粒径（ビーズ径）と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【0192】
（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層に対して配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層に対して配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【0193】
（その他の工程）
塗布工程後には、乾燥処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種工程については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２～００５７を参照できる。
塗布工程後には、乾燥処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種工程については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２～００５７を参照できる。
【0194】
磁性層形成用組成物の塗布工程後の任意の段階で、磁性層形成用組成物を塗布して形成された塗布層の加熱処理を行うことが好ましい。この加熱処理は、一例として、カレンダ処理の前および／または後に実施することができる。加熱処理は、例えば、上記磁性層形成用組成物の塗布層が形成された支持体を加熱雰囲気下に置くことにより実施することができる。加熱雰囲気は、雰囲気温度６５～９０℃の雰囲気であることができ、雰囲気温度６５～７５℃の雰囲気であることがより好ましい。この雰囲気は、例えば大気雰囲気であることができる。加熱雰囲気下での加熱処理は、例えば２０～５０時間実施することができる。一態様では、この加熱処理により、硬化剤の硬化性官能基の硬化反応を進行させることができる。
【0195】
（磁気テープの製造方法の一態様）
上記磁気テープの製造方法の一態様としては、磁性層表面を、好ましくは上記加熱処理の後に、メチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材によって拭き取ること（以下、「メチルエチルケトン拭き取り処理」とも記載する。）を含む製造方法を挙げることができる。このメチルエチルケトン拭き取り処理によって除去可能な成分が磁性層表面上に存在することが、先に記載したように、読取素子と読取対象トラックとの相対位置変動の発生の原因になると考えられる。メチルエチルケトン拭き取り処理は、磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される乾式拭き取り処理に準じて、乾式拭き取り処理で使用されるワイピング材に代えて、メチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材を用いて実施することができる。例えば、磁気テープを磁気テープカートリッジに収容する幅にスリットした後またはスリットする前に、磁気テープを送り出しローラーと巻き取ローラーとの間で走行させ、走行中の磁気テープの磁性層表面にメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材（例えば布（例えば不織布）または紙（例えばティッシュペーパー））を押し付けることにより、磁性層表面のメチルエチルケトン拭き取り処理を行うことができる。上記走行における磁気テープの走行速度および磁性層表面の長手方向に与えられる張力（以下、単に「張力」と記載する。）は、磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される乾式拭き取り処理で一般に採用されている処理条件と同様にすることができる。例えば、メチルエチルケトン拭き取り処理における磁気テープの走行速度は、６０～６００ｍ／分程度とすることができ、張力は、０．１９６～３．９２０Ｎ（ニュートン）程度とすることができる。また、メチルエチルケトン拭き取り処理は、少なくとも１回行うことができる。先に記載したように、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍになるほど磁性層の表面処理を実施することは好ましくないため、この点を考慮してメチルエチルケトン拭き取り処理の処理条件および処理回数を設定することが好ましい。
また、メチルエチルケトン拭き取り処理の前および／または後に、磁性層表面に、塗布型磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される研磨処理および／または乾式拭き取り処理（以下、これらを「乾式表面処理」と記載する。）を１回以上行うこともできる。乾式表面処理によれば、例えばスリットにより発生した切り屑等の製造工程中で発生して磁性層表面に付着している異物を除去することができる。
上記磁気テープの製造方法の一態様としては、磁性層表面を、好ましくは上記加熱処理の後に、メチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材によって拭き取ること（以下、「メチルエチルケトン拭き取り処理」とも記載する。）を含む製造方法を挙げることができる。このメチルエチルケトン拭き取り処理によって除去可能な成分が磁性層表面上に存在することが、先に記載したように、読取素子と読取対象トラックとの相対位置変動の発生の原因になると考えられる。メチルエチルケトン拭き取り処理は、磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される乾式拭き取り処理に準じて、乾式拭き取り処理で使用されるワイピング材に代えて、メチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材を用いて実施することができる。例えば、磁気テープを磁気テープカートリッジに収容する幅にスリットした後またはスリットする前に、磁気テープを送り出しローラーと巻き取ローラーとの間で走行させ、走行中の磁気テープの磁性層表面にメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材（例えば布（例えば不織布）または紙（例えばティッシュペーパー））を押し付けることにより、磁性層表面のメチルエチルケトン拭き取り処理を行うことができる。上記走行における磁気テープの走行速度および磁性層表面の長手方向に与えられる張力（以下、単に「張力」と記載する。）は、磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される乾式拭き取り処理で一般に採用されている処理条件と同様にすることができる。例えば、メチルエチルケトン拭き取り処理における磁気テープの走行速度は、６０～６００ｍ／分程度とすることができ、張力は、０．１９６～３．９２０Ｎ（ニュートン）程度とすることができる。また、メチルエチルケトン拭き取り処理は、少なくとも１回行うことができる。先に記載したように、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）が０ｎｍになるほど磁性層の表面処理を実施することは好ましくないため、この点を考慮してメチルエチルケトン拭き取り処理の処理条件および処理回数を設定することが好ましい。
また、メチルエチルケトン拭き取り処理の前および／または後に、磁性層表面に、塗布型磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される研磨処理および／または乾式拭き取り処理（以下、これらを「乾式表面処理」と記載する。）を１回以上行うこともできる。乾式表面処理によれば、例えばスリットにより発生した切り屑等の製造工程中で発生して磁性層表面に付着している異物を除去することができる。
【0196】
＜＜サーボパターンの形成＞＞
上記磁気テープは、磁性層に、タイミングベースサーボパターンを有する。タイミングベースサーボパターンが形成された領域（サーボバンド）および２本のサーボバンドに挟まれた領域（データバンド）の配置例が、図１４に示されている。タイミングベースサーボパターンの配置例は、図１５に示されている。タイミングベースサーボパターンの形状の具体例は、図１５～図１７および図１９～図２１に示されている。ただし、各図面に示す配置例および／または形状は例示であって、磁気テープ装置（ドライブ）の方式に応じた形状および配置で、サーボパターン、サーボバンドおよびデータバンドを形成し配置すればよい。また、タイミングベースサーボパターンの形状および配置については、例えば、米国特許第５６８９３８４号のＦＩＧ．４、ＦＩＧ．５、ＦＩＧ．６、ＦＩＧ．９、ＦＩＧ．１７、ＦＩＧ．２０等に例示された配置例等の公知技術を何ら制限なく適用することができる。
上記磁気テープは、磁性層に、タイミングベースサーボパターンを有する。タイミングベースサーボパターンが形成された領域（サーボバンド）および２本のサーボバンドに挟まれた領域（データバンド）の配置例が、図１４に示されている。タイミングベースサーボパターンの配置例は、図１５に示されている。タイミングベースサーボパターンの形状の具体例は、図１５～図１７および図１９～図２１に示されている。ただし、各図面に示す配置例および／または形状は例示であって、磁気テープ装置（ドライブ）の方式に応じた形状および配置で、サーボパターン、サーボバンドおよびデータバンドを形成し配置すればよい。また、タイミングベースサーボパターンの形状および配置については、例えば、米国特許第５６８９３８４号のＦＩＧ．４、ＦＩＧ．５、ＦＩＧ．６、ＦＩＧ．９、ＦＩＧ．１７、ＦＩＧ．２０等に例示された配置例等の公知技術を何ら制限なく適用することができる。
【0197】
サーボパターンは、磁性層の特定の領域をサーボライターに搭載されたサーボライトヘッドにより磁化することによって形成することができる。タイミングベースサーボシステムでは、例えば、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対のサーボパターン（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）がサーボ素子によって読み取られることにより、サーボ信号が得られる。
【0198】
一態様では、特開２００４－３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボパターンのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボパターンのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【0199】
なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対のサーボパターン（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【0200】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボパターンの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【0201】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボパターンの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボパターンの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【0202】
サーボライトヘッドは、上記一対のサーボパターンに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。 各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１～１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【0203】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【0204】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２－５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いたパターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いたパターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【0205】
以上説明した磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気テープ装置に装着される。
【0206】
［磁気テープカートリッジ］
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【0207】
上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。
【0208】
磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへの情報（磁気信号）の記録および／または再生のために磁気テープ装置（ドライブ）に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されてドライブ側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）とドライブ側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、情報の記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。上記磁気テープカートリッジは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジであってもよい。上記磁気テープカートリッジは、本発明の一態様にかかる磁気テープを含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。また、磁気テープカートリッジの一態様については、図１中の磁気テープカートリッジ１２に関する先の記載を参照できる。
【0209】
［磁気テープ装置］
本発明の一態様は、
上記磁気テープと、読取素子ユニットと、抽出部と、を含み、
上記読取素子ユニットは、上記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取る複数の読取素子を有し、
上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出する、磁気テープ装置
に関する。かかる磁気テープ装置については、先に詳述した通りである。
本発明の一態様は、
上記磁気テープと、読取素子ユニットと、抽出部と、を含み、
上記読取素子ユニットは、上記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータを各々読み取る複数の読取素子を有し、
上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出する、磁気テープ装置
に関する。かかる磁気テープ装置については、先に詳述した通りである。
【実施例】
【0210】
以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。特記しない限り、以下に記載の「部」および「％」は質量基準である。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。
【0211】
表１中の活性化体積は、各強磁性粉末について、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて、先に記載の方法により求められた値である。
【0212】
［磁気テープの作製］
＜実施例１＞
＜＜磁性層形成用組成物の処方＞＞
（磁性液）
強磁性粉末：１００．０部
（種類：六方晶バリウムフェライト粉末、活性化体積：表１参照）
オレイン酸：２.０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ－１０４）：１０.０部
（重量平均分子量：５５０００、活性水素含有基（ヒドロキシ基）：０．３３ｍｅｑ／ｇ、ＯＳＯ３Ｋ基（硫酸基のカリウム塩）：０．０９ｍｅｑ／ｇ）
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４.０部
（重量平均分子量：７００００、活性水素含有基（ヒドロキシ基）：４～６ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＳＯ３Ｎａ基（スルホン酸基のナトリウム塩）：０.０７ｍｅｑ／ｇ）
ポリアルキレンイミン系ポリマー（特開２０１６－５１４９３号公報の段落０１１５～０１２３に記載の方法により得られた合成品）：６.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
（研磨剤液）
α－アルミナ（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積１９ｍ２／ｇ）：６.０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：０.６部
（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）
２，３－ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
（突起形成剤液）
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ１２０ｎｍ）：２．０部
メチルエチルケトン：８.０部
（その他の成分）
ステアリン酸：３.０部
ステアリン酸アミド：０.３部
ステアリン酸ブチル：６.０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部
＜実施例１＞
＜＜磁性層形成用組成物の処方＞＞
（磁性液）
強磁性粉末：１００．０部
（種類：六方晶バリウムフェライト粉末、活性化体積：表１参照）
オレイン酸：２.０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ－１０４）：１０.０部
（重量平均分子量：５５０００、活性水素含有基（ヒドロキシ基）：０．３３ｍｅｑ／ｇ、ＯＳＯ３Ｋ基（硫酸基のカリウム塩）：０．０９ｍｅｑ／ｇ）
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４.０部
（重量平均分子量：７００００、活性水素含有基（ヒドロキシ基）：４～６ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＳＯ３Ｎａ基（スルホン酸基のナトリウム塩）：０.０７ｍｅｑ／ｇ）
ポリアルキレンイミン系ポリマー（特開２０１６－５１４９３号公報の段落０１１５～０１２３に記載の方法により得られた合成品）：６.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
（研磨剤液）
α－アルミナ（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積１９ｍ２／ｇ）：６.０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：０.６部
（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）
２，３－ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
（突起形成剤液）
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ１２０ｎｍ）：２．０部
メチルエチルケトン：８.０部
（その他の成分）
ステアリン酸：３.０部
ステアリン酸アミド：０.３部
ステアリン酸ブチル：６.０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部
【0213】
＜＜非磁性層形成用組成物の処方＞＞
非磁性無機粉末 α－酸化鉄（平均粒子サイズ１０ｎｍ、ＢＥＴ比表面積７５ｍ２／ｇ）：１００．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２５．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基含有量０.２ｍｅｑ/ｇ）：１８．０部
ステアリン酸：１．０部
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部
非磁性無機粉末 α－酸化鉄（平均粒子サイズ１０ｎｍ、ＢＥＴ比表面積７５ｍ２／ｇ）：１００．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２５．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基含有量０.２ｍｅｑ/ｇ）：１８．０部
ステアリン酸：１．０部
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部
【0214】
＜＜バックコート層形成用組成物の処方＞＞
非磁性無機粉末：α－酸化鉄（平均粒子サイズ：０.１５μｍ、ＢＥＴ比表面積５２ｍ２／ｇ）：８０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１５５．０部
メチルエチルケトン：１５５．０部
ステアリン酸：３．０部
ステアリン酸ブチル：３．０部
ポリイソシアネート：５．０部
シクロヘキサノン：２００．０部
非磁性無機粉末：α－酸化鉄（平均粒子サイズ：０.１５μｍ、ＢＥＴ比表面積５２ｍ２／ｇ）：８０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１５５．０部
メチルエチルケトン：１５５．０部
ステアリン酸：３．０部
ステアリン酸ブチル：３．０部
ポリイソシアネート：５．０部
シクロヘキサノン：２００．０部
【0215】
＜＜磁性層形成用組成物の調製＞＞
磁性層形成用組成物を、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の各種成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより、磁性液を調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを使用した。
研磨剤液は、上記の研磨剤液の各種成分を混合してビーズ径０．３ｍｍのジルコニアビーズとともに横型ビーズミル分散機に入れ、研磨剤液体積とビーズ体積との合計に対するビーズ体積の割合が８０％になるように調整し、１２０分間ビーズミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。こうして研磨剤液を調製した。
調製した磁性液および研磨剤液、ならびに上記の突起形成剤液およびその他の成分をディゾルバー攪拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間攪拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。
磁性層形成用組成物を、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の各種成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより、磁性液を調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを使用した。
研磨剤液は、上記の研磨剤液の各種成分を混合してビーズ径０．３ｍｍのジルコニアビーズとともに横型ビーズミル分散機に入れ、研磨剤液体積とビーズ体積との合計に対するビーズ体積の割合が８０％になるように調整し、１２０分間ビーズミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。こうして研磨剤液を調製した。
調製した磁性液および研磨剤液、ならびに上記の突起形成剤液およびその他の成分をディゾルバー攪拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間攪拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。
【0216】
＜＜非磁性層形成用組成物の調製＞＞
上記の非磁性層形成用組成物の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.１ｍｍのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、非磁性層形成用組成物を調製した。
上記の非磁性層形成用組成物の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.１ｍｍのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、非磁性層形成用組成物を調製した。
【0217】
＜＜バックコート層形成用組成物の調製＞＞
上記のバックコート層形成用組成物の各種成分のうち潤滑剤（ステアリン酸およびステアリン酸ブチル）、ポリイソシアネートおよび２００．０部のシクロヘキサノンを除いた成分をオープンニーダにより混練および希釈した後、横型ビーズミル分散機によりビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で１パス滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理に供した。その後、上記の残りの成分を添加してディゾルバーで撹拌し、得られた分散液を１μｍの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、バックコート層形成用組成物を調製した。
上記のバックコート層形成用組成物の各種成分のうち潤滑剤（ステアリン酸およびステアリン酸ブチル）、ポリイソシアネートおよび２００．０部のシクロヘキサノンを除いた成分をオープンニーダにより混練および希釈した後、横型ビーズミル分散機によりビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で１パス滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理に供した。その後、上記の残りの成分を添加してディゾルバーで撹拌し、得られた分散液を１μｍの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、バックコート層形成用組成物を調製した。
【0218】
＜＜磁気テープの作製＞＞
厚み５．０μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが４００ｎｍになるように上記で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した後、非磁性層の表面上に乾燥後の厚みが７０ｎｍになるように上記で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。この磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに、磁場強度０.３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加する垂直配向処理を施し、乾燥させた。その後、この支持体の反対面に乾燥後の厚みが０.４μｍになるように上記で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し、乾燥させた。こうして磁気テープ原反を作製した。
作製された磁気テープ原反に対し、金属ロールのみから構成されるカレンダにより、速度１００ｍ／ｍｉｎ、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、カレンダロールの表面温度１００℃でカレンダ処理（表面平滑化処理）し、その後、表１に示す雰囲気温度の環境で表１に示す時間、加熱処理を施した。加熱処理後、磁気テープ原反を裁断機によりスリットし、１／２インチ（０．０１２７メートル）幅の磁気テープを得た。この磁気テープを送り出しローラーと巻き取りローラーとの間で走行させながら（走行速度１２０ｍ／分、張力：表１参照）、磁性層表面のブレード研磨、乾式拭き取り処理およびメチルエチルケトン拭き取り処理をこの順で実施した。具体的には、上記２つのローラーの間にサファイアブレード、乾いたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））およびメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））を配置し、上記２つのローラー間で走行している磁気テープの磁性層表面にサファイアブレードを押し当ててブレード研磨し、その後に上記の乾いたワイピング材により磁性層表面の乾式拭き取り処理を行い、その後に上記のメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材により磁性層表面のメチルエチルケトン拭き取り処理を行った。以上により、ブレード研磨、乾式拭き取り処理およびメチルエチルケトン拭き取り処理がそれぞれ１回磁性層表面に施された。
こうして得られた磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボライターに搭載されたサーボライトヘッド（漏れ磁界：２４７ｋＡ／ｍ）によって、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を磁性層に形成した。これにより、磁性層に、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを有する実施例１の磁気テープを得た。
厚み５．０μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが４００ｎｍになるように上記で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した後、非磁性層の表面上に乾燥後の厚みが７０ｎｍになるように上記で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。この磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに、磁場強度０.３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加する垂直配向処理を施し、乾燥させた。その後、この支持体の反対面に乾燥後の厚みが０.４μｍになるように上記で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し、乾燥させた。こうして磁気テープ原反を作製した。
作製された磁気テープ原反に対し、金属ロールのみから構成されるカレンダにより、速度１００ｍ／ｍｉｎ、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、カレンダロールの表面温度１００℃でカレンダ処理（表面平滑化処理）し、その後、表１に示す雰囲気温度の環境で表１に示す時間、加熱処理を施した。加熱処理後、磁気テープ原反を裁断機によりスリットし、１／２インチ（０．０１２７メートル）幅の磁気テープを得た。この磁気テープを送り出しローラーと巻き取りローラーとの間で走行させながら（走行速度１２０ｍ／分、張力：表１参照）、磁性層表面のブレード研磨、乾式拭き取り処理およびメチルエチルケトン拭き取り処理をこの順で実施した。具体的には、上記２つのローラーの間にサファイアブレード、乾いたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））およびメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））を配置し、上記２つのローラー間で走行している磁気テープの磁性層表面にサファイアブレードを押し当ててブレード研磨し、その後に上記の乾いたワイピング材により磁性層表面の乾式拭き取り処理を行い、その後に上記のメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材により磁性層表面のメチルエチルケトン拭き取り処理を行った。以上により、ブレード研磨、乾式拭き取り処理およびメチルエチルケトン拭き取り処理がそれぞれ１回磁性層表面に施された。
こうして得られた磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボライターに搭載されたサーボライトヘッド（漏れ磁界：２４７ｋＡ／ｍ）によって、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を磁性層に形成した。これにより、磁性層に、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを有する実施例１の磁気テープを得た。
【0219】
＜実施例２、３、比較例１～４＞
表１に示すように各種条件を変更した点以外、実施例１と同様の方法で磁気テープを作製した。
表１に示すように各種条件を変更した点以外、実施例１と同様の方法で磁気テープを作製した。
【0220】
＜比較例５＞
強磁性粉末として表１に示す活性化体積を有する六方晶バリウムフェライト粉末を使用し、表１に示すように各種条件を変更し、かつサーボライトヘッドとして漏れ磁界３６６ｋＡ／ｍのサーボライトヘッドを使用した点以外、実施例１と同様の方法で磁気テープを作製した。
強磁性粉末として表１に示す活性化体積を有する六方晶バリウムフェライト粉末を使用し、表１に示すように各種条件を変更し、かつサーボライトヘッドとして漏れ磁界３６６ｋＡ／ｍのサーボライトヘッドを使用した点以外、実施例１と同様の方法で磁気テープを作製した。
【0221】
［物性評価］
（１）メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）
ＴＳＡ（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製））を用いて、以下の方法により、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を２つ切り出し、一方の試料片についてはメチルエチルケトン洗浄を行わずに、以下の方法によりスペーシング（Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。他方の試料片については先に記載した方法によりメチルエチルケトン洗浄を行った後に、以下の方法によりスペーシング（Ｓａｆｔｅｒ）を求めた。
磁気テープ（詳しくは上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Ｔｈｏｒｌａｂｓ，Ｉｎｃ．社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に、０．５ａｔｍの圧力で押しつけた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００～２０００００μｍ２）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過させるフィルタ）を通してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、メチルエチルケトン洗浄後の試料片について得られたヒストグラムの最頻値Ｓａｆｔｅｒから、メチルエチルケトン洗浄なしの試料片について得られたヒストグラムの最頻値Ｓｂｅｆｏｒｅを差し引いて、差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。
（１）メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）
ＴＳＡ（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製））を用いて、以下の方法により、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を２つ切り出し、一方の試料片についてはメチルエチルケトン洗浄を行わずに、以下の方法によりスペーシング（Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。他方の試料片については先に記載した方法によりメチルエチルケトン洗浄を行った後に、以下の方法によりスペーシング（Ｓａｆｔｅｒ）を求めた。
磁気テープ（詳しくは上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Ｔｈｏｒｌａｂｓ，Ｉｎｃ．社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に、０．５ａｔｍの圧力で押しつけた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００～２０００００μｍ２）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過させるフィルタ）を通してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、メチルエチルケトン洗浄後の試料片について得られたヒストグラムの最頻値Ｓａｆｔｅｒから、メチルエチルケトン洗浄なしの試料片について得られたヒストグラムの最頻値Ｓｂｅｆｏｒｅを差し引いて、差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。
【0222】
（２）ｎ－ヘキサン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓｒｅｆｅｒｅｎｃｅ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）（参考値）
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を更に１つ切り出し、メチルエチルケトンに代えてｎ－ヘキサンを用いた点以外は上記と同様に洗浄した後に上記と同様にｎ－ヘキサン洗浄後のスペーシングを求めた。参考値として、ここで求められたスペーシングＳｒｅｆｅｒｅｎｃｅと上記（１）で求めた洗浄なしの試料片について得られたスペーシングＳｂｅｆｏｒｅの差分（Ｓｒｅｆｅｒｅｎｃｅ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を更に１つ切り出し、メチルエチルケトンに代えてｎ－ヘキサンを用いた点以外は上記と同様に洗浄した後に上記と同様にｎ－ヘキサン洗浄後のスペーシングを求めた。参考値として、ここで求められたスペーシングＳｒｅｆｅｒｅｎｃｅと上記（１）で求めた洗浄なしの試料片について得られたスペーシングＳｂｅｆｏｒｅの差分（Ｓｒｅｆｅｒｅｎｃｅ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）を求めた。
【0223】
（３）差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）
実施例および比較例の各磁気テープについて、以下の方法により差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求めた。
磁気力顕微鏡としてＢｒｕｋｅｒ製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００を周波数変調モードで使用し、プローブとしてＮａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ－ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）を使用して、サーボパターンを形成した磁気テープの磁性層表面の９０μｍ×９０μｍの測定範囲で、１００ｎｍピッチで粗測定を行いサーボパターン（磁化領域）を抽出した。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０ｎｍとした。上記測定範囲には、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがい形成されたＡバーストの５本のサーボパターンが含まれるため、これら５本のサーボパターンが抽出された。
上記磁気力顕微鏡およびプローブを用いて、各サーボパターンの走行方向に対して下流側のエッジについて、磁化領域と非磁化領域との境界近傍を５ｎｍピッチで測定し磁気プロファイルを得た。得られた磁気プロファイルは、角度α＝１２°で傾斜していたため、解析ソフトにより角度α＝０°となるように回転補正を行った。
測定は、磁性層表面の異なる３箇所で行った。各測定範囲には、それぞれＡバーストの５本のサーボパターンが含まれていた。
その後、解析ソフトを用いて先に記載した方法により差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求めた。解析ソフトとしては、ＭａｔｈＷｏｒｋｓ製ＭＡＴＬＡＢを使用した。こうして求められた差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を、表１に示す。
実施例および比較例の各磁気テープについて、以下の方法により差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求めた。
磁気力顕微鏡としてＢｒｕｋｅｒ製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００を周波数変調モードで使用し、プローブとしてＮａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ－ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）を使用して、サーボパターンを形成した磁気テープの磁性層表面の９０μｍ×９０μｍの測定範囲で、１００ｎｍピッチで粗測定を行いサーボパターン（磁化領域）を抽出した。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０ｎｍとした。上記測定範囲には、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがい形成されたＡバーストの５本のサーボパターンが含まれるため、これら５本のサーボパターンが抽出された。
上記磁気力顕微鏡およびプローブを用いて、各サーボパターンの走行方向に対して下流側のエッジについて、磁化領域と非磁化領域との境界近傍を５ｎｍピッチで測定し磁気プロファイルを得た。得られた磁気プロファイルは、角度α＝１２°で傾斜していたため、解析ソフトにより角度α＝０°となるように回転補正を行った。
測定は、磁性層表面の異なる３箇所で行った。各測定範囲には、それぞれＡバーストの５本のサーボパターンが含まれていた。
その後、解析ソフトを用いて先に記載した方法により差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を求めた。解析ソフトとしては、ＭａｔｈＷｏｒｋｓ製ＭＡＴＬＡＢを使用した。こうして求められた差分（Ｌ９９．９－Ｌ０．１）を、表１に示す。
【0224】
［性能評価］
（１）実施例および比較例の各磁気テープの磁性層に対して、ＩＢＭ社製ＴＳ１１５５テープドライブに搭載されている記録再生ヘッドを用いて、速度：６ｍ／ｓ、線記録密度：６００ｋｂｐｉ（２５５ｂｉｔＰＲＢＳ）およびトラックピッチ：２μｍの記録条件にて、データの記録を行った。上記の単位ｋｂｐｉは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。上記のＰＲＢＳは、Ｐｓｅｕｄｏ Ｒａｎｄｏｍ Ｂｉｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅの略称である。
上記記録により、各磁気テープの磁性層に、２つの隣接トラックの間、即ち第１のノイズ混入源トラックと第２のノイズ混入源トラックとの間に、読取対象トラックが位置する特定トラック領域が形成される。
（２）近接した状態で配置された２つの読取素子を有する読取素子ユニットを用いてデータ読取を行うモデル実験として、以下のデータ読取を行った。以下のモデル実験では、磁性層表面と読取素子とが接触し摺動することによってデータ読取が行われた。
単一の読取素子を有する磁気ヘッドを、読取対象トラックのテープ幅方向の中心と読取素子のトラック幅方向の中心とが一致するように配置した状態で読取を開始し、１回目のデータ読取を行った。この１回目のデータ読取中、サーボ素子によってサーボパターンを読み取り、タイミングベースサーボ方式のトラッキングも行った。また、サーボパターン読取動作に同期して読取素子によりデータ読取動作が行われた。
次いで同一の磁気ヘッドをテープ幅方向（一方の隣接トラック側）に５００ｎｍずらして、２回目のデータ読取を１回目のデータ読取と同様に行った。上記の２回のデータ読取は、それぞれ再生素子幅：０．２μｍ、速度：４ｍ／ｓ、サンプリングレート：ビットレートの１．２５倍の読取条件で行った。
１回目のデータ読取で得られた読取信号を等化器に入力し、１回目のデータ読取における磁気テープと磁気ヘッド（読取素子）との位置のずれ量に応じた波形等化処理を施した。この波形等化処理は、次のように行われる処理である。一定周期で形成されているサーボパターンをサーボ素子によって読み取ることにより得られた位置のずれ量から、読取素子と読取対象トラックとの重複領域と、読取素子と隣接トラックとの重複領域との比を特定する。この特定された比から演算式を用いて導出されたタップ係数を読取信号に対して畳み込み演算することにより、波形等化処理を行う。上記演算式は、ＥＰＲ４（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ ｃｌａｓｓ４）を基本波形（ターゲット）とする演算式である。２回目のデータ読取で得られた読取信号についても、同様に波形等化処理を施した。
上記の波形等化処理が施された２つの読取信号の位相合わせ処理（２次元信号処理）を行うことにより、近接した状態で配置された２つの読取素子（読取素子ピッチ＝５００ｎｍ）を有する読取素子ユニットにより得られるであろう読取信号を得た。こうして得られた読取信号について、信号検出点でのＳＮＲを算出した。
（３）上記の（２）を、１回目のデータ読取開始時の読取素子の位置を、読取対象トラックのテープ幅方向の中心から０．１μｍ間隔で第１のノイズ混入源トラック側および第２のノイズ混入源トラック側にそれぞれトラックオフセットさせながら繰り返し、トラック位置に対するＳＮＲのエンベロープを得た。
実施例および比較例のそれぞれについて、上記の１回目のデータ読取結果のみ（即ち単一素子のみでのデータ読取結果）に関しても、ＳＮＲのエンベロープを得た。
（４）単一素子のみでのデータ読取結果に関して得られたＳＮＲのエンベロープを参照エンベロープとし、参照エンベロープにおけるトラックセンターのＳＮＲからＳＮＲが－３ｄＢ低下したところを、ＳＮＲ下限値として設定した。各エンベロープにおいて、この下限値以上で最大のトラックオフセット量を、許容可能トラックオフセット量とした。実施例および比較例のそれぞれについて、単一素子のみでの許容可能トラックオフセット量に対する許容可能トラックオフセット量の増加率を、「許容可能トラックオフセット量増加率」として求めた。
（１）実施例および比較例の各磁気テープの磁性層に対して、ＩＢＭ社製ＴＳ１１５５テープドライブに搭載されている記録再生ヘッドを用いて、速度：６ｍ／ｓ、線記録密度：６００ｋｂｐｉ（２５５ｂｉｔＰＲＢＳ）およびトラックピッチ：２μｍの記録条件にて、データの記録を行った。上記の単位ｋｂｐｉは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。上記のＰＲＢＳは、Ｐｓｅｕｄｏ Ｒａｎｄｏｍ Ｂｉｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅの略称である。
上記記録により、各磁気テープの磁性層に、２つの隣接トラックの間、即ち第１のノイズ混入源トラックと第２のノイズ混入源トラックとの間に、読取対象トラックが位置する特定トラック領域が形成される。
（２）近接した状態で配置された２つの読取素子を有する読取素子ユニットを用いてデータ読取を行うモデル実験として、以下のデータ読取を行った。以下のモデル実験では、磁性層表面と読取素子とが接触し摺動することによってデータ読取が行われた。
単一の読取素子を有する磁気ヘッドを、読取対象トラックのテープ幅方向の中心と読取素子のトラック幅方向の中心とが一致するように配置した状態で読取を開始し、１回目のデータ読取を行った。この１回目のデータ読取中、サーボ素子によってサーボパターンを読み取り、タイミングベースサーボ方式のトラッキングも行った。また、サーボパターン読取動作に同期して読取素子によりデータ読取動作が行われた。
次いで同一の磁気ヘッドをテープ幅方向（一方の隣接トラック側）に５００ｎｍずらして、２回目のデータ読取を１回目のデータ読取と同様に行った。上記の２回のデータ読取は、それぞれ再生素子幅：０．２μｍ、速度：４ｍ／ｓ、サンプリングレート：ビットレートの１．２５倍の読取条件で行った。
１回目のデータ読取で得られた読取信号を等化器に入力し、１回目のデータ読取における磁気テープと磁気ヘッド（読取素子）との位置のずれ量に応じた波形等化処理を施した。この波形等化処理は、次のように行われる処理である。一定周期で形成されているサーボパターンをサーボ素子によって読み取ることにより得られた位置のずれ量から、読取素子と読取対象トラックとの重複領域と、読取素子と隣接トラックとの重複領域との比を特定する。この特定された比から演算式を用いて導出されたタップ係数を読取信号に対して畳み込み演算することにより、波形等化処理を行う。上記演算式は、ＥＰＲ４（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ ｃｌａｓｓ４）を基本波形（ターゲット）とする演算式である。２回目のデータ読取で得られた読取信号についても、同様に波形等化処理を施した。
上記の波形等化処理が施された２つの読取信号の位相合わせ処理（２次元信号処理）を行うことにより、近接した状態で配置された２つの読取素子（読取素子ピッチ＝５００ｎｍ）を有する読取素子ユニットにより得られるであろう読取信号を得た。こうして得られた読取信号について、信号検出点でのＳＮＲを算出した。
（３）上記の（２）を、１回目のデータ読取開始時の読取素子の位置を、読取対象トラックのテープ幅方向の中心から０．１μｍ間隔で第１のノイズ混入源トラック側および第２のノイズ混入源トラック側にそれぞれトラックオフセットさせながら繰り返し、トラック位置に対するＳＮＲのエンベロープを得た。
実施例および比較例のそれぞれについて、上記の１回目のデータ読取結果のみ（即ち単一素子のみでのデータ読取結果）に関しても、ＳＮＲのエンベロープを得た。
（４）単一素子のみでのデータ読取結果に関して得られたＳＮＲのエンベロープを参照エンベロープとし、参照エンベロープにおけるトラックセンターのＳＮＲからＳＮＲが－３ｄＢ低下したところを、ＳＮＲ下限値として設定した。各エンベロープにおいて、この下限値以上で最大のトラックオフセット量を、許容可能トラックオフセット量とした。実施例および比較例のそれぞれについて、単一素子のみでの許容可能トラックオフセット量に対する許容可能トラックオフセット量の増加率を、「許容可能トラックオフセット量増加率」として求めた。
【0225】
以上の結果を、表１（表１－１および表１－２）に示す。
【0226】
【表1-1】
【0227】
【表1-2】
【0228】
表１に示すように、実施例によれば、２０％以上の許容可能トラックオフセット量増加率を実現することができた。
上記方法により求められる許容可能トラックオフセット量が大きいことは、トラックマージンを小さくしても良好な再生品質での再生を可能にするうえで有利である。この点から、許容トラックオフセット量増加率が２０％以上であることは好ましい。
なお表１に示すように、ｎ－ヘキサン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓｒｅｆｅｒｅｎｃｅ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）の値とメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）の値との間には相関は見られなかった。
上記方法により求められる許容可能トラックオフセット量が大きいことは、トラックマージンを小さくしても良好な再生品質での再生を可能にするうえで有利である。この点から、許容トラックオフセット量増加率が２０％以上であることは好ましい。
なお表１に示すように、ｎ－ヘキサン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓｒｅｆｅｒｅｎｃｅ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）の値とメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓａｆｔｅｒ－Ｓｂｅｆｏｒｅ）の値との間には相関は見られなかった。
【産業上の利用可能性】
【0229】
本発明の一態様は、高密度記録されたデータを良好な再生品質で再生することが望まれる磁気記録用途において有用である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
