特許7189441IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社 > 特許7189441

技術分野

発光素子の実装方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

の特許文献１には、バンプの高さを基板の反り量よりも十分に大きくすることで基板の反りを吸収し、バンプの高さばらつきを吸収するために、接合面にナノインプリントまたはプラズマエッチングで数百ｎｍの凹凸を形成することが開示されている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様において、基板を有する発光素子を配線基板に実装する実装方法は、前記発光素子の主面の外周領域、及び前記外周領域よりも内側の内側領域に第１接続部を複数形成する工程と、前記内側領域に形成された複数の前記第１接続部のそれぞれの上に、前記第１接続部よりも上面積が小さい第２接続部を複数形成する工程と、前記外周領域に形成された複数の前記第１接続部それぞれの上に、前記第２接続部よりも上面積が小・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

の実装方法により、荷重を増大させずに、発光素子を安定して配線基板に実装することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施形態の発光素子を実装する際の基板の反りを説明する模式図である。
【図2】 発光素子の一例である発光素子の接合面の平面模式図である。
【図3】 図２のIII－III線の断面における断面模式図である。
【図4A】 本発明の一実施形態のバンプ構造の模式図である。
【図4B】 本発明の一実施形態のバンプ構造の模式図である。
【図5A】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図5B】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図5C】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図5D】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図5E】 本発明の一実施形態の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図6A】 本発明の変形例のバンプ構造の模式図である。
【図6B】 本発明の変形例のバンプ構造の模式図である。
【図7A】 本発明の変形例の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図7B】 変形例の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図7C】 変形例の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図7D】 変形例の発光素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図8】 配線基板に発光素子を実装した状態を示す模式図である。
【図9】 配線基板に発光素子を実装した発光装置の模式図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 発光装置 １１ 配線基板 １４ 配線パターン １６ 光拡散部材 ２０、２０Ａ、２０Ｂ 発光素子 ２１ 第１バンプ ２１１ 第１接続部 ２１１ｓ 端面 ２１２ 第２接続部 ２２、２２Ａ，２２Ｂ 第２バンプ ２１３，２２３ 第３接続部 ４４ 第１マスク ４６ 第２マスク ＲＡ 内側領域 ＲＢ 外周領域 Ｐ１、Ｐ２ ピッチ

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.