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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-06
(45)【発行日】2022-12-14
(54)【発明の名称】スパッタリングターゲット
(51)【国際特許分類】
C23C 14/34 20060101AFI20221207BHJP
G11B 5/851 20060101ALI20221207BHJP
H01F 10/30 20060101ALI20221207BHJP
【ＦＩ】
C23C14/34 A
G11B5/851
H01F10/30
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2018069386
(22)【出願日】2018-03-30
(65)【公開番号】P2019178401
(43)【公開日】2019-10-17
【審査請求日】2020-10-08
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 刊行物名 ：ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ、第５４巻、第２号 発行年月日：平成３０年１月２３日
(73)【特許権者】
【識別番号】509352945
【氏名又は名称】田中貴金属工業株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】504157024
【氏名又は名称】国立大学法人東北大学
(74)【代理人】
【識別番号】110002963
【氏名又は名称】弁理士法人ＭＴＳ国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100076129
【弁理士】
【氏名又は名称】松山 圭佑
(74)【代理人】
【識別番号】100080458
【弁理士】
【氏名又は名称】高矢 諭
(74)【代理人】
【識別番号】100144299
【弁理士】
【氏名又は名称】藤田 崇
(72)【発明者】
【氏名】キム コング
(72)【発明者】
【氏名】櫛引 了輔
(72)【発明者】
【氏名】鎌田 知成
(72)【発明者】
【氏名】青野 雅広
(72)【発明者】
【氏名】石橋 毅之
(72)【発明者】
【氏名】沼崎 健志
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 伸
【審査官】今井 淳一
(56)【参考文献】
【文献】特開２００４－０７１０３７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０３００９９４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１４／０９７９１１（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／３４
Ｇ１１Ｂ ５／８５１
Ｈ０１Ｆ １０／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、含有する前記金属は、その全体を単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下であり、
また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれており、
また、前記酸化物を前記スパッタリングターゲットの全体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下含有し、含有する前記酸化物の融点は１７００℃以上であり、
さらに、硬さが、ビッカース硬さＨＶ１０で９２６以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項2】
さらに、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちの少なくとも１種の金属を、合計で、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属全体に対して０ａｔ％よりも多く３１ａｔ％以下含有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項3】
さらに、ＣｏおよびＣｒのうちの少なくとも１種の金属を、合計で、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属全体に対して０ａｔ％よりも多く５５ａｔ％未満含有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項4】
さらに、金属Ｃｏ、金属Ｃｒおよび金属Ｐｔのうちの２種以上を含有してなり、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属全体に対して、金属Ｒｕを２０ａｔ％以上１００ａｔ％未満含有し、金属Ｃｏを０ａｔ％以上５５ａｔ％未満含有し、金属Ｃｒを０ａｔ％以上５５ａｔ％未満含有し、金属Ｐｔを０ａｔ％以上３１ａｔ％以下含有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項5】
前記酸化物は、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙ、Ｚｒ、Ｈｆの酸化物のうちの１種以上の酸化物であることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項6】
Ｒｕ下地層と磁気記録層との間のバッファ層の作製に用いることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スパッタリングターゲットに関し、詳細には、基板と磁気記録層との間のバッファ層の作製に好適に用いることができるスパッタリングターゲットに関する。なお、本願において、バッファ層とは、磁気記録媒体において、Ｒｕ下地層と磁気記録層との間に設ける層のことである。
【背景技術】
【0002】
ハードディスクの磁気記録媒体として用いるグラニュラ膜において記録密度を増大させるためには、下地層の厚さの低減およびグラニュラ膜の保磁力の増大が必須である。
【0003】
グラニュラ膜の保磁力を大きくするためには、グラニュラ膜における磁性結晶粒の結晶磁気異方性エネルギー定数（Ｋu）を大きくする必要がある。ＣｏＰｔ合金結晶粒を磁性結晶粒として用いたグラニュラ膜における粒界材料として、現在までに、種々の酸化物が検討されてきており、その結果、４５０℃という低融点のＢ2Ｏ3を粒界材料として用いることが、グラニュラ膜の高保磁力化に有効であることが判明している(非特許文献１)。
【0004】
しかしながら、ＣｏＰｔ－Ｂ2Ｏ3をＲｕ下地層の上に積層させてグラニュラ膜を形成した場合、形成したグラニュラ膜中において隣接するＣｏＰｔ磁性結晶粒同士のＢ2Ｏ3による分離がＣｏＰｔ磁性結晶粒の形成の初期段階において不十分になっており、隣接するＣｏＰｔ磁性結晶粒同士が磁気的に結合し、保磁力が低下してしまうことが判明している（非特許文献２）。
【0005】
これに対して、本発明者は、Ｒｕ下地層と磁気記録層との間にバッファ層を設けることを非特許文献３で提案しているが、磁気記録媒体のバッファ層として適する組成等は明らかになっていない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【文献】K. K. Tham et al., Japanese Journal of Applied Physics, 55, 07MC06 (2016)
【文献】R. Kushibiki et al., IEEE Transactions on Magnetics, VOL.53, No.11, 3200604, November 2017
【文献】K. K. Tham et al., IEEE Transactions on Magnetics, VOL.54, No.2, 3200404, February 2018
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、磁気記録層グラニュラ膜をＲｕ下地層の上方に積層させる場合において、磁気記録層グラニュラ膜中の磁性結晶粒同士を良好に分離させることを可能にするバッファ層の形成に用いることができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、以下のスパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。
【0009】
即ち、本発明に係るスパッタリングターゲットは、金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、含有する前記金属は、その全体を単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下であり、また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれており、また、前記酸化物を前記スパッタリングターゲットの全体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下含有し、含有する前記酸化物の融点は１７００℃以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。
【0010】
ここで、「その全体を単一の金属にしたとき」の金属は、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属が１種類のときは、その１種類の金属のことであり、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属が２種類以上のときは、その２種類以上の金属からなる合金のことである。以下、本願における他の箇所の同様の記載においても同様に解釈するものとする。
【0011】
また、格子定数ａとは、Ｘ線回折法によって測定した、ｈｃｐ構造における最近接原子間距離のことであり、本願における他の箇所の同様の記載においても同様に解釈するものとする。
【0012】
また、「含有する前記酸化物の融点」は、含有する前記酸化物が複数種である場合は、含有する前記酸化物の種類ごとの融点について当該酸化物の含有割合（含有する前記酸化物の全体に対する体積比）の加重平均で計算する。以下、本願における他の箇所の同様の記載においても同様に解釈するものとする。
【0013】
さらに、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちの少なくとも１種の金属を、合計で、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属全体に対して０ａｔ％よりも多く３１ａｔ％以下含有してもよい。
【0014】
また、ＣｏおよびＣｒのうちの少なくとも１種の金属を、合計で、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属全体に対して０ａｔ％よりも多く５５ａｔ％未満含有してもよい。
【0015】
また、金属Ｃｏ、金属Ｃｒおよび金属Ｐｔのうちの２種以上を含有してもよく、その場合、当該スパッタリングターゲットに含まれる金属全体に対して、金属Ｒｕを２０ａｔ％以上１００ａｔ％未満含有し、金属Ｃｏを０ａｔ％以上５５ａｔ％未満含有し、金属Ｃｒを０ａｔ％以上５５ａｔ％未満含有し、金属Ｐｔを０ａｔ％以上３１ａｔ％以下含有させてもよい。
【0016】
前記スパッタリングターゲットの硬さは、ビッカース硬さＨＶ１０で９２０以上であることが好ましい。
【0017】
前記酸化物は、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙ、Ｚｒ、Ｈｆの酸化物のうちの１種以上の酸化物としてもよい。
【0018】
前記スパッタリングターゲットは、Ｒｕ下地層と磁気記録層との間のバッファ層の作製に好適に用いることができる。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、磁気記録層グラニュラ膜をＲｕ下地層の上方に積層させる場合において、磁気記録層グラニュラ膜中の磁性結晶粒同士を良好に分離させることを可能にするバッファ層の形成に用いることができるスパッタリングターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】（Ａ）は、実施例１の磁気記録媒体１０の垂直断面のＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）写真で、（Ｂ）は、ＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）によるエネルギー分散型Ｘ線分析のＣｒについての分析結果を示す図で、（Ｃ）は、ＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）によるエネルギー分散型Ｘ線分析のＲｕについての分析結果を示す図である。
【図2】（Ａ）は実施例１の磁気記録媒体の磁気記録層グラニュラ膜１６の水平断面のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）写真で、（Ｂ）は比較例１の磁気記録媒体の磁気記録層グラニュラ膜５６の水平断面のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）写真である。
【図3】（Ａ）は、Ｒｕ下地層１２の上にバッファ層１４を形成し、その形成したバッファ層１４の上に磁気記録層グラニュラ膜１６を形成してなる磁気記録媒体１０の垂直断面模式図であり、（Ｂ）は、バッファ層１４を設けずにＲｕ下地層５２の上に磁気記録層グラニュラ膜５６を直接形成してなる磁気記録媒体５０の垂直断面模式図である。
【図4】バッファ層の酸化物の融点を横軸にとり、保磁力Ｈcを縦軸にとったグラフである。
【図5】バッファ層の酸化物の融点を横軸にとり、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを縦軸にとったグラフである。
【図6】バッファ層の酸化物の含有量を横軸にとり、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを縦軸にとったグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0021】
本発明の実施形態に係るスパッタリングターゲットは、金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、含有する前記金属は、その全体を単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下であり、また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれており、また、前記酸化物を前記スパッタリングターゲットの全体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下含有し、含有する前記酸化物の融点は１７００℃以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットであり、磁気記録媒体における、Ｒｕ下地層と磁気記録層グラニュラ膜との間のバッファ層の作製に好適に用いることができる。
【0022】
本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層の上に作製したバッファ層の上に磁気記録層となるグラニュラ膜を形成すると、その形成したグラニュラ膜中の磁性結晶粒同士は酸化物相によって良好に分離され、得られる磁気記録層の保磁力を向上させることができる。
【0023】
なお、本願では、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを単にスパッタリングターゲットまたはターゲットと記載することがある。また、本願では、金属Ｒｕを単にＲｕと記載し、金属Ｃｏを単にＣｏと記載し、金属Ｐｔを単にＰｔと記載し、金属Ｃｒを単にＣｒと記載することがある。また、他の金属元素についても同様に記載することがある。
【0024】
（１）ターゲットの構成成分
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、前述したように、金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットである。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、前述したように、金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットである。
【0025】
本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する金属は、その全体を単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下である。また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれている。本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する金属については、後記の「（３）作用効果の発現メカニズムを踏まえた金属成分の決定」で詳細に説明する。
【0026】
本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する酸化物は、融点が１７００℃以上の酸化物であり、その含有量は、スパッタリングターゲット全体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下である。本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する酸化物の融点、含有量および具体例については、後記の「（４）酸化物の融点」、「（５）酸化物の含有量」および「（６）酸化物の具体例」で詳細に説明する。
【0027】
前記したような金属および酸化物からなる本実施形態に係るスパッタリングターゲットでＲｕ下地層の上にバッファ層を形成し、そのバッファ層の上に磁気記録層となるグラニュラ膜を形成すると、保磁力Ｈcの大きい磁気記録層となる。このことは、後述する実施例で実証している。
【0028】
（２）作用効果およびその発現メカニズム
本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いて作製したバッファ層の作用効果およびその作用効果の発現メカニズムについて説明するが、ここでは、後述する実施例１の磁気記録媒体１０および比較例１の磁気記録媒体５０を取り上げて説明する。実施例１においてバッファ層作製に用いたスパッタリングターゲットは、その組成がＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2であり、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含まれる。実施例１の前記組成のスパッタリングターゲットが本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含まれる理由は、前記組成の金属成分であるＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25を単一の金属にすると、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．６３Å（即ち、２．５９Å以上２．７２Å以下の範囲内）であり、また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれており、また、酸化物であるＴｉＯ2を３０ｖｏｌ％含有し、その含有量は２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であり、かつ、ＴｉＯ2の融点は１８５７℃であり、１７００℃以上であるからである。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いて作製したバッファ層の作用効果およびその作用効果の発現メカニズムについて説明するが、ここでは、後述する実施例１の磁気記録媒体１０および比較例１の磁気記録媒体５０を取り上げて説明する。実施例１においてバッファ層作製に用いたスパッタリングターゲットは、その組成がＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2であり、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含まれる。実施例１の前記組成のスパッタリングターゲットが本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含まれる理由は、前記組成の金属成分であるＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25を単一の金属にすると、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．６３Å（即ち、２．５９Å以上２．７２Å以下の範囲内）であり、また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれており、また、酸化物であるＴｉＯ2を３０ｖｏｌ％含有し、その含有量は２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であり、かつ、ＴｉＯ2の融点は１８５７℃であり、１７００℃以上であるからである。
【0029】
図１（Ａ）～（Ｃ）は、実施例１の磁気記録媒体１０についてのＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）による測定結果を示す図である。図１（Ａ）は、実施例１の磁気記録媒体１０の垂直断面のＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）写真である。図１（Ｂ）、（Ｃ）は、ＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）によるエネルギー分散型Ｘ線分析の分析結果を示す図であり、図１（Ｂ）はＣｒについての分析結果であり、図１（Ｃ）はＲｕについての分析結果である。
【0030】
図２（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いて作製したバッファ層の効果を示すためのＴＥＭ（透過電子顕微鏡）写真（磁気記録層グラニュラ膜の水平断面のＴＥＭ写真）であり、図２（Ａ）は、Ｒｕ下地層の上に本実施形態に係るスパッタリングターゲットの範囲に含まれるスパッタリングターゲット（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2）を用いてバッファ層を形成し、その形成したバッファ層の上に磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3を形成した磁気記録媒体の磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3の部位の水平断面のＴＥＭ写真（実施例１の磁気記録媒体のＴＥＭ写真で、Ｒｕ下地層からの距離が４０Åの部位の水平断面のＴＥＭ写真。）であり、図２（Ｂ）は、Ｒｕ下地層と磁気記録層グラニュラ膜との間にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3を直接設けた磁気記録媒体の磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3の部位の水平断面のＴＥＭ写真（比較例１の磁気記録媒体のＴＥＭ写真で、Ｒｕ下地層からの距離が４０Åの部位の水平断面のＴＥＭ写真。）である。
【0031】
実施例１の磁気記録媒体１０において、Ｒｕ下地層１２の上に形成したバッファ層１４の組成はＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2であり、バッファ層１４の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜１６の組成はＣｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3である。
【0032】
図１（Ａ）および図２（Ａ）に示すように、バッファ層１４の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂによってきれいに分離された状態になっている。
【0033】
一方、Ｒｕ下地層と磁気記録層グラニュラ膜との間にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3を直接設けた磁気記録媒体の磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3においては、図２（Ｂ）に示すように、磁気記録層グラニュラ膜５６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）５６Ａ同士の境界が不明瞭になっており、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相５６Ｂによる分離が不十分な状態になっている。
【0034】
したがって、本実施形態に含まれるスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層１２の上に形成したバッファ層１４は、その上に形成する磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒１６Ａ同士を良好に分離して、磁性結晶粒１６Ａ同士の磁気的な相互作用を小さくし、磁気記録層グラニュラ膜１６の保磁力Ｈcを大きくする働きをする。
【0035】
図３（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いて作製したバッファ層の作用効果の発現メカニズムを説明するための垂直断面模式図であり、図３（Ａ）は、Ｒｕ下地層１２の上にバッファ層１４（本実施形態に係るスパッタリングターゲットで形成したバッファ層）を形成し、その形成したバッファ層１４の上に磁気記録層グラニュラ膜１６を形成してなる磁気記録媒体１０の垂直断面模式図であり、図３（Ｂ）は、バッファ層１４を設けずにＲｕ下地層５２の上に磁気記録層グラニュラ膜５６を直接形成してなる磁気記録媒体５０の垂直断面模式図である。
【0036】
以下、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いて作製したバッファ層１４の作用効果の発現メカニズムを説明するが、このメカニズムは現時点において得られている実験データに基づいて推定されるメカニズムである。なお、説明を具体的に行う都合上、図３（Ａ）、（Ｂ）の各部位の組成は、それぞれ、実施例１および比較例１の磁気記録媒体の対応する各部位の組成と同じとする。即ち、図３（Ａ）におけるバッファ層１４の組成はＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol％ＴｉＯ2であるものとし、図３（Ａ）、（Ｂ）における磁気記録層グラニュラ膜１６、５６の組成はＣｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3であるものとして説明を行う。また、図３（Ａ）は、図１（Ａ）のＳＴＥＭ写真を模式的に示した図でもあるので、対応する部位については、図１（Ａ）と同じ符号を付している。
【0037】
まず、Ｒｕ下地層の上にバッファ層を設けず、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜を直接形成してなる磁気記録媒体５０について、図３（Ｂ）を用いて説明する。Ｒｕ下地層５２の上にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層５２の上に磁気記録層グラニュラ膜５６を直接形成すると、図３（Ｂ）に示すように、磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）５６Ａの形成初期段階において、Ｒｕ下地層５２の表面に沿って磁性結晶粒５６Ａが成長するため、磁性結晶粒５６Ａの下部（Ｒｕ下地層５２の近傍領域）において、隣接する磁性結晶粒５６Ａ同士に連結する箇所が生じる。このため、Ｒｕ下地層５２の上に磁気記録層グラニュラ膜５６を直接形成する場合には、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相５６Ｂによる磁性結晶粒５６Ａ同士の分離が不十分になり、磁性結晶粒５６Ａ同士の磁気的な相互作用が大きくなり、磁気記録媒体５０の磁気記録層グラニュラ膜５６の保磁力Ｈcは小さくなる。
【0038】
これに対して、図３（Ａ）に示すように、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層１２の上にバッファ層１４をまず形成し、そのバッファ層１４の上に磁気記録層グラニュラ膜１６を形成する場合には、磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは、バッファ層１４の金属成分である合金（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25）相１４Ａの上に成長し、磁気記録層グラニュラ膜１６の酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂは、バッファ層１４の酸化物成分である酸化物（ＴｉＯ2）相１４Ｂの上に析出するため、磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂにより良好に分離する。このため、磁性結晶粒１６Ａ同士の磁気的な相互作用が小さくなり、磁気記録媒体１０の磁気記録層グラニュラ膜１６の保磁力Ｈcは大きくなる。
【0039】
前記のメカニズムをより詳しく説明すべく、バッファ層１４の相構成について説明した上で、前記のメカニズムについてさらに説明する。
【0040】
バッファ層１４は、合金（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25）相１４Ａと酸化物（ＴｉＯ2）相１４Ｂとからなるが、バッファ層１４の金属成分であるＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25は、図３（Ａ）に示すように、合金（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25）相１４ＡはＲｕ下地層１２の凸部に析出し、バッファ層１４の酸化物成分であるＴｉＯ2は、図３（Ａ）に示すように、酸化物（ＴｉＯ2）相１４ＢはＲｕ下地層１２の凹部に析出する。このため、Ｒｕ下地層１２の凸部同士の間（Ｒｕ下地層１２の凹部）には酸化物（ＴｉＯ2）相１４Ｂが配置されることになる。
【0041】
バッファ層１４がこのように形成される理由は、Ｒｕ下地層１２に飛来するスパッタ粒子から見ると、Ｒｕ下地層１２の凹部は影になるため、Ｒｕ下地層１２の凸部に金属が凝固し易く、そのため酸化物はＲｕ下地層１２の凹部に析出するからである。
【0042】
バッファ層１４をＲｕ下地層１２の上に形成した後、バッファ層１４の上に磁気記録層グラニュラ膜１６を形成させると、バッファ層１４の合金（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25）相１４Ａと表面エネルギーの差が小さい磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは合金（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25）相１４Ａの上に形成され、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂはバッファ層１４の酸化物（ＴｉＯ2）相１４Ｂの上に形成される。このため、図３（Ａ）に示すように、磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂによって良好に分離され、磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａ同士の磁気的な相互作用は小さくなる。
【0043】
したがって、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層１２の上にバッファ層１４をまず形成し、そのバッファ層１４の上に磁気記録層グラニュラ膜１６を形成する場合には、磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂにより良好に分離する。このため、磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａ同士の磁気的な相互作用が小さくなり、磁気記録媒体１０の磁気記録層グラニュラ膜１６の保磁力Ｈcが大きくなる。
【0044】
（３）作用効果の発現メカニズムを踏まえた金属成分の決定
本実施形態に係るスパッタリングターゲットにおいては、（２）に記載した作用効果の発現メカニズムに鑑み、含有する金属成分は、単一の金属にしたときに、Ｒｕ下地層および磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒と同じ結晶構造で中間的な格子定数を有する成分となるようにしている。具体的には、単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下であると規定している。また、含有する金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれるようにしている。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットにおいては、（２）に記載した作用効果の発現メカニズムに鑑み、含有する金属成分は、単一の金属にしたときに、Ｒｕ下地層および磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒と同じ結晶構造で中間的な格子定数を有する成分となるようにしている。具体的には、単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下であると規定している。また、含有する金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれるようにしている。
【0045】
本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する前記のような金属は、具体的には例えば、Ｒｕの含有量が６９ａｔ％以上１００ａｔ％未満であるＲｕＸ合金（金属元素Ｘは、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちの少なくとも１種で、合計で、０ａｔ％よりも多く３１ａｔ％以下含有。）や、Ｒｕの含有量が４５ａｔ％より多く１００ａｔ％未満であるＲｕＹ合金（金属元素Ｙは、ＣｏおよびＣｒのうちの少なくとも１種で、合計で、０ａｔ％よりも多く５５ａｔ％未満含有。）や、金属Ｒｕの含有量が２０ａｔ％以上１００ａｔ％未満であるＲｕＺ合金（金属元素Ｚは、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのうちの２種以上であり、Ｃｏの含有量は０ａｔ％以上５５ａｔ％未満、Ｃｒの含有量は０ａｔ％以上５５ａｔ％未満、Ｐｔの含有量は０ａｔ％以上３１ａｔ％以下含有。）がある。
【0046】
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、前段落で具体例として挙げた合金を、合金の状態で含まなくてもよく、前段落に記載の組成比を満たす、各金属元素の単体の微細な相の集合体として含むようにしてもよい。
【0047】
また、本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する金属成分には、Ｒｕ下地層との格子定数の整合性の観点から、金属Ｒｕを４ａｔ％以上含有させている。また、磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒との格子定数の整合性の観点から、磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒の金属成分が含まれていることが好ましい。より具体的に言えば、磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒の金属成分が、例えば、ＣｏおよびＰｔの場合には、本実施形態に係るスパッタリングターゲットが含有する金属成分には、ＣｏおよびＰｔのうちの少なくとも一方が含まれていることが好ましい。
【0048】
（４）酸化物の融点
バッファ層に含有させる酸化物の融点が磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcに与える影響についての評価を行い、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含有させる酸化物の融点を決定した。具体的には、Ｒｕ下地層の上に作製したバッファ層の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを測定することにより評価を行った。評価を行ったバッファ層の組成はＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%酸化物とし、バッファ層作製に用いたスパッタリングターゲットについては、金属成分をＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25とし、酸化物をスパッタリングターゲット全体に対して３０ｖｏｌ％含有させた。また、Ｒｕ下地層の上にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜を直接形成した場合のＨcについても評価を行った。バッファ層の厚さは２ｎｍとし、保磁力Ｈc測定用のサンプルの層構成は、ガラス基板に近い方から順に表示して、Ｔａ(5nm, 0.6Pa)/Ｎｉ90Ｗ10(6nm, 0.6Pa)/Ｒｕ(10nm, 0.6Pa)/Ｒｕ(10nm, 8Pa)/ バッファ層(2nm, 0.6Pa)/Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol%Ｂ2Ｏ3 (16nm, 4Pa)/Ｃ (7nm, 0.6Pa)とした（以下、この層構成を層構成Ａと記載することがある。）。括弧内の左側の数字は膜厚を示し、右側の数字はスパッタリングを行ったときのＡｒ雰囲気の圧力を示す。磁気記録層グラニュラ膜はＣｏ80Ｐｔ20－30vol%Ｂ2Ｏ3である。
バッファ層に含有させる酸化物の融点が磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcに与える影響についての評価を行い、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含有させる酸化物の融点を決定した。具体的には、Ｒｕ下地層の上に作製したバッファ層の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを測定することにより評価を行った。評価を行ったバッファ層の組成はＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%酸化物とし、バッファ層作製に用いたスパッタリングターゲットについては、金属成分をＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25とし、酸化物をスパッタリングターゲット全体に対して３０ｖｏｌ％含有させた。また、Ｒｕ下地層の上にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜を直接形成した場合のＨcについても評価を行った。バッファ層の厚さは２ｎｍとし、保磁力Ｈc測定用のサンプルの層構成は、ガラス基板に近い方から順に表示して、Ｔａ(5nm, 0.6Pa)/Ｎｉ90Ｗ10(6nm, 0.6Pa)/Ｒｕ(10nm, 0.6Pa)/Ｒｕ(10nm, 8Pa)/ バッファ層(2nm, 0.6Pa)/Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol%Ｂ2Ｏ3 (16nm, 4Pa)/Ｃ (7nm, 0.6Pa)とした（以下、この層構成を層構成Ａと記載することがある。）。括弧内の左側の数字は膜厚を示し、右側の数字はスパッタリングを行ったときのＡｒ雰囲気の圧力を示す。磁気記録層グラニュラ膜はＣｏ80Ｐｔ20－30vol%Ｂ2Ｏ3である。
【0049】
次の表１に保磁力Ｈcの測定結果を示す。また、バッファ層の酸化物の融点を横軸にとり、保磁力Ｈｃを縦軸にとったグラフを図４に示す。なお、表１の酸化物なしのデータは、Ｒｕ下地層の上にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜を直接形成した場合のデータである。
【0050】
【表1】
【0051】
表１および図４からわかるように、バッファ層に含有させる酸化物の融点が１７００℃ぐらいまでは、融点が高いほど保磁力Ｈｃが大きくなる傾向があるが、バッファ層に含有させる酸化物の融点が１７００℃を超えると、酸化物の融点をそれ以上大きくしても、保磁力Ｈｃはほぼ一定になる。
【0052】
そこで、本実施形態に係るスパッタリングターゲットにおいては、含有させる酸化物の融点を１７００℃以上とした。
【0053】
また、バッファ層の厚さを変えて磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈｃを試料振動型磁力計（ＶＳＭ）で測定し、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを、含有させる酸化物ごとに求めた。その結果を次の表２に示す。また、バッファ層の酸化物の融点を横軸にとり、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを縦軸にとったグラフを図５に示す。なお、表２および図５のデータを測定する際の保磁力Ｈc測定用のサンプルの層構成は、バッファ層の厚さ以外は、前記した層構成Ａと同様である。
【0054】
【表2】
【0055】
表２および図５からわかるように、バッファ層に含有させる酸化物の融点が高いほど、保磁力Ｈｃがピーク値をとるときのバッファ層の厚さが小さくなる傾向がある。
【0056】
保磁力Ｈｃがピーク値をとるときのバッファ層の厚さが小さいほど、書き込みヘッドからの磁束を再びヘッドに還流させる磁路を短くすることができ、書き込み磁界を強くすることができるので、バッファ層の厚さは小さいほどよいところ、含有させる酸化物の融点が１８６０℃以上になると、保磁力Ｈｃがピーク値をとるときのバッファ層の厚さが２ｎｍを概ね下回ってくると考えられるので、含有させる酸化物の融点は１８６０℃以上であることが好ましい。
【0057】
（５）酸化物の含有量
バッファ層の上に形成する磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを大きくする観点から、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含有させる酸化物の量を、スパッタリングターゲット全体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下にしているが、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcをより大きくする観点から、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含有させる酸化物の量を、スパッタリングターゲット全体に対して２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下にすることがより好ましい。以上のことは、後述する実施例で実証している。
バッファ層の上に形成する磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを大きくする観点から、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含有させる酸化物の量を、スパッタリングターゲット全体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下にしているが、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcをより大きくする観点から、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに含有させる酸化物の量を、スパッタリングターゲット全体に対して２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下にすることがより好ましい。以上のことは、後述する実施例で実証している。
【0058】
また、バッファ層の組成をＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2とし、バッファ層に含有させる酸化物（ＴｉＯ2）の所定の含有量（２５ｖｏｌ％、３０ｖｏｌ％、３１ｖｏｌ％、３５ｖｏｌ％、４０ｖｏｌ％、４５ｖｏｌ％、５０ｖｏｌ％）ごとにバッファ層の厚さを変えて磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを試料振動型磁力計（ＶＳＭ）で測定し、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを、前記所定の含有量ごとに求めた。その結果を次の表３に示す。また、バッファ層の酸化物の含有量を横軸にとり、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを縦軸にとったグラフを図６に示す。なお、保磁力Ｈc測定用のサンプルの層構成は、バッファ層の厚さ以外は、（４）で前記した層構成Ａと同様である。
【0059】
【表3】
【0060】
表３および図６からわかるように、バッファ層に含有させる酸化物（ＴｉＯ2）の量が多いほど、保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さが小さくなる傾向がある。
【0061】
磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さが小さいほど、書き込みヘッドからの磁束を再びヘッドに還流させる磁路を短くすることができ、書き込み磁界を強くすることができるので、バッファ層の厚さは小さいほどよいところ、含有させる酸化物（ＴｉＯ2）の量が３１ｖｏｌ％以上になると、保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さが２ｎｍを概ね下回ってくると考えられるので、含有させる酸化物の量は３１ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。
【0062】
（６）酸化物の具体例
本実施形態に係るスパッタリングターゲットに用いることができる酸化物の融点については（４）で説明し、その酸化物の含有量については（５）で説明したが、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに用いることができる酸化物は、具体的には、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙ、Ｚｒ、Ｈｆ等の酸化物であり、例えば、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＣｏＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、およびＨｆＯ2等を挙げることができる。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットに用いることができる酸化物の融点については（４）で説明し、その酸化物の含有量については（５）で説明したが、本実施形態に係るスパッタリングターゲットに用いることができる酸化物は、具体的には、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙ、Ｚｒ、Ｈｆ等の酸化物であり、例えば、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＣｏＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、およびＨｆＯ2等を挙げることができる。
【0063】
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは複数種の酸化物を含有させることができ、含有する酸化物が複数種のときの酸化物の融点は、含有する酸化物の種類ごとの融点について当該酸化物の含有割合（含有する酸化物の全体に対する体積比）の加重平均で計算する。
【0064】
（７）スパッタリングターゲットのミクロ構造
本実施形態に係るスパッタリングターゲットのミクロ構造は特に限定されるわけではないが、金属相と酸化物相とが微細に分散し合ってお互いに分散し合ったミクロ構造とすることが好ましい。このようなミクロ構造とすることにより、スパッタリングを実施している際に、ノジュールやパーティクル等の不具合が発生しにくくなる。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットのミクロ構造は特に限定されるわけではないが、金属相と酸化物相とが微細に分散し合ってお互いに分散し合ったミクロ構造とすることが好ましい。このようなミクロ構造とすることにより、スパッタリングを実施している際に、ノジュールやパーティクル等の不具合が発生しにくくなる。
【0065】
（８）スパッタリングターゲットの硬さ
金属相と酸化物相との界面で亀裂が発生することを抑制して、スパッタリングターゲットの割れやノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生を少なくする観点から、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの硬さは硬い方がよく、具体的には、ビッカース硬さＨＶ１０で９２０以上であることが好ましい。
金属相と酸化物相との界面で亀裂が発生することを抑制して、スパッタリングターゲットの割れやノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生を少なくする観点から、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの硬さは硬い方がよく、具体的には、ビッカース硬さＨＶ１０で９２０以上であることが好ましい。
【0066】
なお、ビッカース硬さＨＶ１０とは、試験力１０ｋｇで測定して得たビッカース硬さのことである。
【0067】
（９）スパッタリングターゲットの製造方法
本実施形態に係るスパッタリングターゲットの範囲に含まれるＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2という組成のスパッタリングターゲットを具体例として取り上げて製造方法の例について以下説明する。ただし、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法が以下の具体例に限定されるわけではない。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットの範囲に含まれるＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2という組成のスパッタリングターゲットを具体例として取り上げて製造方法の例について以下説明する。ただし、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法が以下の具体例に限定されるわけではない。
【0068】
（９－１）Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25合金アトマイズ粉末の作製
金属Ｒｕ、金属Ｃｏおよび金属Ｃｒの合計に対する金属Ｒｕの原子数比が５０ａｔ％、金属Ｃｏの原子数比が２５ａｔ％、金属Ｃｒの原子数比が２５ａｔ％となるように、金属Ｒｕ、金属Ｃｏ、金属Ｃｒを秤量してＲｕＣｏＣｒ合金溶湯を作製する。そして、ガスアトマイズを行い、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末を作製する。作製したＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末は分級して、粒径が所定の粒径以下（例えば１０６μｍ以下）となるようにする。
金属Ｒｕ、金属Ｃｏおよび金属Ｃｒの合計に対する金属Ｒｕの原子数比が５０ａｔ％、金属Ｃｏの原子数比が２５ａｔ％、金属Ｃｒの原子数比が２５ａｔ％となるように、金属Ｒｕ、金属Ｃｏ、金属Ｃｒを秤量してＲｕＣｏＣｒ合金溶湯を作製する。そして、ガスアトマイズを行い、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末を作製する。作製したＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末は分級して、粒径が所定の粒径以下（例えば１０６μｍ以下）となるようにする。
【0069】
（９－２）加圧焼結用混合粉末の作製
（９－１）で作製したＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末に３０ｖｏｌ％となるようにＴｉＯ2粉末を加えてボールミルで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製する。ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末およびＴｉＯ2粉末をボールミルで混合分散することにより、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末およびＴｉＯ2粉末が微細に分散し合った加圧焼結用混合粉末を作製することができる。
（９－１）で作製したＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末に３０ｖｏｌ％となるようにＴｉＯ2粉末を加えてボールミルで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製する。ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末およびＴｉＯ2粉末をボールミルで混合分散することにより、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末およびＴｉＯ2粉末が微細に分散し合った加圧焼結用混合粉末を作製することができる。
【0070】
得られるスパッタリングターゲットを用いて作製されるバッファ層の上に形成させる磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを大きくする観点から、ＴｉＯ2粉末の加圧焼結用混合粉末の全体に対する体積分率は、２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であることがより好ましい。
【0071】
また、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcがピーク値をとるときのバッファ層の厚さを小さくする観点から、ＴｉＯ2粉末の加圧焼結用混合粉末の全体に対する体積分率は、３１ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下にすることが好ましい。
【0072】
（９－３）成形
（９－２）で作製した加圧焼結用混合粉末を、例えば真空ホットプレス法により加圧焼結して成形し、スパッタリングターゲットを作製する。（９－２）で作製した加圧焼結用混合粉末はボールミルで混合分散されており、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末とＴｉＯ2粉末とが微細に分散し合っているので、本製造方法により得られたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行っているとき、ノジュールやパーティクルの発生等の不具合は発生しにくい。
（９－２）で作製した加圧焼結用混合粉末を、例えば真空ホットプレス法により加圧焼結して成形し、スパッタリングターゲットを作製する。（９－２）で作製した加圧焼結用混合粉末はボールミルで混合分散されており、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末とＴｉＯ2粉末とが微細に分散し合っているので、本製造方法により得られたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行っているとき、ノジュールやパーティクルの発生等の不具合は発生しにくい。
【0073】
なお、加圧焼結用混合粉末を加圧焼結する方法は特には限定されず、真空ホットプレス法以外の方法でもよく、例えばＨＩＰ法等を用いてもよい。
【0074】
また、以上説明した製造方法の例では、アトマイズ法を用いてＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末を作製し、作製したＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末にＴｉＯ2粉末を加えてボールミルで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製しているが、ＲｕＣｏＣｒ合金アトマイズ粉末を用いることに替えて、Ｒｕ単体粉末、Ｃｏ単体粉末およびＣｒ単体粉末を用いてもよい。この場合には、Ｒｕ単体粉末、Ｃｏ単体粉末、Ｃｒ単体粉末およびＴｉＯ2粉末をボールミルで混合分散して加圧焼結用混合粉末を作製する。
【0075】
（１０）原料粉末の好ましい粒径
スパッタリング時には、スパッタリングターゲットのスパッタ面（以下、表面と記す。）とは反対側の面（以下、裏面と記す。）を冷却する。このため、スパッタリングターゲットの表面と裏面には温度差が生じ、スパッタリングターゲットは表面を凸として反り返る。この現象により、スパッタリングターゲットには応力負荷が加わり、破断に至る場合があり、問題となっている。
スパッタリング時には、スパッタリングターゲットのスパッタ面（以下、表面と記す。）とは反対側の面（以下、裏面と記す。）を冷却する。このため、スパッタリングターゲットの表面と裏面には温度差が生じ、スパッタリングターゲットは表面を凸として反り返る。この現象により、スパッタリングターゲットには応力負荷が加わり、破断に至る場合があり、問題となっている。
【0076】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットであり、破断の発端となる亀裂の発生は金属相と酸化物相との界面で発生する。
【0077】
亀裂の発生および進展を防ぐためには、原料粉末である金属粉末および酸化物粉末は、できるだけ等方に、かつ、微細に分散させることが望ましい。このため、本発明に係るスパッタリングターゲットの作製に用いる原料粉末（金属粉末および酸化物粉末）の平均粒子径は小さいほど好ましい。
【0078】
展延性の高い金属（例えば、Ｒｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末）を原料粉末として用いる場合、混合による微細化が困難であるため、平均粒子径は５μｍ未満であることが好ましく、３μｍ未満であることがより好ましい。一方、できるだけ等方に、かつ、微細に分散させる観点から、平均粒子径は小さい方が望ましく、平均粒子径の下限は特にはない。しかしながら、取り扱いやすさや価格等を考慮して下限を設けてもよく、展延性の高い金属（例えば、Ｒｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末）を原料粉末として用いる場合、例えば、平均粒子径の下限を０．５μｍとしてもよい。
【0079】
展延性の低い金属（例えば、Ｃｒ粉末）を原料粉末として用いる場合、混合による微細化がある程度期待できるため、平均粒子径があまり小さくなくても原料粉末として使用可能である。しかしながら、展延性の低い金属（例えば、Ｃｒ粉末）を原料粉末として用いる場合であっても平均粒子径は小さい方が望ましいので、展延性の低い金属（例えば、Ｃｒ粉末）を原料粉末として用いる場合の平均粒子径は５０μｍ未満であることが好ましく、３０μｍ未満であることがより好ましい。一方、できるだけ等方に、かつ、微細に分散させる観点から、平均粒子径は小さい方が望ましく、平均粒子径の下限は特にはない。しかしながら、取り扱いやすさや価格等を考慮して下限を設けてもよく、展延性の低い金属（例えば、Ｃｒ粉末）を原料粉末として用いる場合、例えば、平均粒子径の下限を０．５μｍとしてもよい。
【0080】
酸化物粉末は、酸化物自体の硬さが硬いため、混合による微細化が困難である。このため、原料粉末として用いる酸化物粉末の平均粒子径は１μｍ未満であることが好ましく、０．５μｍ未満であることがより好ましい。一方、できるだけ等方に、かつ、微細に分散させる観点から、平均粒子径は小さい方が望ましく、平均粒子径の下限は特にはない。しかしながら、取り扱いやすさや価格等を考慮して下限を設けてもよく、原料粉末として用いる酸化物粉末の平均粒子径の下限を、例えば０．０５μｍとしてもよい。
【0081】
以上説明した原料粉末の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（例えば、株式会社日立ハイテクノロジーズ製X Vision 200 DB）を用いた画像解析により求めてもよく、あるいは、粒度分測定装置（例えば、マイクロトラック・ベル株式会社製マイクロトラックMT3000II）を用いて粒度分布を測定することにより求めてもよい。
【0082】
（１１）適用可能な磁気記録層グラニュラ膜
本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層の上に設けたバッファ層の上に形成させる磁気記録層グラニュラ膜の組成は特には限定されない。本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層の上にバッファ層を設け、そのバッファ層の上に磁気記録層グラニュラ膜を積層して、磁気特性測定用サンプルを作製し、保磁力Ｈcを測定して、保磁力Ｈcが向上したことを確認した磁気記録層グラニュラ膜の具体例を以下に記載する。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層の上に設けたバッファ層の上に形成させる磁気記録層グラニュラ膜の組成は特には限定されない。本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層の上にバッファ層を設け、そのバッファ層の上に磁気記録層グラニュラ膜を積層して、磁気特性測定用サンプルを作製し、保磁力Ｈcを測定して、保磁力Ｈcが向上したことを確認した磁気記録層グラニュラ膜の具体例を以下に記載する。
【0083】
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｏＯ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｏＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｎＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｎＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－４０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｙ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｍｎ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｎｂ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＺｒＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｔａ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ａｌ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）-１０vol%ＳｉＯ2-１０vol%ＴｉＯ2-１０vol%Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％Ａｌ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＺｒＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｎｂ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｇＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｆｅ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＭｇＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｔａ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＭｏＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-２０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-２０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-２０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-２０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-２０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-２０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-２０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-２０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＣｏＯ-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＣｏＯ-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＣｏＯ-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＺｒＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｙ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｒｕ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｂ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｏＯ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｏＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｎＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｎＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－４０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｙ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｍｎ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｎｂ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＺｒＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｔａ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ａｌ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｒｕ－２０Ｐｔ）-１０vol%ＳｉＯ2-１０vol%ＴｉＯ2-１０vol%Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｂ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％Ａｌ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＺｒＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｎｂ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％ＭｇＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｆｅ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＭｇＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｔａ2Ｏ5
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＭｏＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＷＯ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-２０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-２０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-２０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-２０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-２０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-２０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-２０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-２０ｖｏｌ％ＣｏＯ
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＣｏＯ-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ2－１５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＣｏＯ-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2-１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2-１０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＣｏＯ-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｏ3Ｏ4-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１０ｖｏｌ％ＴｉＯ2－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％ＺｒＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＳｉＯ2-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）-５ｖｏｌ％ＴｉＯ2-５ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3-２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－５ｖｏｌ％ＴｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１０ｖｏｌ％ＳｉＯ2
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１０ｖｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ）－１５ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3－１５ｖｏｌ％Ｙ2Ｏ3
（Ｃｏ－５Ｃｒ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｒｕ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
（Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｂ）－３０ｖｏｌ％Ｂ2Ｏ3
【実施例】
【0084】
以下、実施例および比較例について記載する。
（実施例１）
実施例１として作製したターゲット全体の組成は、Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2である。
（実施例１）
実施例１として作製したターゲット全体の組成は、Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2である。
【0085】
組成がＲｕ：５０ａｔ％、Ｃｏ：２５ａｔ％、Ｃｒ：２５ａｔ％となるように秤量したＲｕ粉末（平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満）、Ｃｏ粉末（平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満）、Ｃｒ粉末（平均粒子径が５０μｍより大きく１００μｍ未満）および３０ｖｏｌ％となるように秤量したＴｉＯ2粉末（平均粒子径が１μｍ未満）を、遊星ボールミル装置に入れて混合・解砕して加圧焼結用混合粉末を得た。
【0086】
得られた加圧焼結用混合粉末を用いて、焼結温度：９２０℃、圧力：２４．５ＭＰａ、時間：３０ｍｉｎ、雰囲気：５×１０-2Ｐａ以下の条件でホットプレスを行い、焼結体テストピース（φ３０ｍｍ）を作製した。作製した焼結体テストピースの相対密度は９８．５％であった。なお、計算密度は８．５１ｇ／ｃｍ3である。得られた焼結体テストピースの厚さ方向断面を金属顕微鏡で観察したところ、金属相（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25合金相）と酸化物相（ＴｉＯ2相）とは微細に分散されていた。
【0087】
次に、作製した加圧焼結用混合粉末を用いて、焼結温度：９２０℃、圧力：２４．５ＭＰａ、時間：６０ｍｉｎ、雰囲気：５×１０-2Ｐａ以下の条件でホットプレスを行い、φ１５３．０×１．０ｍｍ＋φ１６１．０×４．０ｍｍのターゲットを１つ作製した。作製したターゲットの相対密度は９８．８％であった。
【0088】
作製したターゲットを用いてＤＣスパッタ装置でスパッタリングを行い、Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2からなるバッファ層をＲｕ下地層上に成膜させ、磁気特性測定用サンプルおよび組織観察用サンプルを作製した。これらのサンプルの層構成は、ガラス基板に近い方から順に表示して、Ｔａ(5nm, 0.6Pa)/Ｎｉ90Ｗ10(6nm, 0.6Pa)/Ｒｕ(10nm, 0.6Pa)/Ｒｕ(10nm, 8Pa)/バッファ層(2nm, 0.6Pa) /磁気記録層グラニュラ膜 (16nm, 4Pa)/Ｃ (7nm, 0.6Pa)である。括弧内の左側の数字は膜厚を示し、右側の数字はスパッタリングを行ったときのＡｒ雰囲気の圧力を示す。本実施例１で作製したターゲットを用いて成膜したバッファ層は厚さ２ｎｍのＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25-30vol%ＴｉＯ2であり、そのバッファ層の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜は厚さ１６ｎｍのＣｏ80Ｐｔ20-30vol%Ｂ2Ｏ3である。なお、磁気記録層グラニュラ膜を成膜する際には基板は昇温させておらず、室温で成膜した。
【0089】
磁気特性測定用サンプルの保磁力Ｈcの測定には、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いた。保磁力Ｈcの測定の測定結果を、他の実施例および比較例の結果と合わせて表４に示す。本実施例１の保磁力Ｈcは９．４ｋＯｅであり、本実施例１においては良好な保磁力Ｈcが得られた。
【0090】
格子定数ａの測定には、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製の薄膜構造評価用Ｘ線回折装置ＡＴＸ－Ｇ／ＴＳ）を用い、ＣｕＫα線（波長０．１５４ｎｍ）を用いた。そして、回折線ピークの角度から格子定数ａを算出した。
【0091】
また、磁気特性測定用サンプルの面内方向のＸ線回折の測定結果から、磁気記録層グラニュラ膜中のＣｏＰｔ合金結晶粒がＣ面配向していることを確認した。
【0092】
組織観察用サンプルの構造の評価には、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）および走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いた。
【0093】
図１（Ａ）～（Ｃ）は、実施例１の磁気記録媒体１０についての走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）による測定結果である。図１（Ａ）は、実施例１の磁気記録媒体１０の垂直断面のＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）写真である。図１（Ｂ）、（Ｃ）は、ＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）によるエネルギー分散型Ｘ線分析の分析結果を示す図であり、図１（Ｂ）はＣｒについての分析結果であり、図１（Ｃ）はＲｕについての分析結果である。
【0094】
Ｒｕ下地層１２の上に本実施例１のバッファ層１４をまず形成し、そのバッファ層１４の上に磁気記録層グラニュラ膜１６を形成すると、図１（Ａ）に示すように、磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂにより良好に分離している。これは、磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは、バッファ層１４の金属成分である合金（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25）相１４Ａの上に成長し、磁気記録層グラニュラ膜１６の酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂは、バッファ層１４の酸化物成分である酸化物（ＴｉＯ2）相１４Ｂの上に析出するためだと考えられる。
【0095】
また、組織観察用サンプルの磁気記録層グラニュラ膜について、柱状のＣｏＰｔ合金結晶粒の高さ方向と略直交する水平断面（Ｒｕ下地層の上面から４０Å上方の高さ位置の水平断面）を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察を行った。その観察結果の平面ＴＥＭ写真を、比較例１の平面ＴＥＭ写真（観察位置は実施例１の平面ＴＥＭ写真と同様の観察位置）と合わせて図２に示す。図２（Ａ）は実施例１の平面ＴＥＭ写真であり、図２（Ｂ）は比較例１の平面ＴＥＭ写真である。
【0096】
図１（Ａ）および図２（Ａ）に示すように、本実施例１においては、バッファ層１４の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜１６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａは酸化物（Ｂ2Ｏ3）相１６Ｂによってきれいに分離された状態になっている。このため、磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）１６Ａ同士の磁気的な相互作用が小さくなり、本実施例１においては、磁気記録層グラニュラ膜１６の保磁力Ｈcについて良好な値が得られたと考えられる。
【0097】
（実施例２～５１、比較例１～９）
ターゲットの組成を実施例１から変更した以外は、実施例１と同様にして磁気特性測定用サンプルおよび組織観察用サンプルを作製し、実施例２～５１、比較例１～９について、実施例１と同様に評価を行った。
ターゲットの組成を実施例１から変更した以外は、実施例１と同様にして磁気特性測定用サンプルおよび組織観察用サンプルを作製し、実施例２～５１、比較例１～９について、実施例１と同様に評価を行った。
【0098】
実施例１～５１、比較例１～９についての保磁力Ｈcの測定結果をターゲットの組成とともに表４に示す。
【0099】
【表4】
【0100】
実施例２～５１について、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察を行った結果、実施例１と同様に磁性結晶粒が酸化物相によって分離された構造の磁気記録層グラニュラ膜が得られていることを確認した。
【0101】
一方、Ｒｕ下地層と磁気記録層グラニュラ膜との間にバッファ層を設けずに、Ｒｕ下地層の上に磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3を直接設けた比較例１の磁気記録媒体の磁気記録層グラニュラ膜Ｃｏ80Ｐｔ20－30vol％Ｂ2Ｏ3においては、図２（Ｂ）の平面ＴＥＭ写真（Ｒｕ下地層の上面から４０Å上方の高さ位置の水平断面）に示すように、磁気記録層グラニュラ膜５６の磁性結晶粒（Ｃｏ80Ｐｔ20合金粒子）５６Ａ同士の境界が不明瞭になっており、酸化物（Ｂ2Ｏ3）相５６Ｂによる分離が不十分な状態になっていることを確認した。また、本発明の範囲内に含まれない比較例２、４～６、９について、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察を行った結果、比較例１と同様に磁性結晶粒の酸化物相による分離が不十分な状態になっていることを確認した。
【0102】
（考察）
表４に示すように、本発明の範囲内に含まれる実施例１～５１の磁気特性測定用サンプルにおいては、保磁力Ｈcの大きさが８．６ｋＯｅ～１０．５ｋＯｅと大きくなっており、良好な保磁力Ｈcが得られている。
表４に示すように、本発明の範囲内に含まれる実施例１～５１の磁気特性測定用サンプルにおいては、保磁力Ｈcの大きさが８．６ｋＯｅ～１０．５ｋＯｅと大きくなっており、良好な保磁力Ｈcが得られている。
【0103】
これに対し、表４に示すように、本発明の範囲に含まれない比較例１～９の磁気特性測定用サンプルにおいては、保磁力Ｈcの大きさが７．５ｋＯｅ～８．４ｋＯｅと小さくなっている。
【0104】
本発明の範囲内に含まれる実施例１～５１の磁気特性測定用サンプルにおいて良好な保磁力Ｈcが得られた理由は、例えば実施例１についての図１（Ａ）および図２（Ａ）に示すように、バッファ層の上に形成した磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒が酸化物相によってきれいに分離された状態になっていて、磁性結晶粒同士の磁気的な結合が小さくなっているためと考えられる。
【0105】
したがって、実施例１～５１のスパッタリングターゲットを用いてＲｕ下地層の上に形成したバッファ層は、その上に形成する磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒同士を良好に分離して、磁性結晶粒同士の磁気的な相互作用を小さくし、磁気記録層グラニュラ膜の保磁力Ｈcを大きくする働きをすると考えられる。
【0106】
一方、比較例１、２、４～６、９の磁気特性測定用サンプルの保磁力Ｈcが実施例１～５１と比較して小さくなった理由は、例えば比較例１についての図２（Ｂ）に示すように、磁気記録層グラニュラ膜の磁性結晶粒同士の境界が不明瞭になっていて、酸化物相による分離が不十分な状態になっており、磁性結晶粒同士の磁気的な結合が大きくなっているためと考えられる。
【0107】
比較例３については、バッファ層の金属成分であるＲｕ45Ｃｏ55合金が磁性を持つため、保磁力Ｈｃが小さくなったと考えられる。
【0108】
比較例７については、バッファ層の酸化物成分が多く、バッファ層の金属成分の結晶配向が劣化し、バッファ層の上に積層した磁気記録層のグラニュラ膜の結晶配向が劣化したため、保磁力Ｈcが小さくなったと考えられる。
【0109】
比較例８については、バッファ層のｈｃｐ構造の格子定数ａがＲｕのｈｃｐ構造の格子定数ａ（２．７２Å）よりも大きくなり、結晶配向が劣化したため、保磁力Ｈcが小さくなったと考えられる。
【0110】
また、実施例１、４６～５１は、組成がＲｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－ＴｉＯ2であるスパッタリングターゲットについて、酸化物（ＴｉＯ2）の含有量を２０ｖｏｌ％から５０ｖｏｌ％の範囲で変えたものであるが、酸化物（ＴｉＯ2）の含有量が２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下の範囲内にある実施例１、４７～４９において、保磁力Ｈcが９．０を上回っており、特に良好な結果が得られているので、本発明に係るスパッタリングターゲットの酸化物の含有量の範囲は、２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。
【0111】
（参考データ（スパッタリングターゲットの硬さ））
前記した実施例１のスパッタリングターゲット（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2）の作製に際して用いたＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末およびＴｉＯ2粉末の粒径は次の通りである。
前記した実施例１のスパッタリングターゲット（Ｒｕ50Ｃｏ25Ｃｒ25－30vol%ＴｉＯ2）の作製に際して用いたＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末およびＴｉＯ2粉末の粒径は次の通りである。
【0112】
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
そして、得られたスパッタリングターゲットの硬さは、ビッカース硬さＨＶ１０で９６４であった。
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
そして、得られたスパッタリングターゲットの硬さは、ビッカース硬さＨＶ１０で９６４であった。
【0113】
一方、スパッタリングターゲットの作製に際して通常用いられているＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末およびＴｉＯ2粉末の粒径は次の通りである。
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍより大きく１００μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍより大きく１００μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
【0114】
上記のＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末およびＴｉＯ2粉末を用いた以外は実施例１と同様にして作製した、実施例１と同じ組成のスパッタリングターゲット（以下、参考例１のスパッタリングターゲットと記す。）の硬さは、ビッカース硬さＨＶ１０で９０７であった。
【0115】
したがって、前記した実施例１のスパッタリングターゲットの硬さ（ビッカース硬さＨＶ１０で９６４）は、参考例１のスパッタリングターゲットの硬さ（ビッカース硬さＨＶ１０で９０７）よりも、ビッカース硬さＨＶ１０で６％程度向上しており、強度特性が向上している。
【0116】
また、前記した実施例２８のスパッタリングターゲット（Ｒｕ45Ｃｏ25Ｃｒ25Ｐｔ5-３０ｖｏｌ％ＴｉＯ2）の作製に際して用いたＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＴｉＯ2粉末の粒径は次の通りである。
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍ未満
Ｐｔ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍ未満
Ｐｔ粉末：平均粒子径が５μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
【0117】
そして、得られたスパッタリングターゲットの硬さはビッカース硬さＨＶ１０で９２６であった。
【0118】
一方、スパッタリングターゲットの作製に際して通常用いられているＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＴｉＯ2粉末の粒径は次の通りである。
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍより大きく１００μｍ未満
Ｐｔ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
Ｒｕ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｏ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
Ｃｒ粉末：平均粒子径が５０μｍより大きく１００μｍ未満
Ｐｔ粉末：平均粒子径が５μｍより大きく５０μｍ未満
ＴｉＯ2粉末：平均粒子径が１μｍ未満
【0119】
上記のＲｕ粉末、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＴｉＯ2粉末を用いた以外は実施例２８と同様にして作製した、実施例２８と同じ組成のスパッタリングターゲット（以下、参考例２のスパッタリングターゲットと記す。）の硬さはビッカース硬さＨＶ１０で８９３であった。
【0120】
したがって、前記した実施例２８のスパッタリングターゲットの硬さ（ビッカース硬さＨＶ１０で９２６）は、参考例２のスパッタリングターゲットの硬さ（ビッカース硬さＨＶ１０で８９３）よりも、ビッカース硬さＨＶ１０で４％程度向上しており、強度特性が向上している。
【0121】
また、実施例２～２７、２９～５１において、スパッタリングターゲットの作製に用いた原料金属粉末も、実施例１、２８のスパッタリングターゲットの作製に用いた原料金属粉末と同様の平均粒径を有した金属粉末であるので、実施例２～２７、２９～５１のスパッタリングターゲットの硬さは、実施例１、２８のスパッタリングターゲットの硬さと同等程度の値であると考えられ、実施例２～２７、２９～５１のスパッタリングターゲットの硬さは、ビッカース硬さＨＶ１０で９２０以上９７０以下程度であると考えられる。
【符号の説明】
【0122】
１０、５０…磁気記録媒体
１２、５２…Ｒｕ下地層
１４…バッファ層
１４Ａ…合金相
１４Ｂ…酸化物相
１６、５６…磁気記録層グラニュラ膜
１６Ａ、５６Ａ…磁性結晶粒
１６Ｂ、５６Ｂ…酸化物相
１２、５２…Ｒｕ下地層
１４…バッファ層
１４Ａ…合金相
１４Ｂ…酸化物相
１６、５６…磁気記録層グラニュラ膜
１６Ａ、５６Ａ…磁性結晶粒
１６Ｂ、５６Ｂ…酸化物相
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
