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特許7193499リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-12
(45)【発行日】2022-12-20
(54)【発明の名称】リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
(51)【国際特許分類】
   G03F 7/20 20060101AFI20221213BHJP
   G03F 7/23 20060101ALI20221213BHJP
【FI】
G03F7/20 521
G03F7/20 501
G03F7/23 H
【請求項の数】 10
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2020073773
(22)【出願日】2020-04-17
(62)【分割の表示】P 2018223275の分割
【原出願日】2006-12-22
(65)【公開番号】P2020115237
(43)【公開日】2020-07-30
【審査請求日】2020-05-18
(31)【優先権主張番号】11/321,461
(32)【優先日】2005-12-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ザール,コエン,ヤコブス,ヨハネス,マリア
(72)【発明者】
【氏名】オッテンズ,ヨースト,ヘロエン
【審査官】田中 秀直
(56)【参考文献】
【文献】特開2005-317600(JP,A)
【文献】特開2005-020030(JP,A)
【文献】特開2001-007015(JP,A)
【文献】特表2001-510573(JP,A)
【文献】再公表特許第00/022376(JP,A1)
【文献】特開2004-343116(JP,A)
【文献】特開平09-293773(JP,A)
【文献】特開2001-066121(JP,A)
【文献】特許第4468350(JP,B2)
【文献】特許第5033866(JP,B2)
【文献】特許第5571727(JP,B2)
【文献】特許第5916696(JP,B2)
【文献】特許第6021986(JP,B2)
【文献】特許第6310002(JP,B2)
【文献】特開2001-244177(JP,A)
【文献】国際公開第2004/053425(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G03F 7/20
G03F 7/23
G03F 9/00
G01B 11/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を支持する可動テーブルの位置を特定するための測定システムであって、
前記可動テーブルの第一側面に装着された第1の平面反射器と、前記可動テーブルの第二側面に装着された第2の平面反射器とを有する複数の平面反射器と、
前記平面反射器毎に配置された複数の位置センサと、
前記複数の位置センサからの出力に基づいて、前記可動テーブルの歪みに関するデータを生成するように構成された歪み測定デバイスと、
を備え、
前記複数の位置センサの各々は、前記可動テーブルのプロファイルを測定するために前記複数の平面反射器と前記複数の位置センサとの間の距離を測定し、
前記複数の位置センサは、投影システムに固定される基準フレームに固定される、測定システム。
【請求項2】
前記位置センサは、干渉計装置、及びリニアエンコーダのうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の測定システム。
【請求項3】
前記複数の位置センサが、前記複数の平面反射器の垂線に直交する方向に配列される、請求項1又は2に記載の測定システム。
【請求項4】
前記可動テーブルは、前記複数の平面反射器の垂線に平行な方向又は直交する方向に前記複数の位置センサに対して移動可能である、請求項1~3のいずれか1項に記載の測定システム。
【請求項5】
前記位置センサは、前記複数の平面反射器に放射される放射を生成する放射源と、前記複数の平面反射器から反射された前記放射を受け取る放射検出器と、を備える、請求項1~4のいずれか1項に記載の測定システム。
【請求項6】
任意の時に前記放射が入射する前記平面反射器の表面と、前記基準フレームに対する固定点との間の距離を求めるために、放射された前記放射と受け取った前記放射とを比較するシステムをさらに備える、請求項5に記載の測定システム。
【請求項7】
前記測定システムは、前記可動テーブルの予想される歪みに関する較正データを導出するように構成される、請求項1~6のいずれか1項に記載の測定システム。
【請求項8】
前記歪み測定デバイスは、前記可動テーブルの歪みを反映させるために、前記可動テーブルの測定された部分の位置と前記基板の位置との間の関係を更新するように構成される、請求項1~7のいずれか1項に記載の測定システム。
【請求項9】
前記歪み測定デバイスは、予測モデルによって予想される前記可動テーブルの歪みを特定するように構成される、請求項1~7のいずれか1項に記載の測定システム。
【請求項10】
前記複数の平面反射器の表面プロファイルはマッピング方法によって特定される、請求項1~9のいずれか1項に記載の測定システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
[0001] 本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つまたは幾つかのダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。一般的に、1枚の基板は、順次パターン化される網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向)と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向(「スキャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含んでいる。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【0003】
[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。その要点は、より小さい形体を結像可能にすることである。というのは、露光放射が液体中の方が短い波長を有するからである。(液体の効果は、システムの有効NAを増加させ、焦点深さも増大させることとみなすこともできる。)自身内に固体粒子(例えばクォーツ)が浮遊した水など、他の液浸液も提案されている。
【0004】
[0004] しかし、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴に浸すこと(例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第US4,509,852号参照)は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【0005】
[0005] 提案されている解決法の1つは、液体供給システムが基板の局所的な領域のみ、および投影システムの最終要素と基板の間に液体封じ込めシステムを使用して液体を提供することである(基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する)。こ構成を達成するように提案されている1つの方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれているPCT特許出願第WO99/49504号で開示されている。図2および図3に示すように、液体は少なくとも1つの入口INによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作の方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口OUTによって除去される。つまり、基板がX方向にて最終要素の下でスキャンされると、液体が最終要素の+X側にて供給され、-X側にて取り上げられる。図2は、液体が入口INを介して供給され、低圧ソースに接続された出口OUTによって要素の他方側で取り上げられる配置構成を概略的に示したものである。図2の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に位置決めされた入口および出口の様々な方向および数が可能であり、一例が図3に図示され、ここでは各側に4組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【0006】
[0006] 局所的な液体供給システムがあるさらなる液浸リソグラフィの解決法が、図4に図示されている。液体は、投影システムPLのいずれかの側にある2つの溝入口INによって供給され、入口INの半径方向外側に配置構成された複数の別個の出口OUTによって除去される。入口INおよびOUTは、中心に穴がある板に配置することができ、投影ビームがこの穴を通して投影される。液体は、投影システムPLの一方側にある1つの溝入口INによって供給され、投影システムPLの他方側にある複数の別個の出口OUTによって除去され、それによって投影システムPLと基板Wの間に薄膜状の液体の流れが引き起こされる。入口INと出口OUTのどの組合せを選択するかは、基板Wの動作方向によって(入口INと出口OUTの他の組合せが作動していない状態で)決定することができる。
【0007】
[0007] 提案されている別の解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材を液体供給システムに設けることである。バリア部材は、XY面で投影システムに対して実質的に静止しているが、Z方向(光軸の方向)では多少相対的な運動があってよい。バリア部材と基板の表面に間にシールが形成される。ある実施形態では、シールはガスシールなどの非接触シールである。ガスシールがあるこのようなシステムは、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公報第US2004-0207824号で開示されている。
【0008】
[0008] それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公報第EP1420300号および米国特許出願公報第US2004-0136494号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する2つのテーブルが設けられている。第一位置で、液浸液のない状態でテーブルにてレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置で、テーブルを使用して露光を実行する。あるは、装置は、露光位置と測定位置の間で動作可能な1つのテーブルのみを有してもよい。
【0009】
[0009] 基板Wは、これを支持する基板テーブルWTを動作させることにより、XY面で変位することができる。基板テーブルWTの、したがって基板Wの相対位置は、基板テーブルWTの側面に装着した1つまたは複数のミラーによって測定することができる。例えば、1つまたは複数の干渉計を設けて、これらのミラーの表面上にある点から基準フレームにある対応する点または軸線への実質的に垂直の距離を測定することができる。基板テーブルWTの歪みはこれらのミラーを変形させることがあり、したがって投影システムPSに対して基板Wを移動かつ/または位置決めする精度を低下させ、これは基板W上に形成されるパターンの品質に悪影響を及ぼすことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
[0010] 例えば、基板を例えば投影システムなどに対して位置決めすることができる精度を改善するシステムなどを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【0011】
[0011] 本発明の一態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、露光中に投影システムと基板の間の領域に液体を提供するように構成された液体供給システムと、物理的に基板テーブルから分離し、露光中に基板の半径方向外側に位置し、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある、投影システムに対向する表面を提供するように構成されたカバープレートと、カバープレートの一部の温度を制御することによって、対応するターゲット温度からの基板テーブルの一部の温度偏差を減少させるように構成された基板テーブル温
度安定化デバイスと、からなるリソグラフィ装置が提供される。
【0012】
[0012] 本発明のさらなる態様によれば、変調した放射ビームを液体に通して基板テーブルに保持された基板に投影し、カバープレートの一部の温度を制御することによって、対応するターゲット温度からの基板テーブルの一部の温度偏差を減少させる、ことからなり、カバープレートは、基板テーブルから物理的に分離し、変調した放射ビームの投影中に基板の半径方向外側にある、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある表面を有する、デバイス製造方法が提供される。
【0013】
[0013] 本発明のさらなる態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、露光中に投影システムと基板の間の領域に液体を提供するように構成された液体供給システムと、物理的に基板テーブルから分離し、露光中に基板の半径方向外側に位置し、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある、投影システムに対向する表面を提供するように構成されたカバープレートと、カバープレートからの基板テーブルの熱遮蔽を提供するために、カバープレートと基板テーブルの間の熱伝達を減少させるように構成された断熱材と、からなるリソグラフィ装置が提供される。
【0014】
[0014] 本発明のさらなる態様によれば、変調した放射ビームを液体に通して基板テーブル上に保持された基板に投影し、カバープレートと基板テーブルの間の熱伝達を減少させ、それによってカバープレートからの基板テーブルの熱遮蔽を可能にするように、カバープレートを断熱する、ことからなり、カバープレートは、基板テーブルから物理的に分離し、変調した放射ビームの投影中に基板の半径方向外側にあり、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある表面を有する、デバイス製造方法が提供される。
【0015】
[0015] 本発明のさらなる態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、基板テーブルの一部の位置を求めるように構成された測定システムと、基板テーブルの歪みに関するデータを提供するように構成された基板テーブル歪み測定デバイスと、測定システムで測定した基板テーブルの一部の位置、および基板テーブル歪み測定デバイスによって提供された基板テーブルの歪みに関するデータを参照することにより、投影システムに対して基板の位置を制御するように構成された基板位置コントローラと、からなるリソグラフィ装置が提供される。
【0016】
[0016] 本発明のさらなる態様によれば、変調した放射ビームを基板テーブルによって保持された基板に投影し、基板テーブルの一部の位置を測定し、基板テーブルの一部の測定位置、および基板テーブルの歪みに関するデータを参照することにより、変調した放射ビームを投影するために使用される投影システムに対する基板の位置を制御する、ことからなるデバイス製造方法が提供される。
【0017】
[0017] 本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィ装置の基板テーブル反射器の表面プロファイルをマッピングする方法であって、基板を支持するように構成された基板テーブルの第一側面に装着された実質的に平面の第一反射器を提供し、第一反射器は第一軸に平行な垂線を有し、基板テーブルの第二側面に装着された実質的に平面の第二反射器を提供し、第二反射器は、第一軸に対して平行でない第二軸に平行な垂線を有し、第二反射器の表面から基準フレームの基準点までの垂直距離を測定しながら、第一軸に平行に基板テーブルを動作させる、ことからなるマッピング方法が提供される。
【0018】
[0018] 本発明のさらなる態様によれば、第二軸に実質的に平行な方向で反射器の表面から基準点までの距離を測定しながら、第一軸に平行に基板テーブルを動かし、基板テー
ブルの反射器の表面プロファイルをマッピングし、第二軸が第一軸に対して実質的に直交し、変調した放射ビームを基板に投影し、基板の異なったターゲット領域を露光するために変調した放射ビームを投影するのに使用される投影システムに対して基板を動かす、ことからなり、位置は、基準点からの基板テーブル反射器の距離の測定値、および基板テーブル反射器の表面プロファイルを参照することにより求められる、デバイス製造方法が提供される。
【0019】
[0019] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【図面の簡単な説明】
【0020】
図1】[0020] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
図2】[0021] リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。
図3】[0021] リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。
図4】[0022] リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示した図である。
図5】[0023] 基板ホルダおよび可動式基板テーブル上に装着した基板を示した図である。
図6】[0024] 基板ホルダの熱膨張によって引き起こされる基板テーブルへの効果を示した図である。
図7】[0025] 本発明の実施形態によるカバープレートと基板テーブル間の断熱を示した図である。
図8】[0026] 本発明の実施形態による基板テーブル温度安定化デバイスを、流路のネットワークとともに示した図である。
図9】[0027] 本発明の実施形態による基板テーブル温度安定化デバイスを、電熱器およびコントローラとともに示した図である。
図10】[0028] 本発明の実施形態による基板テーブル温度安定化デバイスを、変動する磁界によって起動されるように構成された加熱要素とともに示した図である。
図11】[0029] 本発明の実施形態による熱伝導性結合媒体を組み込んだ基板テーブルアセンブリを示した図である。
図12】[0030] 本発明の実施形態による位置測定システムおよび基板テーブル歪み測定デバイスを示した図である。
図13】[0031] 本発明の実施形態によりミラー毎に複数の干渉計を備える測定システムを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
[0032] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。このリソグラフィ装置は、
【0022】
[0033] 放射ビームB(例えばUV放射またはDUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
【0023】
[0034] パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
【0024】
[0035] 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置PWに
接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
【0025】
[0036] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを備える)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
【0026】
[0037] 照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【0027】
[0038] 支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体MTは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなすことができる。
【0028】
[0039] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【0029】
[0040] パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフト、減衰型位相シフトのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリ
ッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【0030】
[0041] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義とみなすことができる。
【0031】
[0042] ここに示している装置は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する)。
【0032】
[0043] リソグラフィ装置は2つ(デュアルステージ)またはそれ以上の基板テーブル
(および/または2つ以上の支持構造体)を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【0033】
[0044] 図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの補助により、放射源SOからイルミネータILへと送られる。他の例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。
【0034】
[0045] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および/または内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの他の種々のターゲットを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【0035】
[0046] 放射ビームBは、支持構造体(例えばマスクテーブル)MTに保持されたパターニングデバイス(例えばマスク)MAに入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームBはマスクMAを通過して、基板Wのターゲット部分C上にビームを集束する投影システムPSを通過する。第二位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば干渉計装置、リニアエンコーダまたは容量センサ)の補助により、基板テーブルWTを、例えば放射ビームBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置PMおよび別の位置センサ(図1には明示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体MTの移動は、第一位置決め装置PMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を用いて実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第二位置決め装置PWの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、支持構造体MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアラインメントマークM1、M2および基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい(スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる)。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【0036】
[0047] 図示の装置は以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。
【0037】
[0048] 1.ステップモードにおいては、支持構造体MTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で像が形成されるターゲ
ット部分Cのサイズが制限される。
【0038】
[0049] 2.スキャンモードにおいては、支持構造体MTおよび基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり単一動的露光)。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
【0039】
[0050] 3.別のモードでは、支持構造体MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、上記したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
【0040】
[0051] 上述した使用モードの組合せおよび/または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【0041】
[0052] 図5は、基板ホルダ2および基板テーブルWTによって支持される基板Wを概略的に示したものである。基板テーブルWTは、基板Wの異なったターゲット領域を露光するように、投影システムPSに対して移動させることができる。基板Wの正確な位置決めが一般的に望ましい。例えば、リソグラフィで生成した幾つかの層からデバイスを形成すべき場合は、各層が他の層との正確な空間的対応を有していなければならない。この対応の程度は、各層のパターン形成中に基板Wをどの程度良好に位置決めするかによって決定される。
【0042】
[0053] 例えばフィードバックまたはサーボループを、基板テーブルWTを物理的に動作させる手段およびその位置を測定する手段と組み合わせて使用することにより、正確な変位を達成することができる。基板Wは、可能な限り最短の時間で、望ましくは行き過ぎがない状態で、測定位置とターゲット位置との間の差を漸進的に減少させることによって、ターゲット位置に向かって移動する。
【0043】
[0054] 基板Wが基板テーブルWTに対して固定されているか、それとの空間的関係が分かっている場合は、はるかに小さく、薄い方の基板Wの位置を直接測定しようとするより、基板テーブルWT上の1つまたは複数の点の位置を測定し、そこから基板Wの位置を推定する方が都合がよいことがある。
【0044】
[0055] このようなアプローチの正確さは、基板テーブルWTの測定から推定できる基板Wの位置の精度に少なくともある程度は依存する。特に、これは基板テーブルWTが露光中に歪んだ場合に困難になることがある。これは例えば基板テーブルWTおよび/または基板テーブルWTと機械的に接触しているターゲットの温度変動により生じることがある。
【0045】
[0056] 温度変動は、例えばリソグラフィ放射からの熱に起因して生じることもある。代替的または追加的に、特に液浸システムでは、基板Wの表面および周囲領域からの液体(通常は液浸液)の蒸発が冷却につながることがある。この状況は、基板Wまたは他の重
要な要素の温度を制御するために組み込むことがある補償システムによって、さらに複雑になり得る。例えば、液浸液の蒸発によって引き起こされる冷却を打ち消すために、基板加熱装置を供給することができる。加熱装置は、基板Wをさらに一定の温度に維持するように設計してよいが、基板テーブルWTなどの他のターゲットに、さらに大きい温度勾配および/または変動を引き起こすことがある。
【0046】
[0057] 図5は、基板テーブルWTの測定を通して基板位置を間接的に測定できる配置構成を示す。図示の実施例では、基板Wが基板ホルダ2上の突起または「節」5を介して支持され、基板ホルダ2自体が節3を介して基板テーブルWTに載置されるように構成される。
【0047】
[0058] 1つまたは複数のカバープレート60が、少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体封じ込め構造体68(例えば図11参照-液体封じ込め構造体68は、明快さを期して図5および図8から図10には図示されていない)が基板Wの表面上を滑らかに通ることができるようにするために設けられる。この構成では、基板Wが投影システムPSに対してスキャンされる場合に、液体封じ込め構造68が動作するのに十分に大きい平面を提供するために、カバープレート60は基板Wの半径方向外側に位置される。カバープレート60は、様々なサイズの基板に合わせて融通性を提供するために、節3に着脱式に装着してもよい。
【0048】
[0059] 1つまたは複数のミラー6が基板テーブルWTの側面に装着され、これらのミラーによって基板テーブルWTの位置が求められる。例えば、1つまたは複数の干渉計を使用することができ、これはこれらのミラーから反射する放射に基づいて作動する。干渉計は、反射した放射を使用して、干渉計の検出部分に対して固定された基準フレームの特定の点からミラーの表面までの距離を推定することができる。様々な軸線に沿って基板テーブルWTの位置を求めるために、複数のミラーおよび対応する干渉計を設けてよい。例えば、直交する方向に向いた2つの平面ミラーを設けてよい。ミラーは基板テーブルWTに固定するか、基板テーブルWTと一体的に形成してよい。
【0049】
[0060] 基板テーブルWTの歪みは、それに装着されたミラーの形状の歪みを引き起こし得る。図6は、図5に示した配置構成の上面図を概略的に示し、このような歪みが生じ得る1つの様子を示す。左手の図では、中心円が基板Wを表し、その下に基板ホルダ2(視認不可)がある。周囲の正方形は、側面に実質的に完全に平面のミラー6が装着された基板テーブルWTである。右手の図は、基板テーブルWT上の基板ホルダ2の熱で生じた歪み(図5の矢印10)を(誇張した形態で)示す。基板ホルダ2の加熱は、基板ホルダ2を元の形態(細線)から熱膨張した形態(太線;図6の矢印8)へ膨張させる。この加熱は、おそらく液浸液の蒸発が基板Wに及ぼす冷却効果を打ち消すように構成された基板加熱装置4(例えば熱交換流体を導くために使用する複数の流路でよい)によって引き起こされる。代替的または追加的に、リソグラフィ放射自体に起因して加熱が生じることがある。
【0050】
[0061] 例えば基板ホルダ2と基板テーブルWTとの間に維持される低い圧力によって基板テーブルWTに対して極めてしっかり保持される膨張した基板ホルダ2は、基板テーブルWTの本体の歪み(図5の矢印12)を引き起こす半径方向の力を生じさせることがある。この歪みは、図6の右手の図(太線;矢印14)で示すように、ミラー6に相応する変形を引き起こし得る。
【0051】
[0062] 基板テーブルWT及び基板ホルダ2の各々、または両方は、非常に小さい熱膨張率を有する材料から形成してよい。しかし、このような材料は高価なことがあり、広範囲の物理的特性で入手できないことがあるので、他の態様ではそれほど適切でなくなる。
例えば、耐摩耗性は基板ホルダ2にとって重要な特性であり得るが、耐摩耗性が良好で熱膨張率が実質的にゼロである材料は、入手可能かつ/または経済的でないことがある。
【0052】
[0063] 図5および図6の基板テーブルWTの歪みは、基板ホルダ2の膨張により生じるものとして図示されているが、歪みは、基板テーブルWT自体の加熱または冷却に起因して生じることもある。例えば、液浸液の蒸発は、ある程度の熱収縮を引き起こすようである。基板テーブルWTは、ある部分が膨張して、他の部分が収縮し、図6に示すより複雑な歪みを引き起こすことがあり、これにより基板ホルダの一様な膨張に基づく変形が確実になる。
【0053】
[0064] ミラー6の歪みは、基板Wの制御誤差を引き起こすことがある。例えば補正措置を執らない場合、外側に膨張するミラーの部分を検出干渉計に隣接して配置すると、干渉計は、基板テーブルが全体として実際より近いことを示す信号を出力することがあるが、実際には近づいているのはミラーの局所的部分だけである。これは、この信号をフィードバックループに入力した場合に、基板Wの位置に誤ったオフセットを引き起こすことがある。
【0054】
[0065] 図7は、基板テーブルWTにあり得る加熱および/または冷却源に対して熱遮蔽を提供するようにカバープレート60が配置構成された実施形態を概略的に示す。これは、カバープレート60と基板テーブルWTの間に断熱材を設けることによって達成される。このようにすると、例えば液浸液の蒸発または放射加熱などによって引き起こされるカバープレート60の温度変化は、カバープレート60の下の基板テーブルWTへと熱を大幅に伝達しない。図示の実施例では、断熱は特殊な節21の形態をとる。これらの節21の熱コンダクタンスは、例えば断面サイズを最小限にするか、低い熱伝導率の材料を使用する、あるいはその両方によって低くするように配置構成される。基板テーブルWTとカバープレート60間の相対的熱交換は、これらのターゲットのいずれか、または両方に反射性コーティングを適用することによって減少させることができる。
【0055】
[0066] 図8は、基板テーブル温度安定化デバイスを備える本発明の実施形態によるリソグラフィ装置の一部を概略的に示し、この基板テーブル温度安定化デバイスは、基板テーブルWTの一部および/または基板テーブルWTと機械的および/または熱的に接触する成分の温度を、ある範囲(または複数の範囲)のターゲット温度内に維持するように構成される。この範囲は、望ましい正確さ、および基板テーブルWT(および上述した関連するコンポーネント)の温度の変化に対する感度(例えば熱膨張率、機械的構造および/または設けられた任意のヒートシンク構成)に依存する。異なった範囲および/またはターゲット温度が、予想される熱入力または出力に従い、基板テーブルWTの異なった部分のために使用されることができる。例えば、熱膨張の影響を受けやすい、または熱入力/出力にそれほど曝露しないように予想される基板テーブルWTの領域では、より厳密な公差が望ましいことがある。追加的または代替的に、基板テーブルWT内で制御された不均一な温度プロファイルを維持することが適切な場合は、基板テーブルWTの異なる部分に複数の異なるターゲット温度を使用してよい。
【0056】
[0067] 基板テーブルおよび/または関連するコンポーネントの温度の安定化は、その熱膨張および/または収縮の程度を低下させ、それによって基板テーブルWTの全体的な歪みを減少させることができる。これは、ミラー6(図8では図示せず)などの基板テーブルWT位置測定デバイスの動作に対する妨害を最小限に抑え、これによって投影システムPSに対して基板Wを位置決めする正確さを改善することができ、したがって例えばオーバレイ誤差を減少させることが可能である。
【0057】
[0068] この実施形態による温度安定化デバイスは、1つまたは複数のカバープレート
60の温度を制御することによって作動する。これは、基板テーブルWTの温度プロファイルまたは平均温度の測定値変動に従ってカバープレート60の温度プロファイル(空間的に一定、または空間的に変動する温度分布を含む)を制御することによって、能動的に実行することができる。あるいは、温度安定化デバイスは、(カバープレートの温度は測定することができるが)基板テーブルWTの温度プロファイルの測定値を参照せずに、カバープレートの温度を分離して制御するのみで、さらに受動的に作動してもよい。この後者のアプローチによれば、実質的に一定の温度を維持する(または言い換えると、カバープレートの温度をカバープレート60のターゲット温度の範囲内に維持する)ように、カバープレート60の温度を制御することができる。基板テーブルWTの温度を直接参照せずにカバープレート60の温度を制御することが、基板テーブル装置への妨害を最小限に抑えて実施できる。
【0058】
[0069] カバープレート60の温度制御は、受動的および/または能動的に(以上参照)、基板テーブルWTを熱入力および/または出力の最も重要なソースの幾つかから効果的に「遮蔽」することができる。例えば、冷却を引き起こす液浸液の蒸発の大きい割合は、カバープレート60の表面上で生じる。同様に、基板テーブルWT上の領域に曝露したターゲットからの放射加熱は、最初にカバープレート60に当たる傾向がある。これらの要素の1つまたは複数を直接補償するためにカバープレート60の温度を制御すると、基板テーブルWTの温度に対する最終的影響が低下することになる。
【0059】
[0070] 基板テーブルWTの測定温度を参照してカバープレートの温度を制御する場合、カバープレートの温度制御は、最初にカバープレート60を通過せずに基板テーブルWTに到達する加熱および/または冷却(例えば基板ホルダ2に設置した基板温度補償装置および/または放射ビームからの放射加熱からの加熱)を少なくともある程度は補償することもできる。
【0060】
[0071] 図8の配置構成によるカバープレート60の温度制御は、カバープレート60内またはその上に埋め込まれた流路20のネットワークによって、および基板テーブルWTの一部(および/または基板ホルダ2およびカバープレート60などの関連コンポーネント)の温度を対応するターゲット温度(制御されている基板テーブルの1つまたは複数の部分(および/または関連コンポーネント)に「対応する」各ターゲット温度)の範囲内に維持するために、流路20のネットワーク内に流れる熱交換流体の温度および/または圧力(およびその結果の流量)を制御するように配置構成されたコントローラ30によって達成される。熱交換流体は例えば精製水でよい。温度および/または圧力は、例えば校正実験、基板テーブルWTの予想される電力入力/出力の数学的モデリング、歪みに寄与するターゲットの実際の温度測定(以下参照)、および/または流体の実際の測定を参照することによって制御することができる。
【0061】
[0072] 流路20のシステムは、必要に応じてカバープレート60を加熱し、さらにカバープレート60を冷却するようにいずれにも構成することができ、それによって基板テーブルの温度を柔軟に制御することができる。代替的または追加的に、流路20は、カバープレート60の一部を加熱しながら、別の部分を冷却するように構成することができる。これは、カバープレート60および/または基板テーブルWT(および/または他の関連コンポーネント)全体の温度変動が、熱交換流体の温度全体に及ぶ場合に達成することができる。あるいは、1組の特性(例えば高い温度)を有する熱交換流体を流路20のシステムの一部に供給しながら異なる組合せの特性(例えば比較的低い温度)を有する熱交換流体を流路20のシステムの別の部分に同時に提供するシステムを提供することができる。この方法で、流路のシステムを使用して、カバープレート60および/または基板テーブルWT(および/または他の関連コンポーネント)の広範囲の温度変動を安定化させることができる。
【0062】
[0073] 代替的および/または追加的に、基板テーブル温度安定化デバイスは、図9で概略的に示すように1つまたは複数の電気ヒータ26およびコントローラ40を備えることができる。1つまたは複数の電気ヒータ26は、図示のようにカバープレート60に埋め込むか、カバープレート60の表面(カバープレートの上、その下、またはその両側)に取り付けることができる。
【0063】
[0074] 電気ヒータは容易に、最小限の追加的ハードウェアで制御することができる。その出力は迅速に調節することができ、制御の向上および迅速な応答を提供する。
【0064】
[0075] 一実施形態によれば、図9に図示された加熱要素26は、ターゲット温度の領域で温度によって生じる相転移を受ける材料からなるものとしてよく、相転移によって材料は、転移温度より低い比較的高い加熱出力を生成する状態から、転移温度より高い比較的低い加熱出力を生成する状態へと変化する。例えば、強磁性体、反強磁性体またはフェリ磁性体のような磁気順序転移を受ける材料を選択してよい。代替的または追加的に、構造的相転移を経験する材料を選択してよい。
【0065】
[0076] 転移温度を通して材料を加熱すると、材料の抵抗が突然上昇するように、材料を選択することができる。コントローラ40が一定の電圧を維持するように構成された場合、材料内で損失する電力は、突然の抵抗増大に起因して突然増加し、これは温度が位置とともに大幅に変動しても、複雑な制御回路および多数の温度センサおよび加熱装置を必要とせずに、基板テーブルWTの温度を安定化させる傾向を有する。温度が低すぎる(つまり転移温度およびターゲット温度より低い)場合、加熱出力は自動的に比較的高くなり、温度が高すぎる(つまり転移温度およびターゲット温度より高い)場合、加熱出力は自動的に低くなる。
【0066】
[0077] 同様の原則に従って働く代替的または追加的アプローチが、図10に概略的に図示されている。ここでは、1つまたは複数の加熱要素26が設けられ、これはコントローラ50によって制御された1つまたは複数のエレクトロマグネット28によって作動される。1つまたは複数の加熱要素26は、材料を転移温度より低い磁気ヒステリシス状態から転移温度より高い非磁気ヒステリシス状態(つまり磁気ヒステリシスを示さない、または最小量の磁気ヒステリシスを示す状態)へと変化させる相転移を受ける材料からなる。コントローラ50および1つまたは複数のエレクトロマグネット28は、1つまたは複数の加熱要素26に変動する磁界を与えるように構成され、これによって1つまたは複数の加熱要素は、1つまたは複数の加熱要素が転移温度より低い場合のみ、磁気ヒステリシスによって基板テーブルWTに熱を与える。強磁性材料を、例えば磁気ヒステリシス材料として使用してもよい。この場合もこの構成は、複雑な制御回路および多数の温度センサおよび加熱装置を必要とせずに、カバープレート60および/または基板テーブルWT(および/または他の関連ターゲット)の位置変動による温度変動さえ安定化させる傾向がある。
【0067】
[0078] 1つまたは複数の温度センサ22を設ける、基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60に固定する、基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60内に埋め込む(図8図9および図10で図示)、または基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60に隣接して位置決めすることができる(例えば赤外線センサ)。1つまたは複数の温度センサは、基板テーブルWTと熱および/または機械的に接触する他のターゲット内、またはその上に設けてもよい。1つまたは複数の温度センサは、基板テーブルWT、カバープレート60および/または関連ターゲットの温度に関する情報を提供し、これはコントローラ30、40および/または50が使用して、基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60(および/または他の関連ターゲット)の温度を1つま
たは複数の対応するターゲット温度の範囲内に維持するために、1つまたは複数の加熱/冷却要素20/26の加熱/冷却出力を変動させることができる。例えば、温度センサの読み取り値と1つまたは複数のターゲット温度との間の1つまたは複数の差を小さくするために、1つまたは複数の加熱/冷却要素20/26の出力を調節するフィードバックループを設けてよい。
【0068】
[0079] 図11は、基板Wが基板Wと基板テーブルWTの間に配置された基板ホルダ2で支持される実施形態を概略的に示したものである。この構成は、基板ホルダ2内に加熱または冷却要素を全く備えない。つまり、基板ホルダ2がそれほど嵩張らず、複雑にならないようにすることができ、これは製造費を削減することができる。材料のボリュームが小さくなると、基板ホルダ2が膨張または収縮した場合に引き起こされる問題も軽減することができる。というのは、これらの膨張または収縮が、関係する材料の量の減少に起因して比例して小型化/弱体化するからである。したがって、基板ホルダ2の熱特性(例えば熱膨張率)に関する設計の制約を緩和することができ、このコンポーネントの他の物理的または経済的特性を最適化するための自由度が大きくなる。
【0069】
[0080] 基板W、基板ホルダ2、基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60の高められた温度制御は、基板Wと基板ホルダ2、基板ホルダ2と基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60と基板テーブルWTの間に高い熱伝導率の通路を設けることによって達成される。これは、一実施形態によれば、基板W、カバープレート60、基板テーブルWTの間に熱伝導性結合媒体66を組み込むことによって達成することができる。図示の実施例では、この結合媒体は液体であり、基板ホルダ2およびカバープレート60の下の領域に設けられ、1つまたは複数の栓64によって限定される。液体は、主要支持機構として節を使用することに伴う可撓性の喪失を生じることなく、基板ホルダ2と基板テーブルWTの間に大きい接触表面を提供する。熱伝導率が高い液体が特に効果的である。
【0070】
[0081] 代替的または追加的に、気体状結合媒体を使用してよい。例えば基板テーブルWT、カバープレート60、基板ホルダ2の間の領域を低圧(つまり大気圧より非常に低い圧力)で保持する場合は、基板ホルダ2(またはカバープレート60)を十分確実に固定することと、基板ホルダ2(またはカバープレート60)から基板テーブルWTへの熱結合を改善するために多少のガスを提供することとの間のバランスを達成するように、低圧レベルを減少させることができる。代替的または追加的に、異なるガス圧の領域を、基板ホルダ2および/またはカバープレート60の下に確立することができ、低圧の領域がターゲットを固定するように作用し、より高い圧力の領域は、熱結合を改善するように作用する。例えばガス結合媒体として浄化した空気を使用してよい。
【0071】
[0082] 代替機構によれば、節3、5と基板W、基板ホルダ2、カバープレート60および/または基板テーブルWTの間に流体でない結合媒体を設けてよい。例えば、非常に軟らかく、良好な熱導体であるインジウム箔を使用してよい。
【0072】
[0083] 基板Wおよび/または基板ホルダ2と基板テーブルWTおよび/またはカバープレート60との間の温度通路が強化されると、基板テーブルWTの温度を安定化させるための測定が、基板Wおよび基板ホルダ2の温度を安定化させる作用もすることが保証される。つまり、例えば基板ホルダ2の熱膨張/収縮が、基板テーブルWTの歪みを引き起こす可能性が低くなり、基板ホルダ2に適切な材料の選択範囲が広くなる。例えば、高い耐摩耗性を有するSiSiCの基板ホルダ2を使用することができる。
【0073】
[0084] 図12は、例えば投影システムPSおよび/またはリソグラフィ装置に対してしっかり固定することが可能な基準フレーム92に対する基板テーブルWTの一部の位置
を求めるために、測定システムを備える実施形態を概略的に示したものである。リソグラフィ装置は、望ましくない温度変動による熱収縮および/または膨張などによる基板テーブルWTの歪みに関するデータを生成するように配置構成された基板テーブル歪み測定デバイス86も備える。基板Wは、基板位置コントローラ84の制御下で作動する基板テーブル変位装置90によって、投影システムPSに対して変位する(例えばスキャンされる)。
【0074】
[0085] 基板位置コントローラ84は、測定システムおよび基板テーブル歪み測定デバイス86から入力されたデータを参照することにより、所望の軌跡に沿って基板Wをどのように動作させるか決定する。測定システムは、基板テーブルWTの測定部分の位置を定期的に更新し、そこから基板位置コントローラ84が基板Wの位置を導出するように構成される。この動作は、基板テーブルWTが一定の幾何学的形状を維持する場合は、比較的単純である。というのは、測定システムが測定する基板テーブルWTの部分の位置と、基板の位置との間に相応する一定の関係があるからである。しかし、基板テーブルWTの幾何学的形状が変化すると、この関係が変化することがあり、これは基板Wの位置決めの誤差につながる。本実施形態によれば、この誤差は、基板テーブル歪み測定デバイスの出力を使用して、基板テーブルWTの測定部分の位置と基板の位置との関係を更新し、基板テーブルの歪みを反映することによって軽減するか、回避することができる。このアプローチは、例えば基板テーブルWTの温度の不規則性および/またはその直接的な物理的結果を減少させる試みに関連するものなど、有意の追加的ハードウェアを必要とせずに基板の位置決めを、したがってオーバレイ性能を改善することができる。
【0075】
[0086] 一実施形態によれば、測定システムは、基板テーブルWTの側面に装着された複数の平面反射器82を備える。1つまたは複数の干渉計を設けて、ミラーの表面の位置を測定する。1つまたは複数の干渉計はそれぞれ、放射源81および放射検出器83、および任意の時に放射が入射するミラーの表面と、問題の干渉計に関連する基準フレーム92に対する固定点との間の距離を求めるために、放射された放射と受け取った放射とを比較するシステムを備えてよい。例えば複数のミラーを直交する方向に向くように配置構成することによって、直交する軸に沿って基板テーブルWTの部分の位置を求めることが可能である。
【0076】
[0087] 基板テーブルWTの歪みによって、これらのミラーがわずかに湾曲することがある。基板テーブル歪み測定デバイス86は、これを補正できるように、この曲率または「ミラープロファイル」に関する情報を提供する。
【0077】
[0088] これを実行可能な1つの方法は、ミラー82および/または基板テーブルWTの曲率を測定することである。これは、1つまたは複数の典型的な露光シーケンス中に基板テーブルWTがどのように変形するかを評価する校正作業として実行することができる。これらの校正作業の結果はメモリ装置88に記憶することができ、基板テーブル位置コントローラに適切な補正値を提供するために、歪み測定デバイスがこれにオンラインでアクセスすることができる。
【0078】
[0089] 代替的または追加的に、測定システムには、基板テーブルWTに形成されたミラー82毎に、図13に示すような複数の干渉計(例えば放射源と検出器の対を含む)を設けることができる。この配置構成の各干渉計は、任意の時に基準フレーム92に対するミラー表面の異なる部分からの距離を測定することができ、それによって基板テーブルWTのプロファイルを非常に効率的に測定することができる。この配置構成は、露光中に基板テーブルWTに予想される歪みに関する校正データを導出するために、迅速に使用することができ、オンラインデータを基板テーブル歪み測定デバイス86に提供するように使用することができる。追加的または代替的に、基板テーブル位置コントローラ84は、(
対応するミラーが正確に平面ではない場合に)干渉計を1つしか使用せずに可能な程度より、基板テーブルWTの1つの側面の位置を正確に測定するために、ミラー毎に各干渉計の読み取り値の平均をとるように構成することができる。
【0079】
[0090] 代替的または追加的に、基板テーブル歪み測定デバイス86は、予測モデルによって予想される基板テーブルの歪みを求めるように構成することができる。モデルは、基板W、基板ホルダ2、基板テーブルWTおよび/またはこれらのコンポーネントの任意の1つまたは複数と熱および/または機械的に接触している任意のコンポーネントの熱および機械的特性に、さらにリソグラフィ放射から予想される電力入力または出力および/または例えば基板Wおよび/またはカバープレート60の表面からの液浸液の蒸発に基づいてよい。モデルのパラメータは、校正測定値を参照して調整することができる。予想される電力入力または出力は、特定の所望の線量パターンに関連するエネルギ流の分析から導出するか、校正測定値から導出することができる。基板テーブルWTの歪みが、熱膨張して基板テーブルWTに押しつけられた基板ホルダ2から生じると予想される場合は、基板ホルダ2の均一な膨張に基づく単純化されたモデルが効果的なことがある。
【0080】
[0091] 基板テーブル位置決めミラー82の表面プロファイルは、マッピング方法で求めてもよい。例えば、基板テーブルWTの異なる非平行の側面に2つの名目上平面の反射器82を設け、各ミラーに1つの干渉計を設ける場合は、第二ミラー82への垂線に平行に基板テーブルWTを移動させながら、干渉計から第一ミラーの表面への垂直距離がいかに変化するかを測定することにより、マッピングすることができる。次に、このプロセスを繰り返すが、第二ミラーのプロファイルをマッピングするために、第一ミラー82の垂線に平行に基板テーブルWTを移動する。
【0081】
[0092] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジツールおよび/またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【0082】
[0093] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線(UV)放射(例えば、365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【0083】
[0094] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折および反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合わせを指す。
【0084】
[0095] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが認識される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形態をとることができる。
【0085】
[0096] 本発明の1つまたは複数の実施形態は、特に上述したタイプを含むが、それに限定されない任意の液浸リソグラフィ装置に、液浸液が浴槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるかにかかわらず適用することができる。本明細書で想定されるような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板および/または基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せでよい。これは、液体をこの空間に提供する1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口および/または1つまたは複数の液体出口の組合せを備えてよい。ある実施形態では、空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部であるか、空間の表面が、基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板および/または基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、さらに1つまたは複数の要素を含み、液体の位置、量、品質、形状、流量または任意の他の形体を制御してよい。
【0086】
[0097] 上記で言及した基板テーブルWTは、基本的形態では一般に「ミラーブロック」としても知られる。上記で言及した基板ホルダ2は、基本的形態では一般に「ピンプルプレート」としても知られる。
【0087】
[0098] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13