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特許 7196177出願番号 特願 2020-531212
処理液および処理方法
出願人 富士フイルム株式会社（識別番号 306037311）
2026年 特許公開件数ランキング 32位 467件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 11位 828件（※）
公報発行日 2022年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7196177 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
処理液および処理方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献１に記載された撮像装置を製造する際には、ＩｎＰ層に対するエッチング処理が必要となるが、同時に、エッチングストップ層として機能するＩｎＡｌＡｓ層に対する防食も必要となる。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者は、課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、所定の処理液によれば、ＩｎＰ層とＩｎＡｌＡｓ層とを含む積層体に適用した際に、ＩｎＰ層を選択的に除去でき、かつ、ＩｎＡｌＡｓ層に対するコロージョンが抑制できることを知得し、本発明を完成させた。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、ＩｎＰ層とＩｎＡｌＡｓ層とを含む積層体に適用した際に、ＩｎＰ層を選択的に除去でき、かつ、ＩｎＡｌＡｓ層に対するコロージョンが抑制された処理液および処理方法を提供できる。
本発明の処理液は、ＩｎＰ層に対するエッチングレートとＩｎＡｌＡｓ層に対するエッチングレートの比〔ＩｎＰ ＥＲ／ＩｎＡｌＡｓ ＥＲ〕が大きいので、ＩｎＰ層に対する選択性が高い。
また、本発明の処理液および処理方法によれば、ＩｎＡｌＡｓ層上の残渣物が少ない。
また、本発明の処理液および処理方法によれば、ＩｎＡｌＡｓ層上の表面粗さが小さい。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、撮像装置の一例の模式的な一部端面図である。
【図2】
図２は、撮像装置の製造方法の一例を説明するための光電変換層等の模式的な一部端面図である。
【図3】
図３は、撮像装置の製造方法の一例を説明するための光電変換層等の模式的な一部端面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０…受光素子
１１…受光素子と受光素子との間の領域
２０…光電変換層
２１…第１化合物半導体層
２１Ａ…第１化合物半導体層のＩｎＡｌＡｓ層
２１Ｂ…第１化合物半導体層のＩｎＰ層
２２…第２化合物半導体層
２３…第２化合物半導体層・除去領域
２４…ｐ－ＡｌＩｎＡｓ層
２５…パッシベーション層
２６…絶縁層
２７…コンタクト部
２８…反射防止膜
３１…第１電極
３２…第２電極
５０…駆動用基板
５１…接続部
５２…絶縁材料層
６０…成膜用基板
Ｌ１…受光素子１０の配列ピッチ
Ｌ４…隣接する受光素子の間の距離（隣接画素間の距離）
Ｔ１…第１化合物半導体層２１の厚さ
Ｔ２…第２化合物半導体層２２の厚さ
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