特許7196825IP Force 特許公報全文掲載

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シリコン基板表面の金属不純物分析方法に関し、特に全反射蛍光Ｘ線分析

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述のように、ウェーハ表面不純物のパーティクル状への形態変化における気相分解条件は、一般的にフッ化水素酸（ＨＦ水溶液）が用いられているものの、濃度や気相分解時間の最適値までは言及されていなかった。このため適切な気相分解が行われず、パーティクル状への形態変化が不十分となり、この結果、ばらつきの増大につながることが問題となることがわかった。特に、シリコンよりイオン化傾向の小さいＣｕのような元素はその傾向が顕著である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、目的を達成するためになされたものであり、シリコン基板表面の金属不純物を評価する方法であって、１０．０～１５．０質量％のフッ化水素と、１９．０～２３．０質量％の過酸化水素と、１．５～３．２質量％の塩化水素を含む酸混合溶液から発生する蒸気を、シリコン基板表面に１５～３０分間接触させて前記シリコン基板表面の気相分解を行い、前記気相分解後の前記シリコン基板表面の金属不純物を全反射蛍光Ｘ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上のように、本発明のシリコン基板表面の金属不純物評価方法によれば、位置精度の高い、高感度のＴＸＲＦ分析を行うことが可能となる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明に係る金属不純物評価方法における、気相分解処理の一例を示す。
【図2】 気相分解時間と気相分解前後のＣｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｕのＸ線強度増大比（Ｒａｔｉｏ）の関係を示す。
【図3】 気相分解時間とＴＸＲＦ検出下限値の関係を示す。
【図4】 比較例１及び比較例２における気相分解前後のＣｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｕのＸ線強度増大比（Ｒａｔｉｏ）を示す。
【図5】 比較例１及び比較例２における気相分解前のＴＸＲＦ検出下限値を示す。
【図6】 比較例１及び比較例２における気相分解後のＴＸＲＦ検出下限値を示す。
【図7】 比較例１～９、実施例１～３における気相分解前後のＸ線強度増大比（Ｒａｔｉｏ）を示す。
【図8】 比較例１～９、実施例１～３における気相分解前の各分析対象元素の検出下限値を示す。
【図9】 比較例１～９、実施例１～３における気相分解後の各分析対象元素の検出下限値を示す。
【図10】 ＴＸＲＦ法の原理図を示す。
【図11】 気相分解～乾燥過程におけるパーティクルへの形態変化の説明図を示す。
【図12】 気相分解－ＴＸＲＦ法のフロー図を示す。

代表図 図1本件の代表的な図

１…気相分解容器、 ２…薬液（混合酸溶液）、 ３…蒸気、 Ｗ…シリコン基板。

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