特許7197005IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、前述した従来の技術では、非対称リセス形成用の開口部の平面視の幅が、数１０ｎｍのオーダーと狭く、エッチング液が入りにくいという問題があった。この問題は、非対称リセス形成用の開口部の各々から入るエッチングの液の量の不均一を招き、各開口部の箇所からのエッチング量の均一性劣化をもたらす。また、十分な開口広さを有するゲート開口部からのエッチング速度に対し、非対称リセス形成用の開口部からのエッチング速度が遅くなり、非対称リセス構造とするための十分なエッチング量が実現できないという課題があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、半導体基板の上に、バッファ層、チャネル層、障壁層、キャリア供給層、オーミックキャップ層が形成された状態とする第１工程と、オーミックキャップ層の上に、互いに離間してソース電極およびドレイン電極を形成する第２工程と、オーミックキャップ層の上に、ソース電極およびドレイン電極の間に位置する絶縁層を形成する第３工程と、絶縁層に、ドレイン電極よりソース電極・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上説明したように、本発明によれば、ゲート幅方向に複数配列された短冊状の第１開口部と、隣り合う第１開口部を連結する第２開口部と、配列の端部の第１開口部の配列から離れる側に連結された第３開口部とを用いるようにしたので、電界効果型トランジスタの非対称リセス構造が、より高い設計自由度で、均一性良く形成できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 図１Ａは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1B】 図１Ｂは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1C】 図１Ｃは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1D】 図１Ｄは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1E】 図１Ｅは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す平面図である。
【図1F】 図１Ｆは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1G】 図１Ｇは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1H】 図１Ｈは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図1I】 図１Ｉは、本発明の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの製造における途中工程の状態を示す電界効果型トランジスタの断面図である。
【図2】 図２は、本発明の実施の形態に係る他の電界効果型トランジスタの構成を示す断面図である。
【図3】 図３は、本発明の実施の形態に係る他の電界効果型トランジスタの構成を示す平面図である。
【図4】 図４は、本発明の実施の形態に係る他の電界効果型トランジスタの構成を示す平面図である。
【図5】 図５は、本発明の実施の形態に係る他の電界効果型トランジスタの構成を示す平面図である。
【図6】 図６は、特許文献１に開示された電界効果型トランジスタの構成を示す断面図である。
１０１…半導体基板、１０２…バッファ層、１０３…チャネル層、１０４…障壁層、１０５…キャリア供給層、１０６…オーミックキャップ層、１０７…ソース電極、１０８…ドレイン電極、１０９…絶縁層、１１０…ゲート開口部、１１１ａ…第１開口部、１１１ｂ…第２開口部、１１１ｃ…第３開口部、１１２…リセス領域、１１３…上部絶縁層、１１３ａ…上部ゲート開口部、１１４…ゲート電極、１２１…パッシベーション層、１３１…リセス形成領域。

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