(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-01-13
(45)【発行日】2023-01-23
(54)【発明の名称】ドライエッチング方法、ドライエッチング装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230116BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2018240348
(22)【出願日】2018-12-21
(65)【公開番号】P2020102557
(43)【公開日】2020-07-02
【審査請求日】2021-10-04
(73)【特許権者】
【識別番号】000231464
【氏名又は名称】株式会社アルバック
(74)【代理人】
【識別番号】100141139
【弁理士】
【氏名又は名称】及川 周
(74)【代理人】
【識別番号】100134359
【弁理士】
【氏名又は名称】勝俣 智夫
(74)【代理人】
【識別番号】100192773
【弁理士】
【氏名又は名称】土屋 亮
(72)【発明者】
【氏名】長田 大和
【審査官】加藤 芳健
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１１－１５１２６３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング方法であって、前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する(c4)際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、(c5)
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであ(c6)る
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項2】
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換することを特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。
【請求項3】
前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれることを特徴とする請求項２記載のドライエッチング方法。
【請求項4】
前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられることを特徴とする請求項３記載のドライエッチング方法。
【請求項5】
処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドである
ことを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項6】
前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされることを特徴とする請求項５記載のドライエッチング装置。
【請求項7】
前記カセットが、前記基板を収納可能であることを特徴とする請求項６記載のドライエッチング装置。
【請求項8】
前記カセットが、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能であることを特徴とする請求項７記載のドライエッチング装置。
【請求項9】
前記処理空間は、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有することを特徴とする請求項５から８のいずれか記載のドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はドライエッチング方法、ドライエッチング装置に関し、特に異なる材質を連続的にドライエッチングする際に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、基板表面、または、基板上に成膜した層に対してプラズマエッチングによってドライエッチング処理をおこなうことがあった。
例えば、特許文献1に記載されるような容量結合型のエッチング装置が知られている。
また、特許文献２に記載されるようなエッチング装置が知られている。
例えば、特許文献1に記載されるような容量結合型のエッチング装置が知られている。
また、特許文献２に記載されるようなエッチング装置が知られている。
【0003】
これら特許文献１，２に記載されるように、被処理基板の周囲に、ガイドリングを配置して、エッチング特性を制御しようとすることが知られていた。
【0004】
また、基板上に異なる材質の複数層を成膜し、この基板をプラズマエッチングによって処理をおこなうことがあった（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１２－１６４７６６号公報
【文献】国際公開第２０１１／１５８４６９号
【文献】特開２０１２－２０４５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、複数種類の被処理層を積層した基板では、それぞれの層に対してガイドリングを最適化できていないという問題があった。
このため、被処理層の材質が異なる場合に、ガイドリングの材質を被処理層の材質に対応して最適化することにより、エッチング性能を大幅に改善したいという要求があった。
また、このようなガイドリングの最適化を、チャンバを大気開放することなく、実現したいという要求があった。
このため、被処理層の材質が異なる場合に、ガイドリングの材質を被処理層の材質に対応して最適化することにより、エッチング性能を大幅に改善したいという要求があった。
また、このようなガイドリングの最適化を、チャンバを大気開放することなく、実現したいという要求があった。
【0007】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．被処理層の材質に対応して、ガイドリングを最適化すること。
２．ガイドリングの最適化をチャンバを大気開放することなく可能とすること。
１．被処理層の材質に対応して、ガイドリングを最適化すること。
２．ガイドリングの最適化をチャンバを大気開放することなく可能とすること。
【課題を解決するための手段】
【0008】
プラズマエッチングにおいては、図６に実線で示すように、プラズマエッチングにおける副生成物は、基板の中心に比べて基板の周縁付近で、その分布が低下する。
また、図７に実線で示すように、エッチングにおけるエッチャントであるラジカル等は、基板の中心に比べて基板の周縁付近で、その分布が増大する。
この際、基板の表面と平行な方向において、処理の均一性を求められる場合がある。
また、図７に実線で示すように、エッチングにおけるエッチャントであるラジカル等は、基板の中心に比べて基板の周縁付近で、その分布が増大する。
この際、基板の表面と平行な方向において、処理の均一性を求められる場合がある。
【0009】
このため、図６に破線で示すように、基板全体が略均一な副生成物の分布を有し、図７に破線で示すように、ラジカルの分布を有するように、エッチング領域を基板の外側まで拡げることが考えられる。しかし、その場合、基板の外側位置がエッチングされてしまうため、これを防止するとともに、基板全面でのエッチング分布の均一性を担保するために、基板外側周囲に、ガイドリングを設ける。
なお、図６，図７において、ＧＲはガイドリング、Ｗは基板を示す。また、図６，図７において、それぞれの分布を高さで表すが、実線と破線とは説明のため異なる高さとして示した。
なお、図６，図７において、ＧＲはガイドリング、Ｗは基板を示す。また、図６，図７において、それぞれの分布を高さで表すが、実線と破線とは説明のため異なる高さとして示した。
【0010】
このようなガイドリングは、被処理層と異なる材質であり、多くは被処理層に比べて高いエッチング耐性を有する。また、ガイドリングは被処理層と異なる材質であるために、副生成物の分布およびラジカルの分布が、ガイドリングと被処理層とで異なる。このため、基板周縁部付近において、基板中心部とは異なる副生成物の分布およびラジカルの分布となる可能性があった。
【0011】
また、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性は、成膜空間（チャンバ）に露出した部分の影響を受けることが多い。
その中でも特に影響が大きいものとして、基板外周に位置してバイアスＲＦの印可される電極保護を目的としたガイドリングを挙げることができる。
その中でも特に影響が大きいものとして、基板外周に位置してバイアスＲＦの印可される電極保護を目的としたガイドリングを挙げることができる。
【0012】
ここで、ドライエッチングにおいて改善しようとする分布とは、エッチングレートの基板の表面と平行な方向における基板表面の位置における差や、エッチング後の基板の表面と平行な方向における基板の表面の位置における形状の差のバラツキを意味する。
また、ドライエッチングにおいて改善しようとするエッチング特性とは、被処理層に対するマスク層の選択比（Ｓｅｌ．）や、エッチング形状の基板の表面と平行な方向における基板表面の位置における差や、エッチング後の基板の表面と平行な方向における基板の表面の位置におけるダメージの差のバラツキを意味する。
また、ドライエッチングにおいて改善しようとするエッチング特性とは、被処理層に対するマスク層の選択比（Ｓｅｌ．）や、エッチング形状の基板の表面と平行な方向における基板表面の位置における差や、エッチング後の基板の表面と平行な方向における基板の表面の位置におけるダメージの差のバラツキを意味する。
【0013】
ガイドリングの材質は、被処理層のエッチングに対する影響が少なくなるように設定することが必要である。特に、被処理層の材質に対応して規定される差を鑑みてその材質を設定する。
【0014】
ガイドリングの材質選定基準として以下を提案する。
通常、ガイドリングの材質としてエッチングに耐性のあるものを使うことが多く、例えば、石英等が選択されることがある。
これに対して、本発明者らは、ガイドリングをプラズマ耐性の低い材質に変更することにより、
・ガイドリング材質とプラズマによる副生成物量の制御
・ガイドリングによる未消費エッチャント量の制御
の最適化が期待できることを見出した。
通常、ガイドリングの材質としてエッチングに耐性のあるものを使うことが多く、例えば、石英等が選択されることがある。
これに対して、本発明者らは、ガイドリングをプラズマ耐性の低い材質に変更することにより、
・ガイドリング材質とプラズマによる副生成物量の制御
・ガイドリングによる未消費エッチャント量の制御
の最適化が期待できることを見出した。
【0015】
さらに、複数種類の被処理層を積層した基板では、それぞれの被処理層に対応して、ガイドリングを交換することが好ましい。
本発明者らは、これらを鑑みて本発明を以下のように完成した。
本発明者らは、これらを鑑みて本発明を以下のように完成した。
【0016】
本発明のドライエッチング方法は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング方法であって、
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることにより上記課題を解決した。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換することができる。
本発明において、前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれることが好ましい。
本発明のドライエッチング方法は、それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択することが可能である。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであることができる。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることができる。
また、本発明において、前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられる手段を採用することもできる。
本発明のドライエッチング装置は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることができる。
本発明のドライエッチング装置は、前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされることができる。
また、本発明のドライエッチング装置は、前記カセットが、前記基板を収納可能であることができる。
本発明においては、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能であることができる。
本発明においては、前記処理空間は、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有することができる。
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることにより上記課題を解決した。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換することができる。
本発明において、前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれることが好ましい。
本発明のドライエッチング方法は、それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択することが可能である。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであることができる。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることができる。
また、本発明において、前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられる手段を採用することもできる。
本発明のドライエッチング装置は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることができる。
本発明のドライエッチング装置は、前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされることができる。
また、本発明のドライエッチング装置は、前記カセットが、前記基板を収納可能であることができる。
本発明においては、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能であることができる。
本発明においては、前記処理空間は、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有することができる。
【0017】
本発明のドライエッチング方法は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング方法であって、
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択する。これにより、ドライエッチングにおいて、処理の感度が異なる材質を有する被処理層に対応して、被処理層の周囲に配置されるガイドリングを選択することにより、エッチングをおこなうラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる被処理層が積層された基板に対するドライエッチングにおいて、各層のエッチングを最適化することが可能となる。
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択する。これにより、ドライエッチングにおいて、処理の感度が異なる材質を有する被処理層に対応して、被処理層の周囲に配置されるガイドリングを選択することにより、エッチングをおこなうラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる被処理層が積層された基板に対するドライエッチングにおいて、各層のエッチングを最適化することが可能となる。
【0018】
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換する。これにより、処理の感度が異なる材質を有する被処理層に対応して、被処理層の周囲に配置されるガイドリングを交換することにより、エッチングをおこなうラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる被処理層が積層された基板に対するドライエッチングにおいて、各層のエッチングを最適化することが可能となる。
これにより、材質の異なる被処理層が積層された基板に対するドライエッチングにおいて、各層のエッチングを最適化することが可能となる。
【0019】
本発明において、前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれる。これにより、ガイドリングをIn-situにて交換することで、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応することが可能となり、できる大気開放に伴う基板への悪影響を回避することが可能となる。同時に、大気開放に伴うガイドリングへの悪影響を回避することが可能となる。これにより、エッチング処理特性が悪化することを防止できる。
【0020】
本発明のドライエッチング方法は、それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する。これにより、ガイドリングをエッチングプロセスごとに選択して、被処理層の材質に対応したガイドリングに交換することが可能となる。これにより、プロセスごとに被処理層の材質に対応して、分布、エッチング特性を最適化することが可能となる。
【0021】
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナである。これにより、ガイドリングをエッチングプロセスごとに選択して、被処理層の材質に対応したガイドリングに交換することが可能となる。これにより、プロセスごとに被処理層の材質に対応して、分布、エッチング特性を最適化することが可能となる。
【0022】
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドである。これにより、ガイドリングをエッチングプロセスごとに選択して、被処理層の材質に対応したガイドリングに交換することが可能となる。これにより、プロセスごとに被処理層の材質に対応して、分布、エッチング特性を最適化することが可能となる。
【0023】
また、本発明において、前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられる。これにより、複数種類が積層された被処理層に対応して、これらのエッチング処理を続けておこなう場合に、それぞれの被処理層に対応したガイドリングをエッチングのおこなわれる処理空間と密閉状態で連通する密閉空間の内部に位置する収納部から被処理基板の周りに搬入することができる。これにより、ガイドリングをIn-situにて交換することで、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応することが可能となり、できる大気開放に伴う基板への悪影響を回避することが可能となる。同時に、大気開放に伴うガイドリングへの悪影響を回避することが可能となる。これにより、エッチング処理特性が悪化することを防止できる。
【0024】
本発明のドライエッチング装置は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換する。これにより、プラズマエッチングをおこなう装置において、ガイドリングをIn-situにて交換することができる。また、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応したガイドリングを用いて副生成物やエッチング形状の分布などエッチング特性を被処理層に対応して最適化することが可能となる。
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換する。これにより、プラズマエッチングをおこなう装置において、ガイドリングをIn-situにて交換することができる。また、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応したガイドリングを用いて副生成物やエッチング形状の分布などエッチング特性を被処理層に対応して最適化することが可能となる。
【0025】
本発明のドライエッチング装置は、前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされる。これにより、基板の処理を開始する前に、複数の被処理層に対応した複数枚のガイドリングをカセットに収納した状態で、ドライエッチング装置の密閉空間に搬入することが可能となる。これにより、異なる被処理層へのエッチング処理を切り替える際に、ガイドリングをIn-situにて交換することが容易に可能となる。
また、密閉空間のみを外部に開放してカセットを交換することができる。これにより、エッチング処理中の基板を大気開放することなく、ガイドリングを交換することも可能となる。
また、密閉空間のみを外部に開放してカセットを交換することができる。これにより、エッチング処理中の基板を大気開放することなく、ガイドリングを交換することも可能となる。
【0026】
また、本発明のドライエッチング装置は、前記カセットが、前記基板を収納可能である。これにより、複数種類の被処理層が積層された基板と、これらの被処理層に対応した複数枚のガイドリングとが、収納されたカセットを同時にドライエッチング装置の密閉空間に搬入することが可能となる。これにより、異なる被処理層へのエッチング処理を切り替える際に、ガイドリングをIn-situにて交換することが容易に可能となる。
【0027】
本発明においては、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能である。これにより、カセットに収納されたガイドリングから基板へのパーティクルの付着などの汚染を低減することが可能となる。
【0028】
本発明においては、前記処理空間にはが、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有する。これにより、プラズマエッチング処理に対応したガイドリングを選択して、基板に積層された被処理層に対して、分布・エッチング特性を最適化したプラズマエッチング処理をおこなうことができる。
【発明の効果】
【0029】
本発明によれば、In-situにて被処理層に対して最適化したガイドリングを選択することで、エッチング処理の分布、特性を最適化することができるという効果を奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】本発明に係るドライエッチング装置の第１実施形態を示す模式平面図である。
【図2】本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態における基板を示す模式断面図である。
【図3】本発明に係るドライエッチング方法の第１実施形態を示すフローチャートである。
【図4】本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態を示す工程図である。
【図5】本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態を示す工程図である。
【図6】ドライエッチング方法における副生成物の分布を示す模式図である。
【図7】ドライエッチング方法におけるラジカル等の分布を示す模式図である。
【図8】本発明に係るドライエッチング装置の第２実施形態を示す模式平面図である。
【図9】本発明に係るドライエッチング装置の第３実施形態を示す模式平面図である。
【図10】本発明に係るドライエッチング装置の第４実施形態におけるカセットを示す模式正面図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す模式平面図である。図において、符号１０は、ドライエッチング装置である。
図１は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す模式平面図である。図において、符号１０は、ドライエッチング装置である。
【0032】
本実施形態に係るドライエッチング装置１０は、反応性イオンエッチング処理をおこなう装置とされる。
ドライエッチング装置１０は、図１に示すように、ドライエッチング室（処理空間）１１と、トランスファチャンバ（密閉空間）１２と、ロード／アンロード室１３とを有する。
ドライエッチング装置１０は、図１に示すように、ドライエッチング室（処理空間）１１と、トランスファチャンバ（密閉空間）１２と、ロード／アンロード室１３とを有する。
【0033】
ドライエッチング室１１は、例えば、プラズマ発生部によって、導入されたエッチングガスを電離して発生したプラズマによって、基板Ｗのドライエッチング処理をおこなうものとされる。ドライエッチング室１１は、密閉可能とされる。
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給部１１ａと、ドライエッチング室１１の内部を排気する排気部１１ｂと、基板Ｗを載置してエッチング処理可能とする基板保持部１１ｃと、プラズマ発生部と、が設けられる。プラズマ発生部は、図示しないプラズマ発生用電源と、基板Ｗにバイアス電位を印加可能な高周波電源１１ｄと、を有する。
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給部１１ａと、ドライエッチング室１１の内部を排気する排気部１１ｂと、基板Ｗを載置してエッチング処理可能とする基板保持部１１ｃと、プラズマ発生部と、が設けられる。プラズマ発生部は、図示しないプラズマ発生用電源と、基板Ｗにバイアス電位を印加可能な高周波電源１１ｄと、を有する。
【0034】
また、エッチングガス供給部１１ａは、エッチングガスに加えて、パージガス等のガスや、ドライエッチング室１１をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能とされてもよい。
基板保持部１１ｃは、エッチング処理時に基板Ｗを支持する。基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置には、基板Ｗ以外の電極部分となる基板保持部１１ｃをプラズマから保護するガイドリングＧＲが載置される。
ガイドリングＧＲは、基板Ｗの外周に位置して、基板保持部１１ｃを覆うように円環状の平板とされる。
基板保持部１１ｃは、エッチング処理時に基板Ｗを支持する。基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置には、基板Ｗ以外の電極部分となる基板保持部１１ｃをプラズマから保護するガイドリングＧＲが載置される。
ガイドリングＧＲは、基板Ｗの外周に位置して、基板保持部１１ｃを覆うように円環状の平板とされる。
【0035】
基板保持部１１ｃには、基板Ｗを上下動するホイスト１１ｃＷと、ガイドリングＧＲを上下動するホイスト１１ｃＧＲとが設けられる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。
【0036】
ホイスト１１ｃＷは、基板Ｗの下面に当接して、基板Ｗを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
【0037】
ホイスト１１ｃＧＲは、ガイドリングＧＲの下面に当接して、ガイドリングＧＲを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
【0038】
ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとは、図1に示すように、基板Ｗの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、同一の直線上に位置するように配置されている。
【0039】
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを基板保持部１１ｃの上に載置された基板Ｗに均一に供給するシャワープレートと、このシャワープレートに高周波を印加するプラズマ発生用電源を有していてもよい。
【0040】
ドライエッチング室１１は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ａによって、トランスファチャンバ１２と密閉可能に連結されている。ドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。
【0041】
トランスファチャンバ１２には、トランスファチャンバ１２の内部を排気する排気部１２ａが接続される。
トランスファチャンバ１２には、パージガス等のガスや、トランスファチャンバ１２をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
トランスファチャンバ１２には、パージガス等のガスや、トランスファチャンバ１２をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【0042】
トランスファチャンバ１２の内部には、複数枚の基板Ｗが載置可能とされるとともに、複数枚のガイドリングＧＲが載置可能とされる。
【0043】
トランスファチャンバ１２の内部には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂが配置されている。
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷ，１２ｂＧＲと、上下動装置とを有している。
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷ，１２ｂＧＲと、上下動装置とを有している。
【0044】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図1に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１２ｂは、被搬送物である基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。
【0045】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１の先端には、ロボットアーム１２ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１２ｂＷおよびロボットハンド１２ｂＧＲが設けられる。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。また、ロボットハンド１２ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。また、ロボットハンド１２ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。
【0046】
ロボットハンド１２ｂＷは、ホイスト１１ｃＷで上昇位置とされた基板Ｗを下側から支持して、基板Ｗをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
ロボットハンド１２ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
ロボットハンド１２ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
【0047】
ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、互いに逆向き、つまり、それぞれのなす角度が１８０°をなるように構成されている。
なお、ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、基板ＷとガイドリングＧＲとをそれぞれ支持して移動可能であれば、この構成に限定されることはない。
なお、ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、基板ＷとガイドリングＧＲとをそれぞれ支持して移動可能であれば、この構成に限定されることはない。
【0048】
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂがトランスファチャンバ１２の中央に位置して、複数枚の基板Ｗの収納部および複数枚のガイドリングＧＲの収納部が、それぞれ搬送装置（搬送ロボット）１２ｂの両側に位置している。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ａの正面に位置する。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ａの正面に位置する。
【0049】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲと、基板保持部１１ｃのホイスト１１ｃＧＲとは、ガイドリング交換部を構成している。
【0050】
トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｂによって、ロード／アンロード室１３と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。トランスファチャンバ１２は、密閉可能とされる。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ｂの正面に位置する。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ｂの正面に位置する。
【0051】
ロード／アンロード室１３は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｃによって、外部と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３は、外部と基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。ロード／アンロード室１３は、密閉可能とされる。
【0052】
図２は、本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板を示す模式断面図である。
本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板Ｗは、図２に示すように、異なる材質からなる複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が積層されている。これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、異なる材質からなるものであれば、基板Ｗの全面に積層されるか、あるいは、基板Ｗに対して部分的に積層されていることもできる。
本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板Ｗは、図２に示すように、異なる材質からなる複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が積層されている。これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、異なる材質からなるものであれば、基板Ｗの全面に積層されるか、あるいは、基板Ｗに対して部分的に積層されていることもできる。
【0053】
なお、基板Ｗは、シリコン基板、ＳｉＣ基板、窒化ガリウム基板、サファイア基板、砒化ガリウム基板、リン化インジウム基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板とされることができ、また、複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ、Ａｌ，Ｃｏ．Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＳｉＣ、Ｃ、ＧａＮ、ＡｌＮ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
さらに、これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応して、ガイドリングＧＲは、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｐｌ、Ｃ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
被処理層とガイドリングＧＲとの対応は、具体的には、ＡｌとＡｌ２Ｏ３、ＭｏとＰＩ、とすることができる。
さらに、これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応して、ガイドリングＧＲは、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｐｌ、Ｃ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
被処理層とガイドリングＧＲとの対応は、具体的には、ＡｌとＡｌ２Ｏ３、ＭｏとＰＩ、とすることができる。
【0054】
以下、本実施形態におけるドライエッチング方法を図面に基づいて説明する。
【0055】
図３は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示すフローチャートである。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。
【0056】
図４は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示す工程図である。図５は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示す工程図である。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、まず、図３に示す前処理工程Ｓ００として、基板Ｗに複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を積層する。さらに、前処理工程Ｓ００においては、レジスト等を積層して、パターン形成することなどもできる。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、まず、図３に示す前処理工程Ｓ００として、基板Ｗに複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を積層する。さらに、前処理工程Ｓ００においては、レジスト等を積層して、パターン形成することなどもできる。
【0057】
【0058】
図３に示すガイドリング準備工程Ｓ０２においては、図１に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３にガイドリングＧＲを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置に複数枚のガイドリングＧＲを準備する。
ここで、複数枚のガイドリングＧＲの材質は、基板Ｗに積層された複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の材質に対応して、エッチング処理における分布およびエッチング特性を最適化するように選択される。
ここで、複数枚のガイドリングＧＲの材質は、基板Ｗに積層された複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の材質に対応して、エッチング処理における分布およびエッチング特性を最適化するように選択される。
【0059】
次いで、図３に示すガイドリング搬入工程Ｓ０３においては、図１に示す密閉部１５ｃを開放して、ガイドリング準備工程Ｓ０２において準備した複数枚のガイドリングＧＲをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚のガイドリングＧＲの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを用いる。
複数枚のガイドリングＧＲの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚のガイドリングＧＲの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを用いる。
複数枚のガイドリングＧＲの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
【0060】
次いで、図３に示す基板搬入工程Ｓ０４においては、図１に示す密閉部１５ｃを開放して、基板準備工程Ｓ０１において準備した複数枚の基板Ｗをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚の基板Ｗの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを用いる。
複数枚の基板Ｗの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚の基板Ｗの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを用いる。
複数枚の基板Ｗの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
【0061】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0062】
ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ａ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0063】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｂ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0064】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｃ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0065】
次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置した複数枚の基板Ｗから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0066】
基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
【0067】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。
【0068】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に移動する。
【0069】
【0070】
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、最上層である被処理層Ｗ３がエッチングされる。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、最上層である被処理層Ｗ３がエッチングされる。
【0071】
このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ３のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ３のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
【0072】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ３のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
【0073】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0074】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側で外周外側まで到達する位置に移動する。
【0075】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
【0076】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、被処理層Ｗ２のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0077】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0078】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0079】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0080】
【0081】
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、２番目の層である被処理層Ｗ２がエッチングされる。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、２番目の層である被処理層Ｗ２がエッチングされる。
【0082】
このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ２のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ２のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
なお、被処理層Ｗ２のエッチング条件は、被処理層Ｗ３のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
なお、被処理層Ｗ２のエッチング条件は、被処理層Ｗ３のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
【0083】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ２のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
【0084】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0085】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0086】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
【0087】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１５とは異なり、被処理層Ｗ１のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0088】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0089】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0090】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0091】
【0092】
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、３番目の層である被処理層Ｗ１がエッチングされる。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、３番目の層である被処理層Ｗ１がエッチングされる。
【0093】
このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ１のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ１のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
なお、被処理層Ｗ１のエッチング条件は、被処理層Ｗ３および被処理層Ｗ２のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ１のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
なお、被処理層Ｗ１のエッチング条件は、被処理層Ｗ３および被処理層Ｗ２のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ１のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
【0094】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ１のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
【0095】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0096】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0097】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
【0098】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１と同様に、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。
【0099】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0100】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0101】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0102】
次いで、図３に示す基板取り出し工程Ｓ１６においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングが終了した基板Ｗをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
【0103】
基板取り出し工程Ｓ１６においては、図５（ｆ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に基板Ｗを上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。
【0104】
次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側に移動する。
【0105】
次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置された処理済みの基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置された処理済みの基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に移動する。
【0106】
次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置した複数枚の基板Ｗから新たに未処理の一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0107】
基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
【0108】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。
【0109】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に移動する。
【0110】
さらに、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、同様にして、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングをおこなう。
【0111】
次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５、基板取り出し工程Ｓ１６を繰り返して、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置した複数の基板Ｗに対する全ての処理を終了する。
【0112】
このとき、エッチング処理の終了した全ての基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置しておく。
なお、全ての基板Ｗでエッチング処理が終了した際には、ガイドリングセット工程Ｓ１５による次のガイドリングＧＲのドライエッチング室１１への移動をおこなわないことが好ましい。
なお、全ての基板Ｗでエッチング処理が終了した際には、ガイドリングセット工程Ｓ１５による次のガイドリングＧＲのドライエッチング室１１への移動をおこなわないことが好ましい。
【0113】
同様に、基板Ｗに対する全ての処理が終了したら、全てのガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置しておく。
全ての基板Ｗと全てのガイドリングを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）およびガイドリング載置位置（収納部）に載置したら、密閉部１５ａを閉塞しておく。
全ての基板Ｗと全てのガイドリングを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）およびガイドリング載置位置（収納部）に載置したら、密閉部１５ａを閉塞しておく。
【0114】
次いで、図３に示す基板搬出工程Ｓ２１として、処理の終了した全ての基板Ｗをトランスファチャンバ１２から取り出す。
【0115】
基板搬出工程Ｓ２１においては、図１に示す密閉部１５ｂを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、処理の終了した複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）からロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚の基板Ｗを外部に搬出する。
複数枚の基板Ｗを外部に搬出したら、密閉部１５ｃを閉塞しておく。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚の基板Ｗを外部に搬出する。
複数枚の基板Ｗを外部に搬出したら、密閉部１５ｃを閉塞しておく。
【0116】
次いで、図３に示すガイドリング搬出工程Ｓ２２として、処理の終了した全てのガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２から取り出す。
【0117】
ガイドリング搬出工程Ｓ２２においては、図１に示す密閉部１５ｂを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、使用した複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）からロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚のガイドリングＧＲを外部に搬出する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚のガイドリングＧＲを外部に搬出する。
【0118】
次いで、図３に示す後処理工程Ｓ２３として、ロード／アンロード室１３の外側において、必要な処理を基板Ｗに施す。
後処理工程Ｓ２３における処理としては、洗浄、アッシング等の表面処理を挙げることができる。
後処理工程Ｓ２３における処理としては、洗浄、アッシング等の表面処理を挙げることができる。
【0119】
以上により、本実施形態におけるドライエッチング方法を終了する。
【0120】
本実施形態におけるドライエッチング装置１０によるドライエッチング方法においては、処理の感度が異なる材質を有する複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１にそれぞれ対応して、ドライエッチングの途中で異なるガイドリングＧＲを選択して、In-situにてガイドリングＧＲを交換して切り替えることにより、エッチングをおこなう複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１に対応してラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１が積層された基板Ｗに対するドライエッチングにおいて、各被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングを最適化することが可能となる。
これにより、材質の異なる複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１が積層された基板Ｗに対するドライエッチングにおいて、各被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングを最適化することが可能となる。
【0121】
以下、本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図８は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す平面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、ガイドリング交換部に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
図８は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す平面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、ガイドリング交換部に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
【0122】
本実施形態におけるトランスファチャンバ１２には、図８に示すように、基板Ｗを搬送する搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと、ガイドリングＧＲを搬送する搬送装置（搬送ロボット）１８ｂと、が配置される。
【0123】
本実施形態の搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、図８に示すように、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷと、上下動装置とを有している。
【0124】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図８に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１２ｂは、被搬送物である基板Ｗを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。
【0125】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１の先端には、ロボットアーム１２ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１２ｂＷが設けられる。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。
【0126】
ロボットハンド１２ｂＷは、ホイスト１１ｃＷで上昇位置とされた基板Ｗを下側から支持して、基板Ｗをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
【0127】
本実施形態の搬送装置（搬送ロボット）１８ｂは、図８に示すように、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１８ｂ１と、ロボットアーム１８ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１８ｂＧＲと、上下動装置とを有している。
【0128】
搬送装置（搬送ロボット）１８ｂにおいて、ロボットアーム１８ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図８に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１８ｂは、被搬送物であるガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１８ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。
【0129】
搬送装置（搬送ロボット）１８ｂにおいて、ロボットアーム１８ｂ１の先端には、ロボットアーム１８ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１８ｂＧＲが設けられる。
ロボットハンド１８ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。
ロボットハンド１８ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。
【0130】
ロボットハンド１８ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
【0131】
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとがトランスファチャンバ１２の略中央に位置している。トランスファチャンバ１２の内部においては、複数枚の基板Ｗの収納部が搬送装置（搬送ロボット）１２ｂ側に位置する。トランスファチャンバ１２の内部においては、複数枚のガイドリングＧＲの収納部が、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂ側に位置している。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとが、密閉部１５ａの正面の両側に位置する。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとが、密閉部１５ａの正面の両側に位置する。
【0132】
本実施形態のドライエッチング室１１には、図８に示すように、第１実施形態と同様に、基板保持部１１ｃが設けられる。
【0133】
本実施形態の基板保持部１１ｃにも、基板Ｗを上下動するホイスト１１ｃＷと、ガイドリングＧＲを上下動するホイスト１１ｃＧＲとが設けられる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。
【0134】
ホイスト１１ｃＷは、基板Ｗの下面に当接して、基板Ｗを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
【0135】
ホイスト１１ｃＧＲは、ガイドリングＧＲの下面に当接して、ガイドリングＧＲを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
【0136】
ホイスト１１ｃＷは、図８に示すように、基板Ｗの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおけるロボットアーム１２ｂ１の駆動中心へ引いた直線上、および、この直線に対して、基板保持部１１ｃの中心角が１２０°をなす直線上とに位置するように配置されている。
【0137】
ホイスト１１ｃＧＲは、図８に示すように、ガイドリングＧＲの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂにおけるロボットアーム１８ｂ１の駆動中心へ引いた直線上、および、この直線に対して、基板保持部１１ｃの中心角が１２０°をなす直線上とに位置するように配置されている。
【0138】
本実施形態においては、トランスファチャンバ１２の内部における、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとの配置に対応して、ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとが、基板保持部１１ｃの中心に対して、周方向に互いにずれた位置に配置される。
【0139】
搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲと、基板保持部１１ｃのホイスト１１ｃＧＲとは、ガイドリング交換部を構成している。
【0140】
以下、本実施形態におけるドライエッチング方法を図面に基づいて説明する。
なお、第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
なお、第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
【0141】
図３に示した第1実施形態と同様に、本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。
【0142】
図３に示したガイドリング搬入工程Ｓ０３においては、図８に示す密閉部１５ｃを開放して、ガイドリング準備工程Ｓ０２において準備した複数枚のガイドリングＧＲをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚のガイドリングＧＲの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを用いる。
複数枚のガイドリングＧＲの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚のガイドリングＧＲの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを用いる。
複数枚のガイドリングＧＲの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
【0143】
次いで、図３に示す基板搬入工程Ｓ０４においては、図８に示す密閉部１５ｃを開放して、基板準備工程Ｓ０１において準備した複数枚の基板Ｗをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚の基板Ｗの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを用いる。
複数枚の基板Ｗの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚の基板Ｗの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを用いる。
複数枚の基板Ｗの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
【0144】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図８に示す密閉部１５ａを開放して、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0145】
ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ａ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0146】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｂ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0147】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｃ）に対応して、ロボットハンド１８ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0148】
基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｄ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
【0149】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に対応して、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。
【0150】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に対応して、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に移動する。
【0151】
被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了した後、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に、ガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ３のエッチングに対応するガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0152】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側で外周外側まで到達する位置に移動する。
【0153】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
【0154】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図８に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、被処理層Ｗ２のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによってドライエッチング室１１に搬入する。
【0155】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0156】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0157】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に対応して、ロボットハンド１８ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0158】
被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了した後、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図８に示す密閉部１５ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ２のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
【0159】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0160】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側で外周外側まで到達する位置に移動する。
【0161】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
【0162】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図８に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１５とは異なり、被処理層Ｗ１のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによってドライエッチング室１１に搬入する。
【0163】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0164】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0165】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に対応して、ロボットハンド１８ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0166】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図８に示す密閉部１５ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ１のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
【0167】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0168】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0169】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。
【0170】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図８に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１と同様に、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによってドライエッチング室１１に搬入する。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。
【0171】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0172】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0173】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に対応して、ロボットハンド１８ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。
【0174】
ガイドリング搬出工程Ｓ２２においては、図８に示す密閉部１５ｂを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、使用した複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）からロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚のガイドリングＧＲを外部に搬出する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚のガイドリングＧＲを外部に搬出する。
【0175】
本実施形態におけるドライエッチング装置１０によるドライエッチング方法においては、上述した第１実施形態と同等の効果を奏することができる。
さらに、本実施形態においては、トランスファチャンバ１２の内部における、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとの配置に対応して、ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとが、基板保持部１１ｃの中心に対して、周方向に互いにずれた位置に配置されている。これにより、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷがホイスト１１ｃＧＲに干渉することがない。同時に、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１２ｂＧＲがホイスト１１ｃＷに干渉することがない。
さらに、本実施形態においては、トランスファチャンバ１２の内部における、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとの配置に対応して、ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとが、基板保持部１１ｃの中心に対して、周方向に互いにずれた位置に配置されている。これにより、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷがホイスト１１ｃＧＲに干渉することがない。同時に、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１２ｂＧＲがホイスト１１ｃＷに干渉することがない。
【0176】
本実施形態においては、ガイドリングより基板側へのコンタミを防ぐことができるという効果を奏することができる。
【0177】
以下、本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
図９は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す模式平面図である。図１０は、本実施形態におけるカセットを示す模式正面図である。
本実施形態において上述した第１および第２実施形態と異なるのはカセットに関する点である。
図９は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す模式平面図である。図１０は、本実施形態におけるカセットを示す模式正面図である。
本実施形態において上述した第１および第２実施形態と異なるのはカセットに関する点である。
【0178】
本実施形態においては、基板ＷおよびガイドリングＧＲは、カセットＣに収納されて、ドライエッチング装置１０に搬入および搬出される。
【0179】
本実施形態に係るドライエッチング装置１０は、反応性イオンエッチング処理をおこなう装置とされる。
ドライエッチング装置１０は、図１に示すように、ドライエッチング室（処理空間）１１と、トランスファチャンバ（密閉空間）１２と、ロード／アンロード室１３とを有する。
ドライエッチング装置１０は、図１に示すように、ドライエッチング室（処理空間）１１と、トランスファチャンバ（密閉空間）１２と、ロード／アンロード室１３とを有する。
【0180】
ドライエッチング室１１は、例えば、プラズマ発生部によって、導入されたエッチングガスを電離して発生したプラズマによって、基板Ｗのドライエッチング処理をおこなうものとされる。ドライエッチング室１１は、密閉可能とされる。
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給部１１ａと、ドライエッチング室１１の内部を排気する排気部１１ｂと、基板Ｗを載置してエッチング処理可能とする基板保持部１１ｃと、プラズマ発生部と、が設けられる。プラズマ発生部は、図示しないプラズマ発生用電源と、基板Ｗにバイアス電位を印加可能な高周波電源１１ｄと、を有する。
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給部１１ａと、ドライエッチング室１１の内部を排気する排気部１１ｂと、基板Ｗを載置してエッチング処理可能とする基板保持部１１ｃと、プラズマ発生部と、が設けられる。プラズマ発生部は、図示しないプラズマ発生用電源と、基板Ｗにバイアス電位を印加可能な高周波電源１１ｄと、を有する。
【0181】
また、エッチングガス供給部１１ａは、エッチングガスに加えて、パージガス等のガスや、ドライエッチング室１１をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能とされてもよい。
基板保持部１１ｃは、エッチング処理時に基板Ｗを支持する。基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置には、基板Ｗ以外の電極部分となる基板保持部１１ｃをプラズマから保護するガイドリングＧＲが載置される。
ガイドリングＧＲは、基板Ｗの外周に位置して、基板保持部１１ｃを覆うように円環状の平板とされる。
基板保持部１１ｃは、エッチング処理時に基板Ｗを支持する。基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置には、基板Ｗ以外の電極部分となる基板保持部１１ｃをプラズマから保護するガイドリングＧＲが載置される。
ガイドリングＧＲは、基板Ｗの外周に位置して、基板保持部１１ｃを覆うように円環状の平板とされる。
【0182】
基板保持部１１ｃには、基板Ｗを上下動するホイスト１１ｃＷと、ガイドリングＧＲを上下動するホイスト１１ｃＧＲとが設けられる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。
【0183】
ホイスト１１ｃＷは、基板Ｗの下面に当接して、基板Ｗを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
【0184】
ホイスト１１ｃＧＲは、ガイドリングＧＲの下面に当接して、ガイドリングＧＲを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。
【0185】
ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとは、図９に示すように、基板Ｗの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、同一の直線上に位置するように配置されている。
【0186】
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを基板保持部１１ｃの上に載置された基板Ｗに均一に供給するシャワープレートと、このシャワープレートに高周波を印加するプラズマ発生用電源を有していてもよい。
【0187】
ドライエッチング室１１は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ａによって、トランスファチャンバ１２と密閉可能に連結されている。ドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。
【0188】
トランスファチャンバ１２には、トランスファチャンバ１２の内部を排気する排気部１２ａが接続される。
トランスファチャンバ１２には、パージガス等のガスや、トランスファチャンバ１２をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
トランスファチャンバ１２には、パージガス等のガスや、トランスファチャンバ１２をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【0189】
本実施形態のドライエッチング装置１０においては、図９に示すように、トランスファチャンバ１２の内部に、複数枚の基板Ｗおよび複数枚のガイドリングＧＲがカセットＣに収納されて載置可能とされる。
トランスファチャンバ１２には、図９に示すように、密閉部１５ｂの正面に収納部としてカセットＣが載置可能である。
トランスファチャンバ１２には、図９に示すように、密閉部１５ｂの正面に収納部としてカセットＣが載置可能である。
【0190】
トランスファチャンバ１２の内部には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂが配置されている。
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷ，１２ｂＧＲと、上下動装置とを有している。
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷ，１２ｂＧＲと、上下動装置とを有している。
【0191】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図９に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１２ｂは、被搬送物である基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。
【0192】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１の先端には、ロボットアーム１２ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１２ｂＷおよびロボットハンド１２ｂＧＲが設けられる。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。また、ロボットハンド１２ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。また、ロボットハンド１２ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。
【0193】
ロボットハンド１２ｂＷは、ホイスト１１ｃＷで上昇位置とされた基板Ｗを下側から支持して、基板Ｗをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
ロボットハンド１２ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
ロボットハンド１２ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
【0194】
ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、互いに逆向き、つまり、それぞれのなす角度が１８０°をなるように構成されている。
なお、ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、基板ＷとガイドリングＧＲとをそれぞれ支持して移動可能であれば、この構成に限定されることはない。
なお、ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、基板ＷとガイドリングＧＲとをそれぞれ支持して移動可能であれば、この構成に限定されることはない。
【0195】
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂがトランスファチャンバ１２の中央に位置して、複数枚の基板Ｗの収納部および複数枚のガイドリングＧＲの収納部が、それぞれ搬送装置（搬送ロボット）１２ｂの両側に位置している。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ａの正面に位置する。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ａの正面に位置する。
【0196】
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲと、基板保持部１１ｃのホイスト１１ｃＧＲとは、ガイドリング交換部を構成している。
【0197】
トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｂによって、ロード／アンロード室１３と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。トランスファチャンバ１２は、密閉可能とされる。
【0198】
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ｂの正面に位置する。
【0199】
トランスファチャンバ１２においては、図９に示すように、密閉部１５ｂと密閉部１５ａとが対向する位置に配置される。トランスファチャンバ１２においては、密閉部１５ｂと密閉部１５ａとの間に収納部としてのカセットＣが載置される位置、および、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂが配置される。
【0200】
したがって、トランスファチャンバ１２においては、図９に示すように、密閉部１５ｂ、収納部としてのカセットＣの載置位置、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂ、密閉部１５ａの順に並んで配置される。
【0201】
トランスファチャンバ１２には、後述するロード／アンロード室１３のカセット移動部１１ｆと協働して、ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２との間でカセットＣを移動するカセット移動部１２ｆが設けられる。
【0202】
ロード／アンロード室１３は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｃによって、外部と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３は、外部と基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。ロード／アンロード室１３は、密閉可能とされる。
【0203】
ロード／アンロード室１３には、後述するトランスファチャンバ１２のカセット移動部１２ｆと協働して、ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２との間でカセットＣを移動するカセット移動部１３ｆが設けられる。
【0204】
カセット移動部１３ｆ，１２ｆは、密閉部１５ａが開放されている状態でロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２との間でカセットＣを移動可能とされる。
カセット移動部１３ｆおよびカセット移動部１２ｆは、ガイドリング交換部の一部を構成する。
カセット移動部１３ｆおよびカセット移動部１２ｆは、ガイドリング交換部の一部を構成する。
【0205】
図２は、本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板を示す模式断面図である。
本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板Ｗは、図２に示すように、異なる材質からなる複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が積層されている。これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、異なる材質からなるものであれば、基板Ｗの全面に積層されるか、あるいは、基板Ｗに対して部分的に積層されていることもできる。
本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板Ｗは、図２に示すように、異なる材質からなる複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が積層されている。これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、異なる材質からなるものであれば、基板Ｗの全面に積層されるか、あるいは、基板Ｗに対して部分的に積層されていることもできる。
【0206】
なお、基板Ｗは、シリコン基板、ＳｉＣ基板、ニオブ酸リチウム基板、サファイア基板、砒化ガリウム基板、リン化インジウム基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板のいずれかとされることができ、また、複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ、Ａｌ，Ｃｏ．Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＳｉＣ、Ｃ、ＧａＮ、ＡｌＮ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
さらに、これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応して、ガイドリングＧＲは、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｐｌ、Ｃ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
被処理層と、ガイドリングＧＲとの対応は、具体的には、ＡｌとＡｌ２Ｏ３、ＭｏとＰＩとすることができる。
さらに、これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応して、ガイドリングＧＲは、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｐｌ、Ｃ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
被処理層と、ガイドリングＧＲとの対応は、具体的には、ＡｌとＡｌ２Ｏ３、ＭｏとＰＩとすることができる。
【0207】
本実施形態のカセットＣは、複数枚の基板Ｗを収納する基板収納部ＣＷと、複数枚のガイドリングＧＲを収納するガイドリング収納部ＣＧＲとを有する。
カセットＣにおいては、基板収納部ＣＷがガイドリング収納部ＣＧＲの上部に配置されている。
カセットＣにおいては、基板収納部ＣＷがガイドリング収納部ＣＧＲの上部に配置されている。
【0208】
基板収納部ＣＷとガイドリング収納部ＣＧＲとは、収納する基板ＷおよびガイドリングＧＲの径方向寸法に対応して、基板収納部ＣＷに比べて、ガイドリング収納部ＣＧＲが大きな水平方向寸法を有する。
したがって、カセットＣは、上側部分に比べて、下側部分が大きな幅寸法を有する。
したがって、カセットＣは、上側部分に比べて、下側部分が大きな幅寸法を有する。
【0209】
基板収納部ＣＷとガイドリング収納部ＣＧＲとは、同一側となる側壁が開口されており、 基板収納部ＣＷの底部とガイドリング収納部ＣＧＲの天井部とは隔離されている。
【0210】
基板収納部ＣＷは、略箱形とされる。基板収納部ＣＷの側壁部分には、複数枚の基板Ｗを表面が水平な状態として、かつ、互いに等しい間隔で平行に離間する状態として支持可能とする基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１が上下方向に複数設けられる。
【0211】
ガイドリング収納部ＣＧＲは、略箱形とされる。ガイドリング収納部ＣＧＲの側壁部分には、複数枚のガイドリングＧＲを表面が水平な状態として、かつ、互いに等しい間隔で平行に離間する状態として支持可能とするガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１が上下方向に複数設けられる。
【0212】
以下、本実施形態におけるドライエッチング方法を図面に基づいて説明する。
【0213】
図３は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示すフローチャートである。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。
【0214】
図４は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示す工程図である。図５は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示す工程図である。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、まず、図３に示す前処理工程Ｓ００として、基板Ｗに複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を積層する。さらに、前処理工程Ｓ００においては、レジスト等を積層して、パターン形成することなどもできる。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、まず、図３に示す前処理工程Ｓ００として、基板Ｗに複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を積層する。さらに、前処理工程Ｓ００においては、レジスト等を積層して、パターン形成することなどもできる。
【0215】
図３に示す基板準備工程Ｓ０１においては、図９に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３に基板Ｗを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置において、図１０に示すカセットＣの基板収納部ＣＷに複数枚の基板Ｗを収納する。この際、基板Ｗの縁部が、基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１に載置される。
【0216】
図３に示すガイドリング準備工程Ｓ０２においては、図９に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３にガイドリングＧＲを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置において、図１０に示すカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに複数枚のガイドリングＧＲを収納する。この際、ガイドリングＧＲの縁部が、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１に載置される。
【0217】
ここで、複数枚のガイドリングＧＲの材質は、基板Ｗに積層された複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の材質に対応して、エッチング処理における分布およびエッチング特性を最適化するように選択される。
【0218】
また、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいては、エッチング処理をおこなう複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応した順番となるように、ガイドリングＧＲの縁部を、上下方向に位置するガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置する。
【0219】
次いで、図３に示すガイドリング搬入工程Ｓ０３および基板搬入工程Ｓ０４においては、図１に示す密閉部１５ｃを開放して、基板準備工程Ｓ０１およびガイドリング準備工程Ｓ０２においてカセットＣに収納した複数枚の基板ＷおよびガイドリングＧＲをロード／アンロード室１３に搬入する。
【0220】
さらに、ガイドリング搬入工程Ｓ０３および基板搬入工程Ｓ０４においては、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、カセット移動部１１ｆ，１２ｆによって、基板ＷおよびガイドリングＧＲの収納されたカセットＣをトランスファチャンバ１２に搬入し、カセットＣをトランスファチャンバ１２の基板載置位置およびガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
カセットＣの収納部への載置が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
カセットＣの収納部への載置が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。
【0221】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図９に示す密閉部１５ａを開放して、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0222】
ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、一番上にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図４（ａ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
その後、図４（ａ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0223】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｂ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0224】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｃ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に載置する。
【0225】
次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚の基板Ｗから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0226】
基板セット工程Ｓ１２においては、カセットＣの基板収納部ＣＷにおいて、基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１にそれぞれ載置した基板Ｗのうち、所定箇所にある一枚を選択し、この基板Ｗの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＷに基板Ｗを載置する。
その後、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
その後、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
【0227】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。
【0228】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に載置する。
【0229】
【0230】
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、最上層である被処理層Ｗ３がエッチングされる。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、最上層である被処理層Ｗ３がエッチングされる。
【0231】
このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ３のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ３のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
【0232】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図９に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ３のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
【0233】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0234】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側で外周外側まで到達する位置に移動する。
【0235】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。
【0236】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、ガイドリング収納部ＣＧＲの２番目に収納されている被処理層Ｗ２のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0237】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、２番目にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0238】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0239】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に載置する。
【0240】
【0241】
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、２番目の層である被処理層Ｗ２がエッチングされる。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、２番目の層である被処理層Ｗ２がエッチングされる。
【0242】
このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ２のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ２のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
なお、被処理層Ｗ２のエッチング条件は、被処理層Ｗ３のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
なお、被処理層Ｗ２のエッチング条件は、被処理層Ｗ３のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
【0243】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ２のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣに収納する。
【0244】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0245】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0246】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。
【0247】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、ガイドリング収納部ＣＧＲの３番目に収納されている被処理層Ｗ１のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0248】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、３番目にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0249】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0250】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に載置する。
【0251】
【0252】
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、３番目の層である被処理層Ｗ１がエッチングされる。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、３番目の層である被処理層Ｗ１がエッチングされる。
【0253】
このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ１のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ１のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
なお、被処理層Ｗ１のエッチング条件は、被処理層Ｗ３および被処理層Ｗ２のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ１のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
なお、被処理層Ｗ１のエッチング条件は、被処理層Ｗ３および被処理層Ｗ２のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ１のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。
【0254】
次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ１のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣに収納する。
【0255】
ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0256】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0257】
次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。
【0258】
次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１と同様に、ガイドリング収納部ＣＧＲの１番目に収納されている被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。
【0259】
ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、１番目にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。
【0260】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。
【0261】
次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に載置する。
【0262】
次いで、図３に示す基板取り出し工程Ｓ１６においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングが終了した基板Ｗをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣに収納する。
【0263】
基板取り出し工程Ｓ１６においては、図５（ｆ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に基板Ｗを上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。
【0264】
次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側に移動する。
【0265】
次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置された処理済みの基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣの基板収納部ＣＷに収納する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置された処理済みの基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣの基板収納部ＣＷに収納する。
【0266】
次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚の基板Ｗから、新たに未処理の一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
【0267】
基板セット工程Ｓ１２においては、カセットＣの基板収納部ＣＷにおいて、基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１にそれぞれ載置した基板Ｗのうち、所定箇所にある一枚を選択し、この基板Ｗの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＷに基板Ｗを載置する。
その後、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
その後、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。
【0268】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって支持される。
【0269】
次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に載置する。
【0270】
さらに、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、同様にして、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングをおこなう。
【0271】
次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５、基板取り出し工程Ｓ１６を繰り返して、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数の基板Ｗに対する全ての処理を終了する。
【0272】
このとき、エッチング処理の終了した全ての基板Ｗは、トランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納しておく。
なお、全ての基板Ｗでエッチング処理が終了した際には、ガイドリングセット工程Ｓ１５による次のガイドリングＧＲを、カセットＣからのドライエッチング室１１へ移動しないことが好ましい。
なお、全ての基板Ｗでエッチング処理が終了した際には、ガイドリングセット工程Ｓ１５による次のガイドリングＧＲを、カセットＣからのドライエッチング室１１へ移動しないことが好ましい。
【0273】
同様に、基板Ｗに対する全ての処理が終了したら、全てのガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納しておく。
全ての基板Ｗと全てのガイドリングを、トランスファチャンバ１２収納部に載置したカセットＣに収納した後に、密閉部１５ａを閉塞しておく。
全ての基板Ｗと全てのガイドリングを、トランスファチャンバ１２収納部に載置したカセットＣに収納した後に、密閉部１５ａを閉塞しておく。
【0274】
次いで、図３に示す基板搬出工程Ｓ２１およびガイドリング搬出工程Ｓ２２として、処理の終了した全ての基板ＷとガイドリングＧＲとをトランスファチャンバ１２から取り出す。
【0275】
基板搬出工程Ｓ２１およびガイドリング搬出工程Ｓ２２においては、図９に示す密閉部１５ｂを開放して、カセット移動部１１ｆ，１２ｆによって、処理の終了した全ての基板ＷとガイドリングＧＲとの収納されたカセットＣを、トランスファチャンバ１２の収納部からロード／アンロード室１３に搬出する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、カセットＣを外部に搬出する。
複数枚の基板ＷとガイドリングＧＲとの収納されたカセットＣを外部に搬出したら、密閉部１５ｃを閉塞しておく。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、カセットＣを外部に搬出する。
複数枚の基板ＷとガイドリングＧＲとの収納されたカセットＣを外部に搬出したら、密閉部１５ｃを閉塞しておく。
【0276】
次いで、図３に示す後処理工程Ｓ２３として、ロード／アンロード室１３の外側において、必要な処理を基板Ｗに施す。
後処理工程Ｓ２３における処理としては、洗浄、アッシング等の表面処理を挙げることができる。
後処理工程Ｓ２３における処理としては、洗浄、アッシング等の表面処理を挙げることができる。
【0277】
以上により、本実施形態におけるドライエッチング方法を終了する。
【0278】
本実施形態におけるドライエッチング装置１０によるドライエッチング方法においては、処理の感度が異なる材質を有する複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１にそれぞれ対応して、ドライエッチングの途中で異なるガイドリングＧＲを選択して、In-situにてガイドリングＧＲを交換して切り替えることにより、エッチングをおこなう複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１に対応してラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
【0279】
これにより、材質の異なる複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１が積層された基板Ｗに対するドライエッチングにおいて、各被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングを最適化することが可能となる。
【0280】
また、本実施形態においては、上述するカセットＣを用いることにより、収納したガイドリングＧＲから基板Ｗに対するパーティクル等による汚染発生を防止することができる。同時に、カセットＣを交換することで、タクトタイムを短縮することが可能となる。
【0281】
さらに、本実施形態においては、装置価格を安価に抑えることができるという効果を奏することができる。
【0282】
さらに、本実施形態においては、基板ＷとガイドリングＧＲとを別のカセットによって搬入・搬出することも可能である。または、基板ＷとガイドリングＧＲとのどちらかのみをカセットによって搬入・搬出することも可能である。
【0283】
なお、本発明においては、上記の各実施形態におけるそれぞれの構成を一部、あるいは適宜組み合わせて実施することも可能である。
【実施例】
【0284】
以下、本発明にかかる実施例を説明する。
【0285】
なお、本発明におけるドライエッチング方法の具体例として、ガイドリング交換に対するドライエッチング確認試験について説明する。
【0286】
【0287】
以下に、ドライエッチング確認試験における諸元を示す。
基板寸法；φ１００ｍｍ
レジスト；フォトレジスト
レジスト膜厚；１μｍ
基板寸法；φ１００ｍｍ
レジスト；フォトレジスト
レジスト膜厚；１μｍ
【0288】
被処理層Ｗ２；Ａｌ；膜厚２００ｎｍ
被処理層Ｗ２エッチング条件
対応ガイドリング材質；アルミナ
エッチング時間；４０ｓｅｃ
エッチングガス；Ｃｌ２／ＢＣｌ３
ガス流量；５０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ
プラズマ発生電力；２００Ｗ
基板印加電力；５０Ｗ
被処理層Ｗ２エッチング条件
対応ガイドリング材質；アルミナ
エッチング時間；４０ｓｅｃ
エッチングガス；Ｃｌ２／ＢＣｌ３
ガス流量；５０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ
プラズマ発生電力；２００Ｗ
基板印加電力；５０Ｗ
【0289】
被処理層Ｗ１；Ｍｏ；膜厚２００ｎｍ
被処理層Ｗ１エッチング条件
対応ガイドリング材質；ＰＩ（ポリイミド）
エッチング時間；６０ｓｅｃ
エッチングガス；ＳＦ６／Ｏ２
ガス流量；４５ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ
プラズマ発生電力；２００Ｗ
基板印加電力；１５０Ｗ
被処理層Ｗ１エッチング条件
対応ガイドリング材質；ＰＩ（ポリイミド）
エッチング時間；６０ｓｅｃ
エッチングガス；ＳＦ６／Ｏ２
ガス流量；４５ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ
プラズマ発生電力；２００Ｗ
基板印加電力；１５０Ｗ
【0290】
これらにより、エッチング処理をおこない、膜厚測定器によるエッチングレートを測定した。
【0291】
また、比較のため、被処理層Ｗ２；Ａｌ及び被処理層Ｗ１；Ｍｏの場合に対応ガイドリング材質を石英とし、それぞれの被処理層に対して、ガイドリングを交換して同様にエッチング処理をおこない、膜厚測定器によるエッチングレートを測定した。
これらを比較した結果、被処理層Ｗ２；Ａｌのエッチングレート分布は±３％から±１％に、被処理層Ｗ１；Ｍｏのエッチングレート分布は±５％から±２％に改善した。
これらを比較した結果、被処理層Ｗ２；Ａｌのエッチングレート分布は±３％から±１％に、被処理層Ｗ１；Ｍｏのエッチングレート分布は±５％から±２％に改善した。
【0292】
この結果から、被処理層に対して、最適なガイドリング材質を選択することで、エッチングにおける面内分布が改善することがわかる。
【符号の説明】
【0293】
１０…ドライエッチング装置
１１…ドライエッチング室（処理空間）
１１ａ…エッチングガス供給部
１１ｂ…排気部
１１ｃ…基板保持部
１１ｃＷ，１１ｃＧＲ…ホイスト
１１ｆ…カセット移動部
１２…トランスファチャンバ（密閉空間）
１２ａ…排気部
１２ｂ，１８ｂ…搬送装置（搬送ロボット）
１２ｂ１，１８ｂ１…ロボットアーム
１２ｂＷ，１２ｂＧＲ，１８ｂＧＲ…ロボットハンド
１２ｆ…カセット移動部
１３…ロード／アンロード室
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ…密閉部
Ｃ…カセット
ＣＷ…基板収納部
ＣＷ１…基板縁支持部
ＣＧＲ…ガイドリング収納部
ＣＧＲ１…ガイドリング縁支持部
ＧＲ…ガイドリング
Ｗ…基板
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…被処理層
１１…ドライエッチング室（処理空間）
１１ａ…エッチングガス供給部
１１ｂ…排気部
１１ｃ…基板保持部
１１ｃＷ，１１ｃＧＲ…ホイスト
１１ｆ…カセット移動部
１２…トランスファチャンバ（密閉空間）
１２ａ…排気部
１２ｂ，１８ｂ…搬送装置（搬送ロボット）
１２ｂ１，１８ｂ１…ロボットアーム
１２ｂＷ，１２ｂＧＲ，１８ｂＧＲ…ロボットハンド
１２ｆ…カセット移動部
１３…ロード／アンロード室
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ…密閉部
Ｃ…カセット
ＣＷ…基板収納部
ＣＷ１…基板縁支持部
ＣＧＲ…ガイドリング収納部
ＣＧＲ１…ガイドリング縁支持部
ＧＲ…ガイドリング
Ｗ…基板
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…被処理層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】