特許7210316IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

アーキングの発生を防止し、かつ、誘電体膜の膜質(誘電率)を維持するとともに、成膜速度の向上が図れる、成膜方法および成膜装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、の事情に鑑みてなされたもので、アーキングの発生を防止し、かつ、誘電体膜の膜質(誘電率)を維持するとともに、成膜速度の向上が図れる、成膜方法および成膜装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、スパッタ法により誘電体膜を形 成する成膜方法であって、前記誘電体膜の母材となるターゲットに対して、第一電源からRFを印加するとともに、第二電源からパワー[W]が100~400の範囲内のpulse-DCを印加する重畳スパッタ法を用い、所定の基体上に、前記誘電体膜としてBST[(Ba,Sr)TiO3]膜を形成することを特徴とする。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

請求項1に記載の発明(成膜方法)は、誘電体膜の母材となるターゲットに対して、第一電源からRFを印加するとともに、第二電源からpulse-DCを印加する重畳スパッタ法を用い、所定の基体上に、前記誘電体膜としてBST[(Ba,Sr)TiO3]膜を形成する。これにより、アーキングの発生を防止し、かつ、誘電体膜の膜質(誘電率)を維持するとともに、成膜速度の向上が図れる成膜方法が得られる。

請求項5に記載の発明(成膜装置)は、前記誘電体膜の母材となる誘電体のターゲットに対して、RFを印加する第一電源、および、パワー[W]が100~400の範囲内のpulse-DCを印加する第二電源を含み、前記第一電源から印加されるRFと前記第二電源から印加されるpulse-DCが、前記ターゲットに対して重畳されるように電気回路が構成されている。これにより、本発明は、アーキングの発生を防止し、かつ、誘電体膜の膜質(誘電率)を維持するとともに、成膜速度の向上が図れる、成膜装置の提供に貢献する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の成膜方法で用いられる成膜装置の全体構成を示す概略図。
【図2】 従来の成膜装置で形成された誘電体膜の誘電率とBa/Sr比とRFパワーとの関係を示すグラフ。
【図3】 アーキングの発生がある状態(従来)を示すターゲット表面の写真。
【図4】 重畳スパッタ状態の波形を示すオシロスコープの写真。
【図5】 アーキングの発生がない状態(本発明)を示すターゲット表面の写真。
【図6】 成膜速度とpulse-DCパワーとの関係を示すグラフ。
【図7】 Ba/Sr比とpulse-DCパワーとの関係を示すグラフ。

代表図 図1本件の代表的な図

DC 第二電源(直流電源)、F LCフィルタ、M マッチングボックス、S 基体、RF 第一電源(高周波電源)、10 成膜装置、11 真空槽、11a 排気口、11b ガス供給口、12 支持手段、13 バッキングプレート、14 ターゲット、15 マグネット、16 排気手段、17 供給手段。

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