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公報発行日 2023年1月23
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請求項1に記載の発明(成膜方法)は、誘電体膜の母材となるターゲットに対して、第一電源からRFを印加するとともに、第二電源からpulse-DCを印加する重畳スパッタ法を用い、所定の基体上に、前記誘電体膜としてBST[(Ba,Sr)TiO3]膜を形成する。これにより、アーキングの発生を防止し、かつ、誘電体膜の膜質(誘電率)を維持するとともに、成膜速度の向上が図れる成膜方法が得られる。
請求項5に記載の発明(成膜装置)は、前記誘電体膜の母材となる誘電体のターゲットに対して、RFを印加する第一電源、および、パワー[W]が100~400の範囲内のpulse-DCを印加する第二電源を含み、前記第一電源から印加されるRFと前記第二電源から印加されるpulse-DCが、前記ターゲットに対して重畳されるように電気回路が構成されている。これにより、本発明は、アーキングの発生を防止し、かつ、誘電体膜の膜質(誘電率)を維持するとともに、成膜速度の向上が図れる、成膜装置の提供に貢献する。
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