特許 7250449 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-03-24

(45)【発行日】2023-04-03

(54)【発明の名称】プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20230327BHJP

   H05H 1/46 20060101ALN20230327BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H05H1/46 M

H05H1/46 A

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2018127811

(22)【出願日】2018-07-04

(65)【公開番号】P2020009839

(43)【公開日】2020-01-16

【審査請求日】2021-04-09

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】ビン ブディマン モハマド ファイルズ

(72)【発明者】

【氏名】辻本 宏

【審査官】宇多川 勉

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－２２９７３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１７３２２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－１７６０３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２２７０６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２８３０２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１５２２３２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０５Ｈ １／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

消耗部材を有する処理容器内を一定の圧力に維持し、被処理体をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記消耗部材の温度が第１温度から該第１温度よりも低い第２温度に達するまでの降温時間又は降温速度の変動値を計測する工程と、
前記消耗部材の消耗度合いと前記変動値との相関を示す情報に応じて、計測した前記変動値に基づき前記消耗部材の消耗度合いを推定する工程と、
推定した前記消耗部材の消耗度合いに基づき、前記消耗部材の上昇量を制御する工程と、
を有し、
前記消耗部材は、エッジリングであり、
前記エッジリングは、内周エッジリング、中央エッジリング及び外周エッジリングに分割され、
前記内周エッジリング、中央エッジリング及び外周エッジリングの少なくともいずれかの上昇量を調整する、
プラズマエッチング方法。

【請求項2】

前記処理容器内に一定の流量のガスを供給しながら前記処理容器内を一定の圧力に維持する、
請求項１に記載のプラズマエッチング方法。

【請求項3】

消耗部材を有する処理容器と、
ガスを供給するガス供給部と、
前記消耗部材の温度を計測する計測部と、
前記消耗部材を加熱する加熱部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記処理容器内にガスを供給させながら前記処理容器内を一定の圧力に維持し、
前記消耗部材の温度が第１温度から該第１温度よりも低い第２温度に達するまでの降温時間又は降温速度の変動値を計測し、
前記消耗部材の消耗度合いと前記変動値との相関を示す情報に応じて、計測した前記変動値に基づき前記消耗部材の消耗度合いを推定し、
推定した前記消耗部材の消耗度合いに基づき、前記消耗部材の上昇量を制御し、
前記消耗部材は、エッジリングであり、
前記エッジリングは、内周エッジリング、中央エッジリング及び外周エッジリングに分割され、
前記制御部は、
前記内周エッジリング、中央エッジリング及び外周エッジリングの少なくともいずれかの上昇量を調整する、
プラズマエッチング装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置に関する。

【背景技術】

【0002】

エッジリングは、プラズマエッチング装置の処理室内において載置台上のウエハの周辺部に配置され、プラズマをウエハＷの表面に向けて収束させる。プラズマ処理中、エッジリングはプラズマに曝露され、消耗する。

【0003】

その結果、ウエハのエッジ部においてシースに段差が生じ、イオンの照射角度が斜めになり、エッチング形状にチルティング（tilting）が生じる。また、ウエハのエッジ部のエッチングレートが変動し、ウエハＷの面内におけるエッチングレートが不均一になる。そこで、エッジリングが所定以上消耗したときには新品のものに交換することが行われている。ところが、その際に発生する交換時間が生産性を低下させる要因の一つになっている。

【0004】

これに対して、例えば、特許文献１には、直流電源より直流電圧をエッジリングに印加することで、エッチングレートの面内分布を制御する技術が開示されている。引用文献２には、エッジリングの温度の時間変動からエッジリングの消耗度合いを計測する技術が開示されている。引用文献３には、エッジリングの厚さを測定して測定結果に応じてエッジリングの直流電圧を制御する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特許第５２８１３０９号公報

【文献】特許第６０２７４９２号公報

【文献】特開２００５－２０３４８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記課題に対して、一側面では、本発明は、プラズマエッチング装置における生産性を向上させることを提案する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一の態様によれば、消耗部材を有する処理容器内を一定の圧力に維持し、被処理体をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記消耗部材の温度が第１温度から該第１温度よりも低い第２温度に達するまでの降温時間又は降温速度の変動値を計測する工程と、前記消耗部材の消耗度合いと前記変動値との相関を示す情報に応じて、計測した前記変動値に基づき前記消耗部材の消耗度合いを推定する工程と、を有するプラズマエッチング方法が提供される。

【発明の効果】

【0008】

一の側面によれば、プラズマエッチング装置における生産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】一実施形態に係るプラズマエッチング装置の一例を示す図。

【図2】エッジリングの消耗によるエッチングレート及びチルティングの変動を説明するための図。

【図3】一実施形態に係るエッジリング及び周辺構造の断面の一例を示す図。

【図4】一実施形態に係る直流電圧制御処理の事前処理の一例を示すフローチャート。

【図5】一実施形態に係る降温時間の差分とエッジリングの消耗量との相関テーブルの一例を示す図。

【図6】一実施形態に係る降温時間の差分と直流電圧の適正値との相関テーブルの一例を示す図。

【図7】一実施形態に係る直流電圧制御処理を含むエッチング処理の一例を示すフローチャート。

【図8】一実施形態に係る直流電圧制御処理による直流電圧の印加を説明するための図。

【図9】一実施形態に係る３分割のエッジリングの一例を示す図。

【図10】一実施形態に係るシステムの一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。

【0011】

［プラズマエッチング装置］
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置１の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマエッチング装置１の断面の一例を示す図である。本実施形態に係るプラズマエッチング装置１は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型のプラズマエッチング装置である。

【0012】

プラズマエッチング装置１は、真空排気可能な円筒型の処理容器１０を有する。処理容器１０は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製等により形成され、その内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。処理容器１０は接地されている。

【0013】

処理容器１０の内部には、円板状の載置台１１が配設されている。載置台１１は、ウエハＷを載置する。載置台１１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）から形成された筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。

【0014】

載置台１１は、静電チャック２５及び基台２５ｃを有する。基台２５ｃは、アルミニウムから形成される。静電チャック２５は、基台２５ｃ上に配置される。また、基台２５ｃの上部外周側には、エッジリング（フォーカスリング）３０がウエハＷの周辺部を覆うように配置される。基台２５ｃ及びエッジリング３０の外周は、インシュレータリング３２により覆われている。

【0015】

静電チャック２５は、導電膜からなる吸着電極２５ａを誘電層２５ｂに挟み込んだ構成を有する。吸着電極２５ａには、スイッチ２６ａを介して直流電源２６が接続されている。静電チャック２５は、直流電源２６から吸着電極２５ａに印加された直流電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、その静電力によりウエハＷを吸着保持する。

【0016】

エッジリング３０は、シリコン又は石英により形成されている。エッジリング３０の下面近傍の基台２５ｃにはヒータ５２が埋設されている。ヒータ５２には、交流電源５８が接続され、交流電源５８からの電力がヒータ５２に印加されると、ヒータ５２は加熱され、これにより、エッジリング３０が９０℃等に設定される。エッジリング３０の裏面の温度は、放射温度計５１により測定可能となっている。

【0017】

可変直流電源２８は、スイッチ２８ａを介して電極２９に接続され、電極２９から該電極２９に接するエッジリング３０に印加する直流電圧を出力する。本実施形態では、可変直流電源２８からエッジリング３０に印加する直流電圧を適正値に制御することで、エッジリング３０の消耗量に応じてエッジリング３０上のシースの厚さを制御する。これにより、チルティングの発生を抑制し、エッチングレートの面内分布を制御する。可変直流電源２８は、エッジリング３０に印加する直流電圧を供給する直流電源の一例である。

【0018】

載置台１１には、第１高周波電源２１が整合器２１ａを介して接続されている。第１高周波電源２１は、プラズマ生成およびＲＩＥ用の第１の周波数（例えば、１３ＭＨｚの周波数）の高周波電力（ＨＦ電力）を載置台１１に印加する。また、載置台１１には、第２高周波電源２２が整合器２２ａを介して接続されている。第２高周波電源２２は、第１の周波数よりも低いバイアス印加用の第２の周波数（例えば、３ＭＨｚの周波数）の高周波電力（ＬＦ電力）を載置台１１に印加する。このようにして載置台１１は下部電極としても機能する。なお、ＨＦ電力は、ガスシャワーヘッド２４に印加してもよい。

【0019】

基台２５ｃの内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニットから配管３３、３４を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、静電チャック２５を冷却する。

【0020】

また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、伝熱ガスをガス供給ライン３６を介して静電チャック２５の上面とウエハＷの裏面の間の空間に供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。

【0021】

処理容器１０の内面と筒状支持部１３の外周面の間には排気路１４が形成されている。排気路１４には環状のバッフル板１５が配設されるとともに、底部に排気口１６が設けられている。排気口１６には、排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下、「ＡＰＣ」という）を有し、ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、ウエハＷの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。

【0022】

処理容器１０の天井部にはガスシャワーヘッド２４が配設されている。ガスシャワーヘッド２４は、電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極板３７は、多数のガス通気孔３７ａを有する。ガスシャワーヘッド２４は、載置台１１に対向して上部電極としても機能する。

【0023】

電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、このバッファ室３９のガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。処理ガス供給部４０は、バッファ室３９にガスを流し、多数のガス通気孔３７ａからガスシャワーヘッド２４と載置台１１の間の処理空間に処理ガスを供給する。処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。処理ガス供給部４０は、ガスを供給するガス供給部の一例である。

【0024】

プラズマエッチング装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、プラズマエッチング装置１の各構成要素を制御する。各構成要素としては、例えば、排気装置１８、整合器２１ａ，２２ａ、第１高周波電源２１、第２高周波電源２２、スイッチ２６ａ、２８ａ、直流電源２６、可変直流電源２８、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０等が挙げられる。

【0025】

制御部４３は、ＣＰＵ４３ａ及びメモリ４３ｂを備えるコンピュータである。ＣＰＵ４３ａは、メモリ４３ｂに記憶されたプラズマエッチング装置１の制御プログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、プラズマエッチング装置１によるプラズマエッチング処理の実行を制御する。

【0026】

また、制御部４３は、後述するエッジリング３０の直流電圧制御処理の事前処理において算出した各種の相関テーブル（図５、図６参照）をメモリ４３ｂに記憶する。メモリ４３ｂは、相関テーブルを記憶する記憶部の一例である。

【0027】

プラズマエッチング装置１は、ウエハＷにプラズマエッチングを施す。プラズマエッチングを実行する場合、先ずゲートバルブ２０を開き、ウエハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５上に載置する。直流電源２６からの直流電圧を吸着電極２５ａに印加し、ウエハＷを静電チャック２５に吸着させる。

【0028】

また、伝熱ガスを静電チャック２５の上面とウエハＷの裏面の間に供給する。そして、処理ガス供給部４０からの処理ガスを処理容器１０内に導入し、排気装置１８等により処理容器１０内を減圧する。さらに、第１高周波電源２１及び第２高周波電源２２から第１高周波電力及び第２高周波電力を載置台１１に供給する。

【0029】

プラズマエッチング装置１の処理容器１０内では、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界が形成され、載置台１１に印加された高周波電力によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、ガスシャワーヘッド２４から導入された処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンによってウエハＷに所定のエッチング処理が行われる。

【0030】

ヒータ５２は、エッジリング３０等の消耗部材を加熱する加熱部の一例である。加熱部はこれに限られず、例えば熱媒体等であってもよい。また、放射温度計５１は、消耗部材の温度を計測する計測部の一例である。なお、計測部は特定の温度計に限られず、例えば、ラクストロン等の光学式温度計や熱電対等であってもよい。

【0031】

［エッジリングの消耗］
次に、図２を参照して、エッジリング３０の消耗によって生じるシースの変化と、エッチングレートの変動及びチルティングの発生について説明する。図２（ａ）に示すように、エッジリング３０が新品の場合にウエハＷの上面とエッジリング３０の上面とが同じ高さになるようにエッジリング３０の厚さが設計されている。このとき、プラズマ処理中のウエハＷ上のシースとエッジリング３０上のシースとは同じ高さになる。この状態では、ウエハＷ上及びエッジリング３０上へのプラズマからのイオンの照射角度は概ね垂直になる。この結果、ウエハＷ上に形成されるホール等のエッチング形状は、ウエハＷの中央部及びエッジ部のいずれにおいても垂直になり、エッチング形状が斜めになるチルティング（tilting）は生じない。また、ウエハＷの面内においてエッチングレートが均一に制御される。

【0032】

ところが、プラズマ処理中、エッジリング３０はプラズマに曝露され、消耗する。そうすると、図２（ｂ）に示すように、エッジリング３０の厚さが薄くなって、エッジリング３０の上面はウエハＷの上面よりも低くなる。この結果、エッジリング３０上のシースの高さはウエハＷ上のシースの高さよりも低くなる。

【0033】

このようにシースの高さに段差が生じている場合、ウエハＷのエッジ部においてイオンの照射角度が斜めになり、エッチング形状のチルティング（tilting）が生じることがある。または、ウエハＷのエッジ部のエッチングレートが変動し、ウエハＷの面内におけるエッチングレートに不均一が生じることがある。以下、イオンが斜めに照射することでエッチング形状が垂直からずれる角度をチルト角度ともいう。

【0034】

これに対して、可変直流電源２８から、エッジリング３０の消耗量に応じた適正な直流電圧をエッジリング３０に印加することで、チルティングを概ね垂直に制御し、エッチングレートの面内分布の均一性を図ることができる。しかしながら、エッジリング３０はプラズマ処理中にプラズマに曝露され、徐々に消耗する。よって、可変直流電源２８から印加する直流電圧の適正値は、エッジリング３０の消耗量に応じて変動する。また、図２の（ｂ）に示すように、エッジリング３０の消耗は、エッジリング３０の厚み方向の削れるだけでなく、幅の減少や材質の劣化等も含む。よって、エッジリング３０の厚みの測定だけからエッジリング３０の消耗量を推定し、推定した消耗量に応じてエッジリング３０に印加する直流電圧を算出した場合、エッジリング３０の消耗量の推定値が現実の消耗量からずれることがあるために適正な直流電圧をエッジリング３０に印加できない場合がある。

【0035】

そこで、本実施形態では、エッジリング３０の消耗量を熱容量から算出し、算出した熱容量に応じてエッジリング３０へ印加する直流電圧を適正化する。具体的には、本実施形態では、熱容量としてエッジリング３０の降温時間を測り、降温時間によってエジリング３０の消耗量を予測し、エッジリング３０へ印加する直流電圧の適正値を求め、エッジリング３０へ印加する。なお、上記熱容量にはエッジリング３０だけでなく、エッジリング３０の周辺の部材の熱容量が含まれる。すなわちエッジリング３０の降温温度は、エッジリング３０の熱容量だけでなくエッジリング３０の周辺の部材の熱容量も含んだ熱容量に対応するものである。

【0036】

［エッジリング及びその周辺構造］
本実施形態では、エッジリング３０の消耗量をエッジリング３０の降温時間の測定値から推定することで、エッジリング３０の消耗量を熱容量から算出する。これにより、エッジリング３０へ適正な直流電圧を印加するように制御できる。そこで、エッジリング３０の温度を測定するためのエッジリング３０及びその周辺構造について、図３を参照しながら説明する。図３は、一実施形態に係るエッジリング３０及びその周辺構造の断面の一例を示す図である。

【0037】

エッジリング３０は、基台２５ｃの外周側の上面にリング状に配置されている。基台２５ｃの上面には、エッジリング３０の下面に接するようにインシュレータ５２ａが置かれ、インシュレータ５２ａ内にヒータ５２が埋設されている。交流電源５８からの電力がヒータ５２に印加されると、ヒータ５２は加熱され、これにより、エッジリング３０は昇温される。

【0038】

放射温度計５１は、エッジリング３０の裏面の温度を測定する。放射温度計５１の先端は、Ｇｅ等の材質の、反射防止処理が施されたガラス５４に近接する。放射温度計５１の先端からは赤外線又は可視光線が出射される。出射された赤外線又は可視光線は、インシュレータ５６内の空洞を通ってエッジリング３０の下面に到達し、反射する。本実施形態では、反射した赤外線又は可視光線の強度を測定することによりエッジリング３０の温度を測定する。Ｏリング５５は、処理容器１０内の真空空間をインシュレータ５６内の大気空間から閉塞するようにシールする。可変直流電源２８は、インシュレータ２９ａ内に設けられた電極２９に接続されている。電極２９には、可変直流電源２８からエッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧が印加される。

【0039】

本実施形態では、ヒータ５２を用いてエッジリング３０の温度を９０℃に設定した後、２０℃まで降温させる。その際、例えば、６０（ｓｃｃｍ）のＡｒガスを処理容器１０内に供給しながら、処理容器１０内を１００（ｍＴ）の圧力に維持しながら、エッジリング３０を９０℃から２０℃まで降温させるときの降温時間を計測する。この工程において供給されるパージガスは、Ａｒガスに限られないが、不活性ガスであることが好ましい。また、第１高周波電源２１及び第２高周波電源２２から出力される高周波電力は０（Ｗ）に設定される。

【0040】

制御部４３は、測定した降温時間に基づき、エッジリング３０の消耗量を算出し、エッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧の適正値を算出する。制御部４３は、算出した直流電圧の適正値を電極２９に印加するように制御する。

【0041】

［直流電圧制御処理の事前処理］
次に、測定した降温時間に基づきエッジリング３０の消耗量を算出するために、降温時間とのエッジリングの消耗量との相関を示す情報を収集する事前処理について、図４を参照しながら説明する。図４は、一実施形態に係る直流電圧制御処理の事前処理の一例を示すフローチャートであり、エッジリング３０に直流電圧の適正値を印加する直流電圧制御処理（図７参照）の事前処理として実行される。

【0042】

本処理が開始されると、制御部４３は、６０（ｓｃｃｍ）のＡｒガスを処理容器１０内に供給しながら、処理容器１０内を１００（ｍＴ）の一定圧力に維持する（ステップＳ１０）。

【0043】

次に、制御部４３は、新品のエッジリング３０を使用して、交流電源５８から印加されるヒータ５２の電力を一定にして入熱を行う。制御部４３は、放射温度計５１により測定したエッジリング３０の裏面の温度が９０℃になるように設定する（ステップＳ１１）。次に、制御部４３は、Ａｒガスによる抜熱によりエッジリング３０の裏面の温度が９０℃から２０℃になるまでの降温時間を測定する（ステップＳ１１）。

【0044】

次に、制御部４３は、エッジリング３０の使用時間の一例であるＲＦ電力の印加時間毎（例えば３００ｈ経過毎）にエッジリング３０の裏面の温度が９０℃から２０℃になるまでの降温時間を測定する（ステップＳ１２）。

【0045】

次に、制御部４３は、ＲＦ印加時間毎の降温時間の測定結果から、新品のエッジリング３０の降温時間に対するＲＦ印加時間毎（例えば３００ｈ毎）の降温時間の差分（変動値）とエッジリング３０の消耗量との相関を示す情報を算出する（ステップＳ１３）。

【0046】

次に、制御部４３は、エッジリング３０の消耗量にするエッジリング３０への直流電圧の適正値を求め、メモリ４３ｂに記憶し（ステップＳ１４）、本処理を終了する。

【0047】

ステップＳ１３を実行した結果得られた降温時間の差分とエッジリング３０の消耗量との相関情報の一例を図５に示す。図５の横軸は新品のエッジリング３０に対する降温時間の差分を示し、縦軸はエッジリング３０の消耗量を示す。

【0048】

ＲＦ印加時間毎のエッジリング３０の消耗量は、ＲＦ印加時間毎に実際にエッジリング３０の消耗量（エッジリング３０の消耗した厚さ）を計測してもよい。また、ＲＦ印加時間からエッジリング３０の消耗量を推定してもよい。また、ＲＦ印加時間毎にウエハＷのエッジ部に形成されたエッチング形状のチルト角度からエッジリング３０の消耗量を算出してもよい。

【0049】

図５の例では、新品のエッジリング３０の裏面の温度が９０℃から２０℃になるまでの降温時間を基準とした。ＲＦ印加時間が０ｈ（新品のエッジリング）、３００ｈ、６００ｈのそれぞれにおいてエッジリング３０の裏面の温度が９０℃から２０℃になるまでの降温時間を５回ずつ測定した。そして、それぞれの５回の測定値の平均値を使用して新品のエッジリング３０の降温時間の平均値に対する降温時間の平均値の差分を算出した。そして、各降温時間（平均値）の差分に対する３００ｈ、６００ｈのときのエッジリング３０の消耗量の相関を求め、相関テーブルを作成した。

【0050】

その結果の一例を示す図５では、エッジリング３０が、新品（０ｈ）、ＲＦ印加時間が３００ｈ経過後、６００ｈ経過後のそれぞれの場合の降温時間とエッジリング３０の消耗量の間には比例関係があることが示された。この結果からエッジリング３０の使用時間が増え（ＲＦ印加時間が増え）、エッジリング３０がプラズマに曝露されて消耗量が多くなる程、エッジリング３０の熱容量が小さくり、エッジリング３０の温度を９０℃から２０℃になるまでにかかる降温時間が短くなることがわかった。

【0051】

かかる降温時間とエッジリング３０の消耗量との比例関係と、予め求められたエッジリング３０の消耗量とエッジリング３０に印加する直流電圧の適正値の相関を示す情報とから、降温時間の差分と直流電圧の適正値との相関テーブルを作成できる。その一例を図６に示す。図６に示す相関テーブルに基づき、測定した降温時間と新品のエッジリング３０の降温時間との差分に応じて、エッジリング３０に印加する直流電圧の適正値を算出することができる。

【0052】

以上から、図６の相関テーブルを用いて、測定した降温時間に応じた直流電圧の適正値を算出することで、エッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧を擬似的に計算することができる。これにより、エッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧の適正値をエッジリング３０に印加する制御が可能になる（直流電圧制御処理）。

【0053】

［直流電圧制御処理を含むエッチング処理］
以下に、一実施形態に係る直流電圧制御処理を含むエッチング処理について、図７を参照しながら説明する。図７は、一実施形態に係る直流電圧制御処理を含むエッチング処理の一例を示すフローチャートである。

【0054】

本処理では、まず、制御部４３は、変数ｎに１を設定し（ステップＳ１９）、ウエハに対してプラズマエッチングを実行する（ステップＳ２０）。次に、ＲＦ印加時間が１００×ｎ時間経過したかを判定する（ステップＳ２１）。ＲＦ印加時間が１００×ｎ時間経過した時点で、制御部４３は、エッジリング３０の温度が９０℃から２０℃になるまでにかかる降温時間を測定する（ステップＳ２２）。なお、ステップＳ２１の経過時間の単位は、１００×ｎに限られない。

【0055】

次に、制御部４３は、新品のエッジリング３０に対する降温時間の差分を算出し、エッジリング３０の消耗量を推定する（ステップＳ２３）。例えば図５に一例を示す相関グラフを参照して、新品のエッジリング３０に対する降温時間の差分から、エッジリング３０の消耗量を推定できる。なお、降温時間は、１回測定した値であってもよいし、複数回測定した値の平均値であってもよい。

【0056】

次に、制御部４３は、降温時間の差分が予め定められた閾値Ｔｈ１以上であるかを判定する（ステップＳ２４）。図８（ａ）に一例を示すように、ＲＦ印加時間が長くなる程、降温時間の差分が大きくなる。閾値Ｔｈ１は、新品のエッジリング３０に対する降温時間の差分が、閾値Ｔｈ１以上になると、エッジリング３０の消耗量が許容できなくなる。よって、図７のステップＳ２４において、制御部４３は、降温時間の差分が閾値Ｔｈ１以上であると判定すると、算出した降温時間の差分に対する直流電圧をエッジリング３０に印加し（ステップＳ２５）、ステップＳ２６に進む。このとき、直流電圧制御処理の事前処理において算出した降温時間の差分と直流電圧の相関を示す情報を記憶したメモリ４３ｂ上の相関テーブルを参照して、降温速度の差分に応じた直流電圧の適正値が算出される。例えば、図６の相関テーブルの場合、新品のエッジリング３０に対する降温時間の差分が閾値Ｔｈ１に等しくなった場合、エッジリング３０に印加する直流電圧の適正値として直流電圧Ｖａが算出される。

【0057】

以上のようにして算出された直流電圧をエッジリング３０に印加することで、エッジリング３０上のシースの高さがウエハＷ上のシースと同程度の高さになるため、ウエハＷのエッジ部においてイオンの照射角度が略垂直になる。この結果、例えば図８（ｂ）の降温時間の差分が３（ｓｅｃ）のときに、ウエハＷのエッジ部におけるチルト角度が補正され、チルト角度が９０℃に近づく。これにより、ウエハＷのエッジ部においてもチルト角を、チルト角度の許容範囲を示すＴｈ２～Ｔｈ３の範囲内に制御することができる。

【0058】

図７に戻り、一方、ステップＳ２４において降温時間の差分が閾値Ｔｈ１よりも小さいと判定されると、制御部４３は、エッジリング３０に直流電圧を印加することによるチルト角度の補正は不要であると判断し、直ちにステップＳ２６に進む。

【0059】

ステップＳ２６において、制御部４３は、測定を終了するか否かを判定し、測定を終了する場合には本処理を終了する。測定を終了しない場合には、変数ｎに１を加算し（ステップＳ２７）、ステップＳ２０に戻り、ステップＳ２０以降の処理を繰り返す。

【0060】

ステップＳ２１～Ｓ２６の直流電圧制御方法を含むプラズマエッチング方法では、ウエハＷへのプラズマエッチング処理が実行される間にエッジリング３０への直流電圧の制御が行われる。

【0061】

本実施形態に係る直流電圧制御処理によれば、エッジリング３０の降温時間を測定し、測定した降温時間に応じた直流電圧の適正値を算出することで、エッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧を擬似的に計算する。そして、算出した直流電圧の適正値をエッジリング３０に印加することで、エッジリング３０上のシースとウエハＷ上のシースとの高さを揃えることができる。これにより、チルティングの発生又はエッチングレートの変動の少なくともいずれかを抑制することができる。例えば、算出された直流電圧の適正値が１００Ｖである場合、１００Ｖの直流電圧をエッジリング３０に印加することで、エッジリング３０が消耗していてもエッジリング３０が新品時のチルティング及びエッチングレートに戻すことができる。

【0062】

これにより、エッジリング３０が消耗しても、直流電圧の制御によりエッジリング３０の交換時間を遅らせることができる。エッジリング３０の交換に必要な時間には、例えば、処理容器１０を開け、エッジリング３０を交換する時間、交換後に処理容器１０を閉じて処理容器内をクリーニングしたり、シーズニングして処理容器１０内の雰囲気を整える時間が含まれる。よって、エッジリング３０の交換時間を遅らせることにより、生産性の向上を図ることができる。

【0063】

なお、ステップＳ２１では、ＲＦ印加時間に基づき降温時間の測定タイミングを判定したが、これに限られない。例えば、特定の枚数のウエハＷを処理したと判定した場合に降温時間を測定するようにしてもよい。特定の枚数のウエハＷは、１枚のウエハＷでもよいし、１ロット（例えば２５枚）のウエハＷでもよいし、それ以外の枚数でもよい。

【0064】

以上の説明では、エッジリング３０の裏面の温度が９０℃から２０℃になるまでにかかる降温時間を測定したが、測定温度はこれに限らない。９０℃は、第１の温度の一例であり、２０℃は第１の温度よりも低い第２の温度の一例である。第１の温度及び第２の温度は、９０℃及び２０℃に限られず、第２の温度が第１の温度よりも低い条件を満たす２つの温度を適宜設定することができる。

【0065】

また、上記実施形態では、エッジリング３０の裏面の温度が９０℃から２０℃になるまでにかかる降温時間を測定したが、降温速度を測定してもよい。また、本実施形態では、エッジリング３０の裏面の温度を放射温度計５１により測定したが、これに限られず、エッジリング３０のいずれかの面を測定してもよい。

【0066】

また、上記実施形態では、一定の流量のＡｒガスを供給し、Ａｒガスによりエッジリング３０の表面から抜熱することで、エッジリング３０の温度を２０℃まで下げるようにした。しかしこれに限られず、冷媒室３１をエッジリング３０の下方にも設け、ブラインを循環させることでエッジリング３０を降温させるようにしてもよい。

【0067】

また、処理容器１０内を一定の圧力に調整する方法としては、一定の流量のＡｒガスを処理容器１０内に供給することで調整してもよいし、自動圧力制御機器（ＡＰＣ）等を用いた排気側の制御により調整してもよいし、その両方の手段により調整してもよい。

【0068】

また、上記実施形態では、エッジリングの消耗度合いの一例として、エッジリング３０の消耗量を推定した。しかし、測定した降温時間又は降温速度に基づき、図６の相関テーブルを用いて直流電圧を算出し、該直流電圧をエッジリング３０に印加するように制御してもよい。これにより、エッジリング３０の消耗量を推定することなく、直流電圧の適正値を求めることができる。

【0069】

本実施形態に係るエッジリング３０は、消耗部材の一例である。消耗部材の他の例としては、ガスシャワーヘッド２４（上部電極）が挙げられる。この場合、ガスシャワーヘッド２４にガスシャワーヘッド２４の温度を測定する計測部と、直流電圧を印加できる可変直流電源と、加熱部とを設ける必要がある。

【0070】

［変形例］
上記実施形態では、測定した降温時間又は降温速度に基づき、エッジリング３０に印加する直流電圧を制御した。これに対して、変形例では、エッジリング３０に直流電圧を印加する替わりに又は直流電圧を印加することに加えて、エッジリング３０の駆動量を制御できる。

【0071】

一実施形態の変形例にかかるエッジリング３０及びその周辺構造について、図９を参照しながら説明する。図９は、一実施形態の変形例に係る３分割のエッジリング及びその周辺構造の断面の一例を示す図である。

【0072】

図９に示す変形例では、放射温度計５１は、エッジリング３０の裏面の中央の温度を測定するように配置される。この変形例では、インシュレータ５２ａに埋設されたヒータ５２及びインシュレータ６２ａに埋設されたヒータ６２がエッジリング３０の裏面の内周側と外周側に配置される。

【0073】

かかる構成から、本変形例に係る放射温度計５１による温度測定の位置は、本実施形態に係る放射温度計５１による温度測定の位置よりもヒータ５２，６２に近く、また、エッジリング３０の裏面の中央の温度を測定するようになる。しかしながら、ヒータ５２，６２と放射温度計５１との位置関係は近くても遠くてもいずれであってもよい。例えば、放射温度計５１の位置は、外周側又は中央に限られず、エッジリング３０裏面の内周側に配置され、エッジリング３０裏面の内周側の温度を測定してもよい。いずれの配置においても、事前処理においてエッジリング３０の降温時間又は降温速度と直流電圧との相関を示す情報が算出され、メモリ４３ｂに記憶されている。よって、図７のフローチャートに示されるプラズマエッチング方法を実行する際、メモリ４３ｂに記憶した降温時間と直流電圧との相関情報に基づき、測定した降温時間に応じた適正な直流電圧を算出し、エッジリング３０に印加することができる。

【0074】

本変形例では、エッジリング３０は、内周エッジリング３０ａ、中央エッジリング３０ｂ及び外周エッジリング３０ｃに分割され、それぞれリング状に配置されている。内周エッジリング３０ａ、中央エッジリング３０ｂ及び外周エッジリング３０ｃの少なくともいずれかは駆動機構５３に接続されている。制御部４３は、上記実施形態又は本変形例において推定されたエッジリング３０の消耗量に応じて駆動機構５３の駆動量を制御する。これにより、内周エッジリング３０ａ、中央エッジリング３０ｂ及び外周エッジリング３０ｃの少なくともいずれかを上昇させることで、エッジリング３０上のシースとウエハＷ上のシースとの高さを揃えることができる。これにより、チルティングの発生又はエッチングレートの変動の少なくともいずれかを抑制することができる。

【0075】

最後に、制御部４３がメモリ４３ｂに記憶した降温時間の差分と直流電圧との相対関係を示す情報を用いたシステムにおけるサーバ２の制御の一例について、図１０を参照して説明する。図１０は、一実施形態に係るシステムの一例を示す図である。

【0076】

本システムでは、プラズマエッチング装置Ａ（以下、「装置Ａ」ともいう。）を制御する制御部１ａ～１ｃと、プラズマエッチング装置Ｂ（以下、「装置Ｂ」ともいう。）を制御する制御部２ａ～２ｃとがネットワークを介してサーバ２に接続されている例を示す。

【0077】

例えば、装置Ａとしては、プラズマエッチング装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃを一例として挙げるが、これに限らない。プラズマエッチング装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、制御部１ａ、１ｂ、１ｃによりそれぞれ制御される。

【0078】

例えば、装置Ｂとしては、プラズマエッチング装置２Ａ、２Ｂ、２Ｃを一例として挙げるが、これに限らない。プラズマエッチング装置２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、制御部２ａ、２ｂ、２ｃによりそれぞれ制御される。

【0079】

制御部１ａ～１ｃ及び制御部２ａ～２ｃは、それぞれのメモリ（記憶部）に記憶した降温時間の差分と直流電圧との相対関係を示す情報をサーバ２に送信する。サーバ２は、装置Ａを制御する制御部１ａ、１ｂ、１ｃから降温時間の差分と直流電圧の相対関係を示す情報３ａ、３ｂ、３ｃを受信する。また、サーバ２は、装置Ｂを制御する制御部２ａ、２ｂ、２ｃから降温時間の差分と直流電圧の相対関係を示す情報４ａ、４ｂ、４ｃを受信する。図８では、便宜上、降温時間の差分と直流電圧の相対関係を示す情報をグラフの形式で示す。

【0080】

サーバ２は、装置Ａに関する降温時間の差分と直流電圧の相対関係を示す情報３ａ、３ｂ、３ｃ・・・と、装置Ｂに関する降温時間の差分と直流電圧の相対関係を示す情報４ａ、４ｂ、４ｃ・・・とを別々のカテゴリに分類する。

【0081】

サーバ２は、装置Ａに関するカテゴリに分類された情報３ａ、３ｂ、３ｃ・・・に基づき、装置Ａの降温時間の差分に対する直流電圧の適正値を算出する。例えば、情報３ａ、３ｂ、３ｃ・・・に基づき、装置Ａの降温時間の差分に対する直流電圧の平均値を適正値としてもよいし、装置Ａの降温時間の差分に対する直流電圧の中央値を適正値としてもよい。また、例えば、情報３ａ、３ｂ、３ｃ・・・に基づき、装置Ａの降温時間の差分に対する直流電圧の最小値又は最大値を適正値としてもよい。その他、サーバ２は、装置Ａの降温時間の差分に対する直流電圧の適正値として情報３ａ、３ｂ、３ｃ・・・に基づき直流電圧の特定の値を算出することができる。

【0082】

同様にして、装置Ｂに関するカテゴリに分類された情報４ａ、４ｂ、４ｃ・・・に基づき、装置Ｂの降温時間の差分に対する直流電圧の適正値を算出する。例えば、情報４ａ、４ｂ、４ｃ・・・に基づき、装置Ａの降温時間の差分に対する直流電圧の平均値、中央値、最小値又は最大値を適正値としてもよい。その他、サーバ２は、装置Ｂの降温時間の差分に対する直流電圧の適正値として情報４ａ、４ｂ、４ｃ・・・に基づき直流電圧の特定の値を算出することができる。

【0083】

サーバ２は、異なるエッチング装置毎に収集された降温時間の差分に対する直流電圧の適正値を算出し、算出した降温時間の差分に対する直流電圧の適正値の情報を、制御部１ａ～２ｃにフィードバックする。これにより、制御部１ａ～２ｃは、他のエッチング装置の情報を含めて得られたエッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧の適正値を用いて、エッジリング３０に印加する直流電圧を制御することができる。

【0084】

これによれば、サーバ２により、同一のカテゴリに含まれるより多くのプラズマエッチング装置を使用して測定された降温時間の差分に対する直流電圧の情報を収集することができる。このため、収集した降温時間の差分に対する直流電圧の情報に基づき、降温時間の差分に対する直流電圧の適正値をよりバラツキなく算出することができる。これにより、エッジリング３０の消耗量に応じた直流電圧の適正値をエッジリング３０に印加する制御をよりバラツキなく精度良く行うことができる。なお、サーバ２は、クラウドコンピュータにより実現されてもよい。

【0085】

以上に説明したように、本実施形態によれば、エッジリング３０を第１の温度から第２の温度に降温するときの降温時間又は降温速度の測定結果に基づきエッジリング３０の消耗量を推定することができる。また、前記測定結果又は推定したエッジリング３０の消耗度合いに応じて、適正な直流電圧をエッジリング３０に印加することにより、チルティングの発生又はエッチングレートの変動の少なくともいずれかを抑制することができる。これにより、エッジリング３０の消耗量による交換時期を遅らすことができる。これにより、プラズマエッチング装置における生産性を向上させることができる。

【0086】

今回開示された一実施形態に係るプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【0087】

本開示のプラズマエッチング装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。

【0088】

本明細書では、被処理体の一例としてウエハＷを挙げて説明した。しかし、被処理体は、これに限らず、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、プリント基板等であっても良い。

【符号の説明】

【0089】

１ ：プラズマエッチング装置
１０ ：処理容器
１１ ：載置台
１８ ：排気装置
２１ ：第１高周波電源
２２ ：第２高周波電源
２４ ：ガスシャワーヘッド
２５ ：静電チャック
２５ａ：吸着電極
２５ｂ：誘電層
２５ｃ：基台
２８ ：可変直流電源
２９ ：電極
３０ ：エッジリング
３１ ：冷媒室
３５ ：伝熱ガス供給部
４０ ：処理ガス供給部
４３ ：制御部
５１ ：放射温度計
５２、６２：ヒータ
２９ａ、５２ａ、５６、６２ａ：インシュレータ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】