特許 7260458 発光装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-10

(45)【発行日】2023-04-18

(54)【発明の名称】発光装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/54 20100101AFI20230411BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20230411BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20230411BHJP

   F21S 2/00 20160101ALI20230411BHJP

   F21V 23/00 20150101ALI20230411BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20230411BHJP

   F21Y 115/10 20160101ALN20230411BHJP

【ＦＩ】

H01L33/54

H01L33/50

H01L33/62

F21S2/00 110

F21V23/00 160

H01L23/12 501B

H01L23/12 F

F21Y115:10

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2019206190

(22)【出願日】2019-11-14

(65)【公開番号】P2021082628

(43)【公開日】2021-05-27

【審査請求日】2021-06-21

(73)【特許権者】

【識別番号】390022471

【氏名又は名称】アオイ電子株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100123984

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 晃伸

(74)【代理人】

【識別番号】100102314

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 阿佐子

(72)【発明者】

【氏名】加藤 貴章

(72)【発明者】

【氏名】山下 良平

【審査官】東松 修太郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０４１０９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１９５３５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／２１６０８９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－０７６６７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２２０４２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０６０８０１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４

Ｆ２１Ｓ ２／００

Ｆ２１Ｖ ２３／００

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｆ２１Ｙ １１５／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

同一の面内に複数の発光部が配置された被加工基板を用意すること、
前記複数の発光部から光が発せられる方向とは反対の側に配線構造物を配置し、前記複数の発光部と前記配線構造物とを電気的に接合すること、
前記複数の発光部を前記配線構造物と電気的に接合した面とは反対の側から、隣り合う前記複数の発光部の間が切断されるように前記被加工基板をダイシングソーにより切断することで、前記発光部と同数の前記発光部を含む光源ユニットを形成すること、
前記光源ユニットと前記配線構造物の間、および、前記光源ユニットの相互の間の空隙部を封止部で封止すること、を含み、
前記複数の発光部の間を切断する際に、上面視で複数の前記発光部の周囲の少なくとも一部に、前記配線構造物の前記発光部と対向する面に溝部が形成され、
前記封止部は、前記溝部の少なくとも一部と接触するように充填され、
前記溝部の幅が、隣接する前記光源ユニットの間の間隔に等しい、発光装置の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記溝部は、前記配線構造物のうちの絶縁性の部材で構成された絶縁部に形成されている、発光装置の製造方法。

【請求項3】

請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記配線構造物は、絶縁性基板と前記絶縁性基板内に形成された配線とを有する配線基板である、発光装置の製造方法。

【請求項4】

請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記溝部の段差は、前記配線構造物の厚さの１／５以上、かつ４／５以下である、発光装置の製造方法。

【請求項5】

請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記複数の光源ユニットのそれぞれは、
前記発光部の、前記配線構造物とは反対側に配置されている光透過部材をさらに有する、発光装置の製造方法。

【請求項6】

請求項５に記載の発光装置の製造方法において、
前記複数の光源ユニットのそれぞれは、
前記光透過部材の前記配線構造物とは反対側に配置され、前記複数の発光部から発する第１波長の光を第２波長の光に変換する波長変換部をさらに有する、発光装置の製造方法。

【請求項7】

請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記光源ユニットの前記配線構造物とは反対側の面と、前記封止部の前記配線構造物とは反対側の面とが、同一平面内にある、発光装置の製造方法。

【請求項8】

請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記複数の光源ユニットの前記配線構造物とは反対側に、前記複数の光源ユニットから発する第１波長の光を第２波長の光に変換する波長変換部を有する、発光装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

面内に配置した複数のＬＥＤ（発光ダイオード）と、蛍光体とを組み合わせた発光装置が提案されている（特許文献１参照）。また、基板上に複数のＬＥＤを配置し、それぞれのＬＥＤへの配線を一括して形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００８－２７０３１４号公報

【文献】特開２０１１－１９９１９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献２においては、発光層を含む積層体と、積層体に電力を供給する配線構造物に相当する補強樹脂および金属ピラーとの間に、封止部に相当する絶縁膜が形成されている。しかし、絶縁膜と補強樹脂とが接触する部分の形状は平坦であり、従って接触面積が小さく、絶縁膜と補強樹脂との間に十分な接合力を確保することが難しい。この結果、補強樹脂が絶縁膜および積層体から剥離する恐れがあり、発光装置の耐久性が低下するという課題がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の第１の態様によると、発光装置は、配線構造物と、前記配線構造物に電気的に接続されている複数の光源ユニットと、前記配線構造物と前記複数の光源ユニットとに接して配置されている封止部と、を備え、前記配線構造物は、前記複数の光源ユニットの側に凹凸部を有し、前記凹凸部の少なくとも一部は前記封止部と接触している。

【発明の効果】

【0006】

本発明の第１の態様によれば、光源ユニットと配線構造物との間の接合力が強化された発光装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１（ａ）～図１（ｃ）は、第１実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。

【図2】図２（ａ）～図２（ｂ）は、図１に続く第１実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。図２（ｃ）は第１実施形態の発光装置を示す図。

【図3】図３は、変形例の発光装置を示す図。図３（ａ）は変形例１を示す図、図３（ｂ）は変形例２を示す図。

【図4】図４（ａ）～図４（ｄ）は、第２実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。

【図5】図５（ａ）～図５（ｃ）は、図４に続く第２実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。

【図6】図６（ａ）は、第２実施形態の発光装置を示す図。図６（ｂ）は変形例３の発光装置を示す図。図６（ｃ）は変形例４の発光装置を示す図。

【図7】図７は、さらなる変形例の発光装置を示す図。図７（ａ）は変形例５の発光装置を示す図。図７（ｂ）は変形例６の発光装置を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

（発光装置の第１実施形態）
以下、図１から図２を参照しつつ、第１実施形態の発光装置１の製造方法を説明する。図１（ａ）～図１（ｃ）は、第１実施形態の発光装置１を製造する製造工程を示す断面図である。

【0009】

（工程１）
同一面内に複数の発光部１０が配置されている、被加工基板９を用意する。
図１（ａ）は、被加工基板９の断面図を示している。複数の発光部１０は、サファイア基板等の光透過部材１１ａの面上の、同一面内に配置されている。

【0010】

発光部１０はＧａＮ（窒化ガリウム）等の半導体を含むＬＥＤであり、光透過部材１１ａに近い側から、ｎ型半導体層２、発光層４、ｐ型半導体層５、および透明電極６が順次積層されている。ｎ型半導体層２、発光層４、ｐ型半導体層５、および透明電極６を覆って、保護膜７が形成されている。
発光部１０には、ｎ型半導体層２に電力を供給するためのｎ型電極パッド３、およびｐ型半導体層５に電力を供給するためのｐ型電極パッド８も形成されている。ｎ型電極パッド３、およびｐ型電極パッド８の上面は保護膜７から露出している。
発光層４を含む発光部１０の少なくとも一部は、有機材料で構成されていてもよい。

【0011】

発光部１０は、図１（ａ）および以降の各図の左右方向のみでなく、奥行き方向にも複数並んで形成されており、発光部１０が形成された光透過部材１１ａの面に垂直な方向から見れば、その面上には複数の発光部１０が格子状に配列して形成されている。
また、図１（ａ）および以降の各図においては、左右方向に並ぶ３個の発光部１０を示しているが、発光部１０の数は左右方向および奥行き方向のいずれについても３個以上、例えば数百個以上であっても良い。

【0012】

なお、図１（ａ）においては、各発光部１０に含まれるｎ型半導体層２は、光透過部材１１ａの面内方向に連続して形成されている。しかし、ｎ型半導体層２は各発光部１０毎に分離して形成されていても良い。
図１（ａ）に示した構造は、透明基板上に複数のＬＥＤを形成するための公知の方法により製造することができる。

【0013】

（工程２）
図１（ｂ）に示すように、光透過部材１１ａの、発光部１０が形成された面とは反対側の面に、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａを、順次形成する。
波長変換部材１２ａは、一例として、蛍光体を含んだ樹脂からなる蛍光体シートであっても良い。また、波長変換部材１２ａは、蛍光体の特性が異なる複数の蛍光体シートを積層して形成したものであっても良い。
保護部材１３ａは、一例として、樹脂からなる透明な保護シートであっても良い。

【0014】

（工程３）
図１（ｃ）に示すように、図１（ｂ）に示した光透過部材１１ａ上の複数の発光部１０に、絶縁部材と導電層とを含む配線構造物の一例としての、配線基板２０を貼り付ける。図１（ｃ）は、図１（ｂ）とは上下方向を反転して示している。

【0015】

配線基板２０は、ガラス基板２６上に形成された絶縁性基板２５と、絶縁性基板２５内に形成された下層配線２１、中層配線２２、および上層配線２３とを含む。ただし、配線構造物の一例としての配線基板２０は、ガラス基板２６は含まない。下層配線２１、中層配線２２、および上層配線２３は、その少なくとも一部が、相互に電気的に接続されている。絶縁性基板２５は、配線基板２０のうちの絶縁部を構成している。
光透過部材１１ａ上に形成されている発光部１０のｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８と、配線基板２０上の上層配線２３とは、貼り合わせ前に上層配線２３上に形成されていたはんだ２４により、電気的に接合される。
配線基板２０は、例えば、特開２０１８－１９０７８２号公報に記載される方法により製造することができるので、その製造方法の詳細の説明は省略する。

【0016】

（工程４）
工程３の終了後、図２（ａ）に示すように、隣り合う発光部１０同士を分割するように、光透過部材１１ａ、波長変換部材１２ａ、および保護部材１３ａをダイシングソーで切断し、空隙部２７を形成する。空隙部２７の幅は、切断に用いたダイシングソーのブレードの厚さに相当する。ダイシングソーにより切断された光透過部材１１ａ、波長変換部材１２ａ、および保護部材１３ａを、それぞれ、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３と呼ぶ。

【0017】

また、発光部１０と、それぞれの発光部１０と一体的に構成されている光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３とを、合わせて光源ユニット１５とも呼ぶ。
後述する変形例に示すように、光源ユニット１５は、必ずしも光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３の全てを有している必要は無く、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３のいずれか１つ以上が省略されていても良い。

【0018】

このダイシングソーでの光透過部材１１ａ等の切断に際し、ダイシングソーにより、配線基板２０に含まれる絶縁性基板２５の発光部１０側の面に、溝２８を形成する。溝２８の幅は、切断に用いたダイシングソーのブレードの厚さに相当する。
あるいは、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａの切断後に、空隙部２７を介して、ダイシングソーにより、絶縁性基板２５の発光部１０側の面に溝２８を形成しても良い。
あるいは、配線基板２０を複数の発光部１０に貼り付ける以前に、配線基板２０の絶縁性基板２５に予め溝２８を形成しておいても良い。

【0019】

（工程５）
切断されて形成された複数の光源ユニット１５を、封止部３０で封止する。封止部３０として、エポキシ樹脂等の樹脂材料を使用する。
図２（ｂ）は、光源ユニット１５と配線基板２０の間、および光源ユニット１５の相互間の空隙部２７に封止部３０が形成された状態を示している。すなわち、封止部３０は、空隙部２７、および複数の光源ユニット１５と配線基板２０との間に充填され、光源ユニット１５と配線基板２０とに接触して配置されている。

【0020】

配線基板２０に含まれる絶縁性基板２５の溝２８の少なくとも一部にも封止部３０が充填される。すなわち、封止部３０は、溝２８の少なくとも一部とも接触している。
封止部３０が溝２８に充填されることにより、封止部３０と配線基板２０との接触面積が増すとともにアンカー効果が発揮され、配線基板２０と封止部３０との接合力を強化することができる。

【0021】

なお、接合力を強化するための構造は上述の溝２８に限られるものではなく、配線基板２０の発光部１０側の面に、溝、穴、突起等の凹凸部を形成することで、配線基板２０と封止部３０との接合力を強化することができる。凹凸部により、封止部３０と接触する配線基板２０の面積が増加しているので、封止部３０は、凹凸部の全面に渡って配線基板２０と接触せずとも、少なくとも一部と接触することで、アンカー効果も加わり、十分な接合力を発揮することができる。

【0022】

以上の例では、溝２８等の凹凸部は、配線基板２０の絶縁部（絶縁性基板２５）の表面に形成するとしたが、配線基板２０に形成されている配線層（上層配線２３等）を凹凸部としても良い。
ただし、配線層は、絶縁性基板２５に対してそれほど高い接合力を有するものではなく、配線基板２０から剥離する恐れもある。従って、溝２８等の凹凸部を配線基板２０の絶縁部（絶縁性基板２５）の表面に形成することにより、配線基板２０と封止部３０との接合力を一層強化することができる。

【0023】

（工程６）
保護部材１３の上面に形成された封止部３０を、研磨等により除去する。一例として、封止部３０の上面が保護部材１３の上面と同一平面（面一）になるように、封止部３０を研磨等により除去する。
図２（ｃ）は、保護部材１３の上面に形成された封止部３０が除去された状態を示す図である。

【0024】

（工程７）
配線基板２０に密着しているガラス基板２６を、配線基板２０から剥離する。その後、配線基板２０に含まれる下層配線２１の一部に接して、はんだボール３１を形成することで、第１実施形態の発光装置１が完成する。
図２（ｃ）は、第１実施形態の発光装置１を示している。

【0025】

（第１実施形態の発光装置の変形例１）
図３（ａ）は、上述の第１実施形態の発光装置１に対する変形例１の発光装置１ａを示す図である。変形例１の発光装置１ａの構成は、上述の第１実施形態の発光装置１と概ね共通しているが、光源ユニット１５が波長変換部材１２および保護部材１３を有しない点が異なっている。

【0026】

変形例１の発光装置１ａは、上述の第１実施形態の発光装置１の製造工程の工程２において、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａの形成を省略することにより、製造することができる。
変形例１の発光装置１ａの製造に際しては、上述の工程６において、一例として封止部３０の上面が光透過部材１１の上面と同一平面（面一）になるように、封止部３０を研磨等により除去する。

【0027】

（第１実施形態の発光装置の変形例２）
図３（ｂ）は、上述の第１実施形態の発光装置１に対する変形例２の発光装置１ｂを示す図である。変形例２の発光装置１ｂの構成は、上述の変形例１と概ね共通しているが、複数の光源ユニット１５を覆う１つの波長変換部材１２ａを有する点が異なっている。

【0028】

変形例２の発光装置１ｂは、上述の変形例１の発光装置１ａを製造した後に、複数の光源ユニット１５のそれぞれの光透過部材１１の上に、波長変換部材１２ａを一括して形成することにより、製造することができる。

【0029】

（発光装置の第２実施形態）
以下、図４から図６を参照して、第２実施形態の発光装置１ｃについて説明する。
後述する図６（ａ）に示した第２実施形態の発光装置１ｃの構成および製造方法は、その多くの部分が上述の第１実施形態の発光装置１と共通している。従って、以下では同一の構成には同一の符号を付して、適宜説明を省略する。

【0030】

第２実施形態の発光装置１ｃの製造方法は、図１（ｂ）に示した上述の工程２までは、上述の第１実施形態の発光装置１の製造方法と同一である。
従って、以下では、第２実施形態の発光装置１ｃの製造に固有の工程３Ａ以降について説明する。

【0031】

（工程３Ａ）
光透過部材１１ａ上に、発光部１０を覆って絶縁膜３４を形成し、フォトリソグラフィ工程により、ｎ型電極パッド３およびｐ型電極パッド８上の絶縁膜３４に、開口部を形成する。そして、絶縁膜３４上および上記の開口部に、無電解メッキまたはスパッタ等により銅等の導体を成膜することによりシード層３５を形成する。
図４（ａ）は、シード層３５が形成された状態を示している。

【0032】

（工程４Ａ）
光透過部材１１ａ上に、シード層３５を覆ってフォトレジスト３６を形成する。そして、所定のフォトマスクを用いてフォトレジスト３６を露光し、現像を行い、フォトレジスト３６上の所定位置に開口部を形成する。この開口部から露出したシード層３５を電極として、この開口部に銅等の導体を電解メッキすることにより導電層３７を形成する。
図４（ｂ）は、導電層３７が形成された状態を示している。

【0033】

（工程５Ａ）
図４（ｂ）に示した状態から、フォトレジスト３６を剥離し、シード層３５および導電層３７を覆って、新たにフォトレジスト３８を形成する。そして、所定のフォトマスクを用いてフォトレジスト３８を露光し、現像を行い、フォトレジスト３８上の所定位置に開口部を形成する。この開口部から露出した導電層３７を電極として、この開口部に銅等の導体を電解メッキすることにより柱状電極３９を形成する。
図４（ｃ）は、柱状電極３９が形成された状態を示している。

【0034】

（工程６Ａ）
図４（ｃ）に示した状態から、フォトレジスト３８を剥離し、シード層３５を除去する。シード層３５の除去は、導電層３７をマスクとしてシード層３５をエッチングすることにより行う。
図４（ｄ）は、シード層３５が除去された状態を示している。

【0035】

（工程７Ａ）
導電層３７、柱状電極３９、および絶縁膜３４を、絶縁部材４１で封止する。すなわち、絶縁部材４１を、図４（ｄ）中の柱状電極３９の上端面と同じ高さまで充填する。絶縁部材４１として、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を使用する。
図５（ａ）は、導電層３７、柱状電極３９、および絶縁膜３４が絶縁部材４１により封止された状態を示している。図５（ａ）は、図４（ａ）～図４（ｄ）の各図とは上下方向を反転して示している。

【0036】

導電層３７および柱状電極３９はどちらも、光透過部材１１ａの面内方向（図中の左右方向および奥行方向）に配線を行うための配線層とすることができる。配線層である導電層３７および柱状電極３９により、後述するはんだボール３１を、ｎ型電極パッド３およびｐ型電極パッド８の直下以外の位置に形成することができる。
従って、絶縁膜３４および絶縁部材４１と、絶縁部材４１に接している導電層３７、柱状電極３９およびシード層３５とは、全体として絶縁部材と導電層を含む配線構造物の一例としての再配線層４０を構成している。そして、絶縁膜３４および絶縁部材４１は、再配線層４０のうちの絶縁部を構成している。

【0037】

（工程８Ａ）
図５（ｂ）に示すように、隣り合う発光部１０同士を分割するように、保護部材１３ａ、波長変換部材１２ａ、光透過部材１１ａ、ｎ型半導体層２、および保護膜７を、保護部材１３ａの側からダイシングソーで切断し、空隙部４２を形成する。さらに、空隙部４２に沿って、ダイシングソーにより絶縁膜３４に溝４３を形成する。上述のとおり、絶縁膜３４は再配線層４０の一部であるから、溝４３は再配線層４０に形成されている。

【0038】

空隙部４２および溝４３は、発光部１０の図５（ｂ）中の左右のみではなく、紙面の奥行き方向にも形成する。
溝４３の形成は、上述の空隙部４２を形成する光透過部材１１ａ等の切断と同時に行っても良く、空隙部４２の形成後に別途、形成された空隙部４２を介して行っても良い。
空隙部４２の幅および溝４３の幅は、使用したダイシングソーのブレードの厚さに相当する。

【0039】

上述の第１実施形態と同様に、ダイシングソーにより切断された光透過部材１１ａ、波長変換部材１２ａ、および保護部材１３ａを、それぞれ、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３と呼ぶ。
同じく上述の第１実施形態と同様に、発光部１０と、それぞれの発光部１０と一体的に構成されている光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３とを、合わせて光源ユニット１５とも呼ぶ。また、光源ユニット１５は、必ずしも光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３の全てを有している必要は無く、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３のいずれか１つ以上が省略されていても良い。

【0040】

工程８Ａにおける切断後も、複数の光源ユニット１５は、はんだ２４および絶縁膜３４を介して、絶縁部材４１により一体的に保持されている。また、複数の光透過部材１１、波長変換部材１２および保護部材１３も、複数の光源ユニット１５のそれぞれと密着しており、光源ユニット１５を介して絶縁部材４１により一体的に保持されている。

【0041】

（工程９Ａ）
工程８Ａにおける切断により形成された複数の光源ユニット１５を、封止部４４で封止する。封止部４４として、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を使用する。なお、高反射性の特性を持つ樹脂材料や、遮光性の高い特性を持つ樹脂材料を用いても良い。
図５（ｃ）は、複数の光源ユニット１５が、封止部４４で封止された状態を示している。封止部４４を構成する封止材は、複数の保護部材１３のそれぞれの間から空隙部４２に流入し、空隙部４２および溝４３内に充填される。従って、封止部４４は、光源ユニット１５の側面、および溝４３を含む絶縁膜３４の表面と接触している。

【0042】

絶縁膜３４の表面に溝４３が形成されているために、封止部４４が溝４３に流入することにより、絶縁膜３４と封止部４４の接触面積を増大させ、再配線層４０の一部である絶縁膜３４と封止部４４との接合力を増大させることができる。
なお、接合力を強化するための構造は上述の溝４３に限られるものではない。例えば、溝４３は、絶縁膜３４を貫通し、絶縁部材４１の一部に達する深さまで形成されていても良い。すなわち、絶縁膜３４および絶縁部材４１を含む再配線層４０の発光部１０側の面に、溝、穴、突起等の凹凸部を形成することで、再配線層４０と封止部４４との接合力を強化することができる。凹凸部は、上述のようにダイシングソーにより空隙部４２を形成した後に、空隙部４２を通じて再配線層４０をドリル等で掘削して形成しても良い。

【0043】

また、溝４３等の凹凸部は、再配線層４０の絶縁部（絶縁膜３４または絶縁部材４１）の表面に形成するとしたが、再配線層４０に含まれる導電層３７または柱状電極３９を凹凸部としても良い。
ただし、上述の第１実施形態と同様に、溝４３等の凹凸部を再配線層４０の絶縁部（絶縁膜３４または絶縁部材４１）の表面に形成することにより、再配線層４０と封止部４４との接合力を一層強化することができる。

【0044】

（工程１０Ａ）
保護部材１３の上面に形成された封止部４４を、研磨等により除去する。一例として、封止部４４の上面が保護部材１３の上面と同一平面（面一）になるように、封止部４４を研磨等により除去する。また、それぞれの発光部１０に形成されている柱状電極３９の端面（図５（ｃ）中では下端面）に、はんだボール３１を形成する。これにより、第２実施形態の発光装置１ｃが完成する。
図６（ａ）は、完成した第２実施形態の発光装置１ｃを示している。

【0045】

（第２実施形態の発光装置の変形例３）
図６（ｂ）は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃに対する変形例３の発光装置１ｄを示す図である。変形例３の発光装置１ｄの構成は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃと概ね共通しているが、光源ユニット１５が波長変換部材１２および保護部材１３を有しない点が異なっている。

【0046】

変形例３の発光装置１ｄは、上述の第２実施形態の発光装置１ｃの製造工程の工程２において、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａの形成を省略することにより、製造することができる。
変形例３の発光装置１ｄの製造に際しては、上述の工程１０Ａにおいて、一例として封止部４４の上面が光透過部材１１の上面と同一平面（面一）になるように、封止部４４を研磨等により除去する。

【0047】

（第２実施形態の発光装置の変形例４）
図６（ｃ）は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃに対する変形例４の発光装置１ｅを示す図である。変形例４の発光装置１ｅの構成は、上述の変形例３と概ね共通しているが、複数の光源ユニット１５を覆う１つの波長変換部材１２ａを有する点が異なっている。

【0048】

変形例４の発光装置１ｅは、上述の変形例３の発光装置１ｄを製造した後に、複数の光源ユニット１５のそれぞれの光透過部材１１の上に、波長変換部材１２ａを一括して形成することにより、製造することができる。

【0049】

（第２実施形態の発光装置の変形例５）
図７（ａ）は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃに対する変形例５の発光装置１ｆを示す図である。変形例５の発光装置１ｆの構成は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃと概ね共通しているため、以下では、同一の構成には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

【0050】

上述の各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅにおいては、配線（下層配線２１、中層配線２２、上層配線２３、導電層３７、柱状電極３９）は、１つの発光部１０内のｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８と、はんだボール３１とを電気的に接続する。
一方、図７（ａ）に示した変形例５の発光装置１ｆでは、少なくとも一部の導電層３７は、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成されている。

【0051】

なお、図７（ａ）では、一例として一部の導電層３７が、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｐ型電極パッド８とを電気的に接続した例を示しているが、配線の構成は、これに限るものではない。
すなわち、導電層３７は、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｎ型電極パッド３とを電気的に接続しても良く、３個以上の発光部１０に含まれるｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８のそれぞれを、相互に電気的に接続しても良い。
導電層３７は、図７（ａ）に示したように紙面内の左右方向の一方向に限らず、紙面に垂直な方向等の任意の方向に形成されていても良い。

【0052】

なお、導電層３７が、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成される場合、導電層３７は、再配線層４０を、発光部１０側の再配線層４０に垂直な方向から見た上面視で、溝４３等の凹凸部と交差して形成されることになる。従って、溝４３等の凹凸部が、再配線層４０の絶縁部材４１に達する深さまで形成されていると、溝４３の形成に際して、導電層３７を破損する恐れがある。従って、変形例５の発光装置１ｆにおいては、溝４３等の凹凸部の最深部が、絶縁膜３４の内部になるように留めておく。

【0053】

なお、上述の変形例３および変形例４の発光装置１ｄ、１ｅにおいても、変形例４の発光装置１ｆと同様に、導電層３７を、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成しても良い。

【0054】

（第１実施形態の発光装置の変形例６）
図７（ｂ）は、上述の第１実施形態の発光装置１に対する変形例６の発光装置１ｇを示す図である。変形例６の発光装置１ｇの構成は、上述の第１実施形態の発光装置１と概ね共通しているため、以下では、同一の構成には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

【0055】

変形例６の発光装置１ｇは、上述の変形例６の発光装置１ｆと同様に、少なくとも一部の中層配線２２が、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成されている。
なお、図７（ｂ）では、一例として一部の中層配線２２が、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｐ型電極パッド８とを電気的に接続した例を示しているが、配線の構成は、これに限るものではない。

【0056】

すなわち、中層配線２２は、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｎ型電極パッド３とを電気的に接続しても良く、３個以上の発光部１０に含まれるｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８のそれぞれを、相互に電気的に接続しても良い。
中層配線２２は、図７（ｂ）に示したように紙面内の左右方向の一方向に限らず、紙面に垂直な方向等の任意の方向に形成されていても良い。
また、中層配線２２に代えて、下層配線２１または上層配線２３が、上記と同様に複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成されていても良い。

【0057】

（各実施形態および各変形例の発光装置に対する補足説明）
以上で説明した各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅのいずれにおいても、発光部１０が発する第１波長の光は、単一波長の光であっても良く、波長幅を有する光であっても良い。波長変換部材１２は、第１波長の光の全てを第２波長の光に変換しても良く、第１波長の光の一部を第２波長の光に変換しても良い。第２波長の光は、第１波長の光とは波長が異なる光であり、単一波長の光であっても良く、波長幅を有する光であっても良い。波長変換部材１２として蛍光体を含む材料を使用する場合には、一般的に第２波長は、第１波長よりも波長が長くなる。

【0058】

以上で説明した、各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅは、必ずしもはんだボール３１を備えなくても良いが、柱状電極３９の端面または下層配線２１が、はんだボール３１を備えることにより、発光装置１、１ａの電子基板等への実装時のコストの低減が図れる。ただし、発光装置１、１ａ～１ｅを実装すべき電子基板等に予めはんだが形成されている場合には、はんだボール３１は不要である。

【0059】

以上で説明した、各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅにおいて、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の表面に形成する溝２８、４３等の凹凸部の段差は、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の厚さの１／５以上、かつ４／５以下とすることができる。段差がこの範囲より小さいと、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）と封止部３０、４４との接触面積を十分に増大させることができず、段差がこの範囲より大きいと、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の機械的な強度を弱めてしまう恐れがある。

【0060】

以上で説明した各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅのいずれにおいても、溝２８、４３等の凹凸部は、上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成されている。ここで上面視とは、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）を、光源ユニット１５側の、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）に垂直な方向から見た場合を言う。
封止部３０、４４は、主に複数の光源ユニット１５のそれぞれの間を通って、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の近傍に流入する。従って、溝部を上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成することにより、封止部３０、４４を高効率で溝部に充填することができ、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）と封止部３０、４４との接合力をさらに強化することができる。

【0061】

以上で説明した、各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｆのいずれにおいても、光透過部材１１を省略しても良い。この場合、工程１において図１（ａ）に示した被加工基板９に代えて、機械的強度の高い波長変換部材１２ａ上に直接複数の発光部１０が形成された被加工基板を用意すれば良い。

【0062】

（第１実施形態、第２実施形態、および各変形例の発光装置の効果）
第１実施形態、第２実施形態、および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅによれば、以下の作用効果が得られる。
（１）第１実施形態、第２実施形態、および各変形例の発光装置１、ａ～１ｅは、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）と、配線構造物に電気的に接続されている複数の光源ユニット１５と、配線構造物と複数の光源ユニット１５とに接して配置されている封止部３０、４４とを備え、配線構造物は、複数の光源ユニット１５の側に凹凸部（溝２８、４３）を有し、凹凸部の少なくとも一部は封止部３０、４４と接触している。
この構成により、配線構造物の凹凸部により、配線構造物と封止部３０、４４との接触面積が増大するとともに、アンカー効果が発揮される。そのため、光源ユニット１５を保持する封止部３０、４４と配線構造物との間の接合力が強化された発光装置を実現できる。

【0063】

（２）さらに、凹凸部（溝２８、４３）は、配線構造物のうちの絶縁性の部材で構成された絶縁部（絶縁性基板２５、絶縁部材４１）に形成されている構成とすることで、配線構造物と封止部３０、４４との接合力を一層強化することができる。
（３）さらに、凹凸部は、配線構造物の複数の光源ユニット１５の側の面に形成された溝部（溝２８、４３）とすることもできる。

【0064】

（４）さらに、溝部（溝２８、４３）は、上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成されている構成とすることで、配線構造物と封止部３０、４４との接合力をさらに強化することができる。封止部３０、４４は、主に複数の光源ユニット１５のそれぞれの間を通って、配線構造物の近傍に流入する。従って、溝部を上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成することにより、封止部３０、４４を高効率で溝部に充填することができるためである。

【0065】

（５）さらに、溝部（溝２８、４３）の幅を、複数の光源ユニット１５の間の間隔に等しくすると、ダイシングソーによる切断により複数の光源ユニット１５を形成する工程（工程４、工程８Ａ）において、上記の切断と同時に溝部を形成することができ、溝部の形成工程のコストダウンが図れる。
（６）さらに、凹凸部の段差を、配線構造物の厚さの１／５以上、かつ４／５以下とすることで、光源ユニット１５を保持する封止部３０、４４と配線構造物との間の接合力を強化するとともに、配線構造物の機械的強度を維持することができる。

【0066】

（７）さらに、複数の光源ユニット１５のそれぞれは、配線構造物に電気的に接続されている発光部１０と、発光部１０の、配線構造物とは反対側に配置されている光透過部材１１と、を有する構成としても良い。この構成により、発光部１０を、光透過部材１１により機械的および化学的に保護することができる。
（８）さらに、複数の光源ユニット１５のそれぞれは、光透過部材１１の配線構造物とは反対側に配置され、複数の発光部１０から発する第１波長の光を第２波長の光に変換する波長変換部をさらに有する構成としても良い。この構成により、より広い波長域を有する光を発生する発光装置を実現できる。

【0067】

（９）さらに、複数の光源ユニット１５の配線構造物とは反対側に、複数の光源ユニット１５から発する第１波長の光を第２波長の光に変換する波長変換部を有する構成としても良い。この構成により、より広い波長域を有する光を発生する発光装置を実現できる。
（１０）さらに、配線構造物を、絶縁性基板２５と絶縁性基板２５内に形成された配線（２１～２３）とを有する配線基板２０とすることで、発光装置１、１ａ、１ｂの機械的強度を一層高めることができる。

【0068】

上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。

【符号の説明】

【0069】

１，１ａ～１ｅ…発光装置、２…ｎ型半導体層、３…ｎ型電極パッド、４…発光層、５…ｐ型半導体層、６…透明電極、７…保護膜、８…ｐ型電極パッド、９…被加工基板、１０…発光部、１１，１１ａ…光透過部材、１２，１２ａ…波長変換部材、１３，１３ａ…保護部材、２０…配線基板、２１…下層配線、２２…中層配線、２３…上層配線、２５…絶縁性基板（絶縁部）、２４…はんだ、２７…空隙部、２８，４３…溝（凹凸部）、３０，４４…封止部、３１…はんだボール、３４…絶縁膜、３５…シード層、３６，３８…フォトレジスト、３７…導電層、３９…柱状電極、４０…再配線層、４１…絶縁部材（絶縁部）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】