特許 7266469 配線基板の製造方法及び積層構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-20

(45)【発行日】2023-04-28

(54)【発明の名称】配線基板の製造方法及び積層構造

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230421BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 N

H05K3/46 V

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2019112039

(22)【出願日】2019-06-17

(65)【公開番号】P2020205331

(43)【公開日】2020-12-24

【審査請求日】2022-01-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 圭吾

(72)【発明者】

【氏名】種子田 浩志

(72)【発明者】

【氏名】清水 規良

【審査官】柴垣 宙央

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２００９／１１９６８０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－１９２５４７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持体と、前記支持体上の剥離層と、を備えた支持基板を準備する工程と、
前記剥離層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内及び前記絶縁層上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を研磨する工程と、
を有し、
前記支持基板を準備する工程と前記第１の導電層を研磨する工程との間に、
前記支持体上で前記剥離層の側面を露出させる工程と、
前記支持体上に前記剥離層の前記側面を覆う保護材を形成する工程と、
を有し、
前記支持基板を準備する工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記剥離層の前記側面を露出させる工程を有し、
前記絶縁層を形成する工程において、前記保護材として前記絶縁層の一部により前記剥離層の前記側面を覆い、
前記支持基板を準備する工程と前記剥離層の前記側面を露出させる工程との間に、
前記剥離層上に開口部を備えた成膜マスクを形成する工程と、
前記第１の導電層が接続される第２の導電層を前記開口部内に形成する工程と、
を有し、
前記剥離層の前記側面を露出させる工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記成膜マスクを除去する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。

【請求項2】

前記第１の導電層の研磨を化学機械的研磨法により行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。

【請求項3】

前記第１の導電層を形成する工程の後に、
前記絶縁層上に前記第１の導電層に接続される多層配線を形成する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。

【請求項4】

前記多層配線を形成する工程の後に、
前記剥離層を前記絶縁層から剥離する工程と、
実装基板に設けられた電極パッドに前記第１の導電層を電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。

【請求項5】

支持体と、
前記支持体上の剥離層と、
前記剥離層上の絶縁層と、
前記絶縁層に形成されたビアホールと、
前記ビアホール内の第１の導電層と、
を有し、
前記剥離層の側面は前記支持体の側面よりも内側に位置し、
前記支持体上に前記剥離層の前記側面を覆う保護材を有し、
前記保護材は前記絶縁層の一部であり、
前記支持体の上面は、
前記剥離層に覆われている第１領域と、
前記剥離層から露出する第２領域と、
を有し、
前記第２領域は、前記第１領域よりも前記支持体の下面側にあることを特徴とする積層構造。

【請求項6】

前記支持体は、前記第１領域及び前記第２領域に連なる第１面を有し、
前記保護材は、前記第１面及び前記第２領域に接することを特徴とする請求項５に記載の積層構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板の製造方法及び積層構造に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板の製造方法の一つでは、剥離層を有する支持基板上に樹脂層を形成し、樹脂層内に導電ビアを形成し、樹脂層上に微細配線を形成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－２５１３１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記の方法では、導電ビアの形成の際に金属層の研磨を行うことがあるが、金属層の研磨の際に、剥離層が剥離してしまうことがある。

【0005】

本開示は、研磨の際の剥離層の剥離を抑制することができる配線基板の製造方法及び積層構造を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、支持体と、前記支持体上の剥離層と、を備えた支持基板を準備する工程と、前記剥離層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内及び前記絶縁層上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層を研磨する工程と、を有し、前記支持基板を準備する工程と前記第１の導電層を研磨する工程との間に、前記支持体上で前記剥離層の側面を露出させる工程と、前記支持体上に前記剥離層の前記側面を覆う保護材を形成する工程と、を有し、前記支持基板を準備する工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記剥離層の前記側面を露出させる工程を有し、前記絶縁層を形成する工程において、前記保護材として前記絶縁層の一部により前記剥離層の前記側面を覆い、前記支持基板を準備する工程と前記剥離層の前記側面を露出させる工程との間に、前記剥離層上に開口部を備えた成膜マスクを形成する工程と、前記第１の導電層が接続される第２の導電層を前記開口部内に形成する工程と、を有し、前記剥離層の前記側面を露出させる工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記成膜マスクを除去する工程を有する配線基板の製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、研磨の際の剥離層の剥離を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図2】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図3】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図4】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図5】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図6】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図7】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図8】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図9】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図10】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１０）である。

【図11】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１１）である。

【図12】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１２）である。

【図13】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１３）である。

【図14】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１４）である。

【図15】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１５）である。

【図16】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１６）である。

【図17】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１７）である。

【図18】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１８）である。

【図19】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図20】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図21】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図22】第２の実施形態における電極パッドのくびれの形状の一例を示す断面図である。

【図23】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図24】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図25】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図26】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図27】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図28】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図29】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0010】

（第１の実施形態）
第１の実施形態は、配線基板の製造方法に関する。図１～図１８は、第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。

【0011】

第１の実施形態では、支持体を含む第１の配線構造体１０を形成し、第１の配線構造体１０上に第２の配線構造体２０を形成し、第１の配線構造体１０及び第２の配線構造体２０の積層構造３０から支持体を取り除き、別途、準備したビルドアップ基板４０上に積層構造３０を実装する。

【0012】

第１の実施形態では、まず、図１に示すように、支持基板１００を準備する。支持基板１００は支持体１０１と、密着層１０２と、剥離層１０３と、エッチストップ層１０４と、シード層１０５とを有する。本開示においては、便宜上、支持体１０１の密着層１０２、剥離層１０３、エッチストップ層１０４及びシード層１０５側の面を上面といい、他方の面を下方という。但し、配線基板は天地逆の状態で用いることができ、また、任意の姿勢で用いることができる。

【0013】

密着層１０２は支持体１０１の上面１０１Ａ上に形成され、剥離層１０３は密着層１０２上に形成されている。エッチストップ層１０４は剥離層１０３上に形成され、シード層１０５はエッチストップ層１０４上に形成されている。例えば、剥離層１０３は無機物の層である。例えば、密着層１０２は、支持体１０１上のチタン層と、チタン層上の銅層とを有し、剥離層１０３を支持体１０１に密着させる。エッチストップ層１０４は、シード層１０５のウェットエッチングに用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する。シード層１０５の材料は、例えば銅等の金属である。エッチストップ層１０４の材料は、例えばチタン等の金属である。

【0014】

支持基板１００には、平面視で、配線を形成する配線部１００Ａと、配線部１００Ａを取り囲む平面視で環状の外周部１００Ｂとが設けられている。

【0015】

次いで、図２に示すように、シード層１０５上に、開口部１９１ｘを有するめっきレジスト層１９１を形成する。例えば、開口部１９１ｘは、配線部１００Ａ内でパッドを形成する予定の領域に設けられる。めっきレジスト層１９１は成膜マスクの一例である。

【0016】

その後、図３に示すように、シード層１０５をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、開口部１９１ｘに銅等からなる金属めっき層１１１を形成する。金属めっき層１１１は第２の導電層の一例である。

【0017】

続いて、図４に示すように、外周部１００Ｂにおいて、めっきレジスト層１９１、シード層１０５、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２を平面視で環状に除去する。この結果、支持体１０１上で剥離層１０３の側面１０３Ａが露出する。つまり、剥離層１０３の側面１０３Ａが支持体１０１の側面よりも内側に位置するようになる。また、支持体１０１上で剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面及び剥離層１０３と密着層１０２との界面も露出する。つまり、これら界面が支持体１０１の側面よりも内側に位置するようになる。めっきレジスト層１９１、シード層１０５、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２は、例えばダイシングソーを用いた加工により除去することができる。支持体１０１の表面の一部を除去してもよい。例えば、めっきレジスト層１９１、シード層１０５、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２を除去する幅は、２ｍｍ～３ｍｍ程度である。例えば、めっきレジスト層１９１、シード層１０５、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２を除去する深さは、支持体１０１の表面も含めて３０μｍ～４０μｍ程度である。

【0018】

次いで、図５に示すように、めっきレジスト層１９１を除去する。更に、金属めっき層１１１をマスクにしてシード層１０５をウェットエッチングにより除去する。この結果、エッチストップ層１０４の表面が露出する。また、シード層１０５と金属めっき層１１１とを含む電極パッド１１２が形成される。

【0019】

その後、図６に示すように、密着層１０２、剥離層１０３及びエッチストップ層１０４の側面と、エッチストップ層１０４の表面と、電極パッド１１２の側面及び表面とを覆う絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は保護材の一例である。

【0020】

絶縁層１２０は、例えば、樹脂層１２１と、樹脂層１２１上の樹脂層１２２と、樹脂層１２２上の樹脂層１２３とを含む。樹脂層１２２は、ガラス繊維等の補強部材に絶縁性樹脂を含浸させて形成されている。樹脂層１２２の補強部材に含浸される絶縁性樹脂は、例えば熱硬化により硬化する。樹脂層１２１及び１２３は、熱硬化性の樹脂を含むが、ガラス繊維などの補強部材を含まない。樹脂層１２１及び１２３がフィラー等を含んでもよい。例えば、樹脂層１２２は樹脂層１２１及び１２３よりも厚く、樹脂層１２１を樹脂層１２２よりも支持基板１００側に位置させる。絶縁層１２０は、支持体１０１の下面１０１Ｂ上にも形成する。

【0021】

続いて、図７に示すように、支持体１０１の上面１０１Ａ側の絶縁層１２０に電極パッド１１２に到達するビアホール１２０ｘを形成する。ビアホール１２０ｘは、例えばレーザ加工により形成することができる。ビアホール１２０ｘの形成後に、デスミア処理を行い、ビアホール１２０ｘの底部に露出する電極パッド１１２の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0022】

次いで、図８に示すように、例えば無電解めっき法により、支持体１０１の上面１０１Ａ側で、絶縁層１２０の表面と、ビアホール１２０ｘの内壁面と、電極パッド１１２の表面とにシード層１３１を形成する。

【0023】

その後、図９に示すように、各電極パッド１１２の上方に開口部１９２ｘを有するめっきレジスト層１９２をシード層１３１上に形成する。

【0024】

続いて、図１０に示すように、シード層１３１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、開口部１９２ｘに銅等からなる金属めっき層１３２を形成する。シード層１３１及び金属めっき層１３２は第１の導電層の一例である。

【0025】

次いで、図１１に示すように、めっきレジスト層１９２を除去し、金属めっき層１３２をマスクにしてシード層１３１をウェットエッチングにより除去する。

【0026】

その後、図１２に示すように、化学機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）法により、金属めっき層１３２が絶縁層１２０と面一になるように金属めっき層１３２及びシード層１３１を研磨する。この結果、ビアホール１２０ｘ内にシード層１３１と金属めっき層１３２とを含む導電ビア１３３が形成される。

【0027】

このようにして、絶縁層１２０と、絶縁層１２０内の導電ビア１３３と、導電ビア１３３に接続された電極パッド１１２とを備えた第１の配線構造体１０が形成される。

【0028】

金属めっき層１３２及びシード層１３１の研磨の際に樹脂層１２３の上面を研磨してもよい。その場合、積層時に表面に生じた樹脂層１２３の上面のうねりが研磨により除去され、より平坦な面が得られる。樹脂層１２３の上面の平坦度が高ければ、樹脂層１２３の上面に形成される第２の配線構造体２０の配線をより微細にすることが可能となる。

【0029】

続いて、図１３に示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層１２０及び導電ビア１３３上に絶縁層１４１及び配線１５１を形成し、絶縁層１４１及び配線１５１上に絶縁層１４２及び配線１５２を形成し、絶縁層１４２及び配線１５２上に絶縁層１４３及び配線１５３を形成し、絶縁層１４３及び配線１５３上に絶縁層１４４及び配線１５４を形成する。

【0030】

このようにして、絶縁層１４１～１４４と、配線１５１～１５４とを備えた第２の配線構造体２０が形成され、第１の配線構造体１０と第２の配線構造体２０との積層構造３０が得られる。第２の配線構造体２０に含まれる絶縁層、配線の数は特に限定されない。第２の配線構造体２０は多層配線の一例である。

【0031】

次いで、図１４に示すように、エッチストップ層１０４から剥離層１０３とともに密着層１０２及び支持体１０１を剥離する。この剥離では、例えば、外周部１００Ｂにて、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２の側面よりも配線部１００Ａ側の部分で、積層構造３０を切断する。この結果、剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面が露出する。従って、剥離層１０３をエッチストップ層１０４から容易に剥離することができる。剥離層１０３の剥離に伴ってエッチストップ層１０４が露出する。

【0032】

その後、図１５に示すように、エッチストップ層１０４を除去し、電極パッド１１２の端面１１２Ａを露出する。エッチストップ層１０４は、シード層１０５のウェットエッチングに用いるエッチング液とは異なるエッチング液を用いてウェットエッチングすることができる。従って、第１の配線構造体１０の下面において電極パッド１１２の端面１１２Ａがエッチングされることがなく、荒れの少ない平滑な面に保たれる。また、支持体１０１の上面１０１Ａと同様に、エッチストップ層１０４の上面が平坦であるため、端面１１２Ａと樹脂層１２１の下面とが面一となる。

【0033】

続いて、図１６に示すように、第１の配線構造体１０の下面に、電極パッド１１２の端面１１２Ａを被覆する接着層５０を形成する。端面１１２Ａと第１の配線構造体１０の下面とが面一であるため、第１の配線構造体１０の下面に形成される接着層５０の厚さを均一にすることができる。接着層５０としては、例えばエポキシを主剤とするＮＣＦ（non-conductive film）を用いることができる。

【0034】

図１７に示すように、別途、ビルドアップ基板４０を準備する。ビルドアップ基板４０は、例えば、コア層１６０と、コア層１６０の上面に積層されたビルドアップ層１７０と、コア層１６０の下面に積層されたビルドアップ層１８０とを有する。ビルドアップ層１７０の上面には、電極パッド１７１が形成され、ビルドアップ層１８０の下面には、電極パッド１８１が形成されている。電極パッド１７１の材料は、例えば銅等の導電体である。電極パッド１７１は、ビルドアップ基板４０が積層構造３０に接合される際の接続端子として用いられる。電極パッド１８１の材料は、例えば銅等の導電体である。電極パッド１８１は、ビルドアップ基板４０がマザーボード等の外部部品に接合される際の接続端子として用いられる。また、コア層１６０の内部、ビルドアップ層１７０の内部及びビルドアップ層１８０の内部には、電極パッド１７１と電極パッド１８１とを電気的に接続する配線が形成されている。ビルドアップ基板４０は実装基板の一例である。ビルドアップ層１７０、ビルドアップ層１８０に含まれる絶縁層、配線の数は特に限定されない。

【0035】

そして、図１８に示すように、第１の配線構造体１０と第２の配線構造体２０との積層構造３０をビルドアップ基板４０に実装する。このとき、電極パッド１１２と電極パッド１７１とを、はんだ１７２により接合する。接着層５０は、積層構造３０の下面（つまり、第１の配線構造体１０の下面）とビルドアップ基板４０の上面との間に配置され、積層構造３０の側面の一部を被覆した状態で積層構造３０とビルドアップ基板４０とを接着する。上述のように、接着層５０の厚さが均一であるため、積層構造３０とビルドアップ基板４０との接着時に、接着層５０が第１の配線構造体１０の下面から外方へ均等に押し出され、電極パッド１１２の端面１１２Ａに残存しにくい。従って、電極パッド１１２と電極パッド１７１との間での接着層５０の噛み込みを回避し、優れた接続信頼性を得ることができる。

【0036】

このようにして配線基板を製造することができる。

【0037】

第１の実施形態では、金属めっき層１３２及びシード層１３１の研磨の際に、剥離層１０３の側面１０３Ａ、剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面及び剥離層１０３と密着層１０２との界面が絶縁層１２０により覆われている。このため、剥離の起点の発生を抑制することができる。従って、研磨の際に剥離層１０３に厚さ方向に垂直な方向（面内方向）の応力が作用するものの、剥離層１０３の剥離を抑制することができる。また、ＣＭＰ法による研磨では、研磨スラリーを剥離層１０３まで到達することを抑制することができる。この点でも剥離層１０３の剥離を抑制することができる。

【0038】

更に、第１の実施形態では、ダイシングソー等を用いて支持体１０１上で剥離層１０３の側面１０３Ａ等を露出する際に、めっきレジスト層１９１及びシード層１０５によりエッチストップ層１０４の上面を覆っているため、剥離層１０３等の加工で生じたパーティクル等によるエッチストップ層１０４の上面の汚染を抑制することができる。

【0039】

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、電極パッド１１２の形状の点で第１の実施形態と相違する。図１９～図２１は、第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。

【0040】

第２の実施形態では、まず、第１の実施形態と同様にして、開口部１９１ｘを有するめっきレジスト層１９１の形成までの処理を行う（図２参照）。次いで、図１９に示すように、シード層１０５をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、開口部１９１ｘに銅等からなる金属めっき層２１１を形成する。金属めっき層２１１としては、シード層１０５よりも粒界密度が小さい層を形成する。例えば、シード層１０５をスパッタ法により形成しておくことで、金属めっき層２１１の粒界密度をシード層１０５の粒界密度よりも小さくすることができる。

【0041】

その後、図２０に示すように、第１の実施形態と同様にして、ダイシングソーを用いた加工等により、外周部１００Ｂにおいて、めっきレジスト層１９１、シード層１０５、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２を除去する。この結果、支持体１０１上で剥離層１０３の側面１０３Ａが露出する。つまり、剥離層１０３の側面１０３Ａが支持体１０１の側面よりも内側に位置するようになる。また、支持体１０１上で剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面及び剥離層１０３と密着層１０２との界面も露出する。つまり、これら界面が支持体１０１の側面よりも内側に位置するようになる。

【0042】

続いて、図２１に示すように、めっきレジスト層１９１を除去する。更に、金属めっき層２１１をマスクにしてシード層１０５をウェットエッチングにより除去する。この結果、エッチストップ層１０４の表面が露出する。また、シード層１０５と金属めっき層２１１とを含む電極パッド２１２が形成される。シード層１０５と金属めっき層２１１との間で粒界密度が異なるため、シード層１０５のウェットエッチングの際に、シード層１０５と金属めっき層２１１との境界部分も優先的にエッチングされる。従って、電極パッド２１２の外側面２１２Ｂのうちシード層１０５と金属めっき層１１１との境界部分２１３に対応する領域にくびれ２１４が形成される。

【0043】

金属めっき層２１１の粒界密度がシード層１０５の粒界密度よりも小さいため、くびれ２１４は、シード層１０５と金属めっき層２１１との境界部分２１３に対して非対称な形状に形成される。具体的には、例えば、図２２に示すように、くびれ２１４は、境界部分２１３よりも上側の面の傾斜が境界部分２１３よりも下側の面の傾斜よりも大きい形状に形成される。図２２は、くびれ２１４の形状の一例を示す断面図である。

【0044】

電極パッド２１２の形成後には、第１の実施形態と同様にして、絶縁層１２０の形成（図６参照）以降の処理を行う。このようにして配線基板を製造することができる。

【0045】

第２の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、第２の実施形態では、電極パッド２１２に形成されたくびれ２１４と絶縁層１２０との接触面積が大きくなるため、電極パッド２１２と絶縁層１２０との間の密着性をより向上することができる。

【0046】

第１の実施形態及び第２の実施形態において、剥離層１０３の側面１０３Ａ等を露出する処理を、めっきレジスト層１９１及びシード層１０５を除去した後に行ってもよい。

【0047】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、剥離層１０３の側面１０３Ａを覆う保護材の構成の点で第１の実施形態と相違する。図２３～図２９は、第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。

【0048】

第３の実施形態では、まず、第１の実施形態と同様にして、金属めっき層１１１の形成までの処理を行う（図３参照）。次いで、図２３に示すように、シード層１０５、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２の全体を残したまま、めっきレジスト層１９１を除去する。更に、金属めっき層１１１をマスクにしてシード層１０５をウェットエッチングにより除去する。この結果、エッチストップ層１０４の表面が露出する。また、シード層１０５と金属めっき層１１１とを含む電極パッド１１２が形成される。

【0049】

その後、図２４に示すように、第１の実施形態と同様にして、絶縁層１２０を形成する。

【0050】

続いて、図２５に示すように、外周部１００Ｂにおいて、絶縁層１２０、エッチストップ層１０４、剥離層１０３及び密着層１０２に、支持体１０１まで到達し、平面視で環状の開口部３２０ｘを形成する。この結果、支持体１０１上で剥離層１０３の側面１０３Ａが露出する。また、支持体１０１上で剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面及び剥離層１０３と密着層１０２との界面も露出する。開口部３２０ｘは、例えばダイシングソーを用いた加工により形成することができる。支持体１０１の表面の一部を除去してもよい。

【0051】

次いで、図２６に示すように、第１の実施形態と同様にして、支持体１０１の上面１０１Ａ側の絶縁層１２０に電極パッド１１２に到達するビアホール１２０ｘを形成する。ビアホール１２０ｘの形成後に、デスミア処理を行い、ビアホール１２０ｘの底部に露出する電極パッド１１２の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0052】

その後、第１の実施形態と同様にして、シード層１３１の形成（図８参照）から金属めっき層１３２をマスクにしたシード層１３１のウェットエッチング（図１１参照）までの処理を行う。第３の実施形態では、図２７に示すように、開口部３２０ｘ内にもシード層１３１及び金属めっき層１３２が形成される。開口部３２０ｘ内のシード層１３１及び金属めっき層１３２は保護材の一例である。

【0053】

続いて、図２８に示すように、ＣＭＰ法により、金属めっき層１３２が絶縁層１２０と面一になるように金属めっき層１３２及びシード層１３１を研磨する。この結果、ビアホール１２０ｘ内にシード層１３１と金属めっき層１３２とを含む導電ビア１３３が形成される。

【0054】

このようにして、絶縁層１２０と、絶縁層１２０内の導電ビア１３３と、導電ビア１３３に接続された電極パッド１１２とを備えた第１の配線構造体１０が形成される。

【0055】

次いで、図２９に示すように、第１の実施形態と同様にして、第２の配線構造体２０を形成し、エッチストップ層１０４から剥離層１０３とともに密着層１０２及び支持体１０１を剥離する。この剥離では、例えば、外周部１００Ｂにて、開口部３２０ｘよりも配線部１００Ａ側の部分で、積層構造３０を切断する。この結果、剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面が露出する。従って、剥離層１０３をエッチストップ層１０４から容易に剥離することができる。剥離層１０３の剥離に伴ってエッチストップ層１０４が露出する。

【0056】

剥離層１０３、密着層１０２及び支持体１０１の剥離後には、第１の実施形態と同様にして、エッチストップ層１０４の除去（図１５参照）以降の処理を行う。このようにして配線基板を製造することができる。

【0057】

第３の実施形態では、金属めっき層１３２及びシード層１３１の研磨の際に、剥離層１０３の側面Ａ、剥離層１０３とエッチストップ層１０４との界面及び剥離層１０３と密着層１０２との界面が、開口部３２０ｘ内の金属めっき層１３２及びシード層１３１により覆われている。このため、剥離の起点の発生を抑制することができる。従って、研磨の際に剥離層１０３に厚さ方向に垂直な方向（面内方向）の応力が作用するものの、剥離層１０３の剥離を抑制することができる。また、ＣＭＰ法による研磨では、研磨スラリーを剥離層１０３まで到達することを抑制することができる。この点でも剥離層１０３の剥離を抑制することができる。

【0058】

第３の実施形態に、第２の実施形態の電極パッド２１２を適用してもよい。

【0059】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0060】

１０ 第１の配線構造体
２０ 第２の配線構造体
３０ 積層構造
４０ ビルドアップ基板
１００ 支持基板
１０１ 支持体
１０２ 密着層
１０３ 剥離層
１０３Ａ 側面
１０４ エッチストップ層
１０５、１３１ シード層
１１１、１３２ 金属めっき層
１１２ 電極パッド
１２０ 絶縁層
１２１、１２２、１２３ 樹脂層
１３３ 導電ビア
３２０ｘ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】