特許 7283894 ウエハレベルのダイブリッジのための方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-05-22

(45)【発行日】2023-05-30

(54)【発明の名称】ウエハレベルのダイブリッジのための方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20230523BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20230523BHJP

   H01L 23/522 20060101ALI20230523BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALI20230523BHJP

   H01L 23/532 20060101ALI20230523BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20230523BHJP

   H01L 25/065 20230101ALI20230523BHJP

   H01L 25/18 20230101ALI20230523BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 501P

H01L21/90 B

H01L21/88 M

H01L25/08 B

【請求項の数】 7

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2018228611

(22)【出願日】2018-12-06

(65)【公開番号】P2019125779

(43)【公開日】2019-07-25

【審査請求日】2021-11-09

(31)【優先権主張番号】15/835,909

(32)【優先日】2017-12-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シン， シアン－カン

(72)【発明者】

【氏名】スンダラジャン， アービン

【審査官】高橋 優斗

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２７９８１７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許第０９７６１５５９（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】特開２００６－２６１３１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１６６８２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３１５０７１（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２１／３２０５－２１／３２１３

Ｈ０１Ｌ２１／７６８

Ｈ０１Ｌ２３／１２－２３／１５

Ｈ０１Ｌ２３／５２２

Ｈ０１Ｌ２３／５３２

Ｈ０１Ｌ２５／００－２５／０７

Ｈ０１Ｌ２５／１０－２５／１１

Ｈ０１Ｌ２５／１６－２５／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハレベルのブリッジダイを形成する方法であって、
再配線層（ＲＤＬ）を形成することと、
前記ＲＤＬに、前記ＲＤＬとは反対側の露出表面上に電気接続を有するブリッジダイを固定することと、
前記ＲＤＬに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、
前記ブリッジダイに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、
前記ＲＤＬに、少なくとも１つのモールド貫通ビア（ＴＭＶ）の少なくとも１つの第１部分を形成することと、
前記ＲＤＬ及び前記ブリッジダイを覆うように第１モールド層を形成することと、
前記少なくとも１つのＴＭＶの前記少なくとも１つの第１部分の上に、前記少なくとも１つのＴＭＶの少なくとも１つの第２部分を形成することと、
ダイが前記ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部及び前記ブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部に電気的に接続されるように、複数のダイを前記ＲＤＬ及び前記ブリッジダイに連結することと、
前記第１モールド層の上、及び前記複数のダイの上に、第２モールド層を形成することと、を含み、
前記少なくとも１つのＴＭＶは、パッケージオンパッケージ型（ＰｏＰ）電気接続をサポートするよう、前記第２モールド層の上面に電気接続を有する、
方法。

【請求項2】

前記ＲＤＬをキャリア上に形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記ブリッジダイと前記ＲＤＬとの間に接着剤を使用して、前記ＲＤＬに前記ブリッジダイを固定することを更に含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記第１モールド層の上に少なくとも１つの集積受動デバイスを形成することと、
前記少なくとも１つの集積受動デバイスの上に、前記第２モールド層を形成することと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部、若しくは前記ブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部を形成するために、銅ベースの材料を使用することを更に含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

ウエハレベルのブリッジダイを形成する方法であって、
再配線層（ＲＤＬ）をキャリアに一時的に結合させることと、
前記ＲＤＬにブリッジダイを固定することであって、前記ブリッジダイは前記ＲＤＬとは反対側の露出表面上に電気接続を有する、ブリッジダイを固定することと、
前記ＲＤＬに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、
前記ブリッジダイの前記露出表面上に少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、
前記ＲＤＬ及び前記ブリッジダイの上に第１モールド層を形成することと、
ダイが前記ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部及び前記ブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部に電気的に接続されるように、複数のダイを前記ＲＤＬ及び前記ブリッジダイに連結することと、
前記第１モールド層の上、及び前記複数のダイの上に、第２モールド層を形成することと、
前記ＲＤＬから前記キャリアを除去することと、
前記ＲＤＬから前記第２モールド層の上面まで貫通する少なくとも１つのモールド貫通ビアを形成することと、
を含む、方法。

【請求項7】

半導体デバイス同士を接続するための装置であって、
再配線層（ＲＤＬ）と、
ブリッジダイと、
前記ＲＤＬと前記ブリッジダイとの間に配置された接着剤層と、
前記ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部と、
前記ブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部と、
前記ＲＤＬ及び前記ブリッジダイの上の第１モールド層と、
前記ＲＤＬ上の少なくとも１つの集積受動デバイスと、
前記ＲＤＬの、少なくとも１つのモールド貫通ビア（ＴＭＶ）の少なくとも１つの第１部分と、
前記少なくとも１つのＴＭＶの前記少なくとも１つの第１部分の上に形成された前記少なくとも１つのＴＭＶの少なくとも１つの第２部分と、
ダイが前記ＲＤＬの前記少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つ、及び前記ブリッジダイの前記少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つに電気的に接続されるように、前記ＲＤＬ及び前記ブリッジダイに連結された、複数のダイと、
前記第１モールド層の上、及び前記複数のダイの上の、第２モールド層と、
を備え、
前記少なくとも１つのＴＭＶは、パッケージオンパッケージ型（ＰｏＰ）電気接続をサポートするよう、前記第２モールド層の上面に電気接続を有する、
装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本原理の実施形態は概して、半導体プロセスに関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］集積回路は多くの場合、望ましい機能性に応じて、種々のプロセスにより形成される。通常、単一のダイ又は「チップ（ｃｈｉｐ）」を作り出すためには、１つの機能を有する複数のチップが単一ウエハ上に構築されてから、切り離される。他の事例では、複数のチップは、複数の機能を有することがあり、ダイ分割と複数機能ダイの集積とを含みうる。チップは入力部及び出力部（Ｉ／Ｏ）を有し、これらのＩ／Ｏは、他のチップのＩ／Ｏと電気的に接続されることが必要である。例えば、処理チップは、機能を適切に実施するために、メモリチップに接続されることが必要でありうる。２つのチップを電気的に接合する方式の１つは、「ブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）」として知られている能動デバイス又は受動デバイスを使用することである。ブリッジは、１つのチップのＩ／Ｏ接続部から別のチップのＩ／Ｏ接続部への経路を提供する。ブリッジは、受動的であるか又は能動機能を有している、接続ルートを有するシリコンダイでありうる。しかし、接続を提供するためにブリッジを使用することで、多くの場合、半導体デバイスの製造複雑性が増大し、したがって、その半導体デバイスを製造しうる事業者も限定されうる。前述したことは、基板内に形成されるブリッジに関して真実であることが多く、かかるブリッジにより、プロセスが、（ウエハレベルの製造に限定される）組み立て・試験の外部委託（Ｏｕｔｓｏｕｒｃｅｄ Ａｓｓｅｍｂｌｙ ａｎｄ Ｔｅｓｔ：ＯＳＡＴ）施設ではなく、ファウンドリ（チップの製造者）に限定されることがある。ブリッジ及びチップが配置された後に再配線層（ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を形成する一部のウエハレベルのプロセスは、ＲＤＬの歩留まりが低いために、高価なチップを廃棄しなければならないというリスクを伴う。

【0003】

［０００３］ゆえに、発明者は、ウエハレベルのダイブリッジを形成するための、改良型の方法及び装置を提供している。

【発明の概要】

【0004】

［０００４］ウエハレベルブリッジダイを形成する方法の一部の実施形態は、再配線層を形成することと、ＲＤＬにブリッジダイを固定することとを含み、ブリッジダイは、ＲＤＬとは反対側の露出表面上に電気接続を有する。

【0005】

［０００５］ウエハレベルのブリッジダイを形成する方法の一部の実施形態は、キャリア上にＲＤＬを形成すること、又は、ブリッジダイとＲＤＬとの間に接着剤を使用して、ＲＤＬにブリッジダイを固定すること、又は、ＲＤＬに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、ブリッジダイに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、ＲＤＬ及びブリッジダイを覆うように第１モールド層を形成することと、１つのダイがＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部及びブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部に電気的に接続されるように、複数のダイをＲＤＬ及びブリッジダイに連結すること、又は、第１モールド層の上、及び複数のダイの上に、第２モールド層を形成すること、又は、第１モールド層に少なくとも１つの集積受動デバイスを形成することと、第１モールド層の上、複数のダイの上、及び少なくとも１つの集積受動デバイスの上に、第２モールド層を形成すること、又は、ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部、若しくはブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部を形成するために、銅ベースの材料を使用すること、又は、ＲＤＬに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、ブリッジダイに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、ＲＤＬに、少なくとも１つのモールド貫通ビア（ｔｈｒｏｕｇｈ ｍｏｌｄ ｖｉａ：ＴＭＶ）の少なくとも１つの第１部分を形成することと、ＲＤＬ及びブリッジダイを覆うように第１モールド層を形成することと、少なくとも１つのＴＭＶの少なくとも１つの第２部分を形成することと、１つのダイがＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部及びブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部に電気的に接続されるように、複数のダイをＲＤＬ及びブリッジダイに連結することと、第１モールド層の上、及び複数のダイの上に、第２モールド層を形成することであって、少なくとも１つのＴＭＶは、パッケージオンパッケージ型（ｐａｃｋａｇｅ－ｏｎ－ｐａｃｋａｇｅ：ＰｏＰ）電気接続をサポートするよう、第２モールド層の上面に電気接続を有する、第２モールド層を形成すること、又は、電気めっきプロセスを使用して少なくとも１つのＴＭＶを形成することとを、更に含む。

【0006】

［０００６］ウエハレベルのブリッジダイを形成する方法の一部の実施形態は、再配線層をキャリアに一時的に結合させることと、ＲＤＬにブリッジダイを固定することであって、ブリッジダイがＲＤＬとは反対側の露出表面上に電気接続を有する、ブリッジダイを固定することと、ＲＤＬに少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、ブリッジダイの露出表面上に少なくとも１つの電気的相互接続部を形成することと、ＲＤＬ及びブリッジダイの上に第１モールド層を形成することと、１つのダイがＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部及びブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部に電気的に接続されるように、複数のダイをＲＤＬ及びブリッジダイに連結することと、第１モールド層の上、及び複数のダイの上に、第２モールド層を形成することと、ＲＤＬからキャリアを除去することとを、含む。

【0007】

［０００７］ウエハレベルのブリッジダイを形成する方法の一部の実施形態は、熱交換層を、複数のダイのうちの少なくとも１つの上面に固定すること、又は、ＲＤＬを基板又はプリント基板に電気的に接続させること、又は、第２モールド層を形成する前に、第１モールド層に少なくとも１つの集積受動デバイスを形成すること、又は、ＲＤＬから第２モールド層の上面まで、少なくとも１つのモールド貫通ビアを形成することを、更に含む。

【0008】

［０００８］半導体デバイス同士を接続するための装置の一部の実施形態は、再配線層（ＲＤＬ）と、ブリッジダイと、ＲＤＬとブリッジダイとの間に配置された接着剤層とを、含む。

【0009】

［０００９］半導体デバイス同士を接続するための装置の一部の実施形態は、ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部と、ブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部と、ＲＤＬ及びブリッジダイの上の第１モールド層、又は、１つのダイがＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つ、及びブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つに電気的に接続されるように、ＲＤＬ及びブリッジダイに連結された、複数のダイと、第１モールド層の上、及び複数のダイの上の、第２モールド層、又は、１つのダイがＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つ、及びブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つに電気的に接続されるように、ＲＤＬ及びブリッジダイに連結された、複数のダイと、第１モールド層の少なくとも１つの集積受動デバイスと、第１モールド層の上、複数のダイの上、及び少なくとも１つの集積受動デバイスの上の、第２モールド層、又は、ＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部と、ＲＤＬ上の少なくとも１つの集積受動デバイスと、ブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部と、ＲＤＬの、少なくとも１つのモールド貫通ビア（ＴＭＶ）の少なくとも１つの第１部分と、ＲＤＬ及びブリッジダイの上の第１モールド層、又は、少なくとも１つのＴＭＶの少なくとも１つの第２部分と、１つのダイがＲＤＬの少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つ、及びブリッジダイの少なくとも１つの電気的相互接続部のうちの少なくとも１つに電気的に接続されるように、ＲＤＬ及びブリッジダイに連結された、複数のダイと、第１モールド層の上、及び複数のダイの上の、第２モールド層とを更に含み、少なくとも１つのＴＭＶは、パッケージオンパッケージ型（ＰｏＰ）電気接続をサポートするよう、第２モールド層の上面に電気接続を有する。

【0010】

［００１０］上記で簡潔に要約されており、かつ以下で詳述する本原理の実施形態は、付随する図面に示している本原理の例示的な実施形態を参照することにより理解されうる。しかし、本原理は他の等しく有効な実施形態を許容しうることから、付随する図面は、本原理の典型的な実施形態のみを例示しており、ゆえに、範囲を限定するものと見なすべきではない。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】［００１１］本原理の実施形態の一部による、ウエハレベルのブリッジダイを形成する方法である。

【図2】［００１２］本原理の実施形態の一部による、ウエハレベルのブリッジダイを形成する別の方法である。

【図3A】［００１３］本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図3B】本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図3C】本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図3D】本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図3E】本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図3F】本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図3G】本原理の実施形態の一部による、図１の方法により形成される装置を示す。

【図4A】［００１４］本原理の実施形態の一部による、図２の方法により形成される装置を示す。

【図4B】本原理の実施形態の一部による、図２の方法により形成される装置を示す。

【図4C】本原理の実施形態の一部による、図２の方法により形成される装置を示す。

【図4D】本原理の実施形態の一部による、図２の方法により形成される装置を示す。

【図4E】本原理の実施形態の一部による、図２の方法により形成される装置を示す。

【図4F】本原理の実施形態の一部による、図２の方法により形成される装置を示す。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［００１５］理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに、同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりに描かれておらず、分かりやすくするために単純化されていることがある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、それ以外の実施形態に有益に組み込まれうる。

【0013】

［００１６］ウエハレベルのダイブリッジは、再配線層（ＲＤＬ）に固定される。ＲＤＬは、事前製造されてキャリアに一時的に結合されうるか、又は、一時的結合用接着剤を伴ってキャリア上に直接形成されうる。ＲＤＬは、一般的に、製造歩留まりが低い（不良率が高い）。微細ピッチＲＤＬ構造物は、製造が更に難しくなる。先にＲＬＤを事前製造し、そのＲＬＤをキャリアに取り付けること、又は、ＲＤＬを最初からキャリア上に形成することによって、不具合ＲＤＬがあってもそれは、他の貴重な構成要素を廃棄することなく廃棄され、全体的な製造コストが削減されうる。更に、ＲＤＬが先に構築されるので、他の半導体デバイス（ダイなど）の熱収支によりＲＤＬ形成プロセスが制限されることはない。別の利点は、長時間にわたるＲＤＬの高温硬化が、他の高価な構成要素を損傷するリスクを伴わずに実現可能であることである。

【0014】

［００１７］ブリッジダイは、１／１を下回るライン／スペース（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ）（典型的には、０．８／０．８Ｌ／Ｓ又は０．４／０．４ｕｍ）の設計を実現しうる、バックエンドオブライン（ｂａｃｋ－ｅｎｄ ｏｆ ｌｉｎｅ：ＢＥＯＬ）プロセスフロー（例えばデュアルダマシンプロセス）、又は、標準的なＲＤＬプロセスフロー（半付加プロセス）に従うことによって、個別に製造される。微細ピッチ回路は、ダイツーダイ（ｄｉｅ－ｔｏ－ｄｉｅ）相互接続のニーズを満たすことが可能である。加えて、ダイブリッジはウエハレベルで製造され、ファウンドリによる作業を必要としないので、プロセスは、組み立て・試験の外部委託（ＯＳＡＴ）施設にもよく適合する。ダイが配置された後にＲＤＬが構築されるのであれば、全てではないが大抵の場合、ＯＳＡＴ施設はＲＤＬを適切に作製するための精密位置合わせ能力を有していないことが多く、製造はファウンドリに限定され、製造コストが増大することになる。

【0015】

［００１８］ＲＤＬが先に形成されることから、２／２以下という微細なライン間隔が可能になる。ＲＤＬは、非常にスムーズな表面を有しうるキャリアの上に形成される。ＲＤＬが他のモールド層及びダイの上に形成されると、ダイ／モールドの交差部に段差が形成される。この段差により、微細ピッチＲＤＬの形成には適さないトポグラフィ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）が生じ、微細ピッチのＲＤＬの歩留まりが大幅に低下し、ＲＤＬプロセスに不具合が生じた場合には、製造時間の損失及びダイのコストの損失によりコストが増大する。ＲＤＬが先のウエハレベルのダイブリッジプロセスは、ＲＤＬプロセスに対する制御がより良好になり（ダイの熱収支についての懸念がなくなり）、ＲＤＬ品質（平坦トポグラフィによる微細ピッチ制御）が向上し、かつ、高価なダイを失うリスクを伴わずにＲＤＬの歩留まりが上昇するという、利点を有する。ウエハレベルのダイブリッジプロセスは、インターポーザを使用するブリッジ方式よりも低価格でもある。インターポーザを用いなければ、インターポーザの代わりにダイがサイズの制限要因となるので、サイズも低減されることが可能である。サイズの低減により、ウエハレベルのブリッジダイが、より大きなパッケージに適合することが可能になる（２倍のレチクルサイズにおけるブレイクスルー）。

【0016】

［００１９］図１は、本原理の実施形態の一部による、ＲＤＬが先のウエハレベルのブリッジダイを形成するための方法１００を示している。方法１００は、図３Ａから図３Ｇに示している（それに応じて以下で言及する）装置に関する。ブロック１０２において、構造物３００Ａは、図３Ａに示しているように、ＲＤＬ３０６を含む。ＲＤＬ３０６上に少なくとも１つの電気的相互接続部３１４が形成されており、ＲＤＬ３０６はボンディング層３０４でキャリア３０２に一時的に結合されているか、又は、ＲＤＬ３０６及び少なくとも１つの電気的相互接続部３１４が、キャリア３０２上のボンディング層３０４上に形成されている。キャリア３０２は、ガラス、ＧａＮ、シリコン、又はポリプロピレンの（事前に含浸済みの）基板などといった材料で作製されうる。ブロック１０４において、構造物３００Ｂは、図３Ｂに示しているように、接着剤３０８でＲＤＬ３０６に固定されたブリッジダイ３１０を含む。接着剤３０８は、ブリッジダイを配置し、更なる処理の間保持するのに役立ち、方法１００が実施されることを可能にする。接着剤３０８は、ワイヤボンディング技法において一般的に使用される、有機又は無機の物質又は化合物でありうる。ブロック１０６において、構造物３００Ｂは、ブリッジダイ３１０のＲＤＬ３０６とは反対側の露出表面３３０上に形成された、少なくとも１つの電気的相互接続部３１２を更に含む。電気的相互接続部３１２、３１４により、後続の層（後述する）の形成後にＲＤＬ３０６及びブリッジダイ３１０との接続を形成することが、可能になる。電気的相互接続部３１２、３１４は、時に柱状体と称され、例えば銅ベース材料、タングステンベース材料、及び銀ベース材料を含む金属、及び／又は、例えば導電性ポリマーベース材料などといった、導電性材料で形成されうる。電気的相互接続部３１２、３１４は、典型的には、電気めっきプロセスを使用して形成される。オプションの集積受動デバイス（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｐａｓｓｉｖｅ ｄｅｖｉｃｅ：ＩＰＤ）３２２も、ＲＤＬ３０６の上面３９４上に配置されうる。ＩＰＤを含むことは、他の技法を凌駕する方法１００の更なる利点である。

【0017】

［００２０］ブロック１０８において、構造物３００Ｃは、図３Ｃに示しているように、ＲＤＬ３０６及びブリッジダイ３１０の上に形成された第１モールド層３１６を含む。第１モールド層３１６は、例えば、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、エポキシ成形化合物（ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ：ＥＭＣ）（充填剤を有するか又は有さないもの）などといった材料から、形成されうる。第１モールド層３１６の上面３６０を平坦化して、電気的相互接続部３１２、３１４を更に露出させるために、第１モールド層３１６の形成後に、化学機械研磨（ＣＭＰ）などの平坦化プロセスが用いられうる。ブロック１１０において、構造物３００Ｄは、図３Ｄに示しているように、第１モールド層３１６上に配置され、かつ、電気的相互接続部３１２、３１４を介してＲＤＬ３０６及びブリッジダイ３１０と連結された、複数のダイ３１８、３２０を含む。オプションの別の集積受動デバイス（ＩＰＤ）３２２も、第１モールド層３１６の上面３６０上に配置されうる。

【0018】

［００２１］ブロック１１２において、構造物３００Ｅは、図３Ｅに示しているように、第１モールド層３１６及び複数のブリッジダイ３１８、３２０（及びオプションのＩＰＤ）の上に形成された、第２モールド層３２４を含む。第２モールド層３２４は、例えば、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、エポキシ成形化合物（ＥＭＣ）（充填剤を有するか又は有さないもの）などといった材料から、形成されうる。第２モールド層３２４の上面３７０を平坦化して、複数のダイ３１８、３２０の上面３８０を更に露出させるために、第２モールド層３２４の形成後に、ＣＭＰなどの平坦化プロセスが用いられうる。平坦化により、複数のダイの上面３８０と熱交換層など（後述する）との間で、より良好な接触が可能になりうる。ブロック１１４において、構造物３００Ｆでは、図３Ｆに示しているように、ＲＤＬ３０６からキャリア３０２が除去（剥離）されている。例えばボールボンディングが、オプションのボール３２６を形成して、ＲＤＬ３０６の下面３９０を他の回路と接続させるために、使用されうる。構造物３００Ｇは、図３Ｇに示しているように、オプションの基板又はプリント基板３５４とオプションの熱交換層３５０とを含み、熱交換層３５０は、複数のダイ３１８、３２０の稼働中に熱を除去するために、複数のダイ３１８、３２０の上面３８０と接触している。基板又はプリント基板３５４は、ＲＤＬ３０６の下面３９０に形成されたオプションのボール３２６を介して接続されている、更なる回路を内包しうる。

【0019】

［００２２］図２は、本原理の実施形態の一部による、ＲＤＬが先のウエハレベルのブリッジダイを形成するための別の方法２００を示している。方法２００は、図４Ａから図４Ｆに示している（それに応じて以下で言及する）装置に関する。説明を単純にするために、類似の要素番号を適宜使用する。ブロック２０２において、構造物４００Ａは、図４Ａに示しているように、ＲＤＬ３０６を含む。ＲＤＬ３０６は、ボンディング層３０４でキャリア３０２に一時的に結合されているか、又は、キャリア３０２上のボンディング層３０４上に形成されている。キャリア３０２は、ガラス、ＧａＮ、シリコン、又はポリプロピレンの（事前に含浸済みの）基板などといった材料で作製されうる。ブロック２０４において、構造物４００Ａは、接着剤３０８でＲＤＬ３０６に固定されたブリッジダイ３１０を更に含む。接着剤３０８は、ブリッジダイを配置し、更なる処理の間保持するのに役立ち、方法２００が実施されることを可能にする。接着剤３０８は、ワイヤボンディング技法において一般的に使用される、有機又は無機の物質でありうる。

【0020】

［００２３］ブロック２０６において、構造物４００Ａは、ブリッジダイ３１０のＲＤＬ３０６とは反対側の露出表面３３０上に形成された、少なくとも１つの電気的相互接続部３１２を更に含む。電気的相互接続部３１２、３１４により、後続の層（後述する）の形成後にＲＤＬ３０６及びブリッジダイ３１０との接続を形成することが、可能になる。電気的相互接続部３１２、３１４は、時に柱状体と称され、例えば銅ベース材料、タングステンベース材料、及び銀ベース材料を含む金属、及び／又は、例えば導電性ポリマーベース材料などといった、導電性材料で形成されうる。電気的相互接続部３１２、３１４は、典型的には、電気めっきプロセスを使用して形成される。ブロック２０８において、構造物４００Ａは、ＲＤＬ３０６を通って延在する少なくとも１つのモールド貫通ビア（ＴＭＶ）（図４Ｃ～図４Ｅの４０６）の、少なくとも１つの第１部分４０２を更に含む。少なくとも１つのＴＭＶ４０６の少なくとも１つの第１部分４０２は、電気的相互接続部３１２、３１４と類似の材料（金属や導電性ポリマー等）で、かつ、電気めっきプロセスなどを含む類似したプロセスで、形成されうる。図示していないが、少なくとも１つのＴＭＶ４０６は、ＲＤＬ３０６と電気接続されうる。ＴＭＶを含むことは、他の技法を凌駕する方法２００の更なる利点である。

【0021】

［００２４］ブロック２１０において、構造物４００Ｂは、図４Ｂに示しているように、ＲＤＬ３０６及びブリッジダイ３１０の上に形成された第１モールド層３１６を含む。第１モールド層３１６の上面３６０を平坦化して、電気的相互接続部３１２、３１４及び少なくとも１つのＴＭＶ４０６の少なくとも１つの第１部分４０２を更に露出させるために、第１モールド層３１６の形成後に、ＣＭＰなどの平坦化プロセスが用いられうる。ブロック２１２において、構造物４００Ｃは、図４Ｃに示しているように、少なくとも１つのＴＭＶ４０６の少なくとも１つの第２部分４０４を含む。少なくとも１つのＴＭＶ４０６の少なくとも１つの第２部分４０４は、少なくとも１つのＴＭＶ４０６の少なくとも１つの第１部分４０２の上に形成されるよう、例えば電気めっきプロセスなどを使用して形成されうる。

【0022】

［００２５］ブロック２１４において、構造物４００Ｄは、図４Ｄに示しているように、第１モールド層３１６上に配置され、かつ、電気的相互接続部３１２、３１４を介してＲＤＬ３０６及びブリッジダイ３１０と連結された、複数のダイ３１８、３２０を含む。上面４２０を有する少なくとも１つのＴＭＶ４０６と共に、オプションの集積受動デバイス（ＩＰＤ）３２２（図示せず）も、第１モールド層３１６の上面３６０上に配置されうる。ブロック２１６において、構造物４００Ｄは、第１モールド層３１６の上及び複数のダイ３１８、３２０（及びオプションのＩＰＤ）の上に形成された第２モールド層３２４を更に含む。第２モールド層３２４の上面３７０を平坦化して、複数のダイ３１８、３２０の上面３８０を更に露出させるために、第２モールド層３２４の形成後に、ＣＭＰなどの平坦化プロセスが用いられうる。平坦化により、複数のダイの上面３８０と熱交換層など（上述した）との間で、より良好な接触が可能になりうる。

【0023】

［００２６］ブロック２１８において、構造物４００Ｅでは、図４Ｅに示しているように、ＲＤＬ３０６からキャリア３０２が除去（剥離）されている。例えばボールボンディングが、オプションのボール３２６を形成して、ＲＤＬ３０６の下面３９０を他の回路と接続させるために、使用されうる。構造物４００Ｆは、図４Ｆに示しているように、オプションの半導体パッケージ４０８を含み、半導体パッケージ４０８は、少なくとも１つのＴＭＶ４０６の上面４２０のボールボンディングから形成されたオプションのボール４１０を介して、少なくとも１つのＴＭＶ４０６に接続されている。少なくとも１つのＴＭＶ４０６により、有利には、パッケージオンパッケージ型（ＰｏＰ）電気接続をサポートすることが可能になる。

【0024】

［００２７］上述した方法は、基板ベースのプロセス全体における、ダイ及びブリッジダイの配置における精度の向上、並びにＲＤＬの許容誤差の著しい厳密化という、利点を有している。この方法は、ＲＤＬが先に構築される（ダイの熱収支によって制限されない）ことから、高温誘電体に適合しているという利点も有する。方法は、ファウンドリの支援がなくとも、ＯＳＡＴが内部でプロセスを形成することが可能になるという利点も有する。

【0025】

［００２８］上記は本原理の実施形態を対象としているが、本原理の基本的な範囲から逸脱しなければ、本原理の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】