特許7286970ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶製造装置

発明の名称　ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶製造装置

出願人　日立化成株式会社　（識別番号 4455）

　　　　特許公開件数ランキング 83 位（335件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 46 位（451件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7286970

公報発行日　2023年6月6

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7286970

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-7286970「ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、ＳｉＣ単結晶の製造方法およびＳｉＣ単結晶製造装置」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録