特許 7287838 成膜システム、および、成膜方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-05-29

(45)【発行日】2023-06-06

(54)【発明の名称】成膜システム、および、成膜方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/00 20060101AFI20230530BHJP

   C23C 14/04 20060101ALI20230530BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20230530BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230530BHJP

【ＦＩ】

C23C14/00 B

C23C14/04 A

H05B33/10

H05B33/14 A

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2019107033

(22)【出願日】2019-06-07

(65)【公開番号】P2020200499

(43)【公開日】2020-12-17

【審査請求日】2022-04-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】松崎 淳介

【審査官】山本 一郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－２８２２１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０２９８４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１０３５１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１３－５２５９４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】登録実用新案第３０４２６３７（ＪＰ，Ｕ）

【文献】国際公開第２０１９／１０７０５２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／００

Ｃ２３Ｃ １４／０４

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ１０Ｋ ５０／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象と成膜源との間に導電性のマスクを配置して前記対象に成膜する成膜装置と、
前記マスクに堆積した堆積物を前記マスクの通電加熱および誘導加熱の少なくとも一方を用いて前記マスクから除去するマスク洗浄装置と、を備え、
前記マスク洗浄装置は、前記マスクの温度を測定する放射温度計をさらに備え、前記マスク洗浄装置は、前記放射温度計の測定結果が所定温度になるように前記マスクの加熱を行う
成膜システム。

【請求項2】

前記マスク洗浄装置は、前記マスクに堆積した前記堆積物を回収する回収部と、前記マスクから放出された前記堆積物が、前記マスク洗浄装置における前記回収部以外の部分に飛散することを抑制する回収補助部とをさらに備える
請求項１に記載の成膜システム。

【請求項3】

前記回収部は、前記マスクと対向する位置に配置され、
前記回収補助部は、前記回収部を冷却する冷却部であり、前記冷却部は、前記マスクから放出される前記堆積物が前記回収部に堆積するように前記回収部を冷却する
請求項２に記載の成膜システム。

【請求項4】

前記マスク洗浄装置は、前記通電加熱によって前記マスクを加熱し、前記マスクに電気的に接続される通電端子を備え、
前記マスク洗浄装置は、前記通電端子を冷却する端子用冷却部をさらに備える
請求項１から３のいずれか一項に記載の成膜システム。

【請求項5】

前記成膜装置が区画する空間は、前記マスク洗浄装置が区画する空間とは異なり、
前記堆積物が堆積した前記マスクを前記成膜装置から前記マスク洗浄装置に搬入し、前記堆積物が除去された前記マスクを前記マスク洗浄装置から前記成膜装置に搬出する搬送部をさらに備える
請求項１から４のいずれか一項に記載の成膜システム。

【請求項6】

前記成膜源は、蒸着源である
請求項１から５のいずれか一項に記載の成膜システム。

【請求項7】

成膜装置において、対象と成膜源との間に導電性のマスクを配置して前記対象に成膜することと、
前記マスクに堆積した堆積物を前記マスクの通電加熱および誘導加熱の少なくとも一方を用いて前記マスクから除去することと、を含み、
前記堆積物を前記マスクから除去することは、前記マスクの温度を測定する放射温度計の測定結果が所定温度になるように前記マスクの加熱を行うことを含む
成膜方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、成膜システム、および、成膜方法に関する。

【背景技術】

【0002】

薄膜のパターニングは、種々のデバイスを製造する工程において用いられている。デバイスは、例えば、表示装置、タッチパネル、半導体装置、および、太陽電池などである。薄膜のパターニングは、フォトリソグラフィー法およびリフトオフ法を用いて行われることが多い。新たな薄膜のパターニング法として、マスクを用いた蒸着法が提案されている。蒸着法による成膜は、例えば特許文献１に記載のような蒸着装置を用いて行われる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際公開第２０１８／０２５６３７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、マスクを用いた蒸着法では、蒸着源が放出した蒸着物質は、マスクが有する開口を通じて基板に到達する。そのため、マスクのなかで開口を区画する部分には、蒸着物質が付着する。マスクを用いた成膜を繰り返し行うことによって、マスクには蒸着物質によって形成された堆積物が堆積する。堆積物は、開口の縁から開口内にはみ出すことによって、開口の形状を変えることがある。この場合には、マスクを用いた成膜によって所望とする形状を有した薄膜を形成することができない。そのため、堆積物が堆積したマスクを新しいマスクに交換する必要がある。マスクの交換によって、蒸着装置の稼働に要するランニングコストが嵩むため、マスクの利用効率を高めることが求められている。なお、こうした課題は、蒸着装置を備える成膜システムだけでなく、例えば、スパッタ装置およびＣＶＤ装置などのマスクを用いた成膜を行う成膜装置を備える成膜システムに共通する。

【0005】

本発明は、マスクの利用効率を高めることを可能とした成膜システム、および、成膜方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するための成膜システムは、対象と成膜源との間に導電性のマスクを配置して前記対象に成膜する成膜装置と、前記マスクに堆積した堆積物を前記マスクの通電加熱および誘導加熱の少なくとも一方を用いて前記マスクから除去するマスク洗浄装置と、を備える。

【0007】

上記課題を解決するための成膜方法は、成膜装置において、対象と成膜源との間に導電性のマスクを配置して前記対象に成膜することと、前記マスクに堆積した堆積物を前記マスクの通電加熱および誘導加熱の少なくとも一方を用いて前記マスクから除去することと、を含む。
上記各構成によれば、マスク洗浄部によって堆積物が除去されたマスクを再び成膜装置での成膜に用いることが可能であるため、マスクの利用効率を高めることが可能である。

【0008】

上記成膜システムは、前記マスク洗浄装置は、前記マスクの温度を測定する放射温度計をさらに備え、前記マスク洗浄装置は、前記放射温度計の測定結果が所定温度になるように前記マスクの加熱を行ってもよい。

【0009】

上記構成によれば、マスク洗浄装置がマスクを加熱する度合いをマスクの温度によって管理するため、マスクの温度を管理しない場合に比べて、対象に堆積した堆積物が除去される確度を高めることが可能である。

【0010】

上記成膜システムにおいて、前記マスク洗浄装置は、前記マスクに堆積した前記堆積物を回収する回収部と、前記回収部による前記堆積物の回収を補助する回収補助部とを備えてもよい。この構成によれば、マスクから放出された堆積物が、マスク洗浄部における回収部以外の部分に飛散することが抑えられる。

【0011】

上記成膜システムにおいて、前記回収部は、前記マスクと対向する位置に配置され、前記回収補助部は、前記回収部を冷却する冷却部であり、前記冷却部は、前記マスクから放出される前記堆積物が前記回収部に堆積するように前記回収部を冷却してもよい。この構成によれば、マスクから放出された堆積物が、冷却部が冷却している回収部に再堆積する。

【0012】

上記成膜システムにおいて、前記マスク洗浄装置は、前記通電加熱によって前記マスクを加熱し、前記マスクに電気的に接続される通電端子を備え、前記マスク洗浄装置は、前記通電端子を冷却する端子用冷却部をさらに備えてもよい。この構成によれば、マスクの通電加熱によって通電端子が加熱されることが抑えられる。これにより、加熱による通電端子の変形が抑えられる。

【0013】

上記成膜システムにおいて、前記成膜装置が区画する空間は、前記マスク洗浄装置が区画する空間とは異なり、前記堆積物が堆積した前記マスクを前記成膜装置から前記マスク洗浄装置に搬入し、前記堆積物が除去された前記マスクを前記マスク洗浄装置から前記成膜装置に搬出する搬送部をさらに備えてもよい。

【0014】

上記構成によれば、成膜装置が区画する空間とは異なる空間においてマスクの洗浄が行われるため、マスクの洗浄によってマスクから放出された堆積物によって、成膜装置内が汚染されることが抑えられる。

【0015】

上記成膜システムにおいて、前記成膜源は、蒸着源であってもよい。この構成によれば、蒸着法によって成膜を行う成膜システムにおいて、マスクの利用効率を高めることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】成膜システムの一実施形態である蒸着システムにおける構成を模式的に示すシステム構成図。

【図2】成膜方法の一実施形態である蒸着方法を説明するための工程図。

【図3】成膜方法の一実施形態である蒸着方法を説明するための工程図。

【図4】同実施形態の蒸着方法を説明するための工程図。

【図5】同実施形態の蒸着方法を説明するための工程図。

【図6】同実施形態の蒸着方法を説明するための工程図。

【図7】成膜システムの変更例における構成を模式的に示すシステム構成図。

【発明を実施するための形態】

【0017】

図１から図６を参照して、成膜システムおよび成膜方法の一実施形態を説明する。以下では、成膜システムの一例であるの蒸着システムの構成、および、成膜方法の一例である蒸着方法を順に説明する。

【0018】

［蒸着システムの構成］
図１を参照して蒸着システムの構成を説明する。
蒸着システム１０は、成膜装置１１とマスク洗浄装置１２とを備えている。成膜装置１１は、対象の一例である基板Ｓと成膜源の一例である蒸着源１１Ａとの間に導電性のマスクＭを配置して基板Ｓに成膜する。マスク洗浄装置１２は、成膜装置１１から搬入するマスクＭに堆積した堆積物をマスクＭの通電加熱を用いてマスクＭから除去して成膜装置１１に搬出する。

【0019】

蒸着システム１０は、成膜装置１１、マスク洗浄装置１２、および、搬出入装置１３を備えている。搬出入装置１３、成膜装置１１、および、マスク洗浄装置１２は、１つの方向に沿って記載の順に並んでいる。蒸着システム１０は、搬出入装置１３と成膜装置１１とにわたる基板搬送部１０Ａと、成膜装置１１とマスク洗浄装置１２とにわたるマスク搬送部１０Ｂとを備えている。

【0020】

成膜装置１１は、蒸着源１１Ａと、基板搬送部１０Ａの一部と、マスク搬送部１０Ｂの一部とを含む。基板搬送部１０Ａは、成膜装置１１内における所定の位置に基板Ｓを配置することが可能に構成されている。なお、図１では図示が省略されているが、基板Ｓは基板Ｓを支持するトレイによって支持された状態で、基板搬送部１０Ａによって搬送される。基板搬送部１０Ａは、成膜装置１１において、蒸着源１１Ａと対向する位置において基板Ｓを固定することが可能である。マスク搬送部１０Ｂは、蒸着源１１Ａと基板Ｓとの間に導電性を有したマスクＭを配置することが可能に構成されている。マスク搬送部１０Ｂは、成膜装置１１において、基板Ｓと対向する位置においてマスクＭを固定することが可能である。成膜装置１１は、マスクＭの開口Ｍａを通じて基板Ｓに成膜する。

【0021】

マスク洗浄装置１２は、マスク搬送部１０Ｂの他の一部と、加熱部１２Ａとを含む。マスク搬送部１０Ｂは、成膜装置１１からマスク洗浄装置１２にマスクＭを搬送する。加熱部１２Ａは、通電加熱によってマスクＭを加熱する。マスク洗浄装置１２は、マスクＭに堆積した堆積物をマスクＭの加熱によって除去する。マスク洗浄装置１２は、マスクＭの温度を例えば８００℃以上に加熱する。

【0022】

通電加熱によれば、マスクＭの内部において、電子が、例えばフォノン散乱などによって散乱することで、マスクＭが発熱する。そのため、通電加熱は、減圧下では、輻射すなわち光子を利用したランプ加熱による加熱と比較して、熱効率が高い。なお、一般的なランプ加熱は、マスクＭ以外の部位も加熱してしまったり、堆積物やマスクＭの表面において反射されたりするために、通電加熱よりも熱効率が低いとも言える。

【0023】

蒸着システム１０によれば、マスク洗浄装置１２によって堆積物が除去されたマスクＭを再び成膜装置１１での成膜に用いることが可能である。そのため、マスクＭの利用効率を高めることが可能である。

【0024】

マスクＭの融点またはガラス転移温度は、マスクＭに堆積する堆積物の融点よりも高い。また、マスクＭに堆積した堆積物の洗浄処理を行う雰囲気の圧力において平衡する蒸気圧における温度で比較した場合に、堆積物の温度は、マスクＭの温度よりも低い。成膜物は、例えば、シリコン、酸化インジウム、銅、および、銀などによって形成される。この場合には、マスクＭの主成分は、例えば、炭素、タングステン、モリブデン、および、タンタルのいずれかであることが好ましい。マスクＭの主成分は、炭素であることがより好ましい。これにより、タングステンおよびタンタルのいずれかによってマスクＭを形成する場合に比べて、マスクＭの形状における精度を高めることが可能である。なお、典型的には、基板Ｓに有機物を堆積させる蒸着の場合に、マスクＭを形成する材料は、ステンレス鋼およびインバーなどであってもよい。

【0025】

基板Ｓに対する成膜を行う際には、マスクＭは基板Ｓに接触しているか、基板Ｓの近傍に位置している。マスクＭは蒸着源１１Ａと基板Ｓとの間に位置しているため、蒸着源１１Ａから放出された蒸着材料の一部は、マスクＭの開口Ｍａを通じて基板Ｓに到達し、蒸着材料の他の一部は、マスクＭに付着する。

【0026】

マスク洗浄装置１２は、放射温度計１２Ｂをさらに備えている。放射温度計１２Ｂは、マスクＭの温度を測定する。加熱部１２Ａは、放射温度計１２Ｂの測定結果が所定温度になるようにマスクＭの加熱を行う。このように、加熱部１２ＡがマスクＭを加熱する度合いをマスクＭの温度によって管理するため、マスクＭの温度を管理しない場合に比べて、マスクＭに堆積した堆積物が除去される確度を高めることが可能である。

【0027】

例えば、所定温度は、マスクＭに設定される目標温度である。目標温度は、堆積物が気化または昇華によってマスクＭから除去され、かつ、マスクＭの変形が抑えられる温度に設定される。加熱部１２Ａが放射温度計１２Ｂの測定結果が目標温度になるようにマスクＭの加熱を行うことによって、マスクＭを変形させることなく、マスクＭから堆積物を除去することが可能である。また、温度管理が可能であるため、マスクＭの温度を融点またはガラス転移点以下の温度に制御することで、クリープ現象による変形をも抑えることが可能である。

【0028】

放射温度計１２Ｂは、マスクＭから放出される電磁波すなわち光を用いてマスクＭの温度を測定する温度計である。そのため、放射温度計１２Ｂによれば、マスク洗浄装置１２内において、マスクＭの位置に対する放射温度計１２Ｂの位置の自由度を高めることができる。例えば、放射温度計１２Ｂによれば、マスク洗浄装置１２が備える真空槽の壁面が有する窓を通じてマスクＭの温度を測定することが可能であるため、放射温度計１２Ｂを大気中に設置することも可能である。

【0029】

マスク洗浄装置１２は、回収部１２Ｃと冷却部１２Ｄとをさらに備えている。回収部１２Ｃは、マスク洗浄装置１２内において、マスクＭと対向する位置に配置されている。冷却部１２Ｄは、回収部１２Ｃを冷却する。冷却部１２Ｄは、マスクＭから放出される堆積物が回収部１２Ｃに堆積するように回収部１２Ｃを冷却する。そのため、マスクＭから放出された堆積物は、回収部１２Ｃの周囲と回収部１２Ｃとの温度差、および、回収部１２Ｃの位置に起因して回収部１２Ｃへ優先的に付着するため、マスク洗浄装置１２における回収部１２Ｃ以外の部分に飛散することが抑えられる。この際に、冷却部１２Ｄは、回収部１２Ｃによる堆積物の回収を補助する。また、回収部１２Ｃに堆積した堆積物の量が所定量を超えた場合には、堆積物が堆積した回収部１２Ｃを新しい回収部１２Ｃに交換することによって、マスクＭの堆積物を回収部１２Ｃによって回収することが可能である。なお、マスクＭに堆積した堆積物によっては、堆積物を回収部１２Ｃに堆積させることによって、堆積物を蒸着材料として再利用することが可能でもある。

【0030】

例えば、回収部１２Ｃの温度範囲は、蒸着システム１０を用いた実験によって特定することが可能である。回収部１２Ｃの温度範囲が特定された場合には、冷却部１２Ｄは、回収部１２Ｃの温度範囲に応じて予め定められた出力によって回収部１２Ｃを冷却することによって、マスクＭから放出される堆積物が回収部１２Ｃに堆積するように回収部１２Ｃを冷却することが可能である。

【0031】

加熱部１２Ａは、上述したように通電加熱によってマスクＭを加熱する。加熱部１２Ａは、電源１２Ａ１と、マスクＭに電気的に接続される通電端子１２Ａ２とを備えている。マスク洗浄装置１２は、通電端子１２Ａ２を冷却する端子用冷却部１２Ｅを備えている。そのため、マスクＭの通電加熱によって通電端子１２Ａ２が加熱されることが抑えられる。これにより、加熱による通電端子１２Ａ２の変形が抑えられる。

【0032】

電源１２Ａ１は、例えば直流電源である。通電端子１２Ａ２は、例えば、マスクＭの一部をマスクＭの厚さ方向に沿って、あるいは、マスクＭの幅方向に沿って挟むクランプである。通電端子１２Ａ２は、マスクＭの一部を挟むことによってマスクＭに電気的に接続される。なお、通電端子１２Ａ２がクランプである場合には、マスクＭは、通電端子１２Ａ２が接続する被接続部を備えることが好ましい。被接続部は、マスクＭのなかで成膜に用いられる部分に対して外側に位置することが好ましい。これにより、マスクＭに通電端子１２Ａ２の接続が、マスクＭのなかで成膜に用いられる部分の変形を生じさせることが抑えられる。

【0033】

本実施形態では、成膜装置１１が区画する空間は、マスク洗浄装置１２が区画する空間とは異なっている。ここで、マスクＭに堆積する堆積物が、例えば、酸化物や窒化物などの無機物である場合には、継続的に気相を維持することが困難である。仮に、これらの物質を継続的に気相とするためには、マスクＭを高温に維持する必要がある。こうした傾向は、堆積物がセラミックスである場合に特に顕著である。こうした堆積物の洗浄処理では、マスクＭの周囲が堆積物によって汚染されやすい。そのため、本実施形態によるように、マスク洗浄装置１２が区画する空間が、成膜装置１１が区画する空間とは異なることが好ましい。

【0034】

マスク搬送部１０Ｂは、洗浄後のマスクＭをマスク洗浄装置１２から成膜装置１１に搬送することが可能に構成されている。こうした蒸着システム１０によれば、洗浄後のマスクＭを蒸着システム１０の外部に搬出することなく、成膜装置１１での成膜に再び用いることが可能である。

【0035】

蒸着システム１０は、２つのゲートバルブ１０Ｃをさらに備えている。搬出入装置１３と成膜装置１１との間、および、成膜装置１１とマスク洗浄装置１２との間の各々に、１つのゲートバルブ１０Ｃが位置している。成膜装置１１、マスク洗浄装置１２、および、搬出入装置１３の各々には、排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖが接続されている。各排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖは、その排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖが接続された処理装置１１，１２，１３内の気体を排気する。

【0036】

上述したゲートバルブ１０Ｃが閉じられることによって、ゲートバルブ１０Ｃを介して互いに接続された２つの処理装置において、気体の流通が遮断される。一方で、ゲートバルブ１０Ｃが開けられることによって、ゲートバルブ１０Ｃを介して互いに接続された２つの処理装置において、気体の流通が可能になる。そのため、２つのゲートバルブ１０Ｃが閉じられた状態でマスク洗浄装置１２が大気に開放された場合には、成膜装置１１および搬出入装置１３を大気に開放することなく、マスク洗浄装置１２を大気に開放することが可能である。また、２つのゲートバルブ１０Ｃが閉じられた状態で搬出入装置１３が大気に開放された場合には、成膜装置１１およびマスク洗浄装置１２を大気に開放することなく、搬出入装置１３を大気に開放することが可能である。

【0037】

搬出入装置１３は、基板搬送部１０Ａにおいて、成膜装置１１が備える部分とは異なる部分を備えている。すなわち、成膜装置１１が基板搬送部１０Ａの一部を備え、搬出入装置１３が基板搬送部１０Ａの他の一部を備えている。搬出入装置１３は、成膜前の基板Ｓを蒸着システム１０の外部から蒸着システム１０の内部に搬入する。また、搬出入装置１３は、成膜後の基板Ｓを蒸着システム１０の内部から蒸着システム１０の外部に搬出する。搬出入装置１３が成膜前の基板Ｓを搬入するとき、および、搬出入装置１３が成膜後の基板Ｓを搬出するときには、搬出入装置１３と成膜装置１１との間のゲートバルブ１０Ｃが閉じられた状態で、搬出入装置１３が大気に開放される。

【0038】

基板搬送部１０Ａは、成膜前の基板Ｓを搬出入装置１３から成膜装置１１に搬送する。また、基板搬送部１０Ａは、成膜後の基板Ｓを成膜装置１１から搬出入装置１３に搬送する。基板搬送部１０Ａが搬出入装置１３と成膜装置１１との間において基板Ｓを搬送するときには、搬出入装置１３内が成膜装置１１内と同程度に減圧された後に、ゲートバルブ１０Ｃが開けられる。

【0039】

成膜装置１１、マスク洗浄装置１２、および、搬出入装置１３には、ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇが接続されている。各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇは、そのガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇが接続された処理装置１１，１２，１３内に、必要に応じて所定のガスを所定の流量で供給する。各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇは、例えば不活性ガスを処理室内に供給する。不活性ガスは、例えば希ガスである。

【0040】

また、各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇは、必要に応じて反応性ガスを処理装置１１，１２，１３に供給してもよい。反応性ガスは、例えば酸素である。なお、当然のことながら、マスクＭと反応するガスを供給することは、マスクの形状を変化させ、これによって、マスクＭが有する機能の劣化に繋がるため好ましくない。例えば、マスクＭが炭素から形成される場合には、反応性ガスとして酸素を供給することは好ましくない。

【0041】

また、各処理装置１１，１２，１３内の圧力は、ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇおよび排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖによって、例えば、１×１０^－３Ｐａ以上１×１０^－４Ｐａ以下に設定される。なお、堆積物の洗浄処理において、マスクＭが配置される雰囲気の圧力は、ドライ真空ポンプによって達成することが可能な圧力、すなわち、１×１０^－１Ｐａ以上１×１０^－２Ｐａ以下であることが好ましい。

【0042】

雰囲気の圧力が１×１０^－１Ｐａ以上１×１０^－２Ｐａ以下であることによって、まず、気化した堆積物に起因する排気系での不具合を抑制することが可能である。すなわち、例えば、排気ラインにおいて堆積物が再堆積し、これに伴いバルブや真空ポンプの固着することが抑制される。なお、排気系がルーツ式ドライ真空ポンプ、スクリュー式ドライ真空ポンプ、および、クロー式ドライ真空ポンプのいずれかを備える場合には、上述した固着が生じにくいため、ポンプの固着を生じさせやすい堆積物の気体を排気することに適している。

【0043】

次に、洗浄処理時の圧力を上述の範囲にまで下げることによって、当該圧力において平衡する堆積物の蒸気圧における温度も下がることから、マスクＭの目標温度が下がる。そのため、マスクＭに堆積する堆積物によっては、タングステンなどの高価な高融点金属をマスクＭの形成に用いなくてもよい。

【0044】

蒸着システム１０は、制御部１０Ｄをさらに備えている。制御部１０Ｄは、蒸着システム１０が備える各部の駆動を制御することによって、蒸着システム１０に基板Ｓに対する成膜に関わる処理を行わせる。制御部１０Ｄは、基板搬送部１０Ａ、マスク搬送部１０Ｂ、各ゲートバルブ１０Ｃ、各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇ、各排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖ、加熱部１２Ａ、放射温度計１２Ｂ、および、冷却部１２Ｄに電気的に接続されている。

【0045】

制御部１０Ｄは、基板搬送部１０Ａに搬出入装置１３と成膜装置１１との間において基板Ｓを搬送させるための信号を生成し、生成した信号を基板搬送部１０Ａに出力する。基板搬送部１０Ａは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じた基板Ｓの搬送を行う。制御部１０Ｄは、マスク搬送部１０Ｂに成膜装置１１とマスク洗浄装置１２との間においてマスクＭを搬送させるための信号を生成し、生成した信号をマスク搬送部１０Ｂに出力する。マスク搬送部１０Ｂは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じたマスクＭの搬送を行う。

【0046】

制御部１０Ｄは、各ゲートバルブ１０Ｃに対して、各ゲートバルブ１０Ｃを開放させるための信号、または、閉塞させるための信号を生成し、生成した信号を各ゲートバルブ１０Ｃに出力する。各ゲートバルブ１０Ｃは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じた動作を行う。制御部１０Ｄは、各排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖに対して、各排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖの駆動を開始させるための信号、または、駆動を停止させるための信号を生成し、生成した信号を各排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖに出力する。各排気部１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じた動作を行う。

【0047】

制御部１０Ｄは、各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇに対して、各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇの駆動を開始させるための信号、または、駆動を停止させるための信号を生成し、生成した信号を出力する。各ガス供給部１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じた動作を行う。

【0048】

放射温度計１２Ｂは、マスクＭの温度についての測定結果を制御部１０Ｄに出力する。制御部１０Ｄは、放射温度計１２Ｂが出力した測定結果を入力し、入力した測定結果に応じて、加熱部１２Ａの駆動を開始させるための信号、または、駆動を停止させるための信号を生成し、生成した信号を加熱部１２Ａに出力する。加熱部１２Ａは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じた動作を行う。制御部１０Ｄは、冷却部１２Ｄに対して、冷却部１２Ｄの駆動を開始させるための信号、または、駆動を停止させるための信号を生成し、生成した信号を冷却部１２Ｄに出力する。冷却部１２Ｄは、制御部１０Ｄが出力した信号を入力することによって、信号に応じた動作を行う。

【0049】

なお、制御部１０Ｄは、自身が実行する全ての処理についてソフトウェア処理を行うものに限られない。たとえば、制御部１０Ｄは、自身が実行する処理の少なくとも一部についてハードウェア処理を行う専用のハードウェア回路（たとえば特定用途向け集積回路：ＡＳＩＣ）を備えてもよい。すなわち、制御部１０Ｄは、１）コンピュータプログラム（ソフトウェア）に従って動作する１つ以上のプロセッサ、２）各種処理のうち少なくとも一部の処理を実行する１つ以上の専用のハードウェア回路、あるいは３）それらの組み合わせ、を含む回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）として構成し得る。プロセッサは、ＣＰＵ並びに、ＲＡＭおよびＲＯＭなどのメモリを含み、メモリは、処理をＣＰＵに実行させるように構成されたプログラムコードまたは指令を格納している。メモリすなわちコンピュータ可読媒体は、汎用または専用のコンピュータでアクセスできるあらゆる利用可能な媒体を含む。

【0050】

［蒸着方法］
図２から図６を参照して、蒸着方法を説明する。なお、図２から図６では、図示の便宜上、制御部１０Ｄの図示が省略されている。

【0051】

蒸着方法は、基板Ｓに成膜すること、マスクＭを成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に搬入すること、堆積物をマスクＭから除去すること、および、マスクＭを搬出することを含んでいる。基板Ｓに成膜することでは、成膜装置１１において、基板Ｓと蒸着源１１Ａとの間に導電性のマスクＭを配置して対象に成膜する。堆積物をマスクＭから除去することでは、マスクＭに堆積した堆積物をマスクＭの通電加熱を用いてマスクＭから除去する。マスクを搬出することでは、マスク洗浄装置１２から成膜装置１１に堆積物が除去されたマスクＭを搬出する。以下、図面を参照して蒸着方法をより詳しく説明する。

【0052】

図２が示すように、まず、基板Ｓが搬出入装置１３を介して成膜装置１１に搬送される。この際に、制御部１０Ｄは、排気部１１Ｖに搬出入装置１３内を減圧させ、必要に応じてガス供給部１３Ｇに所定の流量のガスを搬出入装置１３内に供給させる。その後に、制御部１０Ｄは、搬出入装置１３と成膜装置１１との間に位置するゲートバルブ１０Ｃを開かせる。制御部１０Ｄは、基板搬送部１０Ａに基板Ｓを搬出入装置１３から成膜装置１１に向けて搬送させる。次いで、制御部１０Ｄは、成膜装置１１のなかで蒸着源１１ＡおよびマスクＭと対向する位置において、基板搬送部１０Ａに基板Ｓを固定させる。

【0053】

そして、ゲートバルブ１０Ｃが閉じられた後に、必要に応じてガス供給部１１Ｇが成膜装置１１内に所定の流量でガスを供給する。なお、成膜装置１１内は、排気部１１Ｖによって予め減圧されている。その後に、蒸着源１１Ａが蒸着材料を加熱することによって、蒸着材料を気化または昇華させる。この際に、制御部１０Ｄは、ゲートバルブ１０Ｃを閉じさせた後に、ガス供給部１１Ｇに所定の流量でガスの供給を開始させる。次いで、制御部１０Ｄは、蒸着源１１Ａに蒸着材料の加熱を開始させる。これにより、基板ＳにマスクＭの開口Ｍａに応じたパターンを有した薄膜Ｓａが形成される。同時に、マスクＭにおいて開口Ｍａを区画する部分に堆積物Ｄが堆積する。

【0054】

図３が示すように、複数枚の基板Ｓに成膜が行われた後、マスクＭが成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に搬送される。この際に、制御部１０Ｄは、成膜装置１１とマスク洗浄装置１２との間に位置するゲートバルブ１０Ｃを開かせる。次いで、制御部１０Ｄは、マスク搬送部１０ＢにマスクＭを成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に搬送させる。次いで、制御部１０Ｄは、マスク洗浄装置１２のなかで加熱部１２Ａが有する通電端子１２Ａ２とマスクＭとが接続可能な位置において、マスク搬送部１０ＢにマスクＭを固定させる。

【0055】

マスクＭを成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に搬送するタイミングは、例えば以下のように決定される。すなわち、制御部１０Ｄは、成膜装置１１が成膜処理を行った基板Ｓの枚数をカウントしている。そして、制御部１０Ｄがこのカウント値が所定の数以上であると判断した場合に、制御部１０Ｄは、マスク搬送部１０ＢにマスクＭを成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に搬送させる。

【0056】

なお、マスクＭが成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に搬送される前に、制御部１０Ｄが排気部１２Ｖおよびガス供給部１２Ｇの駆動を制御することによって、マスク洗浄装置１２内が、成膜装置１１と同程度に減圧されている。また、薄膜Ｓａが形成された基板Ｓは、基板Ｓに対する薄膜Ｓａの形成が終了した後から、成膜前の基板Ｓが蒸着システム１０内に搬入されるまでの間に、搬出入装置１３を介して蒸着システム１０の外部に搬出されればよい。

【0057】

図４が示すように、マスク洗浄装置１２において、マスクＭが通電端子１２Ａ２に接続され、マスクＭの通電加熱が行われる。これにより、マスクＭに堆積した堆積物Ｄが昇華し、マスクＭに対向する回収部１２Ｃに堆積する。この際に、制御部１０Ｄは、通電端子１２Ａ２をマスクＭに接続させる。そして、制御部１０Ｄは、電源１２Ａ１にマスクＭに対する電圧の印加を開始させる。なお、制御部１０Ｄは、放射温度計１２Ｂの測定結果を入力する。制御部１０Ｄは、入力した測定結果に基づき、マスクＭの温度が所定温度になるように電源１２Ａ１の駆動を制御する。

【0058】

図５が示すように、マスクＭに対する通電加熱が開始されてから所定の期間が経過した後に、マスクＭに対する通電加熱が終了される。この際に、制御部１０Ｄは、例えば、電源１２Ａ１がマスクＭに対する電圧の印加を開始してからの時間をカウントする。そして、制御部１０Ｄが、マスクＭに対する電圧の印加を開始してから所定の時間が経過したと判断した場合に、制御部１０Ｄは、電源１２Ａ１にマスクＭに対する電圧の印加を終了させる。マスクＭの通電加熱によって、マスクＭに堆積した堆積物Ｄが除去される。

【0059】

図６が示すように、堆積物Ｄが除去されたマスクＭは、マスク洗浄装置１２から成膜装置１１に搬送される。また、成膜前の基板Ｓが蒸着システム１０内に搬入される。この際に、制御部１０Ｄは、成膜装置１１とマスク洗浄装置１２との間に位置するゲートバルブ１０Ｃを開かせる。次いで、制御部１０Ｄは、マスク搬送部１０ＢにマスクＭをマスク洗浄装置１２から成膜装置１１に搬送させる。そして、制御部１０Ｄは、成膜装置１１のなかで蒸着源１１Ａと対向する位置において、マスク搬送部１０ＢにマスクＭを固定させる。

【0060】

また、制御部１０Ｄは、搬出入装置１３に基板Ｓが搬入された後に、排気部１３Ｖに搬出入装置１３内を減圧させ、かつ、必要に応じてガス供給部１３Ｇに搬出入装置１３内に所定の流量のガスを供給させる。そして、図２から図６を参照して説明した処理が、蒸着システム１０において処理される基板Ｓの枚数分だけ繰り返される。

【0061】

上述した蒸着システム１０によれば、例えば、以下の薄膜Ｓａを形成することが可能である。蒸着システム１０は、シリコン系太陽電池が備える電極として機能する薄膜Ｓａを形成することや、タッチパネルが備える電極として機能する薄膜Ｓａを形成することが可能である。シリコン系太陽電池の電極、および、タッチパネルの電極は、いずれも所定のパターンを有している。そのため、蒸着システム１０において用いられるマスクＭが、これら電極の形状に応じた開口を有することによって、蒸着システム１０によって、各電極を形成することが可能である。

【0062】

以上説明したように、成膜システム、および、成膜方法の一実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）マスク洗浄装置１２によって堆積物Ｄが除去されたマスクＭを再び成膜装置１１での成膜に用いることが可能である。そのため、マスクＭの利用効率を高めることが可能である。

【0063】

（２）加熱部１２ＡがマスクＭを加熱する度合いをマスクＭの温度によって管理するため、マスクＭの温度を管理しない場合に比べて、マスクＭに堆積した堆積物Ｄが除去される確度を高めることが可能である。また、成膜装置１１へ搬出する際のマスクＭの温度管理も可能である。

【0064】

（３）マスクＭから放出された堆積物Ｄが、マスク洗浄装置１２における回収部１２Ｃ以外の部分に飛散することが抑えられる。
（４）マスクＭの通電加熱によって通電端子１２Ａ２が加熱されることが抑えられるため、加熱による通電端子１２Ａ２の変形が抑えられる。

【0065】

（５）蒸着法によって成膜を行う蒸着システム１０において、マスクＭの利用効率を高めることが可能である。

【0066】

なお、上述した実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
［加熱部］
・マスク洗浄装置１２は、通電加熱によってマスクＭを加熱する加熱部１２Ａに代えて、誘導加熱によってマスクＭを加熱する加熱部を備えてもよい。あるいは、マスク洗浄装置１２は、通電加熱によってマスクＭを加熱する加熱部１２Ａと、誘導加熱によってマスクＭを加熱する加熱部との両方を備えてもよい。この場合であっても、蒸着システム１０が、マスクＭを加熱する加熱部を備えるため、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。なお、誘導加熱によっても上述した通電加熱と同等の効果を得ることが可能である。

【0067】

また、熱効率の観点では、堆積物が導電性を有する場合には、誘導加熱によってマスクＭを加熱することが、通電加熱によってマスクＭを加熱するよりも有利である。通電加熱では、堆積物を加熱する経路がマスクＭからの伝熱のみであるのに比べて、誘導加熱であれば、マスクＭからの伝熱に加えて、堆積物の内部における電子の散乱によって、堆積物を直接加熱することが可能である。そのため、堆積物が導電性を有する場合には、誘導加熱を用いることが好ましい。

【0068】

［放射温度計］
・マスク洗浄装置１２は、放射温度計１２Ｂを備えていなくてもよい。この場合であっても、蒸着システム１０が、マスクＭに堆積した堆積物ＤをマスクＭの加熱によって除去するマスク洗浄装置１２を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。なお、マスク洗浄装置１２が放射温度計１２Ｂを備えていない場合には、制御部１０Ｄは、予め実験などを通じて定められた所定の電圧を電源１２Ａ１に出力させることができる。

【0069】

・マスク洗浄装置１２が放射温度計１２Ｂを備えていない場合には、マスク洗浄装置１２は、マスクＭの抵抗を測定する抵抗測定器を備えてもよい。マスクＭが導体である場合には、マスクＭの温度が上昇することにともなって、マスクＭの抵抗値も上昇する。そのため、マスクＭの抵抗値からマスクＭの温度を把握することが可能である。それゆえに、制御部１０Ｄは、抵抗測定器の測定結果に基づいて加熱部１２Ａの駆動を制御することによって、抵抗測定器の測定結果から導かれるマスクＭの温度が所定温度になるように加熱部１２ＡにマスクＭの加熱を行わせることが可能である。

【0070】

・マスク洗浄装置１２は、放射温度計１２Ｂの代わりに、例えば熱電対を用いた接触熱伝導を利用する接触式の温度計を備えてもよい。また、接触式の温度計を用いる場合には、温度計をマスクＭに接触させずに、マスクＭの近傍の温度を測定してもよい。この場合には、マスクＭの近傍の温度をマスクＭの温度として代用し、これによって、加熱部１２Ａを制御してもよい。なお、接触熱伝導を利用した温度計を用いる場合は、マスクＭを固定または搬送する部材に熱電対を配置することによって、マスクＭと熱電対との間の熱抵抗を下げることができ、結果として、熱応答性の高い制御を行うことが可能である。

【0071】

［回収部］
・マスク洗浄装置１２は、回収部１２Ｃを備えていなくてもよい。この場合には、回収部１２Ｃを冷却する冷却部１２Ｄは不要である。この場合であっても、蒸着システム１０が、マスクＭに堆積した堆積物ＤをマスクＭの加熱によって除去するマスク洗浄装置１２を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

【0072】

なお、マスク洗浄装置１２が、マスク洗浄装置１２内にてマスクＭと対向する回収部１２Ｃを備えない場合には、排気部１２Ｖを回収部として機能させることも可能である。例えば、堆積物が有機物である場合は、マスクＭの堆積物を洗浄するマスク洗浄装置１２内に接続されたガス供給部１２Ｇから、反応性ガス、または、堆積物に対する吸着性を有したキャリアガスを所定の流量で供給する。反応性ガスは、例えば酸素である。

【0073】

通電加熱によって加熱されたマスクＭからの伝熱を受けて堆積物の温度は上昇し、活性化エネルギーを得た堆積物と、反応性ガスまたはキャリアガスとの反応が開始され、また促進される。これによって、反応生成物に変化した堆積物は気体となり、マスクＭから離脱することによって、排気部１２Ｖよって回収される。

【0074】

また、堆積物の温度が蒸気圧以上であれば、マスクＭの表面だけでなく、気相中でも反応ガスと堆積物との反応が生じる。このように、ガス供給部１２Ｇは、回収部の一例である排気部１２Ｖによる堆積物の回収を補助する回収補助部の一例である。こうした構成によれば、マスクＭの周囲に、マスクＭから脱離した堆積物が再付着することを抑えることができ、また、堆積物が気体になることによって排気部１２Ｖによって回収される。そのため、成膜装置１１が区画する空間と、マスク洗浄装置１２が区画する空間とが同一であっても、マスクＭの洗浄に起因した汚染を生じることなく、マスクＭの洗浄を行うことが可能である。

【0075】

なお、マスク洗浄装置１２は、上述した排気部１２Ｖと回収部１２Ｃとの両方を備え、かつ、上述したガス供給部１２Ｇと冷却部１２Ｄとの両方を備えることが可能である。この場合には、マスクＭの堆積物を化学的に行うこと、および、物理的に行うことが可能であるため、堆積物の洗浄に必要な時間を短くすることが可能である。また、この場合には、マスクＭの洗浄ごとに回収部１２Ｃに堆積する堆積物の量が減るため、回収部１２Ｃに堆積した堆積物の量が所定量を超えるまでの時間を延長することができる。結果として、蒸着システム１０を用いた処理の効率を向上させることができる。

【0076】

［冷却部］
・マスク洗浄装置１２は、冷却部１２Ｄを備えていなくてもよい。この場合であっても、マスクＭから気化または昇華した堆積物Ｄは少なからず回収部１２Ｃに付着するため、上述した（３）に準じた効果を得ることは可能である。

【0077】

・マスク洗浄装置１２は、回収部１２Ｃの温度を測定する放射温度計を備えてもよい。この場合には、制御部１０Ｄは、放射温度計の測定結果を用いて冷却部１２Ｄの駆動を制御することが可能である。すなわち、制御部１０Ｄは、放射温度計の測定結果が所定温度になるように冷却部１２Ｄに回収部１２Ｃの冷却をさせることが可能である。

【0078】

［端子用冷却部］
・マスク洗浄装置１２は、端子用冷却部１２Ｅを備えていなくてもよい。この場合であっても、蒸着システム１０が、マスクＭに堆積した堆積物ＤをマスクＭの加熱によって除去するマスク洗浄装置１２を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

【0079】

［搬送部］
・蒸着システム１０は、マスク搬送部１０Ｂに加えて、マスク搬送部１０Ｂとは別体のマスク配置部を備えてもよい。この場合には、マスク配置部は成膜装置１１に位置し、かつ、基板Ｓと蒸着源１１Ａとの間にマスクＭを配置することが可能であればよい。

【0080】

・蒸着システム１０は、マスクＭを成膜装置１１からマスク洗浄装置１２に向けて搬送する第１マスク搬送部と、第１マスク搬送部とは別体であって、かつ、マスクＭをマスク洗浄装置１２から成膜装置１１に向けて搬送する第２マスク搬送部とを備えてもよい。

【0081】

・蒸着システム１０は、基板搬送部１０Ａに加えて、基板搬送部１０Ａとは別体の基板配置部を備えてもよい。この場合には、基板配置部は成膜装置１１に位置し、かつ、蒸着源１１Ａと対向する位置に基板Ｓを配置することが可能であればよい。

【0082】

・蒸着システム１０は、基板Ｓを搬出入装置１３から成膜装置１１に向けて搬送する第１基板搬送部と、第１基板搬送部とは別体であって、かつ、基板Ｓを成膜装置１１から搬出入装置１３に向けて搬送する第２基板搬送部とを備えてもよい。

【0083】

［マスク洗浄装置］
・マスク洗浄装置１２は、複数枚のマスクＭを保管することが可能な保管部を備えてもよい。この場合には、蒸着システム１０を大気に開放することなく、成膜に用いるマスクを第１のマスクから第２のマスクに交換することが可能である。また、１つのマスクＭを洗浄している際に、他のマスクＭを用いて基板Ｓに対する成膜を行うことも可能である。そのため、マスクＭの洗浄を行う頻度を高めたり、蒸着システム１０のメンテナンスのために成膜を行うことができない期間を短くしたりすることが可能である。なお、保管部に保管された複数のマスクＭには、マスクＭが有する開口のパターンが互いに異なるマスクＭが含まれてもよい。この場合には、例えば、第１のパターンを有するマスクＭを用いて第１のパターンを有する薄膜を基板Ｓに形成し、かつ、第２のパターンを有するマスクＭを用いて第２のパターンを有する薄膜を基板Ｓに形成することが可能である。

【0084】

・マスク洗浄装置１２は、成膜装置１１とは異なる空間を区画しなくてもよい。すなわち、マスク洗浄装置１２を構成する機能部は、成膜装置１１に搭載されてもよい。これにより、マスクＭを成膜装置１１から移動させることなく、成膜装置１１内においてマスクＭの洗浄を行うことが可能である。そのため、蒸着システム１０は、マスク搬送部１０Ｂを備えなくてもよい。また、蒸着システム１０が成膜装置１１とは異なる空間を区画するマスク洗浄装置１２を有しない分だけ、蒸着システム１０の設置面積を小さくすることが可能である。

【0085】

この場合には、成膜装置１１内に基板Ｓが位置する状態でマスクＭの加熱を行ってもよいし、成膜装置１１内に基板Ｓが位置しない状態でマスクＭの加熱を行ってもよい。このうち、成膜装置１１内に基板Ｓが位置する状態でマスクＭの加熱を行う場合には、マスクＭと基板Ｓとの距離が小さいため、マスクＭからの輻射による基板Ｓの加熱を抑えることが好ましい。特に、基板Ｓが樹脂製などである場合には、マスクＭの温度を正確に制御する必要がある。そのため、マスク洗浄装置１２が放射温度計１２Ｂを備えれば、マスクＭの温度を管理することができる点で有利である。

【0086】

［蒸着システム］
・蒸着システム１０には、複数のマスクＭが適用されてもよい。この場合には、第１のマスクを用いて成膜装置１１での成膜を行うことと、第２のマスクの洗浄をマスク洗浄装置１２において行うこととを同時に行うことが可能である。そして、第１のマスクに堆積した堆積物の量に応じて、第１のマスクの洗浄をマスク洗浄装置１２において行う際に、第２のマスクを用いて成膜装置１１での成膜を行うことが可能である。

【0087】

・蒸着システム１０は、搬出入装置に代えて、搬入装置と搬入装置とは異なる搬出装置とを備えてもよい。この場合には、蒸着システムにおいて、搬入装置、成膜装置１１、マスク洗浄装置１２、および、搬出装置が１つの方向に沿って並んでいればよい。

【0088】

・蒸着システム１０は、搬出入装置１３を備えていなくてもよい。この場合であっても、蒸着システム１０が、マスクＭの開口Ｍａを通じて基板Ｓに成膜する成膜装置１１と、マスクＭに堆積した堆積物ＤをマスクＭの加熱によって除去するマスク洗浄装置１２とを備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることは可能である。

【0089】

・蒸着システム１０は、搬出入装置１３、成膜装置１１、および、マスク洗浄装置１２以外の処理室をさらに備えてもよい。蒸着システム１０は、例えば、成膜装置１１において行われる成膜処理よりも前に行われる処理を行うための処理装置、および、成膜処理よりも後に行われる処理を行うための処理装置などを備えてもよい。

【0090】

・蒸着システム１０は、成膜装置１１とマスク洗浄装置１２とを含む１つの真空槽を備えてもよい。この場合には、蒸着源１１Ａから放出された蒸着材料が通電端子１２Ａ２や回収部１２Ｃに付着したり、マスクＭから昇華した堆積物Ｄが基板Ｓに付着したりすることが抑えられる程度に、基板Ｓの配置される位置と、マスクＭが洗浄される際にマスクＭが配置される位置とが離れていることが好ましい。

【0091】

・図７が示すように、蒸着システムは、ロールツーロール方式の蒸着システムでもよい。
図７が示すように、蒸着システム２０は、シート搬送部２１とマスク搬送部２２とを備えている。シート搬送部２１は、成膜対象の一例であるシートＳｈを搬送する。シートＳｈは、例えば、帯状を有した樹脂シートである。マスク搬送部２２は、帯状を有するマスクＭを搬送する。

【0092】

シート搬送部２１は、成膜ロール２１Ａ、巻出しロール２１Ｂ、および、巻取りロール２１Ｃを備えている。シート搬送部２１は、巻出しロール２１Ｂから巻き出されたシートＳｈが、成膜ロール２１Ａを通って巻取りロール２１Ｃによって巻き取られるようにシートＳｈを搬送する。

【0093】

マスク搬送部２２は、複数の搬送ロール２２Ａを備えている。本変更例では、マスク搬送部２２は、４つの搬送ロール２２Ａを備えている。マスク搬送部２２は、４つの搬送ロール２２Ａによって、帯状のマスクＭを循環させている。マスク搬送部２２は、帯状を有したマスクＭの一部を成膜ロール２１Ａに沿って搬送されるシートＳｈの一部に対向させるようにマスクＭを搬送する。

【0094】

蒸着システム２０は、蒸着源２３を備えている。蒸着源２３は、成膜ロール２１Ａと対向する位置に配置されている。蒸着源２３は、成膜源の一例である。マスク搬送部２２は、蒸着源２３とシートＳｈとの間にマスクＭを配置する。本実施形態の蒸着システム２０では、成膜ロール２１Ａ、マスク搬送部２２、および、蒸着源２３が、成膜装置を構成している。

【0095】

蒸着システム２０は、加熱部２４を備えている。加熱部２４は、電源２４Ａと通電端子２４Ｂとを備えている。加熱部２４は、マスクＭの搬送方向において、蒸着源２３が蒸着物質を放出する位置とは異なる位置に配置されている。加熱部２４は、通電加熱によってマスクＭを加熱する。蒸着システム２０は、上述した蒸着システム１０と同様、放射温度計２５、および、制御部２０Ａを備えている。本変更例では、マスク搬送部２２、および、加熱部２４が、マスク洗浄装置を構成している。なお、蒸着システム２０は、上述した蒸着システム１０と同様、冷却部、回収部、および、通電端子２４Ｂを冷却する端子冷却部を備えることができる。

【0096】

このように、蒸着システム２０も、マスクＭを用いてシートＳｈに成膜する成膜装置と、マスクＭに堆積した堆積物をマスクＭの加熱によって除去するマスク洗浄装置とを備えるため、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

【0097】

［成膜システム］
・成膜システムは、蒸着法とは異なる成膜方法を用いて基板に成膜する成膜装置を備えてもよい。例えば、成膜装置は、スパッタ装置でもよいし、ＣＶＤ装置でもよい。

【符号の説明】

【0098】

１０，２０…蒸着システム、１０Ａ…基板搬送部、１０Ｂ，２２…マスク搬送部、１０Ｃ…ゲートバルブ、１０Ｄ，２０Ａ…制御部、１１…成膜装置、１１Ａ，２３…蒸着源、１１Ｇ，１２Ｇ，１３Ｇ…ガス供給部、１１Ｖ，１２Ｖ，１３Ｖ…排気部、１２…マスク洗浄装置、１２Ａ，２４…加熱部、１２Ａ１，２４Ａ…電源、１２Ａ２，２４Ｂ…通電端子、１２Ｂ，２５…放射温度計、１２Ｃ…回収部、１２Ｄ…冷却部、１２Ｅ…端子用冷却部、１３…搬出入装置、２１…シート搬送部、２１Ａ…成膜ロール、２１Ｂ…巻出しロール、２１Ｃ…巻取りロール、２２Ａ…搬送ロール、Ｄ…堆積物、Ｍ…マスク、Ｍａ…開口、Ｓ…基板、Ｓａ…薄膜、Ｓｈ…シート。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】