特許 7299009 多層基板、電子部品及び多層基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-06-19

(45)【発行日】2023-06-27

(54)【発明の名称】多層基板、電子部品及び多層基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/00 20060101AFI20230620BHJP

   H01F 17/04 20060101ALI20230620BHJP

   H01F 41/04 20060101ALI20230620BHJP

【ＦＩ】

H01F17/00 B

H01F17/04 A

H01F17/04 F

H01F41/04 C

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2018196854

(22)【出願日】2018-10-18

(65)【公開番号】P2020065007

(43)【公開日】2020-04-23

【審査請求日】2021-09-02

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】松本 隆幸

(72)【発明者】

【氏名】中西 元

【審査官】後藤 嘉宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－０２８０１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０８２０９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１５７８７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－０５１５０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１２／１２８２６９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許第０６９９６８９２（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】特開２０１７－０６９５２３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ １７／００

Ｈ０１Ｆ １７／０４

Ｈ０１Ｆ ４１／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の面及び第２の面を備え、磁性体を含む基材と、
前記基材中に設けられ、前記第１の面から露出する第１の電極を含む第１の金属層と、
前記基材中に設けられ、前記第２の面から露出する第２の電極を含む第２の金属層と、
を有し、
前記第１の金属層は、前記第１の電極に接続された導体部を有するインダクタを含み、
前記第２の電極と前記第１の電極とが接合され、電気的に接続され、
前記導体部は、
第３の面と、
前記第３の面と反対の第４の面と、
前記第３の面及び前記第４の面につながる第５の面と、
前記第３の面及び前記第４の面につながり、前記第５の面と反対の第６の面と、
を有し、
前記磁性体は、前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面に対向し、前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面を被覆し、
前記導体部は、
同一平面内において渦巻き状に形成された第１の導体部と、
同一平面内において渦巻き状に形成され、前記第１の導体部と重ね合わされた状態で前記第１の導体部と接合された第２の導体部と、
を有し、
前記第１の金属層は、
前記第１の導体部と同一平面内において前記第１の導体部につながる内周側の第１の端部と、
前記第１の導体部と同一平面内において前記第１の導体部につながるとともに、前記第１の電極に含まれる第１の電極部と、
前記第２の導体部と同一平面内において前記第２の導体部につながる内周側の第２の端部と、
前記第２の導体部と同一平面内に設けられ、前記第１の電極に含まれる第２の電極部と、
を有し、
前記第２の端部は、前記第１の金属層に向かって突出する突起部を有し、
前記第１の端部の前記第２の導体部側の面と、前記第１の電極部の前記第２の導体部側の面とは面一であり、
前記突起部の前記第１の導体部側の面と、前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面とは面一であり、
前記第１の金属層の厚さ方向において、前記第２の導体部の前記第１の導体部側の面は、前記突起部の前記第１の導体部側の面及び前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面よりも前記第１の導体部から離れており、
前記突起部の前記第１の導体部側の面と、前記第１の端部の前記第２の導体部側の面とが互いに直接接触し、
前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面と、前記第１の電極部の前記第２の導体部側の面とが互いに直接接触することを特徴する多層基板。

【請求項2】

前記基材は、前記第１の電極、前記インダクタ及び前記第２の電極の表面を覆う絶縁膜を有し、
前記磁性体は前記絶縁膜を介して前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面を被覆することを特徴とする請求項１に記載の多層基板。

【請求項3】

前記磁性体は、前記第１の電極、前記インダクタ及び前記第２の電極を埋め込むことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層基板。

【請求項4】

前記第１の電極及び前記第２の電極の前記基材から露出した部分に形成されためっき膜を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層基板。

【請求項5】

前記第２の電極は前記第１の電極上に積層されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層基板。

【請求項6】

前記第１の金属層及び前記第２の金属層が金属板からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層基板。

【請求項7】

請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層基板と、
前記第２の電極に接続された半導体チップと、
前記第２の電極に接続された受動部品と、
を有することを特徴とする電子部品。

【請求項8】

第１の電極及び前記第１の電極に接続された導体部を有するインダクタを含む第１の金属層を形成する工程と、
第２の電極を含む第２の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層とを重ね合わせ、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続しながら接合する工程と、
第１の面及び第２の面を備え、磁性体を含む基材中に、前記第１の金属層及び前記第２の金属層を、前記第１の電極が前記第１の面から露出し、前記第２の電極が前記第２の面から露出するようにして設ける工程と、
を有し、
前記導体部は、
第３の面と、
前記第３の面と反対の第４の面と、
前記第３の面及び前記第４の面につながる第５の面と、
前記第３の面及び前記第４の面につながり、前記第５の面と反対の第６の面と、
を有し、
前記磁性体は、前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面に対向し、前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面を被覆し、
前記導体部は、
同一平面内において渦巻き状に形成された第１の導体部と、
同一平面内において渦巻き状に形成され、前記第１の導体部と重ね合わされた状態で前記第１の導体部と接合された第２の導体部と、
を有し、
前記第１の金属層は、
前記第１の導体部と同一平面内において前記第１の導体部につながる内周側の第１の端部と、
前記第１の導体部と同一平面内において前記第１の導体部につながるとともに、前記第１の電極に含まれる第１の電極部と、
前記第２の導体部と同一平面内において前記第２の導体部につながる内周側の第２の端部と、
前記第２の導体部と同一平面内に設けられ、前記第１の電極に含まれる第２の電極部と、
を有し、
前記第２の端部は、前記第１の金属層に向かって突出する突起部を有し、
前記第１の端部の前記第２の導体部側の面と、前記第１の電極部の前記第２の導体部側の面とは面一であり、
前記突起部の前記第１の導体部側の面と、前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面とは面一であり、
前記第１の金属層の厚さ方向において、前記第２の導体部の前記第１の導体部側の面は、前記突起部の前記第１の導体部側の面及び前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面よりも前記第１の導体部から離れており、
前記突起部の前記第１の導体部側の面と、前記第１の端部の前記第２の導体部側の面とが互いに直接接触し、
前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面と、前記第１の電極部の前記第２の導体部側の面とが互いに直接接触することを特徴とする多層基板の製造方法。

【請求項9】

前記第１の金属層を形成する工程は、
第１の金属板をパターニングして前記第１の導体部を形成する工程と、
第２の金属板をパターニングして前記第２の導体部を形成する工程と、
前記第１の導体部と前記第２の導体部とを重ね合わせた状態で接合して、前記第１の導体部と前記第２の導体部とを接続して前記インダクタを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項８に記載の多層基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、多層基板、電子部品及び多層基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電極パターン及びビア電極が形成された複数のフェライトシートを積層してインダクタを構成した多層基板を含むＤＣ－ＤＣコンバータが提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－９８１８７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来の多層基板の構成では、フェライトシートに低抵抗の電極パターンを形成することは困難である。

【0005】

本発明は、低抵抗のインダクタを容易に内蔵させることができる多層基板、電子部品及び多層基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

多層基板の一態様は、第１の面及び第２の面を備え、磁性体を含む基材と、前記基材中に設けられ、前記第１の面から露出する第１の電極を含む第１の金属層と、前記基材中に設けられ、前記第２の面から露出する第２の電極を含む第２の金属層と、を有し、前記第１の金属層は、前記第１の電極に接続された導体部を有するインダクタを含み、前記第２の電極と前記第１の電極とが接合され、電気的に接続され、前記導体部は、第３の面と、前記第３の面と反対の第４の面と、前記第３の面及び前記第４の面につながる第５の面と、前記第３の面及び前記第４の面につながり、前記第５の面と反対の第６の面と、を有し、前記磁性体は、前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面に対向し、前記第３の面、前記第４の面、前記第５の面及び前記第６の面を被覆し、前記導体部は、同一平面内において渦巻き状に形成された第１の導体部と、同一平面内において渦巻き状に形成され、前記第１の導体部と重ね合わされた状態で前記第１の導体部と接合された第２の導体部と、を有し、前記第１の金属層は、前記第１の導体部と同一平面内において前記第１の導体部につながる内周側の第１の端部と、前記第１の導体部と同一平面内において前記第１の導体部につながるとともに、前記第１の電極に含まれる第１の電極部と、前記第２の導体部と同一平面内において前記第２の導体部につながる内周側の第２の端部と、前記第２の導体部と同一平面内に設けられ、前記第１の電極に含まれる第２の電極部と、を有し、前記第２の端部は、前記第１の金属層に向かって突出する突起部を有し、前記第１の端部の前記第２の導体部側の面と、前記第１の電極部の前記第２の導体部側の面とは面一であり、前記突起部の前記第１の導体部側の面と、前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面とは面一であり、前記第１の金属層の厚さ方向において、前記第２の導体部の前記第１の導体部側の面は、前記突起部の前記第１の導体部側の面及び前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面よりも前記第１の導体部から離れており、前記突起部の前記第１の導体部側の面と、前記第１の端部の前記第２の導体部側の面とが互いに直接接触し、前記第２の電極部の前記第１の導体部側の面と、前記第１の電極部の前記第２の導体部側の面とが互いに直接接触する。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、低抵抗のインダクタを容易に基板内に内蔵させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係る多層基板の構造を示す斜視図である。

【図2】第１の実施形態に係る多層基板の構造を示す上面図である。

【図3】第１の実施形態に係る多層基板の構造を示す断面図である。

【図4】第１の実施形態に係る多層基板の構造を示す側面図である。

【図5】金属層の構造を示す斜視図である。

【図6】他の金属層の構造を示す斜視図である。

【図7】更に他の金属層の構造を示す斜視図である。

【図8】図５に示す金属層の形成方法の概要を示す図である。

【図9】図５に示す金属層の形成方法を示す断面図（その１）である。

【図10】図５に示す金属層の形成方法を示す断面図（その２）である。

【図11】図５に示す金属層の形成方法を示す断面図（その３）である。

【図12】図５に示す金属層の形成方法を示す断面図（その４）である。

【図13】図６に示す金属層の形成方法の概要を示す図である。

【図14】図６に示す金属層の形成方法を示す断面図（その１）である。

【図15】図６に示す金属層の形成方法を示す断面図（その２）である。

【図16】図６に示す金属層の形成方法を示す断面図（その３）である。

【図17】図６に示す金属層の形成方法を示す断面図（その４）である。

【図18】図７に示す金属層の形成方法の概要を示す図である。

【図19】図７に示す金属層の形成方法を示す断面図（その１）である。

【図20】図７に示す金属層の形成方法を示す断面図（その２）である。

【図21】図７に示す金属層の形成方法を示す断面図（その３）である。

【図22】図７に示す金属層の形成方法を示す断面図（その４）である。

【図23】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図24】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図25】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図26】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図27】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図28】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図29】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図30】第２の実施形態に係る電子部品の構造を示す斜視図である。

【図31】第２の実施形態に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図32】第２の実施形態に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図33】第３の実施形態に係る多層基板の構造を示す斜視図である。

【図34】第３の実施形態に係る多層基板の構造を示す上面図である。

【図35】第３の実施形態に係る多層基板の構造を示す断面図（その１）である。

【図36】第３の実施形態に係る多層基板の構造を示す断面図（その２）である。

【図37】第３の実施形態に係る多層基板の構造を示す断面図（その３）である。

【図38】第３の実施形態に係る多層基板の構造を示す側面図である。

【図39】第３の実施形態に含まれる金属層の構造を示す斜視図である。

【図40】第３の実施形態に含まれる他の金属層の構造を示す斜視図である。

【図41】第４の実施形態に係る電子部品の構造を示す斜視図である。

【図42】第５の実施形態に係る多層基板の構造を示す斜視図である。

【図43】第５の実施形態に係る多層基板の構造を示す上面図である。

【図44】第５の実施形態に係る多層基板の構造を示す断面図である。

【図45】第５の実施形態に含まれる金属層の構造を示す斜視図である。

【図46】第６の実施形態に係る多層基板の構造を示す斜視図である。

【図47】第６の実施形態に係る多層基板の構造を示す上面図である。

【図48】第６の実施形態に係る多層基板の構造を示す断面図である。

【図49】第６の実施形態に含まれる金属層の構造を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。また、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から視た形状のことを言う。

【0010】

（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は多層基板に関する。

【0011】

［多層基板の構造］
先ず、多層基板の構造について説明する。図１は、第１の実施形態に係る多層基板１の構造を示す斜視図である。図１（ａ）は、多層基板１の上面側から視た斜視図であり、図１（ｂ）は、多層基板１の下面側から視た斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る多層基板１の構造を示す上面図である。図１及び図２には、多層基板１に含まれる金属層を実線で示す。図３は、第１の実施形態に係る多層基板１の構造を示す断面図である。図３（ａ）は、図２中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図３（ｂ）は、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。図４は、第１の実施形態に係る多層基板１の構造を示す側面図である。図４には、図２中の矢印１Ａで示す方向から視える金属層の一部を実線で示す。

【0012】

図１～図４に示すように、第１の実施形態に係る多層基板１は、基材４００並びに金属層１００、２００及び３００を含む。

【0013】

基材４００は下面４００Ｂ及び上面４００Ａを備える。基材４００は、例えば、略六面体形状に形成されている。基材４００は、略直方体状に形成されている。基材４００の厚さは、例えば、３００μｍ～６００μｍ程度とすることができる。基材４００の上面４００Ａの平面形状は、４つの頂点４０１Ａ、４０１Ｂ、４０１Ｃ及び４０１Ｄを備え、一辺の長さが５ｍｍ～１０ｍｍ程度の矩形状とすることができる。以下、頂点４０１Ａから頂点４０１Ｂに向かう方向をＸ方向、頂点４０１Ａから頂点４０１Ｄに向かう方向をＹ方向、基材４００の下面４００Ｂから上面４００Ａに向かう方向をＺ方向とする。図４では、頂点４０１Ａと頂点４０１Ｂとの間の辺に沿って設けられた電極部、及び頂点４０１Ｃと頂点４０１Ｄとの間の辺に沿って設けられた電極部を省略している。

【0014】

金属層２００は金属層１００上に設けられ、金属層１００に接続されている。金属層３００は金属層２００上に設けられており、金属層２００に接続されている。金属層１００、２００及び３００は基材４００中に設けられている。金属層１００、２００及び３００の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。金属層１００、２００及び３００の材料としては、例えば、４２アロイ等の鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎｉ）合金を用いることができる。

【0015】

［金属層１００の構造］
金属層１００について説明する。図５は、金属層１００の構造を示す斜視図である。図５（ａ）は、金属層１００の上面側から視た斜視図であり、図５（ｂ）は、金属層１００の下面側から視た斜視図である。

【0016】

金属層１００は、基材４００の４辺に設けられた複数の電極部１２０と、基材４００の４辺の内側に設けられ、電極部１２０のうちの一つに接続された巻線部１１０と、を含む。

【0017】

図５に示すように、巻線部１１０は、同一平面内（同一平面上）において渦巻き状に形成されている。巻線部１１０は、例えば、同一平面内において円形状の渦巻き状に形成されている。本明細書では、巻線部１１０に関し、巻線部１１０の渦巻きに沿う方向を長手方向とし、その長手方向に平面視において直交する方向を短手方向（幅方向）とし、長手方向及び短手方向の双方と直交する方向を厚さ方向とする。巻線部１１０が同一平面内において矩形状の渦巻き状に形成されていてもよい。

【0018】

巻線部１１０の横断面形状（つまり、巻線部１１０の長手方向と直交する平面によって巻線部１１０を切断した断面形状）は、例えば、矩形状に形成されている。巻線部１１０の横断面形状は、短辺と長辺を有する長方形に形成されている。巻線部１１０は、上記長方形の短辺が厚さ方向に沿って延び、上記長方形の長辺が短手方向に延びるように形成されている。

【0019】

巻線部１１０は、内周側の端部１１１と、外周側の端部１１２と、端部１１１から端部１１２に向かって渦巻き状に形成された導体部１１３とを有している。これら端部１１１と端部１１２と導体部１１３とは一体に形成された単一部品である。

【0020】

導体部１１３は、端部１１１から端部１１２に向かうに連れて渦巻きの中心から遠ざかるように渦巻き状に形成されている。導体部１１３は、平面視で右回り（時計回り）の渦巻き（つまり、右回転により外周に向かう渦巻き）に形成されている。導体部１１３は、内周側の端部１１１から外周側の端部１１２に向けて右回りに略円形の渦巻き状に約１．５周巻かれるように形成されている。

【0021】

導体部１１３は、所定の隙間を有するように渦巻き状に形成されている。すなわち、隣り合う導体部１１３の間には、渦巻き状のスリット１１０Ｘが形成されている。また、端部１１１よりも内側（渦巻きの中心側）には、略円形状の開口部１１０Ｙが形成されている。

【0022】

導体部１１３の短手方向（幅方向）の寸法は、例えば、２００μｍ～３００μｍ程度とすることができる。導体部１１３の厚さ方向の寸法は、例えば、１００μｍ～２００μｍ程度とすることができる。スリット１１０Ｘの短手方向の寸法は、例えば、１００μｍ～２００μｍ程度とすることができる。

【0023】

端部１１１は、金属層２００と接合される接合部となる。端部１１１の上面１００Ａ（金属層２００と対向する面）は、後述の突起部２１４の下面２１４Ｂと接合される。端部１１１の上面１００Ａは、金属層１００の他の部分（導体部１１３及び端部１１２等）の上面１００Ａと同一平面上に形成されている。

【0024】

複数の電極部１２０は、巻線部１１０と同一平面内に、島状に設けられている。電極部１２０は、巻線部１１０よりも厚く形成されている。電極部１２０の厚さの巻線部１１０の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。電極部１２０の上面１２０Ａは、巻線部１１０の上面１００Ａと同一平面上にあり、電極部１２０の下面１２０Ｂは、巻線部１１０の下面１００Ｂより下方にある。つまり、電極部１２０は、金属層１００内で巻線部１１０より下方に突出するように形成されている。

【0025】

巻線部１１０の端部１１２は、複数の電極部１２０のうちの一つに接続されている。

【0026】

［金属層２００の構造］
金属層２００について説明する。図６は、金属層２００の構造を示す斜視図である。図６（ａ）は、金属層２００の上面側から視た斜視図であり、図６（ｂ）は、金属層２００の下面側から視た斜視図である。

【0027】

金属層２００は、基材４００の４辺に設けられた複数の電極部２２０と、基材４００の４辺の内側に設けられ、電極部２２０のうちの一つに接続された巻線部２１０と、を含む。

【0028】

図６に示すように、巻線部２１０は、同一平面内（同一平面上）において渦巻き状に形成されている。巻線部２１０は、例えば、同一平面内において円形状の渦巻き状に形成されている。本明細書では、巻線部２１０に関し、巻線部２１０の渦巻きに沿う方向を長手方向とし、その長手方向に平面視において直交する方向を短手方向（幅方向）とし、長手方向及び短手方向の双方と直交する方向を厚さ方向とする。巻線部２１０が同一平面内において矩形状の渦巻き状に形成されていてもよい。

【0029】

巻線部２１０の横断面形状（つまり、巻線部２１０の長手方向と直交する平面によって巻線部２１０を切断した断面形状）は、例えば、矩形状に形成されている。巻線部２１０の横断面形状は、短辺と長辺を有する長方形に形成されている。巻線部２１０は、上記長方形の短辺が厚さ方向に沿って延び、上記長方形の長辺が短手方向に延びるように形成されている。

【0030】

巻線部２１０は、内周側の端部２１１と、外周側の端部２１２と、端部２１１から端部２１２に向かって渦巻き状に形成された導体部２１３とを有している。これら端部２１１と端部２１２と導体部２１３とは一体に形成された単一部品である。

【0031】

導体部２１３は、端部２１１から端部２１２に向かうに連れて渦巻きの中心から遠ざかるように渦巻き状に形成されている。導体部２１３は、巻線部１１０の導体部１１３の巻き方向とは反対方向の渦巻きに形成されている。つまり、導体部２１３は、平面視で左回り（反時計回り）の渦巻き（つまり、左回転により外周に向かう渦巻き）に形成されている。導体部２１３は、内周側の端部２１１から外周側の端部２１２に向けて左回りに略円形の渦巻き状に約１．５周巻かれるように形成されている。

【0032】

導体部２１３は、所定の隙間を有するように渦巻き状に形成されている。すなわち、隣り合う導体部２１３の間には、渦巻き状のスリット２１０Ｘが形成されている。また、端部２１１よりも内側（渦巻きの中心側）には、略円形状の開口部２１０Ｙが形成されている。

【0033】

導体部２１３の短手方向（幅方向）の寸法は、例えば、２００μｍ～３００μｍ程度とすることができる。導体部２１３の厚さ方向の寸法は、例えば、１００μｍ～２００μｍ程度とすることができる。スリット２１０Ｘの短手方向の寸法は、例えば、１００μｍ～２００μｍ程度とすることができる。

【0034】

端部２１１は、金属層１００と接合される接合部となる。端部２１１は、金属層１００と接合される突起部２１４を有している。突起部２１４は、金属層２００の下面２００Ｂ（金属層１００と対向する面）に、金属層２００の他の部分（導体部２１３及び端部２１２等）よりも金属層１００に向かって突出するように形成されている。突起部２１４は、金属層２００の他の部分（導体部２１３及び端部２１２等）と一体に形成されている。例えば、突起部２１４は、金属層２００の突起部２１４の周辺の部分（導体部２１３等）が薄化されることで形成される。

【0035】

図６に示すように、突起部２１４は、端部２１１の下面２００Ｂから金属層１００に向かって延びるように柱状に形成されている。突起部２１４の高さ（厚さ）は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。突起部２１４の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。突起部２１４の平面形状は、例えば、直径が２００μｍ～４００μｍ程度の円形状とすることができる。

【0036】

突起部２１４の下面２１４Ｂは、例えば、平面に形成されている。突起部２１４の下面２１４Ｂが金属層１００と接合される接合面となる。

【0037】

複数の電極部２２０は、巻線部２１０と同一平面内に、平面視で電極部１２０と重なるようにして島状に設けられている。電極部２２０は、突起部２１４と同じ高さ（厚さ）で形成されている。つまり、電極部２２０は、巻線部２１０よりも厚く形成されている。電極部２２０の厚さの巻線部２１０の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。電極部２２０の上面２２０Ａは、巻線部２１０の上面２００Ａと同一平面上にあり、電極部２２０の下面２２０Ｂは、巻線部２１０の下面２００Ｂより下方で突起部２１４の下面２１４Ｂと同一平面上にある。つまり、電極部２２０は、突起部２１４と同様に、金属層２００内で巻線部２１０より下方に突出するように形成されている。

【0038】

金属層２００は、金属層１００に重ね合わされた状態で金属層１００に接合されている。具体的には、金属層２００の内周側の端部２１１に形成された突起部２１４が、金属層２００と上下（厚さ方向）に重ね合わされた金属層１００の内周側の端部１１１に接合されている。また、電極部２２０が電極部１２０に接合されている。このとき、上下に隣接する巻線部１１０、２１０が互いに反対方向の渦巻き状に形成されている。これにより、上下に隣接する巻線部１１０、２１０が、それら巻線部１１０、２１０を流れる電流の向きが同じとなるように直列に接続される。そして、図１に示すように、巻線部１１０の外周側の端部１１２から巻線部２１０の外周側の端部２１２に至る螺旋状のインダクタ５１が形成されている。すなわち、螺旋状のインダクタ５１は、その一端部に電極部１２０が接合される端部１１２が設けられ、他端部に電極部２２０が接合される端部２１２が設けられている。

【0039】

図３に示すように、螺旋状のインダクタ５１では、上下に重ね合わされた金属層１００と金属層２００との間に所定の隙間Ｓ１が形成されている。具体的には、巻線部１１０の上面１００Ａと巻線部２１０の下面２００Ｂとの間に、突起部２１４の厚さ分の隙間Ｓ１が形成されている。

【0040】

［金属層３００の構造］
金属層３００について説明する。図７は、金属層３００の構造を示す斜視図である。図７（ａ）は、金属層３００の上面側から視た斜視図であり、図７（ｂ）は、金属層３００の下面側から視た斜視図である。

【0041】

図７に示すように、金属層３００は、基材４００の４辺に設けられた複数の電極部３２０を含む。電極部３２０には、電極部３２０の基部から基材４００の外側に向かって突出する横突起部３２１が設けられている。

【0042】

電極部３２０は、互いに同一の平面内に、平面視で電極部１２０及び２２０と重なる位置に島状に設けられている。横突起部３２１は電極部３２０の基部よりも薄くかつ狭く形成されている。電極部３２０の上面３２０Ａは平坦面であり、電極部３２０の下面３２０Ｂは、基部において横突起部３２１より下方にある。横突起部３２１の厚さは、例えば、１００μｍ～２００μｍ程度とすることができ、電極部３２０の基部の厚さの横突起部３２１の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。

【0043】

金属層３００は、金属層２００に重ね合わされた状態で金属層２００に接合されている。具体的には、電極部３２０が電極部２２０に接合されている。

【0044】

［基材４００の構造］
基材４００は、図３に示すように、金属層１００、２００及び３００の表面を被覆する絶縁膜４３０並びに絶縁膜４３０の表面を被覆する磁性体４４０を含む。

【0045】

絶縁膜４３０及び磁性体４４０は、下記の部分を除いて、金属層１００、２００及び３００の表面を被覆するように形成されている。絶縁膜４３０及び磁性体４４０から露出する部分は、例えば、図３に示すように、電極部１２０の下面１２０Ｂ、電極部３２０の上面３２０Ａ、電極部１２０の端面１２０Ｃ、電極部２２０の端面２２０Ｃ及び電極部３２０の端面３２０Ｃである。

【0046】

絶縁膜４３０は、上下に隣接する金属層１００、２００が磁性体４４０に含まれる導電体を通じて短絡することを抑制する機能を有している。

【0047】

絶縁膜４３０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁膜４３０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。絶縁膜４３０の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

【0048】

磁性体４４０は、インダクタ５１、電極部１２０、２２０及び３２０並びに絶縁膜４３０を全体的に封止するように形成されている。磁性体４４０は、金属層１００、２００及び３００の表面を被覆する絶縁膜４３０の表面を直接被覆するように形成されている。換言すると、磁性体４４０は、金属層１００、２００及び３００の表面を絶縁膜４３０を介して直接被覆している。磁性体４４０は、金属層１００、２００及び３００を埋設するように形成されている。すなわち、金属層１００、２００及び３００は、磁性体４４０内に埋め込まれている。このため、磁性体４４０は、図５、図６に示したスリット１１０Ｘ及び２１０Ｘ並びに開口部１１０Ｙ及び２１０Ｙを充填するように形成されている。

【0049】

磁性体４４０の上面４４０Ａは、例えば、電極部３２０の上面３２０Ａ及び電極部３２０の側面を被覆する絶縁膜４３０の端面と面一になるように形成されている。磁性体４４０の端面４４０Ｃは、例えば、金属層３００の側方では、電極部３２０の端面３２０Ｃ及び電極部３２０の側面を被覆する絶縁膜４３０の端面と面一になるように形成されている。磁性体４４０の端面４４０Ｃは、例えば、金属層１００及び２００の側方では、電極部１２０の端面１２０Ｃ、電極部２２０の端面２２０Ｃ並びに電極部１２０及び２２０の側面を被覆する絶縁膜４３０の端面と面一になるように形成されている。磁性体４４０の下面４４０Ｂは、例えば、電極部１２０の下面１２０Ｂ及び電極部１２０の側面を被覆する絶縁膜４３０の端面と面一になるように形成されている。

【0050】

基材４００の内部において、巻線部１１０及び２１０が突起部２１４を通じて接続されてインダクタ５１が構成されている。また、巻線部１１０の端部１１２は一つの電極部１２０に接続され、巻線部２１０の端部２１２は電極部２２０を通じて他の一つの電極部１２０に接続されている。そして、これら二つの電極部１２０の各下面１２０Ｂは基材４００の下面４００Ｂから露出している。金属層１００及び２００の積層体が第１の金属層の一例であり、これら二つの電極部１２０及び２２０が第１の電極の一例である。第１の電極は、後述の第２の実施形態に係る電子部品において外部電極として用いることができる。インダクタ５１に接続されていない電極部１２０も外部電極の一例として用いることができる。

【0051】

また、金属層３００の電極部３２０は金属層２００の電極部２２０に接続され、電極部３２０の上面３２０Ａは基材４００の上面４００Ａから露出している。金属層３００は第２の金属層の一例であり、電極部３２０は第２の電極の一例である。第２の電極は、後述の第２の実施形態に係る電子部品において内部電極として用いることができる。

【0052】

図３（ｂ）に示すように、電極部１２０の下面１２０Ｂ及び端面１２０Ｃ、電極部２２０の端面２２０Ｃ、並びに電極部３２０の上面３２０Ａにめっき膜４６０が形成されている。めっき膜４６０は、例えば、Ｎｉ膜、パラジウム（Ｐｄ）膜及び金（Ａｕ）膜がこの順で積層された構造を備える。めっき膜４６０は、例えば、Ｎｉ膜及びＡｕ膜がこの順で積層された構造を備える。めっき膜４６０は、例えば、Ｎｉ膜及びＡｇ膜がこの順で積層された構造を備える。めっき膜４６０は、例えば、Ｎｉ膜及び錫（Ｓｎ）膜がこの順で積層された構造を備える。

【0053】

［多層基板１の製造方法］
次に、多層基板１の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に多層基板１の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。

【0054】

［金属層１００の形成方法］
先ず、金属層１００の形成方法について説明する。図８は、金属層１００の形成方法の概要を示す図である。

【0055】

図８（ａ）に示す工程では、金属板１０を準備する。金属板１０は、複数の個別領域Ｃ１を有している。複数の個別領域Ｃ１は、例えば、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列されている。図８（ｂ）に示すように、各個別領域Ｃ１には、以下に説明する製造工程を実施することにより、金属層１００が形成される。このとき、各個別領域Ｃ１に形成された金属層１００は、例えば、隣接する個別領域Ｃ１の間に設けられた連結部１１に接続されている。また、隣接する連結部１１の間には、各金属層１００を画定する開口部１１Ｘが形成されている。そして、個別領域Ｃ１は、連結部１１の除去によって個片化され、各々個別の金属層１００となる。なお、複数の個別領域Ｃ１は、図８（ａ）に示すように所定の間隔を介して配列されてもよいし、互いに接するように配列されてもよい。

【0056】

金属板１０としては、例えば、厚さが１５０μｍ～２５０μｍ程度のＣｕ板を用いることができる。金属板１０の材料としては、Ｃｕに限らず、Ｃｕ合金や４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることもできる。

【0057】

次に、各個別領域Ｃ１に金属層１００を形成する方法について説明する。図９～図１２は、金属層１００の形成方法を示す断面図である。図９～図１０は、図８（ｂ）中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図１１～図１２は、図８（ｂ）中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。以下では、便宜上、一つの個別領域Ｃ１に着目して説明を行う。

【0058】

図９（ａ）及び図１１（ａ）に示す工程では、図８（ａ）に示す工程で準備した金属板１０の上面１０Ａ全面を被覆するレジスト層１２を形成するとともに、金属板１０の下面１０Ｂ全面を被覆するレジスト層１３を形成する。レジスト層１２の材料としては、例えば、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性を有する材料を用いることができる。例えば、レジスト層１２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性ドライフィルムレジストを用いる場合、レジスト層１２は、例えば、金属板１０の上面１０Ａにドライフィルムを熱圧着によりラミネートして形成することができる。レジスト層１３の材料としては、レジスト層１２と同様の材料を用いることができる。レジスト層１３は、例えば、金属板１０の下面１０Ｂにドライフィルムを熱圧着によりラミネートして形成することができる。

【0059】

次いで、図９（ｂ）及び図１１（ｂ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層１２をパターニングして、レジスト層１２に開口パターン１２Ｘを形成する。開口パターン１２Ｘは、連結部１１、巻線部１１０及び電極部１２０以外に対応する部分の金属板１０の上面１０Ａを露出するように形成される。すなわち、開口パターン１２Ｘを備えたレジスト層１２は、連結部１１、巻線部１１０及び電極部１２０に対応する部分の金属板１０の上面１０Ａを被覆するように形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、開口パターン１２Ｘを備えたレジスト層１２を形成することができる。

【0060】

次いで、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）に示す工程では、レジスト層１２、１３をエッチングマスクとして、金属板１０を上面１０Ａからエッチングして、連結部１１、巻線部１１０及び電極部１２０を形成する。具体的には、レジスト層１２の開口パターン１２Ｘから露出された金属板１０を上面１０Ａ側からエッチングし、金属板１０に渦巻き状のスリット１１０Ｘと円形状の開口部１１０Ｙと開口部１１Ｘとを形成する。これにより、各個別領域Ｃ１に巻線部１１０及び電極部１２０が画定され、隣り合う金属層１００を連結する連結部１１が画定される。なお、ウェットエッチング（等方性エッチング）により金属板１０をパターニングする場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、金属板１０の材質に応じて適宜選択することができる。例えば金属板１０としてＣｕを用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を使用することができ、金属板１０の上面１０Ａ側からスプレーエッチングにて金属板１０のパターニングを実施することができる。

【0061】

本例では、金属板１０のパターニング（つまり、スリット１１０Ｘ、開口部１１０Ｙ及び開口部１１Ｘの形成）をエッチング加工により行うが、例えば、プレス加工により金属板１０のパターニングを行うこともできる。

【0062】

次に、レジスト層１２、１３をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。続いて、図９（ｄ）及び図１１（ｄ）に示す工程では、金属板１０の上面１０Ａ全面を被覆するレジスト層１４を形成するとともに、金属板１０の下面１０Ｂ全面を被覆するレジスト層１５を形成する。レジスト層１４、１５の材料としては、例えば、レジスト層１２、１３（図９（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層１４、１５は、例えば、レジスト層１２、１３と同様の方法により形成することができる。

【0063】

次いで、図１０（ａ）及び図１２（ａ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層１５をパターニングして、レジスト層１５に開口パターン１５Ｘを形成する。開口パターン１５Ｘは、巻線部１１０に対応する部分の金属板１０の下面１０Ｂを露出するように形成される。すなわち、開口パターン１５Ｘを備えたレジスト層１５は、巻線部１１０以外に対応する部分の金属板１０の下面１０Ｂを被覆するように形成される。

【0064】

次に、図１０（ｂ）及び図１２（ｂ）に示す工程では、レジスト層１４、１５をエッチングマスクとして、金属板１０を下面１０Ｂ側からエッチング（ハーフエッチング）し、レジスト層１５の開口パターン１５Ｘから露出された金属板１０を薄化する。この結果、電極部１２０より薄い巻線部１１０が形成される。本工程のエッチング処理は、例えば、ウェットエッチング（等方性エッチング）により行うことができる。このようなウェットエッチングは、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）に示す工程のウェットエッチングと同様に行うことができる。本工程では、例えば、巻線部１１０の厚さと電極部１２０の厚さとの差が５０μｍ～１００μｍ程度となるように金属板１０の薄化が行われる。

【0065】

本例では、金属板１０の薄化をエッチング（ハーフエッチング）加工により行うが、例えば、プレス加工により金属板１０の薄化を行うこともできる。

【0066】

次に、図１０（ｃ）及び図１２（ｃ）に示す工程では、レジスト層１４、１５をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。

【0067】

このようにして、各個別領域Ｃ１に、巻線部１１０及び電極部１２０を含む金属層１００を形成することができる。

【0068】

なお、金属板１０に上述のようなウェットエッチングを行うと、エッチングは金属板１０の面内方向に進行する。このため、厳密には、ウェットエッチング後の金属板１０の側面は、その厚さ方向から傾斜したものとなる。但し、図面の簡略化のために、図９～図１２等では、金属板１０の側面をその厚さ方向に平行なものとしている。図１等においても同様である。

【0069】

［金属層２００の形成方法］
次に、金属層２００の製造方法について説明する。図１３は、金属層２００の形成方法の概要を示す図である。

【0070】

図１３（ａ）に示す工程では、金属板２０を準備する。金属板２０は、複数の個別領域Ｃ２を有している。複数の個別領域Ｃ２は、例えば、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列されている。図１３（ｂ）に示すように、各個別領域Ｃ２には、以下に説明する製造工程を実施することにより、金属層２００が形成される。このとき、各個別領域Ｃ２に形成された金属層２００は、例えば、隣接する個別領域Ｃ２の間に設けられた連結部２１に接続されている。また、隣接する連結部２１の間には、各金属層２００を画定する開口部２１Ｘが形成されている。そして、個別領域Ｃ２は、連結部２１の除去によって個片化され、各々個別の金属層２００となる。なお、複数の個別領域Ｃ２は、図１３（ａ）に示すように所定の間隔を介して配列されてもよいし、互いに接するように配列されてもよい。

【0071】

金属板２０としては、例えば、厚さが１５０μｍ～２５０μｍ程度のＣｕ板を用いることができる。金属板２０の材料としては、Ｃｕに限らず、Ｃｕ合金や４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることもできる。

【0072】

次に、各個別領域Ｃ２に金属層２００を形成する方法について説明する。図１４～図１７は、金属層２００の形成方法を示す断面図である。図１４～図１５は、図１３（ｂ）中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図１６～図１７は、図１３（ｂ）中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。以下では、便宜上、一つの個別領域Ｃ２に着目して説明を行う。

【0073】

図１４（ａ）及び図１６（ａ）に示す工程では、図１３（ａ）に示す工程で準備した金属板２０の上面２０Ａ全面を被覆するレジスト層２２を形成するとともに、金属板２０の下面２０Ｂ全面を被覆するレジスト層２３を形成する。レジスト層２２、２３の材料としては、例えば、レジスト層１２、１３（図９（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層２２、２３は、例えば、レジスト層１２、１３と同様の方法により形成することができる。

【0074】

次いで、図１４（ｂ）及び図１６（ｂ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層２２をパターニングして、レジスト層２２に開口パターン２２Ｘを形成する。開口パターン２２Ｘは、連結部２１、巻線部２１０及び電極部２２０以外に対応する部分の金属板２０の上面２０Ａを露出するように形成される。すなわち、開口パターン２２Ｘを備えたレジスト層２２は、連結部２１、巻線部２１０及び電極部２２０に対応する部分の金属板２０の上面２０Ａを被覆するように形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、開口パターン２２Ｘを備えたレジスト層２２を形成することができる。

【0075】

次いで、図１４（ｃ）及び図１６（ｃ）に示す工程では、レジスト層２２、２３をエッチングマスクとして、金属板２０を上面２０Ａからエッチングして、連結部２１、巻線部２１０及び電極部２２０を形成する。具体的には、レジスト層２２の開口パターン２２Ｘから露出された金属板２０を上面２０Ａ側からエッチングし、金属板２０に渦巻き状のスリット２１０Ｘと円形状の開口部２１０Ｙと開口部２１Ｘとを形成する。これにより、各個別領域Ｃ２に巻線部２１０及び電極部２２０が画定され、隣り合う金属層２００を連結する連結部２１が画定される。例えば、金属板２０は、ウェットエッチング等、金属板１０のパターニングと同様の方法によりパターニングすることができる。

【0076】

次に、レジスト層２２、２３をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。続いて、図１４（ｄ）及び図１６（ｄ）に示す工程では、金属板２０の上面２０Ａ全面を被覆するレジスト層２４を形成するとともに、金属板２０の下面２０Ｂ全面を被覆するレジスト層２５を形成する。レジスト層２４、２５の材料としては、例えば、レジスト層１２、１３（図９（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層２４、２５は、例えば、レジスト層１２、１３と同様の方法により形成することができる。

【0077】

次いで、図１５（ａ）及び図１７（ａ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層２５をパターニングして、レジスト層２５に開口パターン２５Ｘを形成する。開口パターン２５Ｘは、突起部２１４に対応する部分を除き、巻線部２１０に対応する部分の金属板２０の下面２０Ｂを露出するように形成される。すなわち、開口パターン２５Ｘを備えたレジスト層２５は、突起部２１４を除く巻線部２１０以外に対応する部分の金属板２０の下面２０Ｂを被覆するように形成される。

【0078】

次に、図１５（ｂ）及び図１７（ｂ）に示す工程では、レジスト層２４、２５をエッチングマスクとして、金属板２０を下面２０Ｂ側からエッチング（ハーフエッチング）し、レジスト層２５の開口パターン２５Ｘから露出された金属板２０を薄化する。この結果、電極部２２０と同じ厚さの突起部２１４が形成されるとともに、電極部２２０より薄い巻線部２１０が形成される。例えば、金属板２０は、ウェットエッチング等、金属板１０の薄化と同様の方法により薄化することができる。本工程では、例えば、巻線部２１０の厚さと電極部２２０の厚さとの差が５０μｍ～１００μｍ程度となるように金属板２０の薄化が行われ、突起部２１４の高さが５０μｍ～１００μｍ程度となる。

【0079】

次に、図１５（ｃ）及び図１７（ｃ）に示す工程では、レジスト層２４、２５をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。これにより、突起部２１４の下面２１４Ｂが外部に露出される。

【0080】

このようにして、各個別領域Ｃ２に、突起部２１４を備えた巻線部２１０及び電極部２２０を含む金属層２００を形成することができる。

【0081】

［金属層３００の形成方法］
次に、金属層３００の製造方法について説明する。図１８は、金属層３００の形成方法の概要を示す図である。

【0082】

図１８（ａ）に示す工程では、金属板３０を準備する。金属板３０は、複数の個別領域Ｃ３を有している。複数の個別領域Ｃ３は、例えば、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列されている。図１８（ｂ）に示すように、各個別領域Ｃ３には、以下に説明する製造工程を実施することにより、金属層３００が形成される。このとき、各個別領域Ｃ３に形成された金属層３００は、例えば、隣接する個別領域Ｃ３の間に設けられた連結部３１に接続されている。また、隣接する連結部３１の間には、各金属層３００を画定する開口部３１Ｘが形成されている。そして、個別領域Ｃ３は、連結部３１の除去によって個片化され、各々個別の金属層３００となる。なお、複数の個別領域Ｃ３は、図１８（ａ）に示すように所定の間隔を介して配列されてもよいし、互いに接するように配列されてもよい。

【0083】

金属板３０としては、例えば、厚さが１５０μｍ～２５０μｍ程度のＣｕ板を用いることができる。金属板３０の材料としては、Ｃｕに限らず、Ｃｕ合金や４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることもできる。

【0084】

次に、各個別領域Ｃ３に金属層３００を形成する方法について説明する。図１９～図２２は、金属層３００の形成方法を示す断面図である。図１９～図２０は、図１８（ｂ）中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図２１～図２２は、図１８（ｂ）中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。以下では、便宜上、一つの個別領域Ｃ３に着目して説明を行う。

【0085】

図１９（ａ）及び図２１（ａ）に示す工程では、図１８（ａ）に示す工程で準備した金属板３０の上面３０Ａ全面を被覆するレジスト層３２を形成するとともに、金属板３０の下面３０Ｂ全面を被覆するレジスト層３３を形成する。レジスト層３２、３３の材料としては、例えば、レジスト層１２、１３（図９（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層３２、３３は、例えば、レジスト層１２、１３と同様の方法により形成することができる。

【0086】

次いで、図１９（ｂ）及び図２１（ｂ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層３２をパターニングして、レジスト層３２に開口パターン３２Ｘを形成する。開口パターン３２Ｘは、連結部３１及び電極部３２０以外に対応する部分の金属板３０の上面３０Ａを露出するように形成される。すなわち、開口パターン３２Ｘを備えたレジスト層３２は、連結部３１及び電極部３２０に対応する部分の金属板３０の上面３０Ａを被覆するように形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、開口パターン３２Ｘを備えたレジスト層３２を形成することができる。

【0087】

次いで、図１９（ｃ）及び図２１（ｃ）に示す工程では、レジスト層３２、３３をエッチングマスクとして、金属板３０を上面３０Ａからエッチングして、連結部３１及び電極部３２０を形成する。具体的には、レジスト層３２の開口パターン３２Ｘから露出された金属板３０を上面３０Ａ側からエッチングし、開口部３１Ｘを形成する。これにより、各個別領域Ｃ３に電極部２２０が画定され、隣り合う金属層３００を連結する連結部３１が画定される。例えば、金属板３０は、ウェットエッチング等、金属板１０のパターニングと同様の方法によりパターニングすることができる。

【0088】

次に、レジスト層３２、３３をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。続いて、図１９（ｄ）及び図２１（ｄ）に示す工程では、金属板３０の上面３０Ａ全面を被覆するレジスト層３４を形成するとともに、金属板３０の下面３０Ｂ全面を被覆するレジスト層３５を形成する。レジスト層３４、３５の材料としては、例えば、レジスト層１２、１３（図９（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層３４、３５は、例えば、レジスト層１２、１３と同様の方法により形成することができる。

【0089】

次いで、図２０（ａ）及び図２２（ａ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層３５をパターニングして、レジスト層３５に開口パターン３５Ｘを形成する。開口パターン３５Ｘは、連結部３１に対応する部分の金属板３０の下面３０Ｂを露出するように形成される。すなわち、開口パターン３５Ｘを備えたレジスト層３５は、連結部３１以外に対応する部分の金属板３０の下面３０Ｂを被覆するように形成される。

【0090】

次に、図２０（ｂ）及び図２２（ｂ）に示す工程では、レジスト層３４、３５をエッチングマスクとして、金属板３０を下面３０Ｂ側からエッチング（ハーフエッチング）し、レジスト層３５の開口パターン３５Ｘから露出された金属板３０を薄化する。この結果、連結部３１に対応する部分及び横突起部３２１に対応する部分が薄くなる。例えば、金属板３０は、ウェットエッチング等、金属板１０の薄化と同様の方法により薄化することができる。本工程では、例えば、連結部３１及び横突起部３２１の厚さと電極部３２０の基部の厚さとの差が５０μｍ～１００μｍ程度となるように金属板２０の薄化が行われる。

【0091】

次に、図２０（ｃ）及び図２２（ｃ）に示す工程では、レジスト層３４、３５をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。

【0092】

このようにして、各個別領域Ｃ３に、電極部３２０を含む金属層３００を形成することができる。

【0093】

［多層基板１の仕上げ］
金属層１００、２００及び３００を形成した後、金属層１００、２００及び３００を用いて多層基板１を仕上げる。図２３～図２９は、第１の実施形態に係る多層基板１の製造方法を示す断面図である。図２３（ａ）～図２９（ａ）は、図２中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図２３（ｂ）～図２９（ｂ）は、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。

【0094】

図２３（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、金属層１００、２００及び３００を互いに接合する。例えば、端部１１１の上面１００Ａに突起部２１４の下面２１４Ｂを接合し、電極部１２０の上面１２０Ａに電極部２２０の下面２２０Ｂを接合し、電極部２２０の上面２２０Ａに電極部３２０の下面３２０Ｂを接合する。金属層１００、２００及び３００は、例えば拡散接合によって接合することができる。拡散接合とは、接合する金属材料同士を密着させ、真空や不活性ガス等の雰囲気中で、加圧及び加熱することで金属材料同士の接合面に生じる原子の拡散を利用して金属材料同士を原子レベルで接合する技術である。

【0095】

具体的には、先ず、金属板１０に設けられた４×４個の個別領域Ｃ１と、金属板２０に設けられた４×４個の個別領域Ｃ２と、金属板３０に設けられた４×４個の個別領域Ｃ３とがそれぞれ上下に整列するように、金属板２０を金属板１０上に配置し、金属板３０を金属板２０上に配置する。より具体的には、金属層１００の上面１００Ａと金属層２００の下面２００Ｂとを対向させて、突起部２１４と端部１１１とが対向し、電極部２２０と電極部１２０とが対向するように位置決めされる。また、金属層２００の上面２００Ａと金属層３００の下面３００Ｂとを対向させて、電極部３２０と電極部２２０とが対向するように位置決めされる。

【0096】

例えば、金属層１００、２００及び３００の材料としてＣｕを用いる場合には、加熱温度を５００℃～６００℃程度とすることができ、圧力を０．００５ｋＮ／ｍｍ^２～０．０１５ｋＮ／ｍｍ^２程度とすることができる。

【0097】

なお、拡散接合によって接合された金属層２００の突起部２１４と金属層１００とは、界面の無い状態で（すなわち、隙間が全く無い状態で）一体化され、突起部２１４の下面２１４Ｂと金属層１００の端部１１１の上面１００Ａとが直接接合される。

【0098】

このようにして、上下に重ね合わせた金属層１００と金属層２００とが直列に接続され、約３巻きのインダクタ５１が形成される。

【0099】

次に、図２４（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、金属層１００、２００及び３００の表面全面を被覆する絶縁膜４３０を形成する。絶縁膜４３０は、連結部１１、２１及び３１の表面全面を被覆するように形成される。絶縁膜４３０は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂の電着塗装法を用いて形成することができる。また、絶縁膜４３０は、例えば、スピンコート法やスプレーコート法を用いて形成することもできる。絶縁膜４３０の厚さは、例えば８μｍ～１５μｍ程度とする。

【0100】

続いて、図２５（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、絶縁膜４３０の表面を被覆し、金属層１００、２００及び３００を埋設する磁性体４４０を形成する。このため、金属層１００、２００及び３００並びに及びそれら金属層１００、２００及び３００を被覆する絶縁膜４３０は、磁性体４４０内に埋め込まれる。本例では、金属板１０、２０及び３０全体を埋設するように磁性体４４０を形成する。また、連結部１１、２１及び３１並びにそれら連結部１１、２１及び３１を被覆する絶縁膜４３０が磁性体４４０内に埋め込まれる。磁性体４４０の形成は、特に図示はしないが、例えば、成型金型の下部金型と上部金型との間に、図２４（ａ）及び（ｂ）に示す構造体を配置し、磁性体粉末と絶縁性樹脂とを混練してなる磁性体粉体で当該構造体の周囲を充填する。そして、磁性体粉体を１５０℃～１６０℃程度に加熱しながら、下部金型と上部金型の各々から磁性体粉体に２００ＭＰａ～２５０ＭＰａ程度の圧力を加えることにより、磁性体粉体を高圧成型して磁性体４４０を形成する。

【0101】

なお、本例では、磁性体粉体を高圧成型することにより磁性体４４０を形成するが、磁性体４４０の形成方法はこれに限定されない。例えば、トランスファー成形やコンプレッション成形などにより磁性体４４０を形成してもよい。

【0102】

磁性体４４０の材料としては、バインダー及び磁性粉末の混合材料を用いることができる。例えば、バインダーとしてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。例えば、磁性粉末としては、外周絶縁処理を施したＦｅ基アモルファス合金粉末、外周絶縁処理を施したカルボニル鉄粉、若しくはフェライト粉末又はこれらの任意の組み合わせを用いることができる。磁性粉末のバインダーに対する配合比率は、磁性粉末の透磁率や成型方法等に応じて調整することが好ましい。

【0103】

次に、図２６（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、バフ研磨等により、電極部１２０の下面１２０Ｂを覆う絶縁膜４３０及び磁性体４４０を除去するとともに、電極部３２０の上面３２０Ａを覆う絶縁膜４３０及び磁性体４４０を除去する。この結果、電極部１２０の下面１２０Ｂ及び電極部３２０の上面３２０Ａが絶縁膜４３０及び磁性体４４０から露出する。

【0104】

続いて、図２７（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、ダイシングソー等により、金属板３０の連結部３１を維持しながら、金属板１０及び２０の連結部１１及び２１に溝４５０を形成する。この結果、隣り合う個別領域Ｃ１が互いから分離され、隣り合う個別領域Ｃ２が互いから分離される。

【0105】

次いで、金属板３０をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、図２８（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、電極部１２０、２２０及び３２０の露出している表面にめっき膜４６０を形成する。

【0106】

次いで、図２９（ａ）及び（ｂ）に示す工程では、ダイシングソー等により、金属板３０の連結部３１を除去する。この結果、隣り合う個別領域Ｃ３が互いから分離される。これにより、金属層１００、２００及び３００の積層体を個片化する。

【0107】

このようにして、多層基板１を製造することができる。なお、個片化後の多層基板１は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、図２８（ａ）及び（ｂ）に示す個片化前の状態で多層基板１を流通させることもできる。

【0108】

第１の実施形態に係る多層基板１は、後述の第２の実施形態のように、電子部品に用いることができる。このとき、電極部１２０を電子部品の外部電極として用いることができ、電極部３２０を電子部品の内部電極として用いることができる。そして、外部電極には、実装基板等を接続することができ、内部電極には、電子部品内の半導体チップ及び受動部品等を接続することができる。

【0109】

インダクタ５１は、Ｃｕ等の金属層１００及び２００を用いて構成されている。また、インダクタ５１に含まれる導体部１１３及び２１３の厚さは１００μｍ～２００μｍ程度である。従って、インダクタ５１の抵抗は低く抑えることができる。更に、導体部１１３は金属板１０のエッチングにより形成することができ、導体部２１３は金属板２０のエッチングにより形成することができる。従って、導体部１１３及び２１３は容易に形成することができる。また、突起部２１４を介した導体部１１３と導体部２１３との接合も容易に行うことができる。従って、第１の実施形態によれば、低抵抗のインダクタ５１を多層基板１に容易に内蔵させることができる。

【0110】

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は多層基板１を備えた電子部品に関する。

【0111】

［電子部品の構造］
先ず、電子部品の構造について説明する。図３０は、第２の実施形態に係る電子部品２の構造を示す斜視図である。図３０（ａ）は、電子部品２の全体を示し、図３０（ｂ）は、電子部品２に含まれる半導体チップ及び受動部品の電極と電極部との関係を示す。

【0112】

図３０に示すように、第２の実施形態に係る電子部品２は、多層基板１、半導体チップ６０及び複数の受動部品７０を含む。受動部品７０は、例えば容量素子又は抵抗素子である。複数の受動部品７０に容量素子及び抵抗素子が混在していてもよい。

【0113】

半導体チップ６０は、本体部６１及び電極６２を有する。図３０（ｂ）に示すように、電極６２は、多層基板１の電極部３２０の上面３２０Ａに接続されている。各受動部品７０は、本体部７１及び二つの電極７２を有する。図３０（ｂ）に示すように、電極７２は、多層基板１の電極部３２０の上面３２０Ａに接続されている。なお、図３０では、図示を省略しているが、半導体チップ６０及び受動部品７０はモールド樹脂８０により封止され、電極部１２０の下面１２０Ｂ及び端面１２０Ｃ、電極部２２０の端面２２０Ｃ、並びに電極部３２０の上面３２０Ａにめっき膜４６０が形成されている（図３２参照）。

【0114】

第２の実施形態では、電極部１２０が電子部品２の外部電極として用いられ、電極部３２０が電子部品２の内部電極として用いられる。内部電極には、半導体チップ６０の電極６２及び受動部品７０の電極７２が接続されている。外部電極には、実装基板等を接続することができる。多層基板１は外部電極及び内部電極に接続されたインダクタ５１を内蔵している。従って、電子部品２は、例えばＤＣ－ＤＣコンバータとして用いることができる。

【0115】

また、外部電極を実装基板に接続する際にはんだを用いる場合、はんだは基材４００の下面４００Ｂと実装基板との間から電極部１２０の端面１２０Ｃ上のめっき膜４６０の表面まで濡れ広がる。従って、電子部品２と実装基板との間のはんだを用いた接合の状態を容易に目視により確認することができる。

【0116】

なお、電極部１２０（第１の電極）が電子部品２の内部電極として用いられ、電極部３２０（第２の電極）が電子部品２の外部電極として用いられてもよい。

【0117】

［電子部品２の製造方法］
次に、電子部品２の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に電子部品２の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。図３１～図３２は、第２の実施形態に係る電子部品２の製造方法を示す断面図である。

【0118】

図３１（ａ）に示す工程では、個片化前の多層基板１を準備し（図２８（ａ）及び（ｂ）参照）、この多層基板１上に、はんだバンプ等の電極６２が設けられた半導体チップ６０、及び電極７２を備えた受動部品７０を実装する。このとき、半導体チップ６０の電極６２を電極部３２０の上面３２０Ａに接合し、受動部品７０の電極７２は、はんだ等により電極部３２０の上面３２０Ａに接合する。

【0119】

次いで、図３１（ｂ）に示す工程では、半導体チップ６０及び受動部品７０をモールド樹脂８０により封止する。モールド樹脂８０としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。

【0120】

次いで、図３２に示す工程では、図２９（ａ）及び（ｂ）に示す工程と同様に、ダイシングソー等により、金属層１００、２００及び３００の積層体並びにモールド樹脂８０を切断し、個片化する。

【0121】

このようにして、電子部品２を製造することができる。

【0122】

多層基板１の基材４００の上面４００Ａから電極部３２０の上面３２０Ａが露出しているため、半導体チップ６０及び受動部品７０を容易に接合することができる。

【0123】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は多層基板に関する。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。図３３は、第３の実施形態に係る多層基板３の構造を示す斜視図である。図３３（ａ）は、多層基板３の上面側から視た斜視図であり、図３３（ｂ）は、多層基板３の下面側から視た斜視図である。図３４は、第３の実施形態に係る多層基板３の構造を示す上面図である。図３３及び図３４には、多層基板３に含まれる金属層を実線で示す。図３５～図３７は、第３の実施形態に係る多層基板３の構造を示す断面図である。図３５は、図３４中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図３６は、図３４中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。図３７は、図３４中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図に相当する。図３８は、第３の実施形態に係る多層基板３の構造を示す側面図である。図３８には、図３４中の矢印３Ａで示す方向から視える金属層の一部を実線で示す。

【0124】

図３３～図３８に示すように、第３の実施形態に係る多層基板３は、基材４００並びに金属層１００、２００、３００、５００及び６００を含む。

【0125】

金属層６００は金属層５００上に設けられ、金属層５００に接続されている。金属層１００は金属層６００上に設けられており、金属層６００に接続されている。第１の実施形態と同様に、金属層２００は金属層１００上に設けられ、金属層１００に接続されている。金属層３００は金属層２００上に設けられており、金属層２００に接続されている。金属層１００、２００、３００、５００及び６００は基材４００中に設けられている。金属層５００及び６００の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属層５００及び６００の材料としては、例えば、４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることができる。

【0126】

［金属層５００の構造］
金属層５００について説明する。金属層５００は、金属層１００と同様の構成を備えている。但し、導体部の巻き方向が逆向きである。図３９は、金属層５００の構造を示す斜視図である。図３９（ａ）は、金属層５００の上面側から視た斜視図であり、図３９（ｂ）は、金属層５００の下面側から視た斜視図である。

【0127】

金属層５００は、電極部１２０と同様の電極部５２０と、巻線部１１０と同様の巻線部５１０と、を含む。巻線部５１０は、端部１１１と同様の端部５１１と、端部１１２と同様の端部５１２と、導体部１１３と同様の導体部５１３とを有している。但し、導体部５１３は、巻線部１１０の導体部１１３の巻き方向とは反対方向の渦巻きに形成されている。つまり、導体部５１３は、平面視で左回り（反時計回り）の渦巻き（つまり、左回転により外周に向かう渦巻き）に形成されている。導体部５１３は、内周側の端部５１１から外周側の端部５１２に向けて左回りに略円形の渦巻き状に約１．５周巻かれるように形成されている。巻線部５１０が同一平面内において矩形状の渦巻き状に形成されていてもよい。

【0128】

導体部５１３は、所定の隙間を有するように渦巻き状に形成されている。すなわち、隣り合う導体部５１３の間には、渦巻き状のスリット５１０Ｘが形成されている。また、端部５１１よりも内側（渦巻きの中心側）には、略円形状の開口部５１０Ｙが形成されている。

【0129】

複数の電極部５２０は、巻線部５１０と同一平面内に、島状に設けられている。電極部５２０は、巻線部５１０よりも厚く形成されている。電極部５２０の厚さの巻線部５１０の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。電極部５２０の上面５２０Ａは、巻線部５１０の上面５００Ａと同一平面上にあり、電極部５２０の下面５２０Ｂは、巻線部５１０の下面５００Ｂより下方にある。

【0130】

巻線部５１０の端部５１２は、複数の電極部５２０のうちの一つに接続されている。

【0131】

［金属層６００の構造］
金属層６００について説明する。金属層６００は、金属層２００と同様の構成を備えている。但し、導体部の巻き方向が逆向きである。図４０は、金属層６００の構造を示す斜視図である。図４０（ａ）は、金属層６００の上面側から視た斜視図であり、図４０（ｂ）は、金属層６００の下面側から視た斜視図である。

【0132】

金属層６００は、電極部２２０と同様の電極部６２０と、巻線部２１０と同様の巻線部６１０と、を含む。巻線部６１０は、端部２１１と同様の端部６１１と、端部２１２と同様の端部６１２と、導体部２１３と同様の導体部６１３と、突起部２１４と同様の突起部６１４とを有している。但し、導体部６１３は、巻線部２１０の導体部２１３の巻き方向とは反対方向の渦巻きに形成されている。つまり、導体部６１３は、平面視で右回り（時計回り）の渦巻き（つまり、右回転により外周に向かう渦巻き）に形成されている。導体部６１３は、内周側の端部６１１から外周側の端部６１２に向けて左回りに略円形の渦巻き状に約１．５周巻かれるように形成されている。巻線部６１０が同一平面内において矩形状の渦巻き状に形成されていてもよい。

【0133】

導体部６１３は、所定の隙間を有するように渦巻き状に形成されている。すなわち、隣り合う導体部６１３の間には、渦巻き状のスリット６１０Ｘが形成されている。また、端部５１１よりも内側（渦巻きの中心側）には、略円形状の開口部６１０Ｙが形成されている。

【0134】

複数の電極部６２０は、巻線部６１０と同一平面内に、島状に設けられている。電極部６２０は、突起部６１４と同じ高さ（厚さ）で形成されている。つまり、電極部６２０は、巻線部６１０よりも厚く形成されている。電極部６２０の厚さの巻線部６１０の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。電極部６２０の上面６２０Ａは、巻線部６１０の上面６００Ａと同一平面上にあり、電極部６２０の下面６２０Ｂは、巻線部６１０の下面６００Ｂより下方で突起部６１４の下面６１４Ｂと同一平面上にある。

【0135】

金属層２００と金属層１００との接合と同様に、金属層６００は、金属層５００に重ね合わされた状態で金属層５００に接合されている。金属層５００及び６００内においても、上下に隣接する巻線部５１０、６１０が、それら巻線部５１０、６１０を流れる電流の向きが同じとなるように直列に接続される。そして、図３３に示すように、巻線部５１０の外周側の端部５１２から巻線部６１０の外周側の端部６１２に至る螺旋状のインダクタ５２が形成されている。すなわち、螺旋状のインダクタ５２は、その一端部に電極部５２０が接合される端部５１２が設けられ、他端部に電極部６２０が接合される端部６１２が設けられている。なお、インダクタ５１とインダクタ５２との間では巻き方向が逆向きである。

【0136】

図３５～図３７に示すように、螺旋状のインダクタ５２では、上下に重ね合わされた金属層５００と金属層６００との間に所定の隙間Ｓ２が形成されている。具体的には、巻線部５１０の上面５００Ａと巻線部６１０の下面６００Ｂとの間に、突起部６１４の厚さ分の隙間Ｓ２が形成されている。また、インダクタ５１及び５２の間では、上下に重ね合わされた金属層６００と金属層１００との間に所定の隙間Ｓ３が形成されている。具体的には、巻線部６１０の上面６００Ａと巻線部１１０の下面１００Ｂとの間に、電極部１２０と巻線部１１０との間の厚さの差の分の隙間Ｓ３が形成されている。

【0137】

基材４００は第１の実施形態のものよりも厚く、基材４００の厚さは、例えば、５００μｍ～１０００μｍ程度とすることができる。

【0138】

基材４００の内部において、巻線部５１０及び６１０が突起部６１４を通じて接続されてインダクタ５２が構成されている。また、巻線部５１０の端部５１２は一つの電極部５２０に接続され、巻線部６１０の端部６１２は電極部６２０を通じて他の一つの電極部５２０に接続されている。そして、これら二つの電極部５２０の各下面５２０Ｂは基材４００の下面４００Ｂから露出している。また、第１の実施形態と同様に、巻線部１１０及び２１０が突起部２１４を通じて接続されてインダクタ５１が構成されている。そして、インダクタ５１に接続された金属層１００の二つの電極部１２０は、金属層６００の二つの電極部６２０を通じて金属層５００の二つの電極部５２０に接続されている。そして、これら金属層５００の二つの電極部５２０の各下面５２０Ｂは基材４００の下面４００Ｂから露出している。電極部５２０、電極部６２０、電極部１２０、電極部２２０及び電極部３２０がこの順で積層され、相互に接合されている。第３の実施形態において、金属層５００、６００、１００及び２００の積層体が第１の金属層の一例であり、これら、基材４００の下面４００Ｂから露出した四つの電極部５２０が外部電極の一例である。インダクタ５１、５２に接続されていない電極部５２０も外部電極の一例として用いることができる。

【0139】

第１の実施形態と同様に、金属層３００の電極部３２０は金属層２００の電極部２２０に接続され、電極部３２０の上面３２０Ａは基材４００の上面４００Ａから露出している。金属層３００は第２の金属層の一例であり、電極部３２０は内部電極の一例である。

【0140】

図３７に示すように、金属層５００の電極部５２０の下面５２０Ｂ及び端面５２０Ｃ、金属層６００の電極部６２０の端面６２０Ｃ、金属層１００の電極部１２０の端面１２０Ｃ、金属層２００の電極部２２０の端面２２０Ｃ、並びに電極部３２０の上面３２０Ａにめっき膜４６０が形成されている。

【0141】

第３の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、一つの多層基板３にインダクタ５１及び５２が内蔵されているため、後述の第３の実施形態のように、例えば２相マルチフェーズ用電源に用いることができる。

【0142】

多層基板３の製造に際しては、例えば、金属層１００及び２００と同様にして金属層５００及び６００を形成し、金属層１００、２００及び３００とともに金属層５００及び６００も拡散接合等により接合して一体化する。

【0143】

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は多層基板３を備えた電子部品に関する。以下、第２の実施形態との相違点を中心に説明する。図４１は、第４の実施形態に係る電子部品４の構造を示す斜視図である。図４１（ａ）は、電子部品４の全体を示し、図４１（ｂ）は、電子部品４に含まれる半導体チップ及び受動部品の電極と電極部との関係を示す。

【0144】

図４１に示すように、第４の実施形態に係る電子部品４は、多層基板３、半導体チップ６０及び複数の受動部品７０を含む。半導体チップ６０の電極６２は、多層基板３の電極部３２０の上面３２０Ａに接続されている。受動部品７０の電極７２は、多層基板３の電極部３２０の上面３２０Ａに接続されている。なお、図４１では、図示を省略しているが、半導体チップ６０及び受動部品７０はモールド樹脂により封止されている。

【0145】

第４の実施形態では、電極部５２０が電子部品４の外部電極として用いられ、電極部３２０が電子部品４の内部電極として用いられる。内部電極には、半導体チップ６０の電極６２及び受動部品７０の電極７２が接続されている。外部電極には、実装基板等を接続することができる。多層基板３は外部電極及び内部電極に接続されたインダクタ５１及び５２を内蔵している。従って、電子部品４は、例えば２相マルチフェーズ用電源に用いることができる。そして、２相マルチフェーズ用電源の小型化に寄与することができる。

【0146】

電子部品４の製造に際しては、例えば、個片化前の多層基板３上に半導体チップ６０及び受動部品７０を実装し、モールド樹脂８０により封止を行い、ダイシングソー等により個片化する。

【0147】

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態は多層基板に関する。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。図４２は、第５の実施形態に係る多層基板５の構造を示す斜視図である。図４２（ａ）は、多層基板５の上面側から視た斜視図であり、図４２（ｂ）は、多層基板５の下面側から視た斜視図である。図４３は、第５の実施形態に係る多層基板５の構造を示す上面図である。図４２及び図４３には、多層基板５に含まれる金属層を実線で示す。図４４は、第５の実施形態に係る多層基板５の構造を示す断面図である。図４４は、図４３中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当する。

【0148】

図４２～図４４に示すように、第５の実施形態に係る多層基板５は、基材４００並びに金属層３００及び７００を含む。

【0149】

金属層３００は金属層７００上に設けられており、金属層７００に接続されている。金属層３００及び７００は基材４００中に設けられている。金属層７００の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属層７００の材料としては、例えば、４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることができる。

【0150】

［金属層７００の構造］
金属層７００について説明する。図４５は、金属層７００の構造を示す斜視図である。図４５（ａ）は、金属層７００の上面側から視た斜視図であり、図４５（ｂ）は、金属層７００の下面側から視た斜視図である。

【0151】

金属層７００は、基材４００の４辺に設けられた複数の電極部７２０と、基材４００の４辺の内側に設けられ、電極部７２０のうちの二つに接続されたΩ形状部７１０と、を含む。Ω形状部７１０はインダクタとして機能する。

【0152】

図４５に示すように、Ω形状部７１０は、同一平面内（同一平面上）においてΩの字型に形成されている。本明細書では、Ω形状部７１０に関し、Ω形状部７１０のΩの字型に湾曲しながら進行する方向を長手方向とし、その長手方向に平面視において直交する方向を短手方向（幅方向）とし、長手方向及び短手方向の双方と直交する方向を厚さ方向とする。Ω形状部７１０の横断面形状（つまり、Ω形状部７１０の長手方向と直交する平面によってΩ形状部７１０を切断した断面形状）は、巻線部２１０等の横断面形状と同様である。

【0153】

Ω形状部７１０は、一方の端部７１１と、他方の端部７１２と、端部７１１から端部７１２に向かってΩの字型に形成された導体部７１３とを有している。これら端部７１１と端部７１２と導体部７１３とは一体に形成された単一部品である。

【0154】

端部７１１は一つの電極部７２０に接続され、端部７１２は他の一つの電極部７２０に接続されている。端部７１１及び７１２の上面７００Ａは、金属層７００の他の部分（導体部７１３等）の上面７００Ａと同一平面上に形成されている。

【0155】

複数の電極部７２０は、Ω形状部７１０と同一平面内に、島状に設けられている。電極部７２０は、Ω形状部７１０よりも厚く形成されている。電極部７２０の厚さのΩ形状部７１０の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。電極部７２０の上面７２０Ａは、Ω形状部７１０の上面７００Ａと同一平面上にあり、電極部７２０の下面７２０Ｂは、Ω形状部７１０の下面７００Ｂより下方にある。つまり、電極部７２０は、金属層７００内でΩ形状部７１０より下方に突出するように形成されている。

【0156】

金属層３００は、金属層７００に重ね合わされた状態で金属層７００に接合されている。具体的には、電極部３２０が電極部７２０に接合されている。

【0157】

基材４００は第１の実施形態のものよりも薄く、基材４００の厚さは、例えば、２００μｍ～４００μｍ程度とすることができる。

【0158】

基材４００の内部において、Ω形状部７１０の端部７１１及び７１２は、互いに異なる電極部７２０に接続されている。そして、これら二つの電極部７２０の各下面７２０Ｂは基材４００の下面４００Ｂから露出している。第５の実施形態において、金属層７００が第１の金属層の一例であり、これら二つの電極部７２０が外部電極の一例である。

【0159】

また、金属層３００の電極部３２０は金属層７００の電極部７２０に接続され、電極部３２０の上面３２０Ａは基材４００の上面４００Ａから露出している。金属層３００は第２の金属層の一例であり、電極部３２０は内部電極の一例である。

【0160】

図４４に示すように、電極部７２０の下面７２０Ｂ及び端面７２０Ｃ、並びに電極部３２０の上面３２０Ａにめっき膜４６０が形成されている。

【0161】

第５の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、より薄化することができる。

【0162】

多層基板５の製造に際しては、例えば、金属層１００と同様にして金属層７００を形成し、金属層７００を金属層３００と拡散接合等により接合して一体化する。

【0163】

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。第６の実施形態は多層基板に関する。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。図４６は、第６の実施形態に係る多層基板６の構造を示す斜視図である。図４６（ａ）は、多層基板６の上面側から視た斜視図であり、図４６（ｂ）は、多層基板６の下面側から視た斜視図である。図４７は、第６の実施形態に係る多層基板６の構造を示す上面図である。図４６及び図４７には、多層基板６に含まれる金属層を実線で示す。図４８は、第６の実施形態に係る多層基板６の構造を示す断面図である。図４８は、図４７中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当する。

【0164】

図４６～図４８に示すように、第６の実施形態に係る多層基板６は、基材４００並びに金属層３００及び８００を含む。

【0165】

金属層３００は金属層８００上に設けられており、金属層８００に接続されている。金属層３００及び８００は基材４００中に設けられている。金属層８００の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属層８００の材料としては、例えば、４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることができる。

【0166】

［金属層８００の構造］
金属層８００について説明する。図４９は、金属層８００の構造を示す斜視図である。図４９（ａ）は、金属層８００の上面側から視た斜視図であり、図４９（ｂ）は、金属層８００の下面側から視た斜視図である。

【0167】

金属層８００は、基材４００の４辺に設けられた複数の電極部８２０と、基材４００の４辺の内側に設けられ、電極部８２０のうちの二つに接続された蛇行部８１０と、を含む。蛇行部８１０はインダクタとして機能する。

【0168】

図４９に示すように、蛇行部８１０は、同一平面内（同一平面上）において蛇行するように形成されている。本明細書では、蛇行部８１０に関し、蛇行部８１０の蛇行しながら進行する方向を長手方向とし、その長手方向に平面視において直交する方向を短手方向（幅方向）とし、長手方向及び短手方向の双方と直交する方向を厚さ方向とする。蛇行部８１０の横断面形状（つまり、蛇行部８１０の長手方向と直交する平面によって蛇行部８１０を切断した断面形状）は、巻線部２１０等の横断面形状と同様である。

【0169】

蛇行部８１０は、一方の端部８１１と、他方の端部８１２と、端部８１１から端部８１２に向かって蛇行する導体部８１３とを有している。これら端部８１１と端部８１２と導体部８１３とは一体に形成された単一部品である。

【0170】

端部８１１は一つの電極部８２０に接続され、端部８１２は他の一つの電極部８２０に接続されている。端部８１１及び８１２の上面８００Ａは、金属層８００の他の部分（導体部８１３等）の上面８００Ａと同一平面上に形成されている。

【0171】

複数の電極部８２０は、蛇行部８１０と同一平面内に、島状に設けられている。電極部８２０は、蛇行部８１０よりも厚く形成されている。電極部８２０の厚さの蛇行部８１０の厚さとの差は、例えば、５０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。電極部８２０の上面８２０Ａは、蛇行部８１０の上面８００Ａと同一平面上にあり、電極部８２０の下面８２０Ｂは、蛇行部８１０の下面８００Ｂより下方にある。つまり、電極部８２０は、金属層８００内で蛇行部８１０より下方に突出するように形成されている。

【0172】

金属層３００は、金属層８００に重ね合わされた状態で金属層８００に接合されている。具体的には、電極部３２０が電極部８２０に接合されている。

【0173】

基材４００は第１の実施形態のものよりも薄く、基材４００の厚さは、例えば、２００μｍ～４００μｍ程度とすることができる。

【0174】

基材４００の内部において、蛇行部８１０の端部８１１及び８１２は、互いに異なる電極部８２０に接続されている。そして、これら二つの電極部８２０の各下面８２０Ｂは基材４００の下面４００Ｂから露出している。第６の実施形態において、金属層８００が第１の金属層の一例であり、これら二つの電極部８２０が外部電極の一例である。

【0175】

また、金属層３００の電極部３２０は金属層８００の電極部８２０に接続され、電極部３２０の上面３２０Ａは基材４００の上面４００Ａから露出している。金属層３００は第２の金属層の一例であり、電極部３２０は内部電極の一例である。

【0176】

図４８に示すように、電極部８２０の下面８２０Ｂ及び端面８２０Ｃ、並びに電極部３２０の上面３２０Ａにめっき膜４６０が形成されている。

【0177】

第６の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、より薄化することができる。

【0178】

多層基板６の製造に際しては、例えば、金属層１００と同様にして金属層８００を形成し、金属層８００を金属層３００と拡散接合等により接合して一体化する。

【0179】

なお、金属層同士の接合は拡散接合に限定されない。例えば、はんだ又は金属ペースト等の導電性接合材を塗布等により金属層間に設け、導電性接合材を介して金属層同士を接合してもよい。

【0180】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0181】

１、３、５、６ 多層基板
２、４ 電子部品
１０、２０、３０ 金属板
５１、５２ インダクタ
６０ 半導体チップ
７０ 受動部品
８０ モールド樹脂
１００、２００、３００、５００、６００、７００、８００ 金属層
１１０、２１０、５１０、６１０ 巻線部
１１３、２１３、５１３、６１３、７１３、８１３ 導体部
１２０、２２０、３２０、５２０、６２０、７２０、８２０ 電極部
２１４、６１４ 突起部
４００ 基材
４３０ 絶縁膜
４４０ 磁性体
７１０ Ω形状部
８１０ 蛇行部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【図48】

【図49】