特許 7313462 基板の欠陥を低減するための乾燥環境

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-13

(45)【発行日】2023-07-24

(54)【発明の名称】基板の欠陥を低減するための乾燥環境

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230714BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651G

H01L21/304 651H

H01L21/304 648A

H01L21/304 648G

H01L21/304 651J

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021552550

(86)(22)【出願日】2020-02-24

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-04-26

(86)【国際出願番号】 US2020019521

(87)【国際公開番号】W WO2020180523

(87)【国際公開日】2020-09-10

【審査請求日】2021-11-01

(31)【優先権主張番号】62/813,658

(32)【優先日】2019-03-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】16/423,661

(32)【優先日】2019-05-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ベラスケス， エドウィン

(72)【発明者】

【氏名】アトキンソン， ジム ケロッグ

【審査官】平野 崇

(56)【参考文献】

【文献】特表２００５－５３４１６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－１８６６２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－３０６８８１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

乾燥環境であって、
第１のドライヤ開口部と第２のドライヤ開口部とを有するリッドを備えるドライヤであって、前記リッドが、前記第１のドライヤ開口部を通して少なくとも１つの基板を前記ドライヤ内に収容しかつ前記少なくとも１つの基板が前記第２のドライヤ開口部を通して前記ドライヤから出ることを可能とするよう構成される、ドライヤと、
前記乾燥環境内の前記ドライヤの上方に位置する上部であって、前記乾燥環境とファクトリインタフェースとの間の乾燥環境開口部を有する上部と、
長さ及び幅を有する少なくとも１つのスライドドアであって、前記乾燥環境内に配置されており、前記少なくとも１つの基板が前記乾燥環境内にある間に、前記少なくとも１つのスライドドアの前記長さが前記乾燥環境開口部の全体をカバーするような位置まで上方に移動するよう構成され、かつ前記少なくとも１つのスライドドアの前記長さが完全に前記乾燥環境開口部より下方にあるような位置まで下方に移動するよう構成される、少なくとも１つのスライドドアと、
前記上部内の回転プラットフォームであって、前記乾燥環境開口部を通して前記少なくとも１つの基板を前記ファクトリインタフェースに移送するよう構成された回転プラットフォームと
を備える、乾燥環境。

【請求項2】

前記ドライヤは、前記少なくとも１つの基板が前記ドライヤに入ると当該少なくとも１つの基板を受け取るよう構成されたクレードルをさらに備える、請求項１に記載の乾燥環境。

【請求項3】

前記ドライヤが、当該ドライヤから前記少なくとも１つの基板を持ち上げるよう構成されたプッシャをさらに備え、前記プッシャは、前記クレードルから前記少なくとも１つの基板を受け取る、請求項２に記載の乾燥環境。

【請求項4】

前記回転プラットフォームが、前記少なくとも１つの基板が前記ドライヤを出ると前記プッシャから前記少なくとも１つの基板を受け取るよう構成されたキャッチャをさらに備える、請求項３に記載の乾燥環境。

【請求項5】

前記回転プラットフォームが、前記少なくとも１つの基板を前記回転プラットフォームに固定するよう構成されたフィンガをさらに備える、請求項４に記載の乾燥環境。

【請求項6】

乾燥環境であって、
ドライヤであって、
第１のドライヤ開口部と第２のドライヤ開口部とを有するリッドであって、前記第１のドライヤ開口部を通して少なくとも１つの基板を前記ドライヤ内に収容しかつ前記少なくとも１つの基板が前記第２のドライヤ開口部を通して前記ドライヤから出ることを可能とするよう構成されたリッド、
液体の管を有するリンス部、及び
前記液体の前記管の真上に位置する複数のスプレーバーを有する乾燥部
を含むドライヤと、
前記乾燥環境内の前記ドライヤの上方に位置する上部であって、前記乾燥環境とファクトリインタフェースとの間の乾燥環境開口部を有する上部と、
前記乾燥環境内に配置された、長さ及び幅を有するスライドドアであって、前記少なくとも１つの基板が前記複数のスプレーバーの下方にある間に、前記長さの少なくとも一部分が前記乾燥環境開口部より下方にあるように配置され、前記少なくとも１つの基板が前記複数のスプレーバーを通り越して持ち上げられている間、前記スライドドアは、当該スライドドアの前記長さが前記乾燥環境開口部の全体をカバーするように配置される、スライドドアと、
前記上部内の回転プラットフォームであって、前記少なくとも１つの基板を前記乾燥環境開口部を通して前記ファクトリインタフェースに移送するよう構成された回転プラットフォームと
を備える、乾燥環境。

【請求項7】

前記複数のスプレーバーが、前記少なくとも１つの基板にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を噴霧するよう構成される、請求項６に記載の乾燥環境。

【請求項8】

前記スライドドアの前記長さが、前記スライドドアの前記幅よりも大きい、請求項６に記載の乾燥環境。

【請求項9】

前記ドライヤは、前記少なくとも１つの基板が前記ドライヤに入ると当該少なくとも１つの基板を受け取るよう構成されたクレードルをさらに備える、請求項６に記載の乾燥環境。

【請求項10】

基板を乾燥させる方法であって、
ドライヤの中へと第１のドライヤ開口部を通して第１の基板を移送することであって、その間に、長さ及び幅を有するスライドドアが、当該スライドドアの全長が乾燥環境開口部より下方にあるように乾燥環境内に配置されており、前記ドライヤが前記乾燥環境内に位置しており、前記乾燥環境開口部が前記乾燥環境とファクトリインタフェースとの間に存在する、第１の基板を移送することと、
前記スライドドアの前記長さが前記乾燥環境開口部を部分的にカバーするような位置まで、前記スライドドアを上昇させることであって、その間に、前記第１の基板が、前記ドライヤ内に位置する複数のスプレーバーの真下の位置に移される、前記スライドドアを上昇させることと、
前記スライドドアの全長が前記乾燥環境開口部をカバーするような位置に前記スライドドアがある間に、前記複数のスプレーバーを通り越して前記第１の基板を上昇させて第２のドライヤ開口部を通して前記ドライヤから出すことによって、前記第１の基板を乾燥させることと、
前記第１の基板が前記乾燥環境内の回転プラットフォーム上へとロードされている間に、前記スライドドアを、当該スライドドアの前記長さが前記乾燥環境開口部を部分的にカバーするような位置まで下げることと、
前記スライドドアの全長が前記乾燥環境開口部より下方にあるような位置に前記スライドドアがある間に、前記第１の基板を前記乾燥環境開口部を通して前記ファクトリインタフェースに移送し、同時に、第２の基板を前記第１のドライヤ開口部を通して前記ドライヤの中へと移送すること
を含む、基板を乾燥させる方法。

【請求項11】

前記第１の基板が、前記ドライヤ内に位置するプッシャによって前記複数のスプレーバーの真下の位置に移され、前記プッシャが、前記ドライヤ内に位置するクレードルから前記第１の基板を受け取る、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記第１の基板は、前記第１の基板が前記ドライヤを出ると前記プッシャから前記第１の基板を受け取るよう構成されたキャッチャによって、前記回転プラットフォーム上へとロードされる、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記回転プラットフォームが、前記第１の基板を前記回転プラットフォームに固定するよう構成されたフィンガをさらに備える、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記複数のスプレーバーが、前記第１の基板にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を噴霧するよう構成される、請求項１０に記載の方法。

【請求項15】

前記スライドドアが、取り付けアームに取り付けられたアクチュエータによって昇降させられ、前記取り付けアームが、前記スライドドアに取り付けられている、請求項１０に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に記載の１つ以上の実施形態は、概して、半導体処理システムに関し、より詳細には、半導体処理システム内の乾燥環境に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子の外状が縮小し続けるにつれ、超洗浄処理の重要性が増している。浴液のタンク（又は浴槽）内での水洗浄、それに続く（例えば、別個のタンク内での、又は洗浄タンク液の交換による）リンス槽が使用されうる。リンス槽から取り出した後に、乾燥装置を使用しないと、浴液が基板の表面から蒸発して、ストリーキング、スポッティングが生じ、及び／又は基板の表面上に浴液残留物が残りうる。このようなストリーキング、スポッティング、及び残留物はその後、素子の欠陥を生じさせる可能性がある。従って、水槽から基板が取り出されるときに基板を乾燥させるための改善された方法に多くの注意が向けられている。

【0003】

マランゴニ乾燥として知られる方法は、表面張力の勾配を作り出して、基板に実質的に浴液が残らないように基板から浴液を流し、このようにして、ストリーキング、スポッティング、及び残留物のマークを防止することができる。具体的には、マランゴニ乾燥中に、浴液との混和性がある溶媒（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）蒸気）が、液体メニスカスであって、基板が浴槽から引き上げられるとき又は浴液が基板を通り越して流されるときに形成される液体メニスカスへと導入される。溶媒の蒸気は、液体の表面に沿って吸収され、吸収された蒸気の濃度によって、浴液のバルクよりもメニスカスの先端で表面張力が低くなり、浴液が、乾燥メニスカスからバルク浴液に向かって流される。このような流れは、「マランゴニ流（Ｍａｒａｎｇｏｎｉ ｆｌｏｗ）」として知られており、基板上のストリーキング、スポッティング、又は浴液残留物を低減しつつ、基板の乾燥を実現するために使用されうる。

【0004】

しかしながら、基板の均一なマランゴニ乾燥を実現することは、ファクトリインタフェースからドライヤ内に流れる空気のために、部分的に困難となりうる。従来の方法では、ファクトリインタフェースと基板プロセス環境との間にオープンアクセスが存在する。多くの場合に、ファクトリインタフェースは、大きな気流をもたらすより高い圧力で動作する必要がある。この大きな気流が、基板が乾燥されている間に基板の上に直接進入し、基板の欠陥に寄与する。

【0005】

したがって、基板の欠陥がより少なくなる乾燥環境が必要とされている。

【発明の概要】

【0006】

本明細書における１つ以上の実施形態は、半導体処理システム内の乾燥環境に関する。

【0007】

一実施形態において、乾燥環境が、
第１のドライヤ開口部と第２のドライヤ開口部とを有するリッドを備えるドライヤであって、リッドが、第１のドライヤ開口部を通して少なくとも１つの基板を前記ドライヤ内に収容し、かつ少なくとも１つの基板が第２のドライヤ開口部を通してドライヤから出ることを可能とするよう構成される、ドライヤと、
乾燥環境内のドライヤの上方に位置する上部であって、乾燥環境とファクトリインタフェースとの間の乾燥環境開口部を有する上部と、
長さ及び幅を有する少なくとも１つのスライドドアであって、乾燥環境内に配置されており、少なくとも１つの基板が乾燥環境内にある間に、少なくとも１つのスライドドアの長さが乾燥環境開口部の全体をカバーするような位置まで上方に移動するよう構成され、かつ少なくとも１つのスライドドアの長さが完全に乾燥環境開口部より下方にあるような位置まで下方に移動するよう構成される、少なくとも１つのスライドドアと、
上部内の回転プラットフォームであって、ドライヤ環境開口部を通して少なくとも１つの基板をファクトリインタフェースに移送するよう構成された回転プラットフォームと
を備える。

【0008】

他の実施形態において、乾燥環境が、
ドライヤであって、
第１のドライヤ開口部と第２のドライヤ開口部とを有するリッドであって、第１のドライヤ開口部を通して少なくとも１つの基板をドライヤ内に収容しかつ少なくとも１つの基板が第２のドライヤ開口部を通してドライヤから出ることを可能とするよう構成されたリッド、
液体の管を有するリンス部、及び
液体の管の真上に位置する複数のスプレーバーを有する乾燥部
を含むドライヤと、
乾燥環境内のドライヤの上方に位置する上部であって、乾燥環境とファクトリインタフェースとの間の乾燥環境開口部を有する上部と、
乾燥環境内に配置された、長さ及び幅を有するスライドドアであって、少なくとも１つの基板が複数のスプレーバーの下方にある間に、長さの少なくとも一部分が乾燥環境開口部より下方にあるように配置され、
少なくとも１つの基板が複数のスプレーバーを通り越して、持ち上げられている間、スライドドアは、当該スライドドアの長さが乾燥環境開口部の全体をカバーするように配置される、スライドドアと、
上部内の回転プラットフォームであって、少なくとも１つの基板をドライヤ環境開口部を通してファクトリインタフェースに移送するよう構成された回転プラットフォームと
を備える。

【0009】

本明細書に記載する１つ以上の実施形態は、基板を乾燥させる方法に関する。

【0010】

一実施形態において、基板を乾燥させる方法が、
ドライヤの中へと第１のドライヤ開口部を通して第１の基板を移送することであって、その間に、長さ及び幅を有するスライドドアが、当該スライドドアの全長が乾燥環境開口部より下方にあるように乾燥環境内に配置されており、ドライヤが乾燥環境内に位置しており、乾燥環境開口部が乾燥環境とファクトリインタフェースとの間に存在する、第１の基板を移送することと、
スライドドアの長さが前記乾燥環境開口部を部分的にカバーするような位置まで、スライドドアを上昇させることであって、その間に、第１の基板が、ドライヤ内に位置する複数のスプレーバーの真下の位置に移される、スライドドアを上昇させることと、
前記スライドドアの全長が乾燥環境開口部をカバーするような位置にスライドドアがある間に、複数のスプレーバーを通り越して第１の基板を上昇させて第２のドライヤ開口部を通してドライヤから出すことによって、第１の基板を乾燥させることと、
第１の基板が乾燥環境内の回転プラットフォーム上へとロードされている間に、スライドドアを、当該スライドドアの長さが乾燥環境開口部を部分的にカバーするような位置まで下げることと、
スライドドアの全長が乾燥環境開口部より下方にあるような位置にスライドドアがある間に、第１の基板を乾燥環境開口部を通してファクトリインタフェースに移送し、同時に、第２の基板を第１のドライヤ開口部を通してドライヤの中へと移送すること
を含む。

【0011】

本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、先に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、それらの実施形態の一部が添付の図面に示される。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、従って、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】従来技術によるシステムの概略図である。

【図2】本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係るシステムの概略図である。

【図3】本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係る乾燥環境の断面図である。

【図4】本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係る方法のフローチャートである。

【図5A】図４に記載の方法の各ステップにおける乾燥環境を示す。

【図5B】図４に記載の方法の各ステップにおける乾燥環境を示す。

【図5C】図４に記載の方法の各ステップにおける乾燥環境を示す。

【図5D】図４に記載の方法の各ステップにおける乾燥環境を示す。

【図5E】図４に記載の方法の各ステップにおける乾燥環境を示す。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下の明細書の記載において、本開示の実施形態のより完全な理解をもたらすために、数多くの具体的な詳細が記載されている。しかしながら、１つ以上の上記具体的な詳細がなくとも、当業者には、本開示の実施形態の１つ以上が実施されうることが明らかであろう。他の例では、本開示の１つ以上の実施形態を不明確にしないために、周知の特徴は説明されていない。

【0014】

本明細書に記載する１つ以上の実施形態は、概して、半導体処理システム内の乾燥環境に関する。上記実施形態では、基板がファクトリインタフェースを離れ、次いで、材料が基板の表面上に堆積されて、半導体素子が形成される。基板の表面に材料が堆積された後で、基板が洗浄され、ファクトリインタフェースに戻る前に乾燥環境において乾燥される。上述したように、乾燥プロセス及び乾燥環境は、半導体素子の性能にとって重要である。上記実施形態では、基板の表面上に形成されるストリーキング、スポッティング、及び浴液残留物の悪影響を低減するために、マランゴニドライヤを使用して基板を乾燥させる。しかしながら、ファクトリインタフェースと乾燥環境との間にある開口部により、ファクトリインタフェースから乾燥環境への気流が、乾燥プロセスの有効性を低下させることがしばしばある。ファクトリインタフェースからの気流は、基板が乾燥されている間基板の上に直接流れ、結果的に、半導体素子の性能を低下させる基板の欠陥を生じさせる。

【0015】

本明細書に記載される実施形態では、ファクトリインタフェースと乾燥環境との間の開口部が遮断され、基板が乾燥されているときにファクトリインタフェースからの気流が乾燥環境に進入することが阻止される。乾燥環境内に位置するライヤの乾燥部に基板が入ると、気流が、閉鎖位置まで上昇するスライドドアによって遮断される。乾燥環境に空気が流入するのを阻止することによって、有利に、基板の欠陥が減少し、半導体素子の性能が向上する。基板がドライヤから出た後で、かつ基板がファクトリインタフェースに入る前に、スライドドアは、基板がファクトリインタフェースに入れるように、開放位置まで下降する。基板がファクトリインタフェースに入り、スライドドアが開放位置にある間、他の基板が乾燥環境に入ることが可能である。基板が乾燥しているときにはスライドドアが閉じられるが、基板がファクトリインタフェースに入っているときにはスライドドアが開かれ他の基板が同時に乾燥環境に入っているような形で同期されて、上記のプロセスが繰り返されうる。したがって、これらのプロセスによって、複数の基板をシステム内で迅速かつ一貫して乾燥させることが可能となり、全体を通じて改善され、コストが削減される。

【0016】

図１は、従来技術に係るシステム１００の概略図である。システム１００は、乾燥環境１０２及びファクトリインタフェース１０６を含む。基板は、ファクトリインタフェース１０６の隣に位置するカセット１１６内に格納されることが多い。その後、基板は、ファクトリインタフェース１０６に移送され、次いでシステム１００の処理領域へと移送され、そこで、材料が基板の表面上に堆積させられて、半導体素子が形成される。半導体プロセスが完了する前に、基板はスプレージェットモジュール１１８及びブラシボックスモジュール１２０にしばしば移送され、そこで基板が洗浄される。洗浄後に、基板が乾燥環境１０２に移送される。乾燥環境１０２は、上部１０３とドライヤ１０４とを含む。ドライヤ１０４は、マランゴニドライヤとすることができる。上述のように、マランゴニドライヤは、基板を乾燥させるための「マランゴニ流」を生成するために使用され、基板の表面上に形成されるストリーキング、スポッティング、及び浴液残留物の悪影響を低減するのを助ける。基板１１２といった基板がマランゴニドライヤ内で乾燥されるが、基板は、矢印１１４で示すように、ドライヤ１０４から乾燥環境１０２の上部１０３の中へと引き上げられるが、これについては、以下でより詳細に説明する。

【0017】

従来の実施形態では、ファン１０８から流れる空気が、矢印１１０で示すように、ファクトリインタフェース１０６から乾燥環境開口部１０５を通って乾燥環境１０２の上部１０３の中へと移動する。乾燥環境１０２に流入した空気は、基板１１２が乾燥されている間に基板１１２の上に直接進入して、乾燥プロセスの有効性を低下させる。基板１１２は、乾燥プロセスの後に気流に起因した欠陥をしばしば含み、半導体の性能が下がる。したがって、図１に示す構成にはしばしば問題があり、改善が必要である。

【0018】

図２は、本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係るシステム２００の概略図である。本実施形態では、システム２００は、乾燥環境２０２及びファクトリインタフェース２０６を含む。基板は、ファクトリインタフェース２０６の隣に位置するカセット２１６内に格納されることが多い。その後、基板は、ファクトリインタフェース２０６に移送され、次いでシステム２００の処理領域へと移送され、そこで、材料が基板の表面上に堆積させられて、半導体素子が形成される。半導体プロセスが完了する前に、基板はスプレージェットモジュール２１８及びブラシボックスモジュール２２０にしばしば移送され、そこで基板が洗浄される。洗浄後、基板は乾燥環境２０２に移送される。乾燥環境２０２は、上部２０３とドライヤ２０４とを含む。ドライヤ２０４は、マランゴニドライヤとすることができる。上述のように、マランゴニドライヤは、基板を乾燥させるための「マランゴニ流」を生成するために使用され、基板の表面上に形成されるストリーキング、スポッティング、及び浴液残留物の悪影響を低減するのを助ける。基板２１２といった基板がマランゴニドライヤ内で乾燥している間、基板は、矢印２１４で示すように、ドライヤ２０４から乾燥環境２０２の上部２０３の中へと引き上げられるが、これについては、以下でより詳細に説明する。

【0019】

図１に示した従来の実施形態と同様に、ファン２０８から流れる空気が、矢印２１０で示すように、ファクトリインタフェース２０６を通って乾燥環境開口部２０５の中へと移動する。しかしながら、従来の実施形態とは異なって、本明細書に記載の実施形態は、スライドドア２２２を含む。スライドドア２２２は、長さ２２４及び幅２２６を有する。上記実施形態において、長さ２２４が、幅２２６よりも大きい。スライドドア２２２は、図２に示すように、スライドドア２２２が閉鎖位置まで上昇させられたときに、気流が乾燥環境２０２の上部２０３に進入することを阻止するよう作用する。スライドドア２２２の閉鎖位置は、スライドドア２２２の長さ２２４が乾燥環境開口部２０５全体にわたって延在するような位置であり、空気が乾燥環境２０２に進入することを完全に阻止する。したがって、基板２１２が乾燥している間、ファクトリインタフェース２０６からの気流は乾燥環境２０２の外に留まり、乾燥プロセスの有効性を増大させる。このように、上記実施形態は、乾燥プロセスが完了した後に基板２１２上の欠陥を低減するように作用し、半導体性能を向上させる。

【0020】

図３は、本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係る乾燥環境２０２の断面図である。図３では、乾燥環境２０２は、乾燥環境２０２内に基板が存在しない状態で示されている。上記実施形態では、乾燥環境２０２は、上述したように、上部２０３及びドライヤ２０４を含む。ドライヤ２０４は、第１のドライヤ開口部３２０及び第２のドライヤ開口部３２２を有するリッド３０１を含む。以下で図４～図５Ｅにおいてさらに詳細に説明するように、少なくとも１つの基板は、第１のドライヤ開口部３２０を通ってドライヤ２０４に入り、第２のドライヤ開口部３２２を通ってドライヤ２０４から出ることが可能である。

【0021】

上記実施形態において、ドライヤ２０４は、リンス部３０２と、乾燥部３０４と、オーバーフロー堰３０６とを含む。リンス部３０２は、基板がドライヤ２０４に入ったときに基板をリンスするよう作用する、浴液といった液体３１８を含む。浴液供給源といった液体源３０３が、ドライヤ２０４のリンス部３０２に浴液を供給するよう作用する。リンス部３０２内には、クレードル３２４及びプッシャ３２６が存在する。クレードル３２４は、基板がリンス部３０２に入ると基板を受け取るよう構成されている。その後、クレードル３２４は、矢印３２５で示すように、プッシャ３２６に基板を移す。プッシャ３２６は、基板をリンス部３０２から乾燥部３０４の中へと持ち上げるよう構成されている。液体３１８の表面の真上の乾燥部３０４内には、スプレーバー３１６が存在する。スプレーバー３１６は、ＩＰＡ蒸気といった蒸気流を、基板が液体３１８から引き上げられるときに基板上に向ける。ＩＰＡ蒸気は、流体メニスカスであって、基板が液体３１８から引き上げられて液体３１８が基板から流されるときに形成される流体メニスカスへと導入される。溶媒の蒸気が、液体３１８の表面に沿って吸収され、吸収された蒸気の濃度によって、液体３１８のバルクよりもメニスカスの先端で表面張力が低くなり、液体３１８が、乾燥メニスカスから液体３１８のバルクに向かって流される。このような流れは、「マランゴニ流（Ｍａｒａｎｇｏｎｉ ｆｌｏｗ）」として知られており、基板上のストリーキング、スポッティング、又は浴液残留物を低減しつつ、基板の乾燥を実現するために使用することが可能である。

【0022】

オーバーフロー堰３０６がドライヤのリンス部３０２を取り囲んでおり、これにより、流体３１８が、オーバーフロー堰３０６にオーバーフローすることができる。流体３１８は、流体源３０３によって連続的に供給することができ、これにより、流体が、オーバーフロー堰３０６に連続的にオーバーフローする。排気ポート３０８を、排気部３１０に出力するドライヤ２０４の底部に連結することができる。追加的に、ドレインポート３１２を、ドレイン３１４に出力するドライヤ２０４の底部に連結することができ、このドレインポート３１２は、ドライヤ２０４からの液体３１８の排出を容易にするように作用しうる。

【0023】

上記実施形態において、乾燥環境２０２は、回転プラットフォーム３２８も含む。回転プラットフォーム３２８は、乾燥環境２０２の上部２０３内に位置している。回転プラットフォーム３２８は、第２の乾燥開口部３２２から出た後でドライヤ２０４を出た基板を受け取るよう構成されている。その後、回転プラットフォーム３２８は、矢印３２１によって示されるように回転し、基板を乾燥環境開口部２０５からファクトリインタフェース２０６へと移送するように作用する。回転プラットフォーム３２８は、キャッチャ３３０及びフィンガ３３２を含む。キャッチャ３３０は、基板がプッシャ３２６によって持ち上げられた後にドライヤ２０４を出た基板を受け取るよう構成されている。幾つかの実施形態において、キャッチャ３３０が、各端部にストッパを有するリニアボールスライド（図示せず）上に取り付けられうる。キャッチャ３３０は、重力によってリニアボールスライドの底部に移動する。基板がドライヤ２０４の乾燥部３０４を出ると、基板はキャッチャ３３０を押し、キャッチャ３３０を重力に抗して上方へと移動させる。キャッチャ３３０がその頂点に達したときには、フィンガ３３２が、図４～図５Ｅに更に詳細に記載するように、基板を回転プラットフォーム３２８上でロックして固定するよう構成される。

【0024】

さらに、乾燥環境２０２は、上述のようにスライドドア２２２を含む。本明細書では、１つのスライドドア２２２が示され記載されているが、他の実施形態では、２つ以上のスライドドア２２２があってもよい。スライドドア２２２は、取り付けアーム３４０上に取り付けられている。取り付けアーム３４０は、アクチュエータ３４２に取り付けられている。上記実施形態では、アクチュエータ３４２は、図３の矢印３３４によって示されるように、開放位置と閉鎖位置との間でスライドドア２２２を昇降させるよう作用する空気圧スライドシリンダである。幾つかの実施形態において、アクチュエータ３４２は電動式とすることができる。加えて、アクチュエータは、乾燥プロセスに対するスライドドア２２２の位置決めを検出するセンサ（図示せず）を含むことができる。スライドドア２２２が開放位置にあるときには、スライドドア２２２の長さ２２４は、完全に乾燥環境開口部２０５より下方にある。スライドドア２２２が閉鎖位置にあるときには、スライドドア２２２の長さ２２４が乾燥環境開口部２０５の全体をカバーしている。上述したように、スライドドア２２２は、閉鎖位置にあるときにはファクトリインタフェース２０６からの気流が乾燥環境２０２に進入することを阻止して、乾燥環境２０２内の基板の乾燥プロセスを向上させ、基板の欠陥をより少なくする。さらに、スライドドア２２２は、点検及び保守中にファクトリインタフェース２０６内のロボットが偶発的に進入することも防止する。

【0025】

図４は、本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係る方法４００のフローチャートである。上記実施形態において、方法４００は、図１～図３に記載したシステム及び装置を用いて実行されるが、これらのシステム及び装置には限定されず、他の同様のシステム及び装置を用いて実行することが可能である。図５Ａ～図５Ｅは、図４に記載される方法４００の各ステップにおける乾燥環境２０２を示す。

【0026】

ブロック４０２では、図５Ａに示すように、スライドドア２２２の長さ２２４が完全に乾燥環境開口部２０５より下方に配置されている間に、第１の基板５０２が第１のドライヤ開口部３２０を通ってドライヤ２０４内に移送される。ブロック４０２でのスライドドア２２２は、乾燥環境２０２が乾燥環境開口部２０５を介してファクトリインタフェース２０６に露出されるように、開放位置にある。クレードル３２４が、図５Ａに示すように、第１の基板５０２がリンス部３０２に入ると第１の基板５０２を受け取る。

【0027】

ブロック４０４では、図５Ｂに示すように、第１の基板５０２がドライヤ２０４内に位置する複数のスプレーバー３１６の真下の位置に移される間に、スライドドア２２２は、当該スライドドア２２２の長さ２２４が乾燥環境開口部２０５を部分的にカバーするような位置まで（矢印５０４で図示）上昇させられる。第１の基板５０２は、クレードル３２４からプッシャ３２６に移されている。プッシャ３２６は、図５Ｂに示すように、第１の基板５０２をスプレーバー３１６の真下の液体３１８の表面近くまで持ち上げる。

【0028】

ブロック４０６では、図５Ｃに示すように、スライドドア２２２の全長２２４が乾燥環境開口部２０５をカバーするような位置にスライドドア２２２がある間に、第１の基板５０２に複数のスプレーバー３１６を通過させ第２のドライヤ開口３２２を通ってドライヤ２０４から引き上げることによって、第１の基板５０２を乾燥させる。ブロック４０６でのスライドドア２２２は、ファクトリインタフェース２０６から乾燥環境開口部２０５に流入する気流が乾燥環境２０２に進入することを阻止するように、閉鎖位置にある。第１の基板５０２は、上述したように、スプレーバー３１６を越えて引き上げられる間、マランゴニ乾燥プロセスによって乾燥させられる。プッシャ３２６が、回転プラットフォーム３２８のキャッチャ３３０と係合するように、第２のドライヤ開口部３２２を通して第１の基板５０２をドライヤ２０４から持ち上げ続ける。キャッチャ３３０は、図５Ｃに示すように、第１の基板５０２を最初に受け取るときには、回転プラットフォーム３２８の底部に位置している。

【0029】

ブロック４０８では、図５Ｄに示すように、第１の基板５０２が乾燥環境２０２内で回転プラットフォーム３２８上にロードされる間に、スライドドア２２２は、スライドドア２２２の長さ２２４が乾燥環境開口部２０５を部分的にカバーするような位置まで（矢印５０６で図示）下げられる。第１の基板５０２は、当該第１の基板５０２がキャッチャ３３０を押してキャッチャ３３０を重力に抗して上方に移動させるように、上昇させられる。キャッチャ３３０がその頂点に達すると、フィンガ３３２は、図５Ｄに示すように、第１の基板５０２を回転プラットフォーム３２８上でロックし固定するよう構成される。

【0030】

ブロック４１０では、図５Ｅに示すように、スライドドア２２２の全長２２４が乾燥環境開口部２０５の下にあるような位置にスライドドア２２２がある間に、第１の基板５０２が乾燥環境開口部２０５を通ってファクトリインタフェース２０６に移送される。同時に、第２の基板５０８が、第１のドライヤ開口部３２０を通ってドライヤ２０４の中へと移送される。ブロック４１０でのスライドドア２２２は、ブロック４０２と同様に、乾燥環境２０２が乾燥環境開口部２０５を介してファクトリインタフェース２０６に露出されるように、開放位置にある。スライドドア２２２の開放位置によって、第１の基板５０２を、乾燥環境開口部２０５を通して回転プラットフォーム３２８によってファクトリインタフェース２０６に移送することが可能となる。回転プラットフォーム３２８は、第１の基板５０２が水平方向を向くように９０度回転し、これにより、ファクトリインタフェース２０６内の移送ロボット（図示せず）上にロードすることができる。さらに、第１の基板５０２が乾燥環境２０２を出ると、第２の基板５０８が乾燥環境２０２に入るという形で同期させられた、繰り返し可能なプロセスがもたらされる。

【0031】

方法４００は有利に、スライドドア２２２が（第１の基板５０２といった）基板が乾燥しているときには閉じられるが、（第１の基板５０２といった）基板がファクトリインタフェース２０６に移送されて（第２の基板５０８といった）他の基板が同時に乾燥環境２０２に移送されるときには開かれるようなプロセスを提供する。したがって、上記プロセスによって、複数の基板をプロセスシステム２００内で迅速かつ一貫して乾燥することが可能となり、全体を通して改善され、コストが削減する。

【0032】

以上の説明は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく、本発明の他の実装形態及び更なる別の実装形態が考案されてよく、本発明の範囲が、以下の特許請求の範囲により定められる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】