特許7318518固体撮像素子用のシリコン単結晶基板及びシリコンエピタキシャルウェーハ、並びに固体撮像素子

発明の名称　固体撮像素子用のシリコン単結晶基板及びシリコンエピタキシャルウェーハ、並びに固体撮像素子

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 527 位（50件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 392 位（65件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7318518

公報発行日　2023年8月1

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7318518

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