特許7323635３次元メモリデバイス、３次元メモリデバイスを形成するための方法および３次元メモリデバイスを動作させるための方法

発明の名称　３次元メモリデバイス、３次元メモリデバイスを形成するための方法および３次元メモリデバイスを動作させるための方法

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 436 位（63件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 427 位（55件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7323635

公報発行日　2023年8月8

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7323635

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-7323635「３次元メモリデバイス、３次元メモリデバイスを形成するための方法および３次元メモリデバイスを動作させるための方法」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録