特許 7326203 エナメル線

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-08-04

(45)【発行日】2023-08-15

(54)【発明の名称】エナメル線

(51)【国際特許分類】

   H01B 7/02 20060101AFI20230807BHJP

   G01N 3/08 20060101ALN20230807BHJP

【ＦＩ】

H01B7/02 G

G01N3/08

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020057398

(22)【出願日】2020-03-27

(65)【公開番号】P2021157964

(43)【公開日】2021-10-07

【審査請求日】2022-04-18

【審判番号】

【審判請求日】2022-11-01

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000005083

【氏名又は名称】株式会社プロテリアル

(74)【代理人】

【識別番号】110002583

【氏名又は名称】弁理士法人平田国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西 甫

(72)【発明者】

【氏名】牛渡 剛真

(72)【発明者】

【氏名】本田 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】安藤 郁美

【合議体】

【審判長】恩田 春香

【審判官】河本 充雄

【審判官】松永 稔

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H01B 7/02

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体と、
前記導体の周囲に設けられた、空孔を有する絶縁被膜と、
を備え、
前記絶縁被膜が、発泡剤としての高沸点溶媒又はポリマ微粒子を含む、ジアミン成分及び酸成分が溶剤としてのジメチルアセトアミドに溶解したポリアミック酸溶液であるポリイミド塗料を材料とするポリイミドで構成され、
前記ジアミン成分が、４，４’－ジアミノジフェニルエーテルに加えて、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，４－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、１，３－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、又は２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフロロプロパンを含み、
前記酸成分が、ピロメリット酸二無水物に加えて、４，４’－オキシジフタル酸無水物、２，２－ビス(３，４－アンハイドロジカルボキシル)－ヘキサフロロプロパン、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、又は３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含み、
下記式１によって求められる変形率が１０％未満である、
エナメル線。
式１：変形率（％）＝（第２の変位量－第１の変位量）×１００／（前記絶縁被膜の膜厚×２）
第１の変位量：熱機械分析装置を用いて測定される、２２～２３℃の条件下で、試料台の上面に対して円柱形の治具の端面を鉛直上方から接触させ、前記治具によって鉛直下方の向きの力（初期値）を前記試料台に加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置と、前記力を１０分間加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置との差
第２の変位量：前記熱機械分析装置を用いて測定される、２２～２３℃の条件下で、試料台の上面に横たえられたエナメル線に対して前記治具の端面を鉛直上方から接触させ、前記治具によって鉛直下方の向きの力（初期値）を前記エナメル線に加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置と、前記力を１０分間加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置との差
鉛直下方の向きの力：５ｍＮを初期値として、９８ｍＮ／分の増加率で増加させる力

【請求項2】

前記絶縁被膜の空孔率が２５％未満である、
請求項１に記載のエナメル線。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、エナメル線に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、部分放電の発生を抑制するため、空孔を有するポリイミドからなる絶縁被膜を導体上に備えた絶縁電線が知られている（例えば、特許文献１参照）。空気はポリイミドよりも比誘電率が低いため、空孔を有する絶縁被膜は、空孔を有しない絶縁被膜と比較して比誘電率が低くなり、絶縁電線の部分放電を効果的に抑制することができる。特許文献１に記載の絶縁電線においては、絶縁被膜の空孔率は、例えば５体積％以上８０体積％以下という広い範囲で設定される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－１７０２６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、絶縁被膜に空孔が存在すると、絶縁被膜が変形しやすくなる（耐変形性が低下する）という問題がある。

【0005】

したがって、本発明の目的は、空孔を含む絶縁被膜を導体上に備えた、耐変形性に優れたエナメル線を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上記課題を解決することを目的として、導体と、前記導体の周囲に設けられた、空孔を有する絶縁被膜と、を備え、前記絶縁被膜が、発泡剤としての高沸点溶媒又はポリマ微粒子を含む、ジアミン成分及び酸成分が溶剤としてのジメチルアセトアミドに溶解したポリアミック酸溶液であるポリイミド塗料を材料とするポリイミドで構成され、前記ジアミン成分が、４，４’－ジアミノジフェニルエーテルに加えて、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，４－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、１，３－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、又は２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフロロプロパンを含み、前記酸成分が、ピロメリット酸二無水物に加えて、４，４’－オキシジフタル酸無水物、２，２－ビス(３，４－アンハイドロジカルボキシル)－ヘキサフロロプロパン、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、又は３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含み、下記式１によって求められる変形率が１０％未満である、エナメル線を提供する。
式１：変形率（％）＝（第２の変位量－第１の変位量）×１００／（前記絶縁被膜の膜厚×２）
第１の変位量：熱機械分析装置を用いて測定される、２２～２３℃の条件下で、試料台の上面に対して円柱形の治具の端面を鉛直上方から接触させ、前記治具によって鉛直下方の向きの力（初期値）を前記試料台に加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置と、前記力を１０分間加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置との差
第２の変位量：前記熱機械分析装置を用いて測定される、２２～２３℃の条件下で、試料台の上面に横たえられたエナメル線に対して前記治具の端面を鉛直上方から接触させ、前記治具によって鉛直下方の向きの力（初期値）を前記エナメル線に加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置と、前記力を１０分間加えたときの前記治具の前記端面の鉛直方向の位置との差
鉛直下方の向きの力：５ｍＮを初期値として、９８ｍＮ／分の増加率で増加させる力

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、空孔を含む絶縁被膜を導体上に備えた、耐変形性に優れたエナメル線を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係るエナメル線の長手方向に垂直な断面図である。

【図2】図２は、エナメル線の変形率を測定する様子を示す模式図である。

【図3】図３は、エナメル線の変形率の測定結果の例を示すグラフである。

【図4】図４は、試料Ａ～Ｊの空孔率と変形率の関係を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

［実施の形態］
図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るエナメル線１の長手方向に垂直な断面図である。エナメル線１は、導体１０と、導体１０の周囲に設けられた、空孔１１１を有する絶縁被膜１１とを備え、その変形率が１０％未満である。なお、変形率については後述する。

【0010】

導体１０は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電性材料からなる線状の金属線であり、例えば、無酸素銅や低酸素銅からなる銅線である。また、導体１０の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、金属線の外周にニッケル等の金属めっきを施したものを導体１０として用いてもよい。図１に示す導体１０の長手方向に垂直な断面形状は、円形であるが、これに限定されず、例えば、四角形であってもよい。

【0011】

絶縁被膜１１は、テトラグライムなどの発泡剤を含むポリイミド塗料を前駆体として形成される。例えば、発泡剤を含むポリイミド塗料を導体１０の表面に塗布し、これを３００℃から５００℃の炉内で加熱する。これを複数回繰り返して、ポリイミドからなる絶縁被膜１１を得る。なお、絶縁被膜１１の厚さは、例えば、３０μｍ以上２００μｍ以下である。

【0012】

ここで、炉内でポリイミド塗料が加熱されると、溶媒が除去され、ポリアミック酸のイミド化反応が進むとともに、発泡剤の沸点や分解開始温度よりも高い温度で加熱された際に、発泡剤が揮散（例えば、テトラグライムからなる発泡剤の場合は、沸点２７５℃以上の温度で揮散）又は熱分解（例えば、ポリメタクリル酸メチルポリマ微粒子からなる発泡剤の場合は、分解開始温度２３０℃以上の温度で熱分解）されることにより、空孔を含むポリイミドが形成される。なお、発泡剤は、例えば、ポリイミド塗料に含まれる樹脂分に対して１ｐｈｒ～３００ｐｈｒの範囲の添加量でポリイミド塗料に添加される。このような添加量で発泡剤が添加された場合には、絶縁被膜１１に形成される空孔１１１の空孔率を適宜調整するのに有効である。

【0013】

絶縁被膜１１の前駆体であるポリイミド塗料としては、例えば、４，４’－ジアミノジフェニルエーテルからなるジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物からなる酸成分とが溶剤としてのＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）に溶解したポリアミック酸溶液であるポリイミド塗料（以下、第１のポリイミド塗料と呼ぶ）を用いることができる。

【0014】

また、エナメル線１の部分放電開始電圧を特に高めるため、例えば、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物に加えて、ジアミン成分として、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，４－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、１，３－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフロロプロパンなど、酸成分として、４，４’－オキシジフタル酸無水物、２，２－ビス(３，４－アンハイドロジカルボキシル)－ヘキサフロロプロパン、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などがＤＭＡｃに溶解したポリアミック酸溶液であるポリイミド塗料（以下、第２のポリイミド塗料と呼ぶ）を用いることができる。

【0015】

この第２のポリイミド塗料から絶縁被膜１１を形成した場合は、上記第１のポリイミド塗料から形成した場合と比較して、絶縁被膜１１の誘電率が低いためエナメル線１の部分放電開始電圧を高くすることができる。また、第２のポリイミド塗料によって絶縁被膜１１を導体の周囲に直接形成した場合は、第１のポリイミド塗料によって絶縁被膜１１を導体の周囲に直接形成した場合と比較して、絶縁被膜１１の剥離を抑えることができる。

【0016】

ポリイミド塗料に含まれる発泡剤としては、テトラグライムなどからなる高沸点溶媒やポリメタクリル酸メチルなどからなるポリマ微粒子など、炉内の加熱処理によって揮散又は熱分解することにより、絶縁被膜１１に空孔１１１を形成することができるものが用いられる。また、高沸点溶媒やポリマ微粒子の代わりに、熱膨張性マイクロカプセルをポリイミド塗料に混合することで空孔１１１を形成してもよい。この場合では、導体１０の外周に塗布されたポリイミド塗料が炉内で加熱されたときに、ポリイミド塗料に含まれる熱膨張性マイクロカプセルが膨張又は発泡することにより、空孔１１１を含む絶縁被膜１１が形成される。また、空孔１１１は、中空フィラーをポリイミド塗料に混合することによって形成されてもよい。この場合では、中空フィラーの内部の空洞部分が絶縁被膜１１に含まれる空孔１１１となる。

【0017】

図１（ｂ）は、本発明の実施の形態に係るエナメル線２の長手方向に垂直な断面図である。エナメル線２は、導体１０と、導体１０の周囲に設けられた、空孔２１３を有する、ポリイミドからなる絶縁被膜２１とを備え、その変形率が１０％未満である。より好ましくは、変形率が１％以上８％以下である。

【0018】

絶縁被膜２１は、導体１０に接触する第１の層２１１と、第１の層２１１の外側に設けられた第２の層２１２を有する。第１の層２１１は、第２の層２１２よりも比誘電率が低いことがよい。また、導体１０に接触する第１の層２１１は、導体１０に対する密着性が高いことがよい。第１の層２１１が導体１０に対して密着性が高いと、第１の層２１１を内側の層として用いて導体１０と密着させることにより、絶縁被膜２１の導体１０からの剥離を抑えることができる。

【0019】

第２の層２１２が第１の層２１１よりも比誘電率が高いポリイミド塗料（例えば、第１のポリイミド塗料）で形成された場合、第１の層２１１（例えば、第２のポリイミド塗料で形成された第１の層２１１）と比較して、発泡剤による空孔２１３の形成が容易（空孔率を高くし易い）であり、また、コストが低い絶縁被膜２１とすることができるという優位点がある。このため、第１の層２１１と第２の層２１２を併用することにより、絶縁被膜２１の導体１０からの剥離を抑えつつ空孔２１３の形成を容易にし、かつ比誘電率やコストを所望の範囲に調整することができる。

【0020】

第１の層２１１と第２の層２１２は、例えば、それぞれ上記第２のポリイミド塗料と第１のポリイミド塗料を前駆体として形成することができる。なお、絶縁被膜２１の全体の厚さは、例えば、３０μｍ以上２００μｍ以下である。

【0021】

絶縁被膜２１は、絶縁被膜１１が空孔１１１を有するのと同様に空孔２１３を有するが、第１の層２１１と第２の層２１２の少なくとも一方が含んでいればよい。上述のように第２の層２１２の方が第１の層２１１よりも空孔２１３の形成が容易であるため、第１の層２１１と第２の層２１２の一方に空孔２１３を形成する場合は、第２の層２１２に空孔２１３を形成することが好ましい。

【0022】

上述のように、エナメル線１の絶縁被膜１１、エナメル線２の絶縁被膜２１はそれぞれ空孔１１１、空孔２１３を有している。空孔１１１、２１３の部分は、ポリイミドよりも比誘電率が低い。そのため、絶縁被膜１１、２１の空孔１１１、２１３は、絶縁被膜１１、２１の比誘電率を低減し、それによってエナメル線１、２の部分放電開始電圧が高くなる。

【0023】

なお、絶縁被膜１１、２１の機械的強度を低下しにくくするため、本実施の形態においては、絶縁被膜１１、２１の空孔率は、エナメル線１、２の変形率が１０％未満となる範囲内で設定されることが好ましい。例えば、エナメル線１、２の変形率が１０％未満となる範囲内で、絶縁被膜１１、２１の空孔率が２５％未満に設定されることが好ましい。

【0024】

絶縁被膜１１、２１の空孔率が高すぎると加工時に絶縁被膜１１、２１が変形しやすくなる。このとき、絶縁被膜１１、２１の空孔１１１、２１３が潰れて本来の品質（比誘電率）が発揮されないおそれがある。空孔１１１、２１３の潰れを抑え、絶縁被膜１１、２１を変形しにくくするためには、空孔率が２５％未満であることが好ましい。絶縁被膜１１、２１の空孔率は、次の式（１）により算出される。

【0025】

【数1】

【0026】

ここで、ρ_１は空孔１１１、２１３が存在しない場合の絶縁被膜１１、２１の比重であり、ρ_２は空孔１１１、２１３を含んだ絶縁被膜１１、２１の比重である。なお、絶縁被膜２１の比重は、第１の層２１１と第２の層２１２を含む絶縁被膜２１全体としての比重を指すものとする。

【0027】

また、エナメル線１の絶縁被膜１１、エナメル線２の絶縁被膜２１を構成するポリイミドに比誘電率の低いものを用いることにより、空孔率を抑えつつ誘電率を低くすることが容易になる。すなわち、絶縁被膜１１、２１の機械的強度の低下を抑えつつ誘電率を低減することが容易になる。例えば、絶縁被膜１１、２１の比誘電率は３以下であることが好ましい。なお、絶縁被膜２１の比誘電率は、第１の層２１１と第２の層２１２を含む絶縁被膜２１全体としての比誘電率を指すものとする。

【0028】

図２は、エナメル線１の変形率を測定する様子を示す模式図である。以下、図２を用いてエナメル線１の変形率の測定方法を説明する。なお、エナメル線２の変形率も、以下に説明するエナメル線１の変形率の測定方法と同様の方法により測定することができる。

【0029】

まず、２２℃～２３℃の条件下で、ＴＭＡ炉（熱機械分析装置の炉）内に配置された石英からなる試料台４１の上面に治具４２の端面を鉛直上方から直接接触させる。治具４２の端面を試料台４１の上面に直接接触させた状態で、治具４２によって鉛直下方の向きの力Ｆを試料台に１０分間加える。この鉛直下方の向きの力Ｆの大きさは、５ｍＮを初期値として、９８ｍＮ／分の増加率で増加させる。増加を初めてから１０分後の力Ｆの大きさは９８５ｍＮである。

【0030】

このとき、治具４２によって鉛直下方の向きの力Ｆを５ｍＮ（初期値）加えて試料台４１の上面に治具４２の端面が接触している状態（初期状態）のときの治具４２の端面の鉛直方向の位置（高さ）と、試料台４１の上面に下向きの力Ｆを増加させ始めてから１０分経過したときの治具４２の端面の鉛直方向の位置（高さ）との差を第１の変位量とする。すなわち、第１の変位量は、試料台４１の上面に対して鉛直下方の向きの力Ｆ（初期値）を治具４２によって加えたときの試料台４１に接触する治具４２の端面の位置と、力Ｆを１０分間加えたときの試料台４１に接触する治具４２の端面の鉛直方向の位置との差の絶対値である。

【0031】

次に、図２に示すように、２２℃～２３℃の条件下で、ＴＭＡ炉（熱機械分析装置の炉）内に配置された石英からなる試料台４１の上面にエナメル線１を横たえられた状態で配置する。ここで、横たえられたとは、エナメル線１の長さ方向が試料台４１の上面に平行になるように設置することを意味する。次に、試料台４１の上面に横たえられたエナメル線１に円柱形の治具（石英プローブ）４２の端面を鉛直上方から接触させた状態で、鉛直下方の向きの力Ｆを１０分間加える。この鉛直下方の向きの力Ｆの大きさは、５ｍＮを初期値として、９８ｍＮ／分の増加率で増加させる。増加を初めてから１０分後の力Ｆの大きさは９８５ｍＮである。

【0032】

このとき、治具４２によって鉛直下方の向きの力Ｆを５ｍＮ（初期値）加えてエナメル線１に接触している状態（初期状態）のときの治具４２の端面の鉛直方向の位置（高さ）と、エナメル線１に鉛直下方の向きの力Ｆを上記増加率で増加し始めてから１０分経過したときの治具４２の端面の鉛直方向の位置（高さ）との差を第２の変位量とする。すなわち、第２の変位量は、エナメル線１に対して鉛直下方の向きの力Ｆ（初期値）を治具４２によって加えたときのエナメル線１に接触する治具４２の端面の位置と、力Ｆを１０分間加えたときのエナメル線１に接触する治具４２の端面の鉛直方向の位置の差の絶対値である。

【0033】

第２の変位量を測定した後、力Ｆを除荷し、試料台４１からエナメル線１を除去する。

【0034】

そして、エナメル線１の変形率は、（第２の変位量－第１の変位量）×１００／（絶縁被膜１１の膜厚×２）の式により求められる。ここで、第１の変位量、第２の変位量、絶縁被膜１１の膜厚の単位は同じである。なお、膜厚は、絶縁被膜１１の厚さである。また、エナメル線２を試料として用いた場合は、絶縁被膜２１全体の厚さが膜厚となる。

【0035】

なお、エナメル線１、２の変形率の評価は、３回以上の測定により得られた複数の変形率の測定値の平均値により行う。すなわち、エナメル線１、２の変形率を３回以上測定し、得られた複数の測定値の平均値が１０％に満たない場合に、エナメル線１、２の変形率が１０％未満であると判定する。

【0036】

図３は、エナメル線１の変形率の測定結果の例を示すグラフである。図３の“荷重”は、治具４２と接触するエナメル線１又は試料台４１の上面に作用する力（鉛直上方向の成分を正としたときの鉛直下方の向きの力Ｆの大きさ）の時間的変化を示す直線である。また、図３の“ブランク”は、治具４２の端面を試料台４１の上面に直接接触させ、上記第１の変位量を取得するための測定を行ったときに得られる、治具４２の端面の鉛直方向の位置の変位量の時間的変化を示す。

【0037】

また、図３の“試料１”は、上述した第２のポリイミド塗料からなる絶縁被膜１１を備えたエナメル線１に対して治具４２の端面を直接接触させ、上記第２の変位量を取得するための測定を行ったときに得られる、治具４２の端面の鉛直方向の位置の変位量の時間的変化を示す。

【0038】

図３に係る変形率の測定においては、直径０．８ｍｍの銅線が導体１０として用いられた、長さ５ｍｍに切断されたエナメル線１を用いた。試料１では、第２のポリイミド塗料からなる絶縁被膜１１の膜厚が３３．５μｍであった。このときの変形率は、約８．４％であった。

【0039】

以下の表１に、絶縁被膜（絶縁被膜１１又は絶縁被膜２１）を構成する材料が異なる１０種のエナメル線（エナメル線１又はエナメル線２）の変形率、絶縁被膜の空孔率、絶縁被膜の膜厚を示す。各試料は、直径０．８ｍｍの銅線を導体１０として備え、長さ５ｍｍに切断されたものである。

【0040】

【表1】

【0041】

ここで、表１のポリイミド“ａ”は第２のポリイミド塗料からなり、ポリイミド“ｂ”は第１のポリイミド塗料からなる。

【0042】

また、表１の発泡剤“ｄ”は高沸点溶媒、発泡剤“ｅ”はポリマ微粒子（粒子径：１μｍ）である。

【0043】

試料Ｂ～Ｅ、Ｉ～Ｊは、エナメル線１に相当し、その絶縁被膜は絶縁被膜１１に相当する。試料Ｂ～Ｅ、Ｉ～Ｊの絶縁被膜１１は、発泡剤が含まれている第２のポリイミド塗料を１５回塗り重ねることにより形成した。試料Ａの絶縁被膜は、発泡剤が含まれていない第２のポリイミド塗料を１５回塗り重ねることにより形成した。

【0044】

試料Ｆ、Ｇ、Ｈは、エナメル線２に相当し、その絶縁被膜は第１の層２１１と第２の層２１２から構成される絶縁被膜２１に相当する。表１の試料Ｆ、Ｇ、Ｈのポリイミド“ａ／ｂ”は、第１の層２１１と第２の層２１２の材料がそれぞれ“ａ”と“ｂ”であることを示している。試料Ｇの第１の層２１１は、発泡剤入りポリイミド塗料を２回塗り重ねることにより形成し、試料Ｆ、Ｈの第１の層２１１は、発泡剤を含まないポリイミド塗料を２回塗り重ねることにより形成した。また、試料Ｆ、Ｇ、Ｈの第２の層２１２は、発泡剤入りポリイミド塗料を１３回塗り重ねることにより形成した。表１の試料Ｆ、Ｇ、Ｈの発泡剤“ｄ”は、第２の層２１２のポリイミド塗料に含まれる発泡剤である。

【0045】

また、表１の試料Ａ～Ｊの変形率の平均値は、３回の測定により得られたものである。

【0046】

また、表１の各試料の絶縁被膜の空孔率は、絶縁被膜全体の空孔率を、上述した式（１）を用いて算出したものである。試料Ｆ、Ｇ、Ｈの絶縁被膜２１の空孔率は、第１の層２１１と第２の層２１２とからなる絶縁被膜２１全体の空孔率を、上述した式（１）を用いて算出したものである。

【0047】

図４は、試料Ａ～Ｊの空孔率と変形率の関係を示すグラフである。グラフ上の各点は、それぞれの空孔率における変形率の平均値を表している。図４は、絶縁被膜の空孔率が２５％未満の範囲の試料Ｂ～Ｈでは、エナメル線の変形率に大きな差がなく、およそ１０％未満になることを示している。そして、表１から、発泡剤が含まれている試料Ｂ～Ｈでは、発泡剤が含まれていない試料Ａと同等の変形率となることがわかる。すなわち、空孔を含む絶縁被膜が導体の外周に形成されたエナメル線（試料Ｂ～Ｈ）では、空孔を含まない絶縁被膜が導体の外周に形成されたエナメル線（試料Ａ）と同等の変形率を有していることがわかる。

【0048】

（実施の形態の効果）
以上説明した本発明の実施の形態によれば、エナメル線の部分放電開始電圧を上げるために空孔を含む絶縁被膜を用い、かつ絶縁被膜の機械的強度の低下を抑えるためにエナメル線が所定の変形率を満たす。これによって、空孔を含む絶縁被膜を導体上に備え、耐部分放電性と耐変形性に優れたエナメル線を提供することができる。

【0049】

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

【0050】

［１］導体（１０）と、導体（１０）の周囲に設けられた、空孔（１１１、２１３）を有する絶縁被膜（１１、２１）と、を備え、下記式１によって求められる変形率が１０％未満である、エナメル線（１、２）。
式１ 変形率（％）＝（第２の変位量－第１の変位量）×１００／（前記絶縁被膜の膜厚×２）
第１の変位量：２２～２３℃の条件下で、試料台（４１）の上面に円柱形の治具（４２）の端面を鉛直上方から接触させ、前記治具によって鉛直下方の向きの力（Ｆ）（初期値）を前記試料台（４１）に加えたときの治具（４２）の端面の鉛直方向の位置と、前記力（Ｆ）を１０分間加えたときの治具（４２）の端面の鉛直方向の位置との差
第２の変位量：２２～２３℃の条件下で、試料台（４１）の上面に横たえられたエナメル線（１、２）に対して治具（４２）の端面を鉛直上方から接触させ、治具（４２）によって鉛直下方の向きの力（Ｆ）（初期値）をエナメル線（１、２）に加えたときの治具（４２）の端面の鉛直方向の位置と、力（Ｆ）を１０分間加えたときの治具（４２）の端面の鉛直方向の位置との差
鉛直下方の向きの力（Ｆ）：５ｍＮを初期値として、９８ｍＮ／分の増加率で増加させる力

【0051】

［２］絶縁被膜（１１、２１）の空孔率が２５％未満である、上記［１］に記載のエナメル線（１、２）。

【0052】

［３］絶縁被膜（１１、２１）が、ポリイミドからなる、上記［１］または［２］に記載のエナメル線（１、２）。

【0053】

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変形して実施することが可能である。

【0054】

また、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

【符号の説明】

【0055】

１、２…エナメル線
１０…導体
１１、２１…絶縁被膜
２１１…第１の層
２１２…第２の層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】