(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-08-07
(45)【発行日】2023-08-16
(54)【発明の名称】導電膜付基板および反射型マスクブランク
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20230808BHJP
G03F 1/40 20120101ALI20230808BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
G03F1/40
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2022071912
(22)【出願日】2022-04-25
(65)【公開番号】P2022183024
(43)【公開日】2022-12-08
【審査請求日】2023-05-09
(31)【優先権主張番号】P 2021089510
(32)【優先日】2021-05-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021139521
(32)【優先日】2021-08-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100168985
【弁理士】
【氏名又は名称】蜂谷 浩久
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(74)【代理人】
【識別番号】100149401
【弁理士】
【氏名又は名称】上西 浩史
(72)【発明者】
【氏名】仲村 壮太郎
(72)【発明者】
【氏名】溝口 誠祥
(72)【発明者】
【氏名】富澤 剛
(72)【発明者】
【氏名】見矢木 崇平
(72)【発明者】
【氏名】森田 隆介
【審査官】三好 貴大
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－２１００９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／０２１２３５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－３１６４４８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ １／００－１／９２
７／００－７／２４
９／００－９／０２
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガラス基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に配置された導電膜とを有する導電膜付基板であって、
前記導電膜の周縁に傾斜部を有し、
前記傾斜部における前記導電膜の厚さが前記導電膜の中心部の膜厚の１０％となる位置から、前記ガラス基板の縁端部までの距離が３．００ｍｍ以下であり、
前記傾斜部の端部から前記ガラス基板の縁端部までの距離が０．００ｍｍ超である、導電膜付基板。
【請求項2】
前記ガラス基板の主面の周縁部に面取り面を有し、前記傾斜部の端部の少なくとも一部が前記面取り面内に位置する、請求項１に記載の導電膜付基板。
【請求項3】
前記傾斜部の端部の全てが前記面取り面内に位置する、請求項２に記載の導電膜付基板。
【請求項4】
前記傾斜部における前記導電膜の厚さが前記導電膜の中心部の膜厚の１０％となる位置が、前記面取り面内に位置しない、請求項２に記載の導電膜付基板。
【請求項5】
前記導電膜のヤング率が５０．０ＧＰａ以上である、請求項１または２に記載の導電膜付基板。
【請求項6】
前記導電膜のシート抵抗が１５０．００Ω／ｓｑ以下である、請求項１または２に記載の導電膜付基板。
【請求項7】
前記導電膜が、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載の導電膜付基板。
【請求項8】
請求項１または２に記載の導電膜付基板と、前記導電膜付基板の前記ガラス基板の前記導電膜が配置された主面とは反対側の主面上に配置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に配置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、反射型マスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電膜付基板および反射型マスクブランクに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体デバイスを構成する集積回路の微細化に伴い、可視光や紫外光（波長１９３～３６５ｎｍ）またはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等を用いた従来の露光技術に代わる露光方法として、極端紫外光（Ｅｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）リソグラフィが検討されている。
【0003】
ＥＵＶリソグラフィでは、露光に用いる光源として、ＡｒＦエキシマレーザ光よりも短波長のＥＵＶ光が用いられる。なお、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光をいい、具体的には、波長が０．２～１００ｎｍ程度の光である。ＥＵＶ光としては、例えば、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光が使用される。
【0004】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収され易いため、従来の露光技術で用いられていた屈折光学系を使用できない。そのため、ＥＵＶリソグラフィでは、反射型マスクやミラー等の反射光学系が用いられる。ＥＵＶリソグラフィにおいては、反射型マスクが転写用マスクとして用いられる。
【0005】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。反射型マスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた反射多層膜が通常用いられる。反射多層膜の低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）層が、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）層が通常用いられる。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【0006】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いて基板の主面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持手段によって保持される。基板の保持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、多層反射膜および吸収層を成膜する際の基板の保持手段、特に多層反射膜を成膜する際の基板の保持手段としては、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。
【0007】
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウェハの吸着保持に従来用いられている技術である。このため、ガラス製の基板のように、誘電率および導電率の低い基板の場合、シリコンウェハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。
このような問題を解消するため、基板の裏面（反射多層膜や吸収層が形成される基板の成膜面に対する裏面。静電チャックで吸着保持される側の面）に高誘電率の導電膜を形成することが行われている。
このような問題を解消するため、基板の裏面（反射多層膜や吸収層が形成される基板の成膜面に対する裏面。静電チャックで吸着保持される側の面）に高誘電率の導電膜を形成することが行われている。
【0008】
静電チャック時の振動や静電チャックのクランプ構造物との接触により、導電膜の膜剥れが発生する場合がある。静電チャック時に導電膜の膜剥れ等によってパーティクルが発生すると、例えば、反射型マスクブランクから電子線照射等によるマスクパターンを形成して反射型マスクを作製する工程における高品質な反射型マスクの実現や、反射型マスクによる露光工程における高精度な転写の実現を阻害するおそれがある。従来の露光用透過型マスクを用いたパターン転写の場合には、露光光の波長が紫外域で比較的長い（１５７～２４８ｎｍ程度）ため、マスク面に凹凸欠陥が生じても、これが重大な欠陥とまではなりにくく、そのため従来では成膜時のパーティクルの発生は課題としては格別認識されていなかった。しかしながら、ＥＵＶ光のような短波長の光を露光光として用いる場合には、マスク面上の微細な凹凸欠陥があっても、転写像への影響が大きくなるため、パーティクルの発生は無視できない。
【0009】
特許文献１に記載の多層反射膜付基板では、基板を挟んで多層反射膜と反対側に、基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜を形成し、基板の少なくとも面取面と側面には導電膜が形成されていないため、基板の周縁部にも導電膜を形成した場合の周縁部の膜剥れによるパーティクルの発生を防止することができ、静電チャック時に基板の反りが生じても、基板周縁部からのパーティクルの発生を防止することができる、としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【文献】特開２００５－２１００９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明者らは、特許文献１に記載の多層反射膜付基板のように、基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜を形成した場合、静電チャック時のパーティクルの発生を抑制できないことを見出した。
【0012】
本発明は、静電チャック時のパーティクルの発生が抑制された反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用の導電膜付基板の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
［１］ ガラス基板と、
上記ガラス基板の一方の主面上に配置された導電膜とを有する導電膜付基板であって、
上記導電膜の周縁に傾斜部を有し、
上記傾斜部における上記導電膜の厚さが上記導電膜の中心部の膜厚の１０％となる位置から、上記ガラス基板の縁端部までの距離が３．００ｍｍ以下であり、
上記傾斜部の端部から上記ガラス基板の縁端部までの距離が０．００ｍｍ超である、導電膜付基板。
［２］ 上記ガラス基板の主面の周縁部に面取り面を有し、上記傾斜部の端部の少なくとも一部が上記面取り面内に位置する、［１］に記載の導電膜付基板。
［３］ 上記傾斜部の端部の全てが上記面取り面内に位置する、［２］に記載の導電膜付基板。
［４］ 上記傾斜部における上記導電膜の厚さが上記導電膜の中心部の膜厚の１０％となる位置が、上記面取り面内に位置しない、［１］～［３］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［５］ 上記導電膜のヤング率が５０．０ＧＰａ以上である、［１］～［４］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［６］ 上記導電膜のシート抵抗が１５０．００Ω／ｓｑ以下である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［７］ 上記導電膜が、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、［１］～［６］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［８］ ［１］～［７］のいずれか１つに記載の導電膜付基板と、
上記導電膜付基板の上記ガラス基板の上記導電膜が配置された主面とは反対側の主面上に配置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
上記反射層上に配置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、反射型マスクブランク。
［１］ ガラス基板と、
上記ガラス基板の一方の主面上に配置された導電膜とを有する導電膜付基板であって、
上記導電膜の周縁に傾斜部を有し、
上記傾斜部における上記導電膜の厚さが上記導電膜の中心部の膜厚の１０％となる位置から、上記ガラス基板の縁端部までの距離が３．００ｍｍ以下であり、
上記傾斜部の端部から上記ガラス基板の縁端部までの距離が０．００ｍｍ超である、導電膜付基板。
［２］ 上記ガラス基板の主面の周縁部に面取り面を有し、上記傾斜部の端部の少なくとも一部が上記面取り面内に位置する、［１］に記載の導電膜付基板。
［３］ 上記傾斜部の端部の全てが上記面取り面内に位置する、［２］に記載の導電膜付基板。
［４］ 上記傾斜部における上記導電膜の厚さが上記導電膜の中心部の膜厚の１０％となる位置が、上記面取り面内に位置しない、［１］～［３］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［５］ 上記導電膜のヤング率が５０．０ＧＰａ以上である、［１］～［４］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［６］ 上記導電膜のシート抵抗が１５０．００Ω／ｓｑ以下である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［７］ 上記導電膜が、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、［１］～［６］のいずれか１つに記載の導電膜付基板。
［８］ ［１］～［７］のいずれか１つに記載の導電膜付基板と、
上記導電膜付基板の上記ガラス基板の上記導電膜が配置された主面とは反対側の主面上に配置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
上記反射層上に配置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、反射型マスクブランク。
【発明の効果】
【0014】
本発明の反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用の導電膜付基板は、静電チャック時のパーティクルの発生が抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面を参照して本発明の導電膜付基板を説明する。
図１は、本発明の導電膜付基板の１実施形態を示す平面図である。図１に示す導電膜付基板は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の一方の主面上に配置された導電膜とを有する。但し、記載の都合上、図１では、導電膜が省略されている。
図２は、図１に示す導電膜付基板のＸ－Ｘ´線における概略断面図である。
図１は、本発明の導電膜付基板の１実施形態を示す平面図である。図１に示す導電膜付基板は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の一方の主面上に配置された導電膜とを有する。但し、記載の都合上、図１では、導電膜が省略されている。
図２は、図１に示す導電膜付基板のＸ－Ｘ´線における概略断面図である。
【0017】
図２に示す導電膜付基板の導電膜２０は周縁に傾斜部２３を有している。
本明細書において、導電膜２０の傾斜部２３とは、膜厚が略一定、具体的には、導電膜２０の膜厚の変化が中心部２１の膜厚に対して±２％以内の平坦部２２との境界Ｅ、Ｅ´から、導電膜２０の端部（縁端部）Ｃ、Ｃ´に向けて導電膜２０の膜厚が減少する部位を指す。
導電膜２０の中心部２１とは、ガラス基板１０の主面の中心と略同一であればよく、例えばガラス基板１０の主面の中心から１ｍｍの範囲内の任意の１点としてよい。
傾斜部２３は、図２に示すように、その導電膜２０の端部Ｃ、Ｃ´に向けて漸次膜厚が減少することが好ましい。傾斜部２３の端部とは、導電膜の膜厚が略一定である平坦部２２とは反対側に位置する傾斜部２３の端部である。
本明細書において、導電膜２０の傾斜部２３とは、膜厚が略一定、具体的には、導電膜２０の膜厚の変化が中心部２１の膜厚に対して±２％以内の平坦部２２との境界Ｅ、Ｅ´から、導電膜２０の端部（縁端部）Ｃ、Ｃ´に向けて導電膜２０の膜厚が減少する部位を指す。
導電膜２０の中心部２１とは、ガラス基板１０の主面の中心と略同一であればよく、例えばガラス基板１０の主面の中心から１ｍｍの範囲内の任意の１点としてよい。
傾斜部２３は、図２に示すように、その導電膜２０の端部Ｃ、Ｃ´に向けて漸次膜厚が減少することが好ましい。傾斜部２３の端部とは、導電膜の膜厚が略一定である平坦部２２とは反対側に位置する傾斜部２３の端部である。
【0018】
本発明の導電膜付基板における導電膜２０の大きさは、ガラス基板１０の寸法により異なるが、ガラス基板１０が１５２ｍｍ角のガラス基板の場合、導電膜２０は１４８ｍｍ角以上１５２ｍｍ角未満が好ましく、１５０ｍｍ角以上１５２ｍｍ角未満がより好ましい。
【0019】
図２中、平坦部２２との境界Ｅ、Ｅ´と、導電膜２０の端部Ｃ、Ｃ´との距離で表される傾斜部２３の長さの平均値は、０．１０～２．５０ｍｍが好ましく、０．１０～１．６０ｍｍがより好ましい。なお、平坦部２２との境界Ｅ、Ｅ´と、導電膜２０の端部Ｃ、Ｃ´との距離で表される傾斜部２３の長さの平均値は、例えば、ガラス基板１０の角部から辺方向に１５ｍｍの位置計８点において傾斜部２３の長さを測定して、それらを算術平均した値である。
【0020】
本発明の導電膜付基板において、導電膜２０の端部Ｃ－Ｃ´間の距離で表される導電膜２０の最大長に対する、傾斜部２３の長さの比率は、１．７０％以下が好ましく、１．１０％以下がより好ましい。上記比率の下限は、０．０７％以上の場合が多い。
【0021】
本発明の導電膜付基板は、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）、および、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ´までの距離（ｄ´１）が、それぞれ３．００ｍｍ以下である。なお、上記距離は、傾斜部２３における導電膜２０の膜厚が導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置から最も近いガラス基板１０の縁端部Ａまたは縁端部Ａ´までの距離に該当する。以下では、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）、および、傾斜部２３における導電膜２０の膜厚が導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ´までの距離（ｄ´１）を、まとめて傾斜部２３の位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）、とも記載する。
導電膜２０の厚さが、導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる部位は、傾斜部２３であってもガラス基板１０に対する密着性が十分高い。導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）が３．００ｍｍ以下であれば、導電膜２０の傾斜部２３の位置のＤがガラス基板１０の十分外側に位置しているため、静電チャック時に、導電膜２０の傾斜部２３のうち、膜厚が小さく、ガラス基板１０に対する密着性が低い部位が、静電チャックのクランプ構造物と接触する可能性が低い。そのため、導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）が３．００ｍｍ以下であれば、静電チャック時の振動や静電チャックのクランプ構造物との接触による導電膜の膜剥れが生じにくい。
なお、本発明の導電膜付基板における傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´の場所によって、導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離が異なる場合、導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が３．００ｍｍ以下である。
導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離（距離の最大値）は２．５０ｍｍ以下が好ましく、１．５０ｍｍ以下がより好ましく、１．００ｍｍ以下がさらに好ましい。上記距離の下限は、０．１０ｍｍ以上の場合が多い。
また、本発明の導電膜付基板は、傾斜部を有することで、傾斜部を有さない場合（導電膜の膜厚が一定である場合）と比較して、導電膜端部での膜応力を小さくすることができ、膜応力による膜剥離を抑制できる。また、導電膜付基板が傾斜部を有することで、導電膜の端部とガラス基板とがなす角を大きくでき、導電膜の端部とガラス基板が接触する部分に、洗浄時の薬液、およびパーティクル等の異物が留まることを抑制できる。
導電膜２０の厚さが、導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる部位は、傾斜部２３であってもガラス基板１０に対する密着性が十分高い。導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）が３．００ｍｍ以下であれば、導電膜２０の傾斜部２３の位置のＤがガラス基板１０の十分外側に位置しているため、静電チャック時に、導電膜２０の傾斜部２３のうち、膜厚が小さく、ガラス基板１０に対する密着性が低い部位が、静電チャックのクランプ構造物と接触する可能性が低い。そのため、導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ１）が３．００ｍｍ以下であれば、静電チャック時の振動や静電チャックのクランプ構造物との接触による導電膜の膜剥れが生じにくい。
なお、本発明の導電膜付基板における傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´の場所によって、導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離が異なる場合、導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が３．００ｍｍ以下である。
導電膜２０の傾斜部２３の位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離（距離の最大値）は２．５０ｍｍ以下が好ましく、１．５０ｍｍ以下がより好ましく、１．００ｍｍ以下がさらに好ましい。上記距離の下限は、０．１０ｍｍ以上の場合が多い。
また、本発明の導電膜付基板は、傾斜部を有することで、傾斜部を有さない場合（導電膜の膜厚が一定である場合）と比較して、導電膜端部での膜応力を小さくすることができ、膜応力による膜剥離を抑制できる。また、導電膜付基板が傾斜部を有することで、導電膜の端部とガラス基板とがなす角を大きくでき、導電膜の端部とガラス基板が接触する部分に、洗浄時の薬液、およびパーティクル等の異物が留まることを抑制できる。
【0022】
本発明の導電膜付基板は、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ２）、および、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ´までの距離（ｄ´２）は、それぞれ０．００ｍｍ超である。なお、上記距離は、導電膜２０の傾斜部２３の端部から最も近いガラス基板１０の縁端部までの距離に該当する。以下では、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ２）、および、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ´までの距離（ｄ´２）を、まとめて導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離（ｄ２）とも記載する。
本発明の導電膜付基板を用いて反射型マスクブランクを作製する場合、ガラス基板の両方の主面に膜が形成される。すなわち、導電膜が形成された主面に対し裏面側の主面に反射多層膜および吸収層が形成される。そのため、ガラス基板の側面に着膜が生じると、ガラス基板の両方の主面に形成された膜間で導通が生じる可能性がある。ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じると、反射型マスクブランクをパターニングして反射型フォトマスクを作製する際に実施する電子線描画において、既存技術である透過型のマスクブランクと等価回路が変化してしまうために、既存の電子線描画装置で設計通りのパターンを描画できなくなることがある。導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離が０．００ｍｍ超であれば、ガラス基板１０の側面に導電膜２０が存在しない。そのため、本発明の導電膜付基板を用いて反射型マスクブランクを作製した際に、ガラス基板の両方の主面に形成された膜間で導通が生じるおそれがない。
なお、本発明の導電膜付基板における傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´の場所によって、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離が異なる場合、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最小値が０．００ｍｍ超である。
導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の平均値は２．９０ｍｍ以下が好ましく、２．４０ｍｍ以下がより好ましく、１．４０ｍｍ以下がさらに好ましく、０．９０ｍｍ以下が特に好ましい。なお、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の平均値は、例えば、ガラス基板１０の角部から辺方向に１５ｍｍの位置計８点において導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離を測定して、それらを算術平均した値である。
本発明の導電膜付基板を用いて反射型マスクブランクを作製する場合、ガラス基板の両方の主面に膜が形成される。すなわち、導電膜が形成された主面に対し裏面側の主面に反射多層膜および吸収層が形成される。そのため、ガラス基板の側面に着膜が生じると、ガラス基板の両方の主面に形成された膜間で導通が生じる可能性がある。ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じると、反射型マスクブランクをパターニングして反射型フォトマスクを作製する際に実施する電子線描画において、既存技術である透過型のマスクブランクと等価回路が変化してしまうために、既存の電子線描画装置で設計通りのパターンを描画できなくなることがある。導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離が０．００ｍｍ超であれば、ガラス基板１０の側面に導電膜２０が存在しない。そのため、本発明の導電膜付基板を用いて反射型マスクブランクを作製した際に、ガラス基板の両方の主面に形成された膜間で導通が生じるおそれがない。
なお、本発明の導電膜付基板における傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´の場所によって、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離が異なる場合、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最小値が０．００ｍｍ超である。
導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の平均値は２．９０ｍｍ以下が好ましく、２．４０ｍｍ以下がより好ましく、１．４０ｍｍ以下がさらに好ましく、０．９０ｍｍ以下が特に好ましい。なお、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の平均値は、例えば、ガラス基板１０の角部から辺方向に１５ｍｍの位置計８点において導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離を測定して、それらを算術平均した値である。
【0023】
図１、２に示す導電膜付基板のように、ガラス基板１０の主面の周縁部に面取り面１２を有する場合、傾斜部の端部Ｃ、Ｃ´の少なくとも一部が面取り面１２内に位置するのが好ましく、傾斜部の端部Ｃ、Ｃ´の全てが面取り面１２内に位置するのがより好ましい。
上記態様について、図３を用いて説明する。図３は、本発明の導電膜付基板の１実施形態のガラス基板の周縁部を拡大した概略断面図である。図３は、ガラス基板の周縁部のうち、一方のみを拡大した概略断面図である。図３に示す導電膜付基板において、ガラス基板１０は、周縁部に面取り面１２を有しており、ガラス基板１０の一方の主面上に導電膜２０を有する。導電膜２０は、図２で説明した態様と同様の傾斜部２３を有している。図３に示す導電膜付基板では、傾斜部２３の端部Ｃは、面取り面１２内に位置している。なお、上記と同様に、傾斜部２３は、導電膜２０の中心部（図３では図示せず）の膜厚に対する膜厚の変化が±２％以内の平坦部２２との境界Ｅから、導電膜２０の端部Ｃに向けて導電膜２０の膜厚が減少する部位を指す。
なお、図３に示す導電膜付基板においても、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部（図３では図示せず）の膜厚の１０％となる位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離は３．００ｍｍ以下であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離は０．００ｍｍ超である。上記それぞれの距離の好ましい範囲は、上述した態様と同様である。
図３は、ガラス基板１０の周縁部のうち、一方のみについて傾斜部２３の端部Ｃが面取り面１２内に位置する拡大図であったが、もう一方の傾斜部２３の端部Ｃ´についても同様に面取り面１２内に位置することが好ましい。
傾斜部の端部Ｃ、Ｃ´が面取り面１２内に位置すると、ガラス基板１０に対する導電膜２０の密着性が高くなるため、導電膜２０の膜剥がれが生じにくい。
但し、導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´が、ガラス基板１０の面取り面１２内に位置しない場合、導電膜２０の膜剥がれが生じにくい。そのため、位置Ｄ、Ｄ´が、ガラス基板１０の面取り面１２内に位置しないことが好ましい。
上記態様について、図３を用いて説明する。図３は、本発明の導電膜付基板の１実施形態のガラス基板の周縁部を拡大した概略断面図である。図３は、ガラス基板の周縁部のうち、一方のみを拡大した概略断面図である。図３に示す導電膜付基板において、ガラス基板１０は、周縁部に面取り面１２を有しており、ガラス基板１０の一方の主面上に導電膜２０を有する。導電膜２０は、図２で説明した態様と同様の傾斜部２３を有している。図３に示す導電膜付基板では、傾斜部２３の端部Ｃは、面取り面１２内に位置している。なお、上記と同様に、傾斜部２３は、導電膜２０の中心部（図３では図示せず）の膜厚に対する膜厚の変化が±２％以内の平坦部２２との境界Ｅから、導電膜２０の端部Ｃに向けて導電膜２０の膜厚が減少する部位を指す。
なお、図３に示す導電膜付基板においても、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部（図３では図示せず）の膜厚の１０％となる位置Ｄからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離は３．００ｍｍ以下であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃからガラス基板１０の縁端部Ａまでの距離は０．００ｍｍ超である。上記それぞれの距離の好ましい範囲は、上述した態様と同様である。
図３は、ガラス基板１０の周縁部のうち、一方のみについて傾斜部２３の端部Ｃが面取り面１２内に位置する拡大図であったが、もう一方の傾斜部２３の端部Ｃ´についても同様に面取り面１２内に位置することが好ましい。
傾斜部の端部Ｃ、Ｃ´が面取り面１２内に位置すると、ガラス基板１０に対する導電膜２０の密着性が高くなるため、導電膜２０の膜剥がれが生じにくい。
但し、導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´が、ガラス基板１０の面取り面１２内に位置しない場合、導電膜２０の膜剥がれが生じにくい。そのため、位置Ｄ、Ｄ´が、ガラス基板１０の面取り面１２内に位置しないことが好ましい。
【0024】
本発明の導電膜付基板の導電膜２０は、ヤング率が５０．０ＧＰａ以上であることが好ましく、１００．０ＧＰａ以上であることがより好ましい。ヤング率の上限は、４００．０ＧＰａ以下の場合が多い。導電膜２０のヤング率が５０．０ＧＰａ以上であると、導電膜２０が表面硬度に優れており、静電チャック時に膜剥がれが生じにくい。
【0025】
本発明の導電膜付基板の導電膜２０は、シート抵抗が１５０．００Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、１００．００Ω／ｓｑ以下であることがより好ましく、３０．００Ω／ｓｑ以下であることがさらに好ましい。シート抵抗の下限は、０．１０Ω／ｓｑ以上の場合が多い。シート抵抗が１００．００Ω／ｓｑ以下であると、導電膜付基板を確実に静電チャックすることができる。
【0026】
本発明の導電膜付基板の導電膜２０は、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。導電膜２０がこれらの元素を含むと、導電膜２０のシート抵抗が低くなるため、静電チャック時のチャック力が向上する。
上記の元素を含む導電膜２０の構成材料の具体例としては、ＣｒＮ、ＴａＢ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、Ｇｅ単体、Ｓｉ単体が挙げられる。
上記の元素を含む導電膜２０の構成材料の具体例としては、ＣｒＮ、ＴａＢ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、Ｇｅ単体、Ｓｉ単体が挙げられる。
【0027】
導電膜２０は、中心部２１の膜厚が５ｎｍ以上であることが好ましい。導電膜２０の中心部２１の膜厚が５ｎｍ以上だと、静電チャック時にチャック力が十分であり、静電チャック時に高電圧を引加してもガラス基板１０が絶縁破壊するおそれがない。中心部２１の膜厚は１０ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上がさらに好ましい。
導電膜２０は、中心部２１の膜厚が５００ｎｍ以下であることが好ましい。導電膜２０の中心部２１の膜厚が５００ｎｍ以下だと、導電膜２０の形成に要する時間が増加することがなく、導電膜２０の形成に要するコストが増加することがない。また、導電膜２０の膜厚が必要以上に大きくないため、膜剥れが発生するおそれが増加することがない。導電膜２０の中心部２１の膜厚は４５０ｎｍ以下がより好ましく、４００ｎｍ以下がさらに好ましい。
なお、導電膜２０の中心部２１の膜厚は、Ｘ線反射法（ＸＸＲ）、Ｘ線蛍光分析法（ＸＲＦ）、断面ＳＥＭ、断面ＴＥＭ、エリプソメトリー等、公知の手段で測定できる。これらの中でも、精度の観点から、断面ＳＥＭおよび断面ＴＥＭが好ましい。
導電膜２０は、中心部２１の膜厚が５００ｎｍ以下であることが好ましい。導電膜２０の中心部２１の膜厚が５００ｎｍ以下だと、導電膜２０の形成に要する時間が増加することがなく、導電膜２０の形成に要するコストが増加することがない。また、導電膜２０の膜厚が必要以上に大きくないため、膜剥れが発生するおそれが増加することがない。導電膜２０の中心部２１の膜厚は４５０ｎｍ以下がより好ましく、４００ｎｍ以下がさらに好ましい。
なお、導電膜２０の中心部２１の膜厚は、Ｘ線反射法（ＸＸＲ）、Ｘ線蛍光分析法（ＸＲＦ）、断面ＳＥＭ、断面ＴＥＭ、エリプソメトリー等、公知の手段で測定できる。これらの中でも、精度の観点から、断面ＳＥＭおよび断面ＴＥＭが好ましい。
【0028】
本発明の導電膜付基板において、導電膜２０は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法；ＣＶＤ法；真空蒸着法といった乾式成膜法を用いて形成できる。例えば、導電膜２０として、ＣｒＮ膜を形成する場合、ターゲットをＣｒターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ２の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を形成すればよい。また、例えば、導電膜２０として、ＴａＢ膜を形成する場合、ＴａＢの化合物ターゲットを使用し、スパッタガスをＡｒガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を形成すればよい。
【0029】
また、面取り部に精度良く導電膜を成膜する際、成膜装置の精密な制御が求められる場合がある。面取り部に対して製膜を行う場合、例えば、特願２０２１－１３９５２１に記載の基板保持装置を用いてガラス基板を保持すると、精度よく位置調整ができ、精度良く導電膜を成膜可能である。
【0030】
本発明の導電膜付基板のガラス基板１０を構成するガラスは、熱膨張係数が小さくかつそのばらつきの小さいことが好ましい。具体的には２０℃における熱膨張係数の絶対値が６００ｐｐｂ／℃以下の低熱膨張ガラスが好ましく、２０℃における熱膨張係数が４００ｐｐｂ／℃以下の超低熱膨張ガラスがより好ましく、２０℃における熱膨張係数が１００ｐｐｂ／℃以下の超低熱膨張ガラスがさらに好ましく、２０℃における熱膨張係数が３０ｐｐｂ／℃以下の超低熱膨張ガラスが特に好ましい。
上記低熱膨張ガラスおよび超低熱膨張ガラスとしては、ＳｉＯ２を主成分とするガラス、典型的には合成石英ガラスが使用できる。具体的には、例えば合成石英ガラスや、ＳｉＯ２を主成分とし１～１２質量％のＴｉＯ２を含む合成石英ガラスが挙げられる。
上記低熱膨張ガラスおよび超低熱膨張ガラスとしては、ＳｉＯ２を主成分とするガラス、典型的には合成石英ガラスが使用できる。具体的には、例えば合成石英ガラスや、ＳｉＯ２を主成分とし１～１２質量％のＴｉＯ２を含む合成石英ガラスが挙げられる。
【0031】
ガラス基板１０の大きさや厚さ等は、本発明の導電膜付基板を用いて作製される反射型マスクブランクの設計値等により適宜決定される。一例を挙げると、外形１５２ｍｍ角で、厚さ６．３ｍｍである。ガラス基板１０が面取り面１２を有する場合、ガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´からガラス基板１０の主面の端部Ｂ、Ｂ´までの距離で表される面取り面１２の幅はガラス基板の仕様によって異なるが、１５２ｍｍ角のガラス基板の場合、０．２～０．６ｍｍである。
【0032】
本発明の反射型マスクブランクは、本発明の導電膜付基板と、導電膜付基板のガラス基板の導電膜が配置された主面とは反対側の主面上に配置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、反射層上に配置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する。
【0033】
反射層は、反射型マスクブランクの反射層として、特に、ＥＵＶ光の反射率が高い特性が要求される。具体的には、ＥＵＶ光を入射角６度で反射層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
【0034】
反射層は、高いＥＵＶ光の反射率を達成できることから、通常はＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折率層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層が多層反射膜の場合、高屈折率層には、Ｓｉが広く使用され、低屈折率層にはＭｏが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
【0035】
反射層をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光の反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ光の反射率の最大値が６０％以上の反射層４０とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ膜と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ膜とを繰り返し単位数が３０～６０になるように積層させればよい。
【0036】
なお、反射層が多層反射膜の場合、本発明の導電膜付基板を静電チャックで保持して、多層反射膜を構成する各層を、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて所望の厚さになるように、ガラス基板の導電膜が形成された主面に対し裏面側の主面に成膜する。
【0037】
吸収層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、１％以下が特に好ましい。
【0038】
上記の特性を達成するため、吸収層は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを２０ａｔ％以上含む材料を意味する。
【0039】
吸収層に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含むことが好ましい。Ｔａ以外の上記の元素を含む材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＳｎ、ＴａＰｄＮ、ＴａＳｎ、ＴａＣｒ、ＴａＭｎ、ＴａＦｅ、ＴａＣｏ、ＴａＡｇ、ＴａＣｄ、ＴａＩｎ、ＴａＳｂ、ＴａＷが挙げられる。
【0040】
上記した構成の吸収層は、本発明の多層反射膜付基板の導電膜を静電チャックで保持して、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて、反射層上に成膜する。
【0041】
吸収層の膜厚は、２０ｎｍ～９０ｎｍが好ましい。
【0042】
本発明の反射型マスクブランクでは、反射層と吸収層との間に保護層が形成されてもよい。保護層は、吸収層をエッチングして、吸収層にマスクパターンを形成する際に、反射層がエッチングによるダメージを受けないよう、反射層を保護することを目的として設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収層のエッチングによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層よりも遅く、しかもこのエッチングによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ＲｕおよびＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物が例示される。
また、保護層を形成する場合、その厚さは１ｎｍ～６０ｎｍが好ましく、１ｎｍ～４０ｎｍがより好ましい。
また、保護層を形成する場合、その厚さは１ｎｍ～６０ｎｍが好ましく、１ｎｍ～４０ｎｍがより好ましい。
【実施例】
【0043】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。例１～例５のうち、例１～例４が実施例であり、例５が比較例である。
【0044】
例１
例１では、図１、２に示す導電膜付基板を作製した。
成膜用のガラス基板１０として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ、面取り面１２の幅が０．４ｍｍ）を使用した。
例１では、図１、２に示す導電膜付基板を作製した。
成膜用のガラス基板１０として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ、面取り面１２の幅が０．４ｍｍ）を使用した。
【0045】
次に、ターゲットとして、ガラス基板１０の一方の主面に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜２０としてＣｒＮ膜を形成して、図１、２に示す導電膜付基板を作製した。ＣｒＮ膜の形成時、Ｃｒターゲットを使用し、スパッタガスとして、ＡｒとＮ２の混合ガスを使用した。
ＣｒＮ膜が形成される領域を制限するため、特願２０２１－１３９５２１に記載されている基板保持装置を用いてガラス基板１０を保持し、ガラス基板１０上に、所定の開口サイズの遮蔽部材をガラス基板との間隔が所定となるよう配置した。
作製した導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値は２．８５ｍｍであり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であった。また、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していなかった。なお、傾斜部２３は、その端部Ｃ、Ｃ´に向けて漸次膜厚が減少していた。
また、導電膜２０の長さを表す傾斜部２３の端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値は１４９．９０ｍｍであり、傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´と、ガラス基板の縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値は１．０５ｍｍであり、傾斜部２３の長さを表す平坦部２２との境界Ｅ、Ｅ´と、傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値は２．５０ｍｍであった。これらの平均値は、ガラス基板１０の角部から辺方向に１５ｍｍの位置計８点において測定して、それらを算術平均した値である。
導電膜２３のヤング率をｉＭｉｃｒｏ（ＫＬＡ社）を用いて測定したところ、導電膜２３のヤング率は、２４２．３ＧＰａであった。
導電膜２３のシート抵抗をロレスタ－ＧＸ（日東精工アナリテック社）を用いて測定したところ、導電膜２３のシート抵抗値は、２．６１Ω／□であった。
作製した導電膜付基板の導電膜２０を静電チャックのチャック面に吸着させ、真空中で静電チャックを３０ｒｐｍで回転させながら２時間保持した。静電チャックは、チャック面は円形であり、最も外側に位置する電極間距離は１４１．５ｍｍであった。静電チャックの電極間電圧は１２００Ｖとした。
上記の手順で導電膜付基板を６枚作製した。作製した導電膜付基板について、静電チャックによる保持前後の欠陥数を、欠陥検査装置を用いて測定した。具体的には、導電膜付基板の導電膜が形成されている側の面における、大きさ１００～１５０ｎｍの欠陥の数（欠陥数）を、検査エリアを１４６ｍｍ角として測定した。静電チャックによる保持前後の欠陥数の差を求め、６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数が１５以下の場合、静電チャック時のパーティクルの発生が少ない。
ＣｒＮ膜が形成される領域を制限するため、特願２０２１－１３９５２１に記載されている基板保持装置を用いてガラス基板１０を保持し、ガラス基板１０上に、所定の開口サイズの遮蔽部材をガラス基板との間隔が所定となるよう配置した。
作製した導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値は２．８５ｍｍであり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であった。また、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していなかった。なお、傾斜部２３は、その端部Ｃ、Ｃ´に向けて漸次膜厚が減少していた。
また、導電膜２０の長さを表す傾斜部２３の端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値は１４９．９０ｍｍであり、傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´と、ガラス基板の縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値は１．０５ｍｍであり、傾斜部２３の長さを表す平坦部２２との境界Ｅ、Ｅ´と、傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値は２．５０ｍｍであった。これらの平均値は、ガラス基板１０の角部から辺方向に１５ｍｍの位置計８点において測定して、それらを算術平均した値である。
導電膜２３のヤング率をｉＭｉｃｒｏ（ＫＬＡ社）を用いて測定したところ、導電膜２３のヤング率は、２４２．３ＧＰａであった。
導電膜２３のシート抵抗をロレスタ－ＧＸ（日東精工アナリテック社）を用いて測定したところ、導電膜２３のシート抵抗値は、２．６１Ω／□であった。
作製した導電膜付基板の導電膜２０を静電チャックのチャック面に吸着させ、真空中で静電チャックを３０ｒｐｍで回転させながら２時間保持した。静電チャックは、チャック面は円形であり、最も外側に位置する電極間距離は１４１．５ｍｍであった。静電チャックの電極間電圧は１２００Ｖとした。
上記の手順で導電膜付基板を６枚作製した。作製した導電膜付基板について、静電チャックによる保持前後の欠陥数を、欠陥検査装置を用いて測定した。具体的には、導電膜付基板の導電膜が形成されている側の面における、大きさ１００～１５０ｎｍの欠陥の数（欠陥数）を、検査エリアを１４６ｍｍ角として測定した。静電チャックによる保持前後の欠陥数の差を求め、６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数が１５以下の場合、静電チャック時のパーティクルの発生が少ない。
【0046】
（例２、３）
遮蔽部材の開口サイズとガラス基板との間隔を変更した以外は、例１と同様の手順で導電膜付基板を作製した。作製した導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が下記表に示す値であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していた。
また、端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値、端部Ｃ、Ｃ´と、縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値、境界Ｅ、Ｅ´と、端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値、導電膜２３のヤング率およびシート抵抗値は下記表に示す値であった。
導電膜付基板は、各々６枚作製し、静電チャックによる吸着保持前後の欠陥数を測定した。６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。結果を下記表に示す。
遮蔽部材の開口サイズとガラス基板との間隔を変更した以外は、例１と同様の手順で導電膜付基板を作製した。作製した導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が下記表に示す値であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していた。
また、端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値、端部Ｃ、Ｃ´と、縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値、境界Ｅ、Ｅ´と、端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値、導電膜２３のヤング率およびシート抵抗値は下記表に示す値であった。
導電膜付基板は、各々６枚作製し、静電チャックによる吸着保持前後の欠陥数を測定した。６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。結果を下記表に示す。
【0047】
（例４）
ＴａＢ化合物ターゲットを使用し、スパッタガスとして、Ａｒガスを使用して、ガラス基板１０の一方の主面に形成する導電膜２０としてＴａＢ膜を形成した点、および遮蔽部材の開口サイズとガラス基板との間隔を変更した点以外は、例１と同様の手順で導電膜付基板を作製した。導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が下記表に示す値であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していた。
また、端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値、端部Ｃ、Ｃ´と、縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値、境界Ｅ、Ｅ´と、端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値、導電膜２３のヤング率およびシート抵抗値は下記表に示す値であった。
導電膜付基板は６枚作製し、静電チャックによる吸着保持前後の欠陥数を測定した。６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。結果を下記表に示す。
ＴａＢ化合物ターゲットを使用し、スパッタガスとして、Ａｒガスを使用して、ガラス基板１０の一方の主面に形成する導電膜２０としてＴａＢ膜を形成した点、および遮蔽部材の開口サイズとガラス基板との間隔を変更した点以外は、例１と同様の手順で導電膜付基板を作製した。導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が下記表に示す値であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していた。
また、端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値、端部Ｃ、Ｃ´と、縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値、境界Ｅ、Ｅ´と、端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値、導電膜２３のヤング率およびシート抵抗値は下記表に示す値であった。
導電膜付基板は６枚作製し、静電チャックによる吸着保持前後の欠陥数を測定した。６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。結果を下記表に示す。
【0048】
（例５）
遮蔽部材の開口サイズとガラス基板との間隔を変更した以外は、例１と同様の手順で導電膜付基板を作製した。作製した導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が下記表に示す値であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していなかった。
また、端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値、端部Ｃ、Ｃ´と、縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値、境界Ｅ、Ｅ´と、端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値、導電膜２３のヤング率およびシート抵抗値は下記表に示す値であった。
導電膜付基板は６枚作製し、静電チャックによる吸着保持前後の欠陥数を測定した。６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。結果を下記表に示す。
遮蔽部材の開口サイズとガラス基板との間隔を変更した以外は、例１と同様の手順で導電膜付基板を作製した。作製した導電膜付基板は、導電膜２０の端部に傾斜部２３を有しており、傾斜部２３の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が下記表に示す値であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０ｍｍ超であり、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´は、ガラス基板１０の面取り面内に位置していなかった。
また、端部Ｃ－Ｃ´間の距離の平均値、端部Ｃ、Ｃ´と、縁端部Ａ、Ａ´との距離の平均値、境界Ｅ、Ｅ´と、端部Ｃ、Ｃ´との距離の平均値、導電膜２３のヤング率およびシート抵抗値は下記表に示す値であった。
導電膜付基板は６枚作製し、静電チャックによる吸着保持前後の欠陥数を測定した。６枚の導電膜付き基板の平均値を１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数として示した。結果を下記表に示す。
【0049】
【表1】
【0050】
傾斜部２３における導電膜２０の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が３．００ｍｍ以下、導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離は０．００ｍｍ超の例１～例４は、１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数が１５．０以下であり、静電チャック時のパーティクルの発生が抑制されたことで、パーティクルに起因して発生する欠陥を抑制できたと考えられる。導電膜２０の傾斜部２３の端部Ｃ、Ｃ´が、ガラス基板１０の面取り面内に位置している例２～４は、１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数が１０．０以下であり、静電チャック時のパーティクルの発生がより抑制され、パーティクルに起因して発生する欠陥を抑制できたと考えられる。傾斜部２３の厚さが導電膜２０の中心部２１の膜厚の１０％となる位置Ｄ、Ｄ´からガラス基板１０の縁端部Ａ、Ａ´までの距離の最大値が３．００ｍｍ超の例５は、１４６ｍｍ角検査エリア領域の欠陥数が１５．０超であり、静電チャック時に多くパーティクルが発生したと考えられる。
【符号の説明】
【0051】
１０：ガラス基板
１２：面取り面
２０：導電膜
２１：中心部
２２：平坦部
２３：傾斜部
１２：面取り面
２０：導電膜
２１：中心部
２２：平坦部
２３：傾斜部
【図1】
【図2】
【図3】
