特許7328334階段貫通コンタクトを有する三次元メモリデバイスおよびその形成方法

発明の名称　階段貫通コンタクトを有する三次元メモリデバイスおよびその形成方法

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 436 位（63件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 427 位（55件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7328334

公報発行日　2023年8月16

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7328334

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