特許7335309３次元メモリデバイスのハイブリッドボンディングコンタクト構造

発明の名称　３次元メモリデバイスのハイブリッドボンディングコンタクト構造

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 438 位（63件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 423 位（57件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7335309

公報発行日　2023年8月29

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7335309

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