特許 7339150 基板処理装置、基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-08-28

(45)【発行日】2023-09-05

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230829BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20230829BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

H01L21/304 643C

H01L21/30 564C

H01L21/30 564D

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2019230859

(22)【出願日】2019-12-20

(65)【公開番号】P2021100041

(43)【公開日】2021-07-01

【審査請求日】2022-08-01

(73)【特許権者】

【識別番号】308033711

【氏名又は名称】ラピスセミコンダクタ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100084995

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 和詳

(74)【代理人】

【識別番号】100099025

【弁理士】

【氏名又は名称】福田 浩志

(72)【発明者】

【氏名】比恵島 将平

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－９２２４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－４６８５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－４６８３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－３３１５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－９８３６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１１４７７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１８－０１３０８６４（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｂ０８Ｂ １／００

Ｂ０８Ｂ ３／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を水平姿勢で保持して回転させる保持部と、
前記基板の下面に向けて処理液を吐出する吐出部と、
前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記下面に近接する近接位置と、前記下面から離間する離間位置とに配置され、近接位置に配置された状態で、前記吐出部によって吐出された処理液を前記基板の径方向の外側へ流す整流部と、
前記整流部とは別体とされ、前記整流部に対して上下方向に相対移動し、前記保持部によって保持された前記基板の端面を側方から覆う覆い部と、
を備える基板処理装置。

【請求項2】

前記吐出部によって処理液が前記下面に向けて吐出される吐出プロセスでは、前記整流部を近接位置へ配置し、前記基板を回転させて前記吐出プロセスで基板に付着した処理液を前記基板から飛散させる飛散プロセスでは、前記整流部を離間位置へ配置する制御部を備える請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記吐出部は、前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記基板の下面に近接する近接位置と、前記下面から離間する離間位置とに配置され、
前記制御部は、前記吐出プロセスでは、前記吐出部を近接位置に配置し、前記飛散プロセスでは、前記吐出部を離間位置に配置する請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記吐出部は、前記整流部に取り付けられている請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記吐出部と前記整流部とは、前記基板に対して別個に相対移動する請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記覆い部は、前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記保持部によって保持された前記基板の端面を側方から覆う覆い位置と、前記基板の端面を側方へ開放する開放位置とに配置され、
前記制御部は、前記吐出プロセス、及び飛散プロセスでは、前記覆い部を前記覆い位置に配置し、前記基板を前記保持部に保持させる保持プロセス、及び基板を前記保持部から離脱させる離脱プロセスでは、前記覆い部を、前記開放位置に配置する請求項２～５の何れか１項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

水平姿勢で保持されて回転する基板の下面に近接させることで基板の下面に向けて吐出された処理液を前記基板の径方向の外側へ流す整流部を、前記下面に近接する近接位置に配置させ、回転する基板の下面に向けて処理液を吐出させる吐出プロセスと、
処理液の吐出を停止させ、前記整流部を基板の下面から離間する離間位置に配置させ、基板を回転させることで基板に付着した処理液を飛散させる飛散プロセスと、
を備える基板処理方法。

【請求項8】

基板を水平姿勢で保持して回転させる保持部と、
前記基板の下面に向けて処理液を吐出する吐出部と、
前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記下面に近接する近接位置と、前記下面から離間する離間位置とに配置され、近接位置に配置された状態で、前記吐出部によって吐出された処理液を前記基板の径方向の外側へ流す整流部と、
前記吐出部によって処理液が前記下面に向けて吐出される吐出プロセスでは、前記整流部を近接位置へ配置し、前記基板を回転させて前記吐出プロセスで基板に付着した処理液を前記基板から飛散させる飛散プロセスでは、前記整流部を離間位置へ配置する制御部と、
を備える基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、露光処理によって基板にパターンを形成するために、水平姿勢で保持された基板にレジスト液等の塗布液を塗布する基板処理装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－４６８５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の基板処理装置を用いて水平姿勢で保持された基板の下面に処理液を塗布する場合に、基板の下面に向けてノズルから処理液を吐出する吐出プロセスと、吐出プロセスで基板の下面に付着した処理液を、基板を回転させることで飛散させる飛散プロセスとがある。

【0005】

この吐出プロセスでは、基板の下面に対して近接する近接位置に整流部を配置することで、整流部がノズルから下面に向けて吐出された処理液を基板の径方向の外側へ流す。また、基板処理装置には、回転する基板に向けて吐出された処理液が基板の端面から側方へ飛ばないように、基板の端面を側方から覆う覆い部が設けられている。そして、覆い部は、整流部と一体的に形成されている。

【0006】

ここで、吐出プロセスで、基板の下面に向けて吐出された処理液が、整流部に付着してしまうことがある。さらに、飛散プロセスで、整流部に付着した処理液が、基板の下面に再付着して下面が汚れてしまうことがある。そこで、飛散プロセスでは、整流部を下方へ移動させて、基板の下面と整流部とを離間させることが考えられる。しかし、整流部と覆い部とが一体的に形成されているため、整流部を下方へ移動させてしまうと、覆い部が、基板の端面を側方から覆えなくなってしまう。整流部と覆い部とが一体的に形成されているため、覆い部を置き去りにすることができないためである。

【0007】

本発明の課題は、整流部と覆い部とが一体的に形成されている場合と比して、基板の下面に処理液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の第１態様に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して回転させる保持部と、前記基板の下面に向けて処理液を吐出する吐出部と、前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記下面に近接する近接位置と、前記下面から離間する離間位置とに配置され、近接位置に配置された状態で、前記吐出部によって吐出された処理液を前記基板の径方向の外側へ流す整流部と、前記整流部とは別体とされ、前記整流部に対して上下方向に相対移動し、前記保持部によって保持された前記基板の端面を側方から覆う覆い部と、を備えることを特徴とする。

【0009】

以上の構成によれば、保持部が、基板を水平姿勢で保持して回転させる。さらに、吐出部は、基板の下面に向けて処理液を吐出する 覆い部は、保持部によって保持された前記基板の端面を側方から覆う。ここで、整流部と覆い部とは、別体とされている。

【0010】

このため、例えば、吐出部が基板の下面に向けて処理液を吐出する状態では、整流部を、吐出部によって吐出された処理液を基板の径方向の外側へ流す近接位置に配置する。さらに、吐出部が基板の下面に向けて処理液を吐出した後では、整流部を基板の下面から離間する離間位置に配置する。

【0011】

これにより、吐出部が基板の下面に向けて処理液を吐出しているときに整流部に付着した処理液が、基板の下面に再付着するのが抑制される。換言すれば、整流部と覆い部とが一体的に形成されている場合と比して、基板の下面に処理液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【0012】

本発明の第２態様に係る基板処理装置は、第１態様に記載の基板処理装置において、前記吐出部によって処理液が前記下面に向けて吐出される吐出プロセスでは、前記整流部を近接位置へ配置し、前記基板を回転させて前記吐出プロセスで基板に付着した処理液を前記基板から飛散させる飛散プロセスでは、前記整流部を離間位置へ配置する制御部を備えることを備えることを特徴とする。

【0013】

以上の構成によれば、制御部は、吐出部によって処理液が下面に向けて吐出される吐出プロセスでは、整流部を近接位置に配置する。さらに、制御部は、基板を回転させて吐出プロセスで基板に付着した処理液を基板から飛散させる飛散プロセスでは、整流部を離間位置へ配置する。

【0014】

このため、飛散プロセスで整流部が近接位置に配置されている場合と比して、飛散プロセスにおいて基板の下面に処理液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【0015】

本発明の第３態様に係る基板処理装置は、第２態様に記載の基板処理装置において、前記吐出部は、前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記基板の下面に近接する近接位置と、前記下面から離間する離間位置とに配置され、前記制御部は、前記吐出プロセスでは、前記吐出部を近接位置に配置し、前記飛散プロセスでは、前記吐出部を離間位置に配置することを特徴とする。

【0016】

以上の構成によれば、制御部は、吐出プロセスでは、吐出部を近接位置に配置し、飛散プロセスでは、吐出部を離間位置に配置する。これにより、吐出部が常に近接位置に配置される場合と比して、吐出部から吐出させる処理液の吐出圧を低くした上で、飛散プロセスのときに飛散する処理液によって吐出部が汚れるのを抑制することができる。

【0017】

本発明の第４態様に係る基板処理装置は、第３態様に記載の基板処理装置において、前記吐出部は、前記整流部に取り付けられていることを特徴とする。

【0018】

以上の構成によれば、吐出部は、整流部に取り付けられている。このため、吐出部と整流部とを同一の部材（共通の移動手段）を用いて上下移動させることができる。

【0019】

本発明の第５態様に係る基板処理装置は、第３態様に記載の基板処理装置において、前記吐出部と前記整流部とは、前記基板に対して別個に相対移動することを特徴とする。

【0020】

以上の構成によれば、吐出部と整流部とは、基板に対して別個に相対移動する。このため、吐出部の上下方向の位置を変えることなく、処理される基板の仕様に基づいて、整流部の上下位置を調整することができる。

【0021】

本発明の第６態様に係る基板処理装置は、第２～第５態様の何れか１態様に記載の基板処理装置において、前記覆い部は、前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記保持部によって保持された前記基板の端面を側方から覆う覆い位置と、前記基板の端面を側方へ開放する開放位置とに配置され、前記制御部は、前記吐出プロセス、及び飛散プロセスでは、前記覆い部を前記覆い位置に配置し、前記基板を前記保持部に保持させる保持プロセス、及び基板を前記保持部から離脱させる離脱プロセスでは、前記覆い部を、前記開放位置に配置することを特徴とする。

【0022】

以上の構成によれば、制御部は、吐出プロセス、及び飛散プロセスでは、覆い部を覆い位置に配置し、基板を保持部に保持させる保持プロセス、及び基板を保持部から離脱させる離脱プロセスでは、覆い部を、開放位置に配置する。これにより、覆い部が常に覆い位置に配置されている場合と比して、回転する基板から飛散した処理液が基板の側方へ飛散するのを抑制した上で、基板を保持部に対して容易に着脱することができる。

【0023】

本発明の第７態様に係る基板処理方法は、水平姿勢で保持されて回転する基板の下面に近接させることで基板の下面に向けて吐出された処理液を前記基板の径方向の外側へ流す整流部を、前記下面に近接する近接位置に配置させ、回転する基板の下面に向けて処理液を吐出させる吐出プロセスと、処理液の吐出を停止させ、前記整流部を基板の下面から離間する離間位置に配置させ、基板を回転させることで基板に付着した処理液を飛散させる飛散プロセスとを備えることを特徴とする。

【0024】

以上の基板処理方法によると、吐出プロセスでは、回転する基板の下面に近接させることで基板の下面に向けて吐出された処理液を基板の径方向の外側へ流す整流部を、下面に近接する近接位置に配置させ、回転する基板の下面に向けて処理液を吐出させる。さらに、飛散プロセスでは、処理液の吐出を停止させ、整流部を基板の下面から離間する離間位置に配置させ、基板を回転させることで基板に付着した処理液を飛散させて基板を乾燥させる。

【0025】

このように、吐出プロセスで、整流部を近接位置に配置し、飛散プロセスで、整流部を離間位置に配置する。これにより、吐出プロセスで整流部に付着した処理液が、飛散プロセスで基板の下面に再付着するのが抑制される。換言すれば、飛散プロセスで整流部が近接位置に配置されている場合と比して、飛散プロセスにおいて基板の下面に処理液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【0026】

本発明の第８態様に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して回転させる保持部と、前記基板の下面に向けて処理液を吐出する吐出部と、前記基板に対して上下方向に相対移動して、前記下面に近接する近接位置と、前記下面から離間する離間位置とに配置され、近接位置に配置された状態で、前記吐出部によって吐出された処理液を前記基板の径方向の外側へ流す整流部と、前記吐出部によって処理液が前記下面に向けて吐出される吐出プロセスでは、前記整流部を近接位置へ配置し、前記基板を回転させて前記吐出プロセスで基板に付着した処理液を前記基板から飛散させる飛散プロセスでは、前記整流部を離間位置へ配置する制御部と、を備えることを特徴とする。

【0027】

以上の構成によれば、制御部は、吐出部によって処理液が下面に向けて吐出される吐出プロセスでは、整流部を近接位置に配置する。さらに、制御部は、基板を回転させて吐出プロセスで基板に付着した処理液を基板から飛散させる飛散プロセスでは、整流部を離間位置へ配置する。

【0028】

このため、飛散プロセスで整流部が近接位置に配置されている場合と比して、飛散プロセスにおいて基板の下面に処理液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【発明の効果】

【0029】

本発明によれば、整流部と覆い部とが一体的に形成されている場合と比して、基板の下面に処理液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示した全体構成図である。

【図2】（Ａ）（Ｂ）本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の処理工程を示した動作図である。

【図3】（Ａ）（Ｂ）本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の処理工程を示した動作図である。

【図4】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた制御部の制御系を示したブロック図である。

【図5】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の処理工程を示した工程図である。

【図6】本発明の第１実施形態に対する比較形態に係る基板処理装置の構成を示した全体構成図である。

【図7】（Ａ）（Ｂ）本発明の第１実施形態に対する比較形態に係る基板処理装置の処理工程を示した工程図である。

【図8】（Ａ）（Ｂ）本発明の第１実施形態に対する比較形態に係る基板処理装置の処理工程を示した工程図である。

【図9】本発明の第１実施形態に対する比較形態に係る基板処理装置に備えられた制御部の制御系を示したブロック図である。

【図10】本発明の第１実施形態に対する比較形態に係る基板処理装置の処理工程を示した工程図である。

【図11】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示した全体構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0031】

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置、基板処理方法の一例について図１～図１０に従って説明する。なお、図中に示す矢印Ｈは装置上下方向（鉛直方向）を示し、矢印Ｗは装置幅方向（水平方向）を示す。

【0032】

（基板処理装置１００）
基板処理装置１００は、基板Ｋを回転させて基板Ｋを処理する装置であって、図１に示されるように、保持ユニット１０と、処理液吐出ユニット２０と、飛散防止ユニット６０と、整流ユニット７０と、各部を制御する制御部８０とを備えている。本実施形態では、基板Ｋの外径は、一例として、２００〔ｍｍ〕である。

【0033】

〔保持ユニット１０〕
保持ユニット１０は、図１に示されるように、基板Ｋを保持する保持部１２と、保持部１２を回転させるモータ１４とを備えている。

【0034】

保持部１２は、上方から見て円形とされた円盤状とされている。また、保持部１２の外径は、基板Ｋの外径と比して小さくされている。そして、保持部１２の上方を向いた上面１２ａに基板Ｋが吸着されて保持されることで、基板Ｋが、保持部１２によって水平姿勢で保持されるようになっている。

【0035】

モータ１４は、保持部１２の下方に配置され、本体部１４ａと、本体部１４ａから上方向に延びている回転軸１４ｂとを有している。そして、回転軸１４ｂの上端に保持部１２が取り付けられている。

【0036】

この構成において、保持ユニット１０は、モータ１４を稼働させることで、保持部１２によって保持された基板Ｋを、５００〔ｒｐｍ〕以上４０００〔ｒｐｍ〕以下で回転軸ＣＬ０１を中心に回転させる。換言すれば、モータ１４から回転力が伝達された保持部１２は、水平姿勢で保持する基板Ｋを回転させる。

【0037】

〔処理液吐出ユニット２０〕
処理液吐出ユニット２０は、図１に示されるように、保持部１２によって保持された基板Ｋの上面に向けて現像液を吐出する現像ノズル２２と、現像液が貯蔵される現像タンク２４と、現像ノズル２２と現像タンク２４とを連通する連通管２６と、連通管２６の途中に設けられたポンプ２８とを備えている。

【0038】

また、処理液吐出ユニット２０は、保持部１２によって保持された基板Ｋの上面に向けて洗浄液を吐出する洗浄ノズル３２と、洗浄液が貯蔵される洗浄タンク３４と、洗浄ノズル３２と洗浄タンク３４とを連通する連通管３６と、連通管３６の途中に設けられたポンプ３８とを備えている。さらに、処理液吐出ユニット２０は、保持部１２によって保持された基板Ｋの下面に向けて洗浄液を吐出する洗浄ノズル４２と、洗浄ノズル４２と洗浄タンク３４とを連通する連通管４６と、連通管４６の途中に設けられたポンプ４８とを備えている。洗浄ノズル４２は、吐出部の一例であり、洗浄液は、処理液の一例である。

【0039】

現像ノズル２２は、図示せぬフレーム部材に取り付けられ、基板Ｋの上方で、基板Ｋの上面の中央部分に現像液を吐出するように配置されている。また、洗浄ノズル３２は、図示せぬフレーム部材に取り付けられ、基板Ｋの上方で、基板Ｋの上面の中央部分に洗浄液を吐出するように現像ノズル２２と並んで配置されている。

【0040】

さらに、洗浄ノズル４２は、後述する整流部７２に取り付けられ、基板Ｋの下方で、基板Ｋの下面に洗浄液を吐出するように一対設けられている。そして、一対の洗浄ノズル４２は、保持部１２によって保持された基板Ｋの径方向（以下「基板径方向」）で保持部１２を間に置いて配置されている。

【0041】

〔飛散防止ユニット６０〕
飛散防止ユニット６０は、図１に示されるように、保持部１２によって保持された基板Ｋの端面を側方から覆う覆い部６２と、覆い部６２を上下移動させる移動手段としてのシリンダ６４とを備えている。

【0042】

覆い部６２は、基板径方向で基板Ｋの外側（回転軸ＣＬ０１から遠ざかる側）に配置されており、回転軸ＣＬ０１に対して軸対称で、上下方向が開放された筒状に形成されている。そして、覆い部６２は、保持部１２によって保持された基板Ｋを側方から覆う側板６２ａと、側板６２ａの下端から基板径方向の内側（回転軸ＣＬ０１に近づく側）に突出するフランジ６２ｂとを有している。

【0043】

シリンダ６４は、覆い部６２の下方に配置されており、本体部６４ａと、本体部６４ａから上方へ延びるピストンロッド６４ｂとを有している。ピストンロッド６４ｂの上端に覆い部６２のフランジ６２ｂが接触し、覆い部６２がシリンダ６４に取り付けられている。

【0044】

この構成において、シリンダ６４を稼働させて覆い部６２を上下方向に移動させる。これにより、覆い部６２は、保持部１２によって保持された基板Ｋの端面を側方から覆う覆い位置（図１参照）と、覆い位置から下方へ移動して基板Ｋの端面を側方へ開放する開放位置（図２（Ａ）参照）とに配置される。

【0045】

〔整流ユニット７０〕
整流ユニット７０は、図１に示されるように、覆い部６２のフランジ６２ｂに対して基板径方向の内側に配置された整流部７２と、整流部７２を上下移動させる移動手段としてのシリンダ７８とを備えている。このように、整流部７２は、覆い部６２に対して別体とされている。

【0046】

－整流部７２－
整流部７２は、基板Ｋの下方に配置され、回転軸ＣＬ０１に対して軸対称に形成されている。整流部７２は、モータ１４の回転軸１４ｂが通る貫通孔７４が形成された円盤状とされている。

【0047】

また、整流部７２において上方を向いた上面には、傾斜面７２ａと、対向面７２ｂと、取付面７２ｃとが、基板径方向の外側から内側へこの順番で形成されている。

【0048】

傾斜面７２ａは、保持部１２によって保持された基板Ｋに対して基板径方向の外側に配置され、基板径方向の外側の部分が内側の部分に比して下方に位置するように水平方向に対して傾斜している。対向面７２ｂは、傾斜面７２ａに対して基板径方向の内側に配置され、保持部１２によって保持された基板Ｋの下面において基板径方向の外側の部分と上下方向で対向している。取付面７２ｃは、対向面７２ｂに対して基板径方向の内側に配置され、対向面７２ｂに対して下方に凹んでいる。そして、この取付面７２ｃに、前述した一対の洗浄ノズル４２が取り付けられている。

【0049】

また、整流部７２において下方を向いた下面には、基本面７２ｄと、段差面７２ｅとが、基板径方向の外側から内側へこの順番で形成されている。そして、段差面７２ｅが基本面７２ｄに対して下方に突出している。

【0050】

－シリンダ７８－
シリンダ７８は、整流部７２の下方に配置されており、本体部７８ａと、本体部７８ａから上方へ延びるピストンロッド７８ｂとを有している。そして、ピストンロッド７８ｂの上端に整流部７２の基本面７２ｄが接触し、整流部７２がシリンダ７８に取り付けられている。

【0051】

この構成において、シリンダ７８を稼働させて整流部７２を上下方向に移動させる。これにより、整流部７２は、基板Ｋの下面に近接する近接位置（図１参照）と、基板Ｋの下面から離間する離間位置（図２（Ａ）参照）とに配置され、近接位置に配置された状態で、洗浄ノズル４２によって吐出された洗浄液を基板径方向の外側へ流す。具体的には、近接位置に配置された整流部７２の対向面７２ｂと基板Ｋの下面との間には、１〔ｍｍ〕の隙間が設けられる。基板Ｋが回転することで、この隙間には、基板径方向の内側から外側へ向かう空気の流れが生じる。これにより、洗浄ノズル４２から吐出された洗浄液が基板径方向の内側から外側へ流れる。

【0052】

また、シリンダ７８を稼働させて整流部７２を上下方向に移動させることで、整流部７２に取り付けられている洗浄ノズル４２も基板Ｋの下面に近接する近接位置（図１参照）と、基板Ｋの下面から離間する離間位置（図２（Ａ）参照）とに配置される。

【0053】

〔制御部８０〕
制御部８０は、ユーザからの現像工程を実行する実行指示に基づいて、図４に示されるように、モータ１４、シリンダ６４、７８、及びポンプ２８、３８、４８を制御する。なお、制御部８０による各部の制御については、後述する作用と共に説明する。

【0054】

〔その他〕
基板処理装置１００は、図１に示されるように、パン５２を備えている。パン５２は、シリンダ６４、７８、及びモータ１４の下方に配置されており、覆い部６２と整流部７２との間、及び整流部７２と回転軸１４ｂとの間から下方へ漏れた処理液を受けるようになっている。

【0055】

（作用）
次に、基板処理装置１００の作用を、比較形態に係る基板処理装置５００と比較しつつ説明する。本実施形態では、基板処理装置１００、５００を用いて、プリント基板を製造するための現像工程を実行する手順を説明する。先ず、基板処理装置５００の構成について、基板処理装置１００と異なる部分を主に説明する。現像工程は、露光工程の後に行われる工程であって、露光工程において未露光部分のレジストを、現像液によって除去する工程である。現像工程を実行する手順は、基板処理方法の一例である。

【0056】

〔基板処理装置５００の構成〕
基板処理装置５００は、図６に示されるように、保持ユニット１０と、処理液吐出ユニット２０と、整流ユニット５７０と、各部を制御する制御部５８０とを備えている。

【0057】

－整流ユニット５７０－
整流ユニット５７０は、主体部５３０と、主体部５３０を上下移動させるシリンダ５６４とを備えている。

【0058】

主体部５３０は、回転軸ＣＬ０１に対して軸対称に形成され、保持部１２によって保持された基板Ｋの端面を側方から覆う覆い部５６２と、整流部５７２とを有している。このように、基板処理装置５００では、覆い部５６２と、整流部５７２とが一体的に形成されている。

【0059】

覆い部５６２は、基板径方向で基板Ｋの外側に配置されており、保持部１２によって保持された基板Ｋを側方から覆う側板５６２ａと、側板５６２ａの下端から基板径方向の内側に突出するフランジ５６２ｂとを有している。

【0060】

整流部５７２は、覆い部５６２のフランジ５６２ｂの先端に連結され、基板Ｋの下方に配置されている。整流部５７２は、モータ１４の回転軸１４ｂが通る貫通孔５７４が形成された円盤状とされている。

【0061】

整流部５７２において上方を向いた上面には、傾斜面７２ａと、対向面７２ｂと、取付面７２ｃとが、基板径方向の外側から内側へこの順番で形成されている。また、整流部５７２において下方を向いた下面には、基本面７２ｄと、段差面７２ｅとが、基板径方向の外側から内側へこの順番で形成されている。

【0062】

シリンダ５６４は、主体部５３０の下方に配置されており、本体部５６４ａと、本体部５６４ａから上方へ延びるピストンロッド５６４ｂとを有している。ピストンロッド５６４ｂの上端に整流部５７２の基本面７２ｄが接触し、主体部５３０がシリンダ５６４に取り付けられている。

【0063】

この構成において、シリンダ５６４を稼働させて主体部５３０を上下方向に移動させる。これにより、主体部５３０は、覆い部５６２が基板Ｋの端面を側方から覆い、かつ、整流部５７２が、基板Ｋの下面に近接する近接位置（図６参照）と、覆い部５６２が基板Ｋの端面を側方へ開放し、かつ、整流部５７２が、基板Ｋの下面から離間する離間位置（図７（Ａ）参照）とに配置される。

【0064】

－制御部５８０－
制御部５８０は、ユーザからの現像工程を実行する実行指示に基づいて、図９に示されるように、モータ１４、シリンダ５６４、及びポンプ２８、３８、４８を制御する。なお、制御部５８０による各部の制御については、後述する作用と共に説明する。

【0065】

〔基板処理装置１００、５００の作用〕
プリント基板の現像工程を実行する前の状態では、図２（Ａ）に示されるように、基板処理装置１００の覆い部６２は開放位置に配置され、基板処理装置１００の整流部７２、及び洗浄ノズル４２は、離間位置に配置されている。また、図７（Ａ）に示されるように、基板処理装置５００の主体部５３０は、離間位置に配置されている。

【0066】

プリント基板の現像工程では、保持プロセス、表面現像プロセス、洗浄プロセス、飛散プロセス、及び離脱プロセスが、この順番で実行される。換言すれば、制御部８０、５８０は、ユーザからの現像工程を実行する実行指示に基づいて、保持プロセス、表面現像プロセス、洗浄プロセス、飛散プロセス、及び離脱プロセスを、この順番で実行する。

【0067】

－保持プロセス－
保持プロセスにおいて、基板処理装置１００では、制御部８０は、図２（Ａ）、図５に示されるように、覆い部６２を開放位置に配置し、整流部７２、及び洗浄ノズル４２を離間位置に配置する。

【0068】

また、基板処理装置５００では、制御部５８０は、図７（Ａ）、図１０に示されるように、主体部５３０を離間位置に配置する。

【0069】

そして、基板処理装置１００、５００では、制御部８０、５８０は、ポンプ２８、３８、４８を非稼働とし、モータ１４を非稼働させる。この状態で、基板Ｋが、保持部１２によって保持され、基板処理装置１００、５００に装着される。

【0070】

－表面現像プロセス－
表面現像プロセスにおいて、基板処理装置１００では、制御部８０は、図２（Ｂ）、図５に示されるように、覆い部６２を覆い位置に配置し、整流部７２、及び洗浄ノズル４２を近接位置に配置する。これにより、覆い部６２が基板Ｋの端面を側方から覆い、かつ、整流部７２、及び洗浄ノズル４２が、基板Ｋの下面に近接する。

【0071】

基板処理装置５００では、制御部５８０は、図７（Ｂ）、図１０に示されるように、主体部５３０を近接位置に配置する。これにより、覆い部５６２が基板Ｋの端面を側方から覆い、かつ、整流部５７２が、基板Ｋの下面に近接する。

【0072】

そして、基板処理装置１００、５００では、制御部８０、５８０は、ポンプ２８を稼働し、ポンプ３８、４８を非稼働する。さらに、モータ１４を稼働させる。

【0073】

具体的には、制御部８０、５８０は、保持部１２によって保持された基板Ｋを、５００〔ｒｐｍ〕で５〔ｓ〕間回転させ、現像ノズル２２から回転する基板Ｋの上面（表面）に向けて流量５００〔ｍｌ／ｍｉｎ〕の現像液を５〔ｓ〕間吐出させる。そして、制御部８０、５８０は、ポンプ２８及びモータ１４を非稼働とした後、基板Ｋを５〔ｍｉｎ〕放置する。これより、露光工程において未露光部分のレジストが、現像液によって除去される。

【0074】

－洗浄プロセス－
洗浄プロセスにおいて、基板処理装置１００では、制御部８０は、図３（Ａ）、図５に示されるように、覆い部６２を覆い位置に配置し、整流部７２、及び洗浄ノズル４２を近接位置に配置する。洗浄プロセスは、吐出プロセスの一例である。

【0075】

基板処理装置５００では、制御部５８０は、図８（Ａ）、図１０に示されるように、主体部５３０を近接位置に配置する。

【0076】

そして、基板処理装置１００、５００では、制御部８０、５８０は、ポンプ２８を非稼働とし、ポンプ３８、４８を稼働させる。さらに、制御部８０、５８０は、モータ１４を稼働させる。

【0077】

具体的には、制御部８０、５８０は、保持部１２によって保持された基板Ｋを１０００〔ｒｐｍ〕で１０〔ｓ〕間回転させ、洗浄ノズル３２から回転する基板Ｋの上面（表面）に向けて流量１０００〔ｍｌ／ｍｉｎ〕の洗浄液を１０〔ｓ〕間吐出させる。吐出された洗浄液は、回転する基板Ｋによって作用する遠心力によって、基板径方向の外側へ流れ、基板Ｋの端面から飛散する。これより、基板Ｋの上面が洗浄される。

【0078】

また、制御部８０、５８０は、一対の洗浄ノズル４２から回転する基板Ｋの下面（裏面）に向けて流量５０〔ｍｌ／ｍｉｎ〕の洗浄液を１０〔ｓ〕間夫々吐出させる。吐出された洗浄液は、回転する基板Ｋによって作用する遠心力、及び基板Ｋの下面と対向面７２ｂとの間に生じる空気の流れによって、基板径方向の外側へ流れ、基板Ｋの端面から飛散する。これより、基板Ｋの下面が洗浄される。

【0079】

ここで、洗浄ノズル４２から基板Ｋの下面に向けて吐出される洗浄液は、水滴（しぶき）をともなって基板径方向の外側へ流れる。この水滴が、対向面７２ｂに載ってしまう。

【0080】

－飛散プロセス－
基板処理装置１００では、制御部８０は、図３（Ｂ）、図５に示されるように、覆い部６２を覆い位置に配置し、整流部７２、及び洗浄ノズル４２を離間位置に配置する。これにより、整流部７２、及び洗浄ノズル４２が、基板Ｋの裏面から離間する。

【0081】

基板処理装置５００では、制御部５８０は、図８（Ｂ）、図１０に示されるように、主体部５３０を近接位置に配置する。つまり、整流部５７２が基板Ｋの下面に近接している。

【0082】

そして、基板処理装置１００、５００では、制御部８０、５８０は、ポンプ２８、３８、４８を非稼働とし、モータ１４を稼働させる。

【0083】

具体的には、制御部８０、５８０は、保持部１２によって保持された基板Ｋを３０００〔ｒｐｍ〕で２０〔ｓ〕間回転させ、基板Ｋに付着している洗浄液を飛散させる（振り切られる）。これにより、基板Ｋが乾燥される。

【0084】

ここで、基板処理装置５００では、図８（Ｂ）に示されるように、主体部５３０は、近接位置に配置されており、整流部５７２が基板Ｋの下面に近接している。このため、回転している基板Ｋと整流部５７２の対向面７２ｂとの間で生じる空気の流れによって、整流部５７２の対向面７２ｂに載っている水滴が舞い上がり、基板Ｋの下面に再付着する。

【0085】

これに対して、基板処理装置１００では、図３（Ｂ）に示されるように、整流部７２は、基板Ｋの下面と離間している離間位置に配置されている。具体的には、整流部７２が近接位置に配置された状態での整流部７２の対向面７２ｂから基板Ｋまでの上下方向の距離をｄ１（図３（Ａ）参照）とし、整流部７２が離間位置に配置された状態での整流部７２の対向面７２ｂから基板Ｋまでの上下方向の距離を、ｄ２（図３（Ｂ）参照）とすると、下記（１）式が成り立つ。
ｄ１＜ｄ２・・・・・式（１）
このため、飛散プロセスにおいて整流部７２の対向面７２ｂから基板Ｋまでの上下方向の距離が変化しない（距離ｄ１で一定）の基板処理装置５００を用いる場合と比して、対向面７２ｂに載っている水滴の基板Ｋの下面への再付着が抑制される。なお、本実施形態では、一例として、距離ｄ２は、３０〔ｍｍ〕とされている。

【0086】

－離脱プロセス－
基板処理装置１００では、制御部８０は、図２（Ａ）、図５に示されるように、覆い部６２を開放位置に配置し、整流部７２、及び洗浄ノズル４２を離間位置に配置する。

【0087】

基板処理装置５００では、制御部５８０は、図７（Ａ）、図１０に示されるように、主体部５３０を離間位置に配置する。

【0088】

そして、基板処理装置１００、５００では、制御部８０、５８０は、ポンプ２８、３８、４８を非稼働し、モータ１４を非稼働とする。この状態で、基板Ｋが、保持部１２から離脱される。

【0089】

（まとめ）
以上説明したように、基板処理装置１００では、整流部７２と覆い部６２とが別体とされている。このため、覆い部６２を覆い位置に配置した状態で、整流部７２を上下移動させることで、基板Ｋの下面に洗浄液が再付着することで下面が汚れるのが抑制さえる。換言すれば、整流部５７２と覆い部５６２とが一体的に形成されている基板処理装置５００を用いる場合と比して、基板Ｋの下面に洗浄液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【0090】

また、基板処理装置１００では、制御部８０は、洗浄プロセスで、整流部７２を近接位置に配置する。さらに、制御部８０は、飛散プロセスで、整流部７２を離間位置へ配置する。これにより、飛散プロセスで整流部が近接位置に配置されている場合と比して、飛散プロセスにおいて基板Ｋの下面に洗浄液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【0091】

また、基板処理装置１００では、制御部８０は、洗浄プロセスで、洗浄ノズル４２を近接位置に配置し、飛散プロセスで、洗浄ノズル４２を離間位置に配置する。これにより、洗浄ノズル４２が常に近接位置に配置される場合と比して、洗浄ノズル４２から吐出させる洗浄液の吐出圧を低くした上で、飛散プロセスのときに飛散する洗浄液によって洗浄ノズル４２が汚れるのを抑制することができる。

【0092】

また、基板処理装置１００では、洗浄ノズル４２は、整流部７２に取り付けられている。このため、洗浄ノズル４２と整流部７２とを同一のシリンダ７８を用いて上下移動させることができる。

【0093】

また、基板処理装置１００では、制御部８０は、吐出プロセス、及び飛散プロセスで、覆い部６２を覆い位置に配置し、基板Ｋを保持部１２に保持させる保持プロセス、及び基板Ｋを保持部１２から離脱させる離脱プロセスで、覆い部６２を、開放位置に配置する。これにより、覆い部６２が常に覆い位置に配置されている場合と比して、回転する基板Ｋから飛散した洗浄液が基板Ｋの側方へ飛散するのを抑制した上で、基板Ｋを保持部１２に対して容易に着脱することができる。

【0094】

また、基板処理方法では、洗浄プロセスでは、整流部７２を近接位置に配置する。さらに、飛散プロセスでは、整流部７２を離間位置へ配置する。これにより、飛散プロセスで整流部が近接位置に配置されている場合と比して、飛散プロセスにおいて基板Ｋの下面に洗浄液が再付着することで下面が汚れるのを抑制することができる。

【0095】

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の一例について図１１に従って説明する。なお、第２実施形態については、第１実施形態と異なる部分を主に説明する。

【0096】

基板処理装置３００は、図１１（Ａ）に示されるように、保持ユニット１０と、処理液吐出ユニット２０と、飛散防止ユニット６０と、整流ユニット３７０と、一対の洗浄ノズル４２を支持する支持ユニット３５０と、各部を制御する制御部８０とを備えている。

【0097】

〔整流ユニット３７０〕
整流ユニット３７０は、覆い部６２のフランジ６２ｂに対して基板径方向の内側に配置された整流部３７２と、整流部３７２を上下移動させる移動手段としてのシリンダ３７８とを備えている。

【0098】

－整流部３７２－
整流部３７２は、基板Ｋの下方に配置され、回転軸ＣＬ０１に対して軸対称に形成されている。整流部３７２は、上下方向に貫通する貫通孔が形成された円盤状とされており、整流部３７２において上方を向いた上面には、傾斜面７２ａと、対向面７２ｂとが、基板径方向の外側から内側へこの順番で形成されている。

【0099】

〔支持ユニット３５０〕
支持ユニット３５０は、整流部３７２に対して基板径方向の内側に配置された筒状の支持部３５２と、支持部３５２を上下移動させる移動手段としてのシリンダ３５８とを備えている。そして、支持部３５２に、一対の洗浄ノズル４２が取り付けられている。

【0100】

この構成において、洗浄ノズル４２と整流部３７２とが別個に上下移動するようになっており、図１１（Ａ）（Ｂ）に示されるように、洗浄ノズル４２の上下位置を変えることなく、整流部３７２の上下位置を調整することができる。

【0101】

これにより、基板処理装置３００では、洗浄ノズル４２の上下位置を変えることなく、処理される基板Ｋの仕様に基づいて、整流部３７２の対向面７２ｂの上下位置を調整することができる。他の作用については、第１実施形態の基板処理装置１００と同様である。

【0102】

なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明は係る実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、整流部７２、３７２を上下移動させることで、基板Ｋと整流部７２、３７２とを相対移動させたが、基板Ｋと整流部７２、３７２との少なくとも一方を移動させることで、基板Ｋと整流部７２、３７２とを相対移動させればよい。

【0103】

また、上記実施形態では、基板処理装置１００、３００を現像工程で用いた例をとって説明したが、レジスト工程等の基板Ｋを処理する他の工程で、基板処理装置１００、３００を用いてもよい。

【0104】

また、上記実施形態で記載した回転数、寸法、吐出量等の物理量は、一例であって、他の物理量であってもよい。

【符号の説明】

【0105】

１２ 保持部
４２ 洗浄ノズル（吐出部の一例）
６２ 覆い部
７２ 整流部
１００ 基板処理装置
３００ 基板処理装置
３７２ 整流部
Ｋ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】