技術分野
本願は、基板状態測定装置、めっき装置、及び基板状態測定方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】めっき対象としての基板の状態を測定する基板状態測定装置、めっき装置及び基板状態測定方法を提供する。 【解決手段】基板状態測定装置において、基板Wfにおける給電部材と接触する領域である給電部材接触領域の白色共焦点式センサによる検出に基づいて、給電部材接触領域の状態を測定する状態測定モジュール130は、シード層と前記シード層上に形成されたレジスト層とを有する基板Wfを支持して回転させるステージ132と、ステージに支持された基板の板面を測定するための少なくとも1つの白色共焦点式センサ136と、その移動機構138と、含む。 【選択図】図5
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
したように、めっき処理に先立って基板にはシード層およびレジスト層が形成されている。しかし、基板に形成されたシード層およびレジスト層などの状態によって、基板に形成されるめっき膜厚の均一性が損なわれる場合がある。一例として、基板は基板ホルダの給電部材(コンタクト)と接触して給電が行われるが、給電部材と接触する基板領域にレジスト残渣など通電障害となるものがあると、適正にめっき処理を施すことができなくなる。また、一例として、電解めっき装置では、給電部材と基板との接触周囲がシール部材によってめっき液から遮蔽される、いわゆるドライコンタクト方式が採用される場合がある。こうした場合、基板におけるシール部材との接触領域に凹凸または異物などがあると、給電部材と基板との接触部分にめっき液が浸入して、適正にめっき処理を施すことができなくなる。さらに、基板に形成したいめっきパターンに応じて、基板には所望のレジストパターンが形成されている。しかしながら、基板に形成されているレジストパターン、特に基板の開口率が異なると基板とアノードとの間に流れる電流密度が変化し、めっき膜圧の均一性、または、めっき処理にかかる時間に影響する。以上のように、めっき対象としての基板の状態が把握されていると、異常が生じている基板のめっき処理を避けたり、基板の状態に応じためっき処理を施したりして、めっき処理を好適に行うことができ得る。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
一実施形態によれば、基板状態測定装置が提案され、かかる基板状態測定装置は、シード層と前記シード層上に形成されたレジスト層とを有する基板を支持して回転させられるように構成されたステージと、前記ステージに支持された基板の板面を測定するための少なくとも1つの白色共焦点式センサと、を備え、前記基板における給電部材と接触する領域である給電部材接触領域の前記白色共焦点式センサによる検出に基づいて、前記給・・・ 続きを
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図1は、実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。
【図2】
図2は、実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。
【図3】
図3は、実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。
【図4】
図4は、実施形態における基板の板面を模式的に示す図である。
【図5】
図5は、実施形態の基板状態測定モジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。
【図6】
図6は、実施形態の基板状態測定モジュールによる状態測定を説明するための模式図である。
【図7】
図7は、本実施形態における白色共焦点式センサおよび基板断面の一例を示す図である。
【図8】
図8は、白色共焦点式センサによる信号検出値の一例を示す図である。
【図9】
図9は、基板状態測定モジュールによる基板状態測定方法の一例を示すフローチャートである。
【図10】
図10は、本実施形態における基板状態測定モジュールの概略的な機能ブロック図である。
【図11】
図11は、変形例の基板状態測定モジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。
Wf…基板
RL…レジスト層
SL…シード層
CA…コンタクト領域
PA…被めっき領域
SA…シール領域
100…ロードポート
110…搬送ロボット
120…アライナ
130,130A…基板状態測定モジュール
132…ステージ
134…回転機構
136…白色共焦点式センサ
138…移動機構
150…記憶部
200…プリウェットモジュール
300…プリソークモジュール
400…めっきモジュール
410…めっき槽
430…アノード
440…基板ホルダ
441…シール部材
800…制御モジュール
1000…めっき装置
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