知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特許7342875含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-09-04
(45)【発行日】2023-09-12
(54)【発明の名称】含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体
(51)【国際特許分類】
C07D 333/16 20060101AFI20230905BHJP
C08G 65/334 20060101ALI20230905BHJP
C10M 107/46 20060101ALI20230905BHJP
C10M 107/38 20060101ALN20230905BHJP
C10N 30/06 20060101ALN20230905BHJP
C10N 30/00 20060101ALN20230905BHJP
C10N 40/18 20060101ALN20230905BHJP
C10N 20/04 20060101ALN20230905BHJP
【ＦＩ】
C07D333/16 CSP
C08G65/334
C10M107/46
C10M107/38
C10N30:06
C10N30:00 Z
C10N40:18
C10N20:04
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2020546838
(86)(22)【出願日】2019-08-28
(86)【国際出願番号】 JP2019033700
(87)【国際公開番号】W WO2020054420
(87)【国際公開日】2020-03-19
【審査請求日】2022-05-24
(31)【優先権主張番号】P 2018170365
(32)【優先日】2018-09-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(74)【代理人】
【識別番号】100141139
【弁理士】
【氏名又は名称】及川 周
(74)【代理人】
【識別番号】100163496
【弁理士】
【氏名又は名称】荒 則彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134359
【弁理士】
【氏名又は名称】勝俣 智夫
(74)【代理人】
【識別番号】100137017
【弁理士】
【氏名又は名称】眞島 竜一郎
(72)【発明者】
【氏名】柳生 大輔
(72)【発明者】
【氏名】福本 直也
(72)【発明者】
【氏名】加藤 剛
(72)【発明者】
【氏名】室伏 克己
【審査官】土橋 敬介
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１８／１３９１７４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特許第７１７７７８２（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特許第７１４９９４７（ＪＰ，Ｂ２）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｄ
Ｃ０８Ｇ
Ｃ１０Ｍ
Ｃ１０Ｎ
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は下記式（２）で表される。Ｒ２は下記式（３）で表される。Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ４はＲ１－Ｒ２－と異なる有機末端基であって、下記式（４－１）～（４－４）のいずれかの末端基である。）
【化1】
（式（３）中、ｗは２または３を表す。）
【化2】
（式（４－２）中、ｓは２～５の整数を表す。）
（式（４－３）中、ｔは１～５の整数を表す。）
（式（４－４）中、ｑは２～５の整数を表す。）
【請求項2】
前記式（１）におけるＲ３が、下記式（５）で表されることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。【化3】
【請求項3】
前記式（１）におけるＲ３が、下記式（６）または下記式（７）で表されることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。【化4】
（式（７）中、ｖは平均重合度であり、１～３０を表す。）
【請求項4】
含フッ素エーテル化合物の構造が下記式（８）で表されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。【化5】
（式（８）中、ｘ、ｙは平均重合度であり、それぞれ１～２０を表す。ｚは１または２を表し、ｗは２または３を表し、ｒは１～３の整数を表す。）
【請求項5】
前記ｒが２であることを特徴とする請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項6】
数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項7】
請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項8】
基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層は、請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項9】
前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである請求項８に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、それを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本出願は、２０１８年９月１２日に日本に出願された特願２０１８－１７０３６５に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本出願は、２０１８年９月１２日に日本に出願された特願２０１８－１７０３６５に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【0002】
近年、情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体では、基板上に形成された磁気記録層の上に、磁気記録媒体の耐久性および信頼性を確保するために、保護層と潤滑層とを設けている。特に最表面に配置される潤滑層には、長期安定性、化学物質耐性（シロキサンなどのコンタミネーションを防ぐ）、耐摩耗性等の様々な特性が要求されている。
従来、磁気記録媒体では、基板上に形成された磁気記録層の上に、磁気記録媒体の耐久性および信頼性を確保するために、保護層と潤滑層とを設けている。特に最表面に配置される潤滑層には、長期安定性、化学物質耐性（シロキサンなどのコンタミネーションを防ぐ）、耐摩耗性等の様々な特性が要求されている。
【0003】
従来、磁気記録媒体用の潤滑剤として、ＣＦ２を含む繰り返し構造を有するフッ素系ポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている（例えば、特許文献１～３参照）。
例えば、特許文献１には、両方の末端部分に複数の水酸基を有し、該水酸基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。
また、特許文献２には、片方の末端に芳香族を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。
また、特許文献３には、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子の末端に芳香族基と水酸基を有し、芳香族基と水酸基はそれぞれ異なる炭素原子と結合している化合物が開示されている。
例えば、特許文献１には、両方の末端部分に複数の水酸基を有し、該水酸基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。
また、特許文献２には、片方の末端に芳香族を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。
また、特許文献３には、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子の末端に芳香族基と水酸基を有し、芳香族基と水酸基はそれぞれ異なる炭素原子と結合している化合物が開示されている。
【0004】
また、特許文献４には、パーフルオロポリエーテル鎖の一端に、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基を、エーテル性酸素によって結合する２価の連結基を介して配置し、パーフルオロポリエーテル鎖の他端に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基を配置した含フッ素エーテル化合物が開示されている。
【0005】
近年、書込み素子（ＤＦＨ素子）の内部に、薄膜抵抗体からなるヒータが備えられている磁気ヘッドが、一般的に用いられている。このような磁気ヘッドでは、ヒータを発熱させて、書込み素子の先端部を熱膨張により突出させることで、書込み素子をディスク（磁気記録媒体）の表面により一層接近させている。
【0006】
この技術において、書込み素子の先端部が熱膨張して、ディスク表面に接触（タッチダウン）するまでに必要なヒータ電力（単位ｍＷ）は、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）と呼ばれている。ＴＤｐが大きいほど、言い換えると熱膨張による書込み素子の先端部の突き出し量が大きいほど、磁気ヘッドがディスク表面に近づくことができる。その結果、磁気ヘッドと磁気記録媒体の磁性層との間の磁気スペーシングを低減でき、磁気記録媒体の記録容量を向上できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【文献】特許第４６３２１４４号公報
【文献】特許第５９０９８３７号公報
【文献】特許第５４６５４５４号公報
【文献】国際公開第２０１７／１５４４０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
近年、磁気記録媒体の急速な情報記録密度向上に伴い、磁気ヘッドと磁気記録媒体の磁性層との間の磁気スペーシングの低減が求められている。このため、磁気ヘッドと磁気記録媒体の磁性層との間に存在する潤滑層においては、より一層の薄膜化が要求されている。
【0009】
また、磁気記録媒体の用途の多様化などにより、磁気記録媒体に求められる環境耐性は非常に厳しいものになってきている。このため、磁気記録媒体の信頼性に大きな影響を及ぼす潤滑層には、より一層、耐摩耗性および化学物質耐性を向上させることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、潤滑層の化学物質耐性および耐摩耗性が悪化する。したがって、潤滑層において、化学物質耐性および耐摩耗性の確保と、薄膜化（磁気スペーシングの低減）とを両立することは、困難であった。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、潤滑層の化学物質耐性および耐摩耗性が悪化する。したがって、潤滑層において、化学物質耐性および耐摩耗性の確保と、薄膜化（磁気スペーシングの低減）とを両立することは、困難であった。
【0010】
また、磁気スペーシングを低減するために、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）を大きくすることが要求されている。ＴＤｐを大きくするには、磁気記録媒体の表面を平滑面とすることが重要である。このため、磁気記録媒体の最表面に配置される潤滑層において、表面凹凸を抑制することが要求されている。
【0011】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、表面凹凸の抑制された潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることが出来る含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者は、上記課題を解決するために、鋭意研究を重ねた。
その結果、特定の分子構造を有する含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることで、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、表面凹凸の抑制された潤滑層を形成できることを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
その結果、特定の分子構造を有する含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることで、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、表面凹凸の抑制された潤滑層を形成できることを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
【0013】
［１］ 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は下記式（２）で表される。Ｒ２は下記式（３）で表される。Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ４はＲ１－Ｒ２－と異なる有機末端基であって、２個または３個の極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は下記式（２）で表される。Ｒ２は下記式（３）で表される。Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ４はＲ１－Ｒ２－と異なる有機末端基であって、２個または３個の極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
【0014】
【化1】
（式（３）中、ｗは２または３を表す。）
【0015】
［２］ 前記式（１）におけるＲ４の極性基が全て水酸基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］ 前記式（１）におけるＲ４は下記式（４－１）～（４－４）のいずれかの末端基である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］ 前記式（１）におけるＲ４は下記式（４－１）～（４－４）のいずれかの末端基である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
【0016】
【化2】
（式（４－２）中、ｓは２～５の整数を表す。）
（式（４－３）中、ｔは１～５の整数を表す。）
（式（４－４）中、ｑは２～５の整数を表す。）
【0017】
［４］ 前記式（１）におけるＲ３が、下記式（５）で表されることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0018】
【化3】
【0019】
［５］ 前記式（１）におけるＲ３が、下記式（６）または下記式（７）で表されることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0020】
【化4】
（式（７）中、ｖは平均重合度であり、１～３０を表す。）
【0021】
［６］ 含フッ素エーテル化合物の構造が下記式（８）で表されることを特徴とする［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0022】
【化5】
【0023】
［７］ 前記ｒが２であることを特徴とする［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［８］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［８］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0024】
［９］ ［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
［１０］ 基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層は、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１１］ 前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである［１０］に記載の磁気記録媒体。
［１０］ 基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層は、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１１］ 前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである［１０］に記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【0025】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む。このため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、表面凹凸の抑制された潤滑層を形成できる。したがって、本発明の磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、潤滑層のより一層の薄膜化を図ることができ、潤滑層の設けられた磁気記録媒体の磁気スペーシング低減に寄与できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が設けられている。このため、優れた信頼性および耐久性を有する。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む。このため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、表面凹凸の抑制された潤滑層を形成できる。したがって、本発明の磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、潤滑層のより一層の薄膜化を図ることができ、潤滑層の設けられた磁気記録媒体の磁気スペーシング低減に寄与できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が設けられている。このため、優れた信頼性および耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
本発明者は、上記課題を解決するために、潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物の分子構造と、保護層との関係に着目し、以下に示すように、鋭意研究を重ねた。
【0028】
潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物の分子構造は、潤滑層の膜厚、付着特性、耐摩耗性および化学物質耐性に大きな影響を及ぼす。
従来、保護層に対する付着特性の良好な潤滑層を得るために、潤滑剤として、分子中に水酸基などの極性基を含むパーフルオロポリエーテル系化合物（以下、「ＰＦＰＥ系化合物」という場合がある。）が用いられている。しかしながら、分子中に複数の極性基を有するＰＦＰＥ系化合物を含む潤滑層であっても、保護層に対する潤滑層の付着性（密着性）が十分に得られない場合があった。
従来、保護層に対する付着特性の良好な潤滑層を得るために、潤滑剤として、分子中に水酸基などの極性基を含むパーフルオロポリエーテル系化合物（以下、「ＰＦＰＥ系化合物」という場合がある。）が用いられている。しかしながら、分子中に複数の極性基を有するＰＦＰＥ系化合物を含む潤滑層であっても、保護層に対する潤滑層の付着性（密着性）が十分に得られない場合があった。
【0029】
本発明者が、鋭意検討した結果、複数の極性基を有するＰＦＰＥ系化合物を含む潤滑層であっても、ＰＦＰＥ系化合物中の極性基が、保護層上の活性点との結合に有効に関与していないと、保護層との付着性が十分に得られないことが分かった。
潤滑層と保護層との付着性が不十分であると、潤滑層が嵩高いものとなり、均一な膜厚の潤滑層が得られにくい。それは、潤滑層に含まれるＰＦＰＥ系化合物同士が凝集したり、分子の末端などＰＦＰＥ系化合物分子の一部が保護層表面から浮き上がったりすることで、潤滑層の表面に分子レベルでの凹凸が形成されるためである。また、表面の凹凸が大きい潤滑層では、十分な被覆率を確保して、良好な化学物質耐性および耐摩耗性が得られるようにするには、膜厚を十分に厚くしなければならない。このことから、従来の技術では、潤滑層のさらなる薄膜化は困難であった。
潤滑層と保護層との付着性が不十分であると、潤滑層が嵩高いものとなり、均一な膜厚の潤滑層が得られにくい。それは、潤滑層に含まれるＰＦＰＥ系化合物同士が凝集したり、分子の末端などＰＦＰＥ系化合物分子の一部が保護層表面から浮き上がったりすることで、潤滑層の表面に分子レベルでの凹凸が形成されるためである。また、表面の凹凸が大きい潤滑層では、十分な被覆率を確保して、良好な化学物質耐性および耐摩耗性が得られるようにするには、膜厚を十分に厚くしなければならない。このことから、従来の技術では、潤滑層のさらなる薄膜化は困難であった。
【0030】
さらに、本発明者が、鋭意検討した結果、潤滑層に含まれるＰＦＰＥ系化合物中に、保護層上の活性点との結合に関与していない極性基が多く存在すると、以下に示す傾向があることが分かった。コンタミネーションの誘引が生じやすくなって化学物質耐性が不足したり、潤滑剤が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが生じやすくなったりする。
【0031】
そこで、本発明者は、含フッ素エーテル化合物中の複数の極性基と、保護層上の活性点との結合を促進すべく、含フッ素エーテル化合物の分子構造に着目して、検討を重ねた。その結果、以下の（１）～（３）を満たす含フッ素エーテル化合物とする必要があることが分かった。
（１）エーテル結合（－Ｏ－）を用いて連結された鎖状構造を含むことにより含フッ素エーテル化合物の分子構造に適度な柔軟性を付与する。
（２）含フッ素エーテル化合物中に含まれる複数の極性基同士間の距離を適正にする。
（３）含フッ素エーテル化合物中に含まれる複数の極性基のうち、少なくとも一部を水酸基にする。
（１）エーテル結合（－Ｏ－）を用いて連結された鎖状構造を含むことにより含フッ素エーテル化合物の分子構造に適度な柔軟性を付与する。
（２）含フッ素エーテル化合物中に含まれる複数の極性基同士間の距離を適正にする。
（３）含フッ素エーテル化合物中に含まれる複数の極性基のうち、少なくとも一部を水酸基にする。
【0032】
具体的には、パーフルオロポリエーテル鎖の第１端部と第２端部の両方に、２個または３個の極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している基を配置した。さらに、第１端部に配置した基において、極性基を水酸基にするとともに、連結基をメチレン基（－ＣＨ２－）とエーテル結合（－Ｏ－）とを有するものとした。
【0033】
このような含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物中の複数の極性基と、保護層上の活性点とが結合しやすいため、保護層との付着性が良好である。したがって、この潤滑層は、表面が凹凸の抑制された平滑面であり、被覆率が高く、均一な膜厚を有し、化学物質耐性が良好で、ピックアップが生じにくい。よって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、さらなる薄膜化が可能であり、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）を大きくでき、磁気スペーシングの低減に寄与できる。
【0034】
さらに、本発明者は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の耐摩耗性を向上させるべく、鋭意検討した。その結果、上記の含フッ素エーテル化合物におけるパーフルオロポリエーテル鎖の第１端部の末端にチオフェンアルキル基を配置すればよいことを見出した。
この含フッ素エーテル化合物では、第１端部の末端に配置されたチオフェンアルキル基に含まれるチオフェン環が、五員環でπ電子過剰系であるため、例えば、六員環であるベンゼン環を含む場合と比較して電子密度が高くなっている。このため、これを含む潤滑層では、チオフェンアルキル基の分子間相互作用、および／またはチオフェンアルキル基と保護層との相互作用が強力となる。その結果、チオフェンアルキル基に含まれるチオフェン環による耐摩耗性を向上させる機能が、効果的に得られるものと推定される。
本発明者は、これらの知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
この含フッ素エーテル化合物では、第１端部の末端に配置されたチオフェンアルキル基に含まれるチオフェン環が、五員環でπ電子過剰系であるため、例えば、六員環であるベンゼン環を含む場合と比較して電子密度が高くなっている。このため、これを含む潤滑層では、チオフェンアルキル基の分子間相互作用、および／またはチオフェンアルキル基と保護層との相互作用が強力となる。その結果、チオフェンアルキル基に含まれるチオフェン環による耐摩耗性を向上させる機能が、効果的に得られるものと推定される。
本発明者は、これらの知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【0035】
以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
【0036】
［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は下記式（２）で表される。Ｒ２は下記式（３）で表される。Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ４はＲ１－Ｒ２－と異なる有機末端基であって、２個または３個の極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は下記式（２）で表される。Ｒ２は下記式（３）で表される。Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ４はＲ１－Ｒ２－と異なる有機末端基であって、２個または３個の極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
【0037】
【化6】
（式（３）中、ｗは２または３を表す。）
【0038】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）を有している。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。
【0039】
また、式（１）に示すように、Ｒ３で表されるＰＦＰＥ鎖の第１端部には、メチレン基と式（３）で表されるＲ２を介して、式（２）で表されるチオフェンアルキル基（Ｒ１）が配置されている。チオフェンアルキル基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層における耐摩耗性を向上させる。
したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、例えば、チオフェンアルキル基に代えて、水酸基が配置された含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、優れた耐摩耗性が得られる。
したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、例えば、チオフェンアルキル基に代えて、水酸基が配置された含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、優れた耐摩耗性が得られる。
【0040】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、式（２）で表されるチオフェンアルキル基（Ｒ１）中のアルキレン基は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基から選ばれる基である。Ｒ１中のアルキレン基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。アルキレン基がエチレン基またはプロピレン基である場合、メチレン基である場合と比較して、酸塩基に対する安定性が高い含フッ素エーテル化合物となる。このため、アルキレン基は、エチレン基またはプロピレン基であることが好ましい。また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（２）中のｒが３以下であるので、チオフェン環とＲ２との距離が近い。このため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、Ｒ２に含まれる水酸基による保護層との密着性向上効果が十分に発揮される。その結果、含フッ素エーテル化合物中のチオフェンアルキル基と保護層とが近接しやすく、チオフェンアルキル基による耐摩耗性向上効果が効果的に得られる。アルキレン基としては、安定性が高く、耐摩耗性に優れる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるため、エチレン基である（式（２）中のｒが２である。）ことが最も好ましい。
アルキレン基は、チオフェンアルキル基の有するチオフェン環の２位に結合されていてもよいし、３位に結合されていても良い。
アルキレン基は、チオフェンアルキル基の有するチオフェン環の２位に結合されていてもよいし、３位に結合されていても良い。
【0041】
また、Ｒ３で表されるＰＦＰＥ鎖の第１端部に結合されたＲ２は、繰り返し数２または３の二価の連結基である。Ｒ２は、式（３）で表されるように、水酸基（－ＯＨ）を２個または３個含む。Ｒ２では、水酸基の結合している２個または３個の炭素原子同士が、メチレン基（－ＣＨ２－）とエーテル結合（－Ｏ－）とからなる連結基を介して結合している。このため、Ｒ２中に含まれる２個または３個の水酸基は、水酸基同士の間の距離が適正となっている。しかも、Ｒ２は、式（３）で表されるように、繰り返し単位の両端にエーテル性酸素原子を有する。このことにより、Ｒ２は、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物の分子構造に適度な柔軟性を付与している。これらのことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を保護層上に形成した場合、Ｒ２中の２個または３個の水酸基が、保護層上の活性点と潤滑層との結合に関与しやすい。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層に対する優れた付着性（密着性）を有する。
【0042】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ２は下記式（３）で表される連結基であり、式（３）中、ｗは２または３を表す。式（３）においてｗが２または３であると、式（３）で表される連結基中の水酸基の数が適正となり、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できるものとなる。式（３）におけるｗは２であることが好ましい。また、式（３）においてｗが２または３であると、水酸基の数が多すぎることによって、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎることがない。よって、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎるために、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップを抑制できる。
【0043】
また、式（１）のＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖のＲ２と反対側の端部（第２端部）には、メチレン基を介してＲ４で表される有機末端基が配置されている。Ｒ４で表される有機末端基は、２個または３個の極性基を含む。Ｒ４で表される有機末端基に含まれる２個または３個の極性基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、潤滑層と保護層とを密着させて、化学物質耐性および耐摩耗性を向上させるとともに、ピックアップを抑制する。
【0044】
また、Ｒ４で表される有機末端基に含まれる２個または３個の極性基は、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、Ｒ４中に含まれる２個または３個の極性基は、極性基同士の間の距離が適正となる。その結果、Ｒ４で表される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、例えば、Ｒ４で表される末端基に含まれる極性基の結合している炭素原子のうち、少なくとも一部同士が結合しているフッ素エーテル化合物と比較して、凝集しにくい。よって、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、保護層に密着（吸着）せずに存在している含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。また、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくいため、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が、保護層上で面方向に広がって均一に延在した状態で配置されやすい。このことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を形成できると推定される。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、潤滑層の薄膜化（磁気スペーシングの低減）に寄与する。
【0045】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ４は、Ｒ１－Ｒ２と異なる有機末端基である。Ｒ４で表される末端基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。Ｒ４に含まれる極性基の数が２個または３個であるため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる。Ｒ４に含まれる極性基の数は、３個であることが好ましい。Ｒ４に含まれる極性基の数が多すぎると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生しやすくなる。本実施形態では、Ｒ４に含まれる極性基の数が２個または３個である。このため、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎることによるピックアップの発生を抑制できる。
式（１）におけるＲ４は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
式（１）におけるＲ４は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
【0046】
Ｒ４における極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ２）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）およびメルカプト基（－ＳＨ）などが挙げられる。なお、エーテル結合（－Ｏ－）は、Ｒ４における極性基には含まれない。上記の極性基中でも特に、極性基が水酸基であることが好ましい。Ｒ４で表される有機末端基に含まれる２個または３個の極性基は、それぞれ異なる極性基を組み合わせてもよいが、全て水酸基であることが好ましい。水酸基は、保護層、とりわけ炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。したがって、極性基が全て水酸基であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、保護層との密着性が高いものとなる。
【0047】
式（１）におけるＲ４は、下記式（４－１）～（４－４）のいずれかの末端基であることが好ましい。このようなＲ４は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との高い密着性および被覆率に寄与する。
【0048】
【化7】
【0049】
式（４－１）において、ｐ１は１～２の整数であり、２であることが好ましい。
式（４－１）において、ｐ２は１～５の整数である。ｐ２が１～５の整数である場合、式（４－１）で表される末端基中の水酸基間の距離が適正となる。したがって、ｐ２が１～５の整数である場合、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｐ２は、保護層との密着性の観点から、１～２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
式（４－１）において、ｐ２は１～５の整数である。ｐ２が１～５の整数である場合、式（４－１）で表される末端基中の水酸基間の距離が適正となる。したがって、ｐ２が１～５の整数である場合、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｐ２は、保護層との密着性の観点から、１～２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
【0050】
【化8】
【0051】
式（４－２）において、ｓは２～５の整数である。この場合、Ｒ３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となる。したがって、ｓが２～５の整数である場合、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｓは、保護層との密着性の観点から、２または３であることが好ましく、２であることが最も好ましい。
【0052】
【化9】
【0053】
式（４－３）において、ｔは１～５の整数である。この場合、Ｒ３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となる。したがって、ｔが１～５の整数である場合、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｔは、保護層との密着性の観点から、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
【0054】
【化10】
【0055】
式（４－４）において、ｑは２～５の整数である。この場合、Ｒ３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となる。したがって、ｑが２～５の整数である場合、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。ｑは、保護層との密着性の観点から、２または３であることが好ましく、２であることが最も好ましい。
【0056】
また、式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、ＰＦＰＥ鎖（Ｒ３）の両末端にそれぞれ異なる末端基（Ｒ１－Ｒ２－、－Ｒ４）が結合した非対称の化合物である。両末端にそれぞれ異なる末端基が結合している化合物では、分子末端にそれぞれ結合された異なる機能を有する基（Ｒ１－Ｒ２－、－Ｒ４）の相乗効果によって、両末端に同じ末端基が結合している化合物と比較して、優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる。
【0057】
特に、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ１で表されるチオフェンアルキル基が、水酸基（－ＯＨ）を２個または３個含むＲ２に結合されている。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、Ｒ２に含まれる水酸基による保護層との密着性向上効果によって、チオフェンアルキル基と保護層とが近接しやすい。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、チオフェンアルキル基による耐摩耗性を向上させる機能が効果的に働く。
【0058】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ２に含まれる適正な距離で配置された２個または３個の水酸基と、Ｒ４に含まれる適正な距離で配置された２個または３個の極性基が、それぞれメチレン基（－ＣＨ２－）を介してＲ３の両末端にバランス良く配置されている。このことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との付着性（密着性）に優れ、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる。そのため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、耐摩耗性および化学物質耐性が良好で、さらなる薄膜化が可能であり、磁気記録媒体における磁気スペーシングの低減に寄与できる。
【0059】
式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。Ｒ３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
式（１）においてＲ３は、下記式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。Ｒ３が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であると、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。
式（１）においてＲ３は、下記式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。Ｒ３が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であると、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。
【0060】
【化11】
【0061】
式（５）において、繰り返し単位である（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）と（ＣＦ２－Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（５）において平均重合度を示す（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）の数ｍと（ＣＦ２－Ｏ）の数ｎは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（５）は、モノマー単位（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）と（ＣＦ２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。
【0062】
式（１）におけるＲ３が式（５）である場合、平均重合度を示すｍは１～３０であり、１～２０であることが好ましく、さらに１～１５であることが好ましい。式（１）においてＲ３が式（５）である場合、平均重合度を示すｎは０～３０であり、１～２０であることが好ましく、さらに１～１５であることが好ましい。また、ｎが０の場合、ｍは１～１７であることが好ましい。
【0063】
式（１）においてＲ３は、下記式（６）または下記式（７）であってもよい。
【0064】
【化12】
【0065】
式（６）において、ｕが１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｕは３～２０であることが好ましく、４～１０であることがより好ましい。
【0066】
【化13】
【0067】
式（７）において、ｖが１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｖは３～２０であることが好ましく、４～１０であることがより好ましい。
【0068】
式（１）におけるＲ３が、式（５）～式（７）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。また、式（１）におけるＲ３が、式（５）～式（７）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合と、パーフルオロポリエーテル鎖中の酸素原子の配置が適正となる。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。
特に、式（１）におけるＲ３が式（５）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
特に、式（１）におけるＲ３が式（５）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
【0069】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、下記式（８）で表される化合物であることが好ましい。式（８）で表される含フッ素エーテル化合物は、原料が入手しやすく、容易に合成できる。
【0070】
【化14】
【0071】
式（８）における平均重合度を示すｘ、ｙはそれぞれ、１～２０であり、１～１５であることが好ましい。
式（８）におけるｚは１または２を表し、２であることが好ましい。
式（８）におけるｗは２または３を表し、２であることが好ましい。
式（８）におけるチオフェンアルキル基中のアルキレン基は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基から選ばれるアルキレン基であり、エチレン基であることが好ましい。チオフェンアルキル基中のアルキレン基は、チオフェンアルキル基の有するチオフェン環の２位に結合されていてもよいし、３位に結合されていても良い。
式（８）におけるｚは１または２を表し、２であることが好ましい。
式（８）におけるｗは２または３を表し、２であることが好ましい。
式（８）におけるチオフェンアルキル基中のアルキレン基は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基から選ばれるアルキレン基であり、エチレン基であることが好ましい。チオフェンアルキル基中のアルキレン基は、チオフェンアルキル基の有するチオフェン環の２位に結合されていてもよいし、３位に結合されていても良い。
【0072】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（Ｌ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（Ａ）～（Ｌ）中のｍ、ｎで示される繰り返し数は、平均値を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。
【0073】
式（Ａ）～（Ｅ）で表される化合物は、いずれもＲ１は式（２）で表される。Ｒ２は式（３）で表され、Ｒ２中のｗが２である。Ｒ３が式（５）である。Ｒ４が式（４－１）であり、式（４－１）中のｐ１が１であり、ｐ２が１である。
式（Ａ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がメチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。
式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。
式（Ａ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がメチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。
式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。
【0074】
式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がプロピレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。
式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がメチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の３位に結合されている。
式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の３位に結合されている。
式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がメチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の３位に結合されている。
式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の３位に結合されている。
【0075】
式（Ｆ）（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ１は式（２）で表され、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。Ｒ２は式（３）で表される。Ｒ３が式（５）である。Ｒ４が式（４－１）であり、式（４－１）中のｐ１が２であり、ｐ２が１である。
式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ２中のｗが２である。
式（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ２中のｗが３である。
式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ２中のｗが２である。
式（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ２中のｗが３である。
【0076】
式（Ｈ）～（Ｊ）で表される化合物は、いずれもＲ１は式（２）で表され、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。Ｒ２は式（３）で表され、Ｒ２中のｗが２である。Ｒ３が式（５）である。
式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ４が式（４－４）であり、式（４－４）中のｑが２である。
式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ４が式（４－２）であり、式（４－２）中のｓが２である。
式（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ４が式（４－３）であり、式（４－３）中のｔが１である。
式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ４が式（４－４）であり、式（４－４）中のｑが２である。
式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ４が式（４－２）であり、式（４－２）中のｓが２である。
式（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ４が式（４－３）であり、式（４－３）中のｔが１である。
【0077】
式（Ｋ）（Ｌ）で表される化合物は、いずれもＲ１は式（２）で表され、Ｒ１中のアルキレン基がエチレン基であり、Ｒ１の有するチオフェン環の２位に結合されている。Ｒ２は式（３）で表され、Ｒ２中のｗが２である。Ｒ４が式（４－１）であり、式（４－１）中のｐ１が１であり、ｐ２が１である。
式（Ｋ）で表される化合物は、Ｒ３が式（７）である。
式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ３が式（５）であり、ｎが０である。
式（Ｋ）で表される化合物は、Ｒ３が式（７）である。
式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ３が式（５）であり、ｎが０である。
【0078】
【化15】
（式（Ｂ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｃ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｄ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｅ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｆ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
【0079】
【化16】
（式（Ｈ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｉ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｊ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～２０であり、ｎは１～２０である。）
（式（Ｋ）中、ｖは平均重合度を示し、ｖは１～２０である。）
（式（Ｌ）中、ｍは平均重合度を示し、ｍは１～２０である。）
【0080】
式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｌ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすい。しかも、式（Ａ）～（Ｌ）で表されるいずれかの化合物であると、厚みが薄くても、より一層優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できるため好ましい。
【0081】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、７００～７０００の範囲内であることがより好ましく、８００～４０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなる。したがって、数平均分子量が５００以上であると、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなる。したがって、数平均分子量が１００００以下であると、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、４０００以下であることがより好ましい。
【0082】
含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ－４００による１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。具体的には、１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求めた。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料を重アセトン溶媒（基準物質としてヘキサフルオロベンゼン添加）へ希釈し、測定に使用した。１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとした。１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．０５ｐｐｍとした。
【0083】
「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ３に対応するパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子両末端にそれぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ３に対応するパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子両末端にそれぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
【0084】
次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）におけるＲ１－Ｒ２－からなる基に置換する（第１反応）。その後、他方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）における－Ｒ４からなる末端基に置換する（第２反応）。
第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。
第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。
【0085】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆される。それとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、Ｒ１で表されるチオフェンアルキル基の分子間相互作用および／またはチオフェンアルキル基と保護層との相互作用により、優れた耐摩耗性が得られる。
【0086】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、Ｒ２で表される連結基に含まれる２個または３個の水酸基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。それとともに、Ｒ４で表される末端基に含まれる２個または３個の極性基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、Ｒ２で表される連結基に含まれる２個または３個の水酸基が、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が、メチレン基（－ＣＨ２－）とエーテル結合（－Ｏ－）とからなる連結基を介して結合している。しかも、Ｒ４で表される末端基に含まれる２個または３個の極性基は、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、含フッ素エーテル化合物中の複数の極性基と、保護層上の活性点とが結合しやすく、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくく、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる。
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、Ｒ２で表される連結基に含まれる２個または３個の水酸基が、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が、メチレン基（－ＣＨ２－）とエーテル結合（－Ｏ－）とからなる連結基を介して結合している。しかも、Ｒ４で表される末端基に含まれる２個または３個の極性基は、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、含フッ素エーテル化合物中の複数の極性基と、保護層上の活性点とが結合しやすく、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくく、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる。
【0087】
［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
【0088】
公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。
【0089】
本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、８０質量％以上であってもよいし、９０質量％以上であってもよい。
【0090】
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、表面凹凸の抑制された潤滑層が得られる。
【0091】
［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。
【0092】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
【0093】
「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
【0094】
ガラス基板は剛性があり、平滑性に優れるので、高記録密度化に好適である。ガラス基板としては、例えばアルミノシリケートガラス基板が挙げられ、特に化学強化されたアルミノシリケートガラス基板が好適である。
基板１１の主表面の粗さは、Ｒｍａｘが６ｎｍ以下、及びＲａが０．６ｎｍ以下の超平滑であることが好ましい。なお、ここでいう表面粗さＲｍａｘ、Ｒａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１の規定に基づくものである。
基板１１の主表面の粗さは、Ｒｍａｘが６ｎｍ以下、及びＲａが０．６ｎｍ以下の超平滑であることが好ましい。なお、ここでいう表面粗さＲｍａｘ、Ｒａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１の規定に基づくものである。
【0095】
「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0096】
「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
【0097】
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になる。それとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になる。それとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0098】
「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層，ＣｏＷ合金層，ＣｒＷ合金層，ＣｒＶ合金層，ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層，ＣｏＷ合金層，ＣｒＷ合金層，ＣｒＶ合金層，ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0099】
「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0100】
「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
【0101】
磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
【0102】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
【0103】
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
【0104】
磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
【0105】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。
【0106】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0107】
磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。
【0108】
「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。
【0109】
炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。
炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１２原子％であることが好ましい。
炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１２原子％であることが好ましい。
【0110】
炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。
【0111】
保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。
【0112】
保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。
【0113】
「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。
【0114】
潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。
【0115】
潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～３ｎｍ（３０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～２ｎｍ（２０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。
【0116】
保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
【0117】
汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。
【0118】
「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。
【0119】
潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
【0120】
潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
【0121】
本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。
熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。
【0122】
本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の基板１１の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。
【0123】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、表面凹凸が抑制され、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、さらなる薄膜化が可能である。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気スペーシングの低減に寄与できる。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ方式（Ｌｏａｄ Ｕｎｌｏａｄ方式）の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。
【実施例】
【0124】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【0125】
［実施例１］
以下に示す方法により、上記式（Ａ）で表される化合物（式（Ａ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
以下に示す方法により、上記式（Ａ）で表される化合物（式（Ａ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
【0126】
まず、下記式（１２）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。２－チオフェンメタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１１）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１１）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（１２）を合成した。
【0127】
【化17】
【0128】
また、エチレングリコールｔｅｒｔ－ブチルエーテルとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（１３）で表される化合物を合成した。
【0129】
【化18】
【0130】
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ（ＣＦ２Ｏ）ｉＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）（４０．０ｇ）と、上記式（１２）で表される化合物（６．９２ｇ）と、ｔ－ＢｕＯＨ（ターシャリーブチルアルコール）（４０．０ｍＬ）とを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ－ＢｕＯＫ（カリウムターシャリーブトキシド）（１．３５ｇ）を加え、７０℃に加熱し、８時間撹拌して反応させた。
【0131】
その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水を加え、さらに三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（以下、バートレルＸＦ）を加えて有機層を抽出し、水洗した。有機層に、無水硫酸ナトリウムを加えて脱水し、乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、下記式（１４）で表される化合物（１７．４ｇ）を得た。
【0132】
【化19】
【0133】
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、上記式（１４）で表される化合物（１７．４ｇ）と、上記式（１３）で表される化合物（２．６７ｇ）と、ｔ－ＢｕＯＨ（ターシャリーブチルアルコール）（６５．０ｍＬ）とを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ－ＢｕＯＫ（カリウムターシャリーブトキシド）（０．２３５ｇ）を加え、７０℃に加熱し、１６時間撹拌して反応させた。
【0134】
その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水を加え、さらにバートレルＸＦを加えて有機層を抽出し、水洗した。有機層に、無水硫酸ナトリウムを加えて脱水し、乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。
得られた残渣に室温で、水（３．３ｍＬ）とトリフルオロ酢酸（２１．５ｍＬ）を加え、室温で６時間攪拌した。水およびトリフルオロ酢酸を３５℃以下で留去し、得られた残渣に５％重曹水（１００ｍＬ）を加え、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、濃縮した。
得られた残渣に室温で、水（３．３ｍＬ）とトリフルオロ酢酸（２１．５ｍＬ）を加え、室温で６時間攪拌した。水およびトリフルオロ酢酸を３５℃以下で留去し、得られた残渣に５％重曹水（１００ｍＬ）を加え、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、濃縮した。
【0135】
得られた残渣にメタノール（５６ｍＬ）と１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（５６ｍＬ）とを加え、室温で１時間攪拌した。メタノールを留去後、バートレルＸＦを加えて有機層を抽出し、水洗した。有機層に、無水硫酸ナトリウムを加えて脱水し、乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、化合物（Ａ）を１１．０ｇ得た。
【0136】
得られた化合物（Ａ）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４４－３．７８（１７Ｈ）、３．８５－４．２０（１２Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５１．９９～－５５．７２（９Ｆ）、－７８．４８（２Ｆ）、－８０．６６（２Ｆ）、－８９．１６～－９１．１４（１８Ｆ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４４－３．７８（１７Ｈ）、３．８５－４．２０（１２Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５１．９９～－５５．７２（９Ｆ）、－７８．４８（２Ｆ）、－８０．６６（２Ｆ）、－８９．１６～－９１．１４（１８Ｆ）
【0137】
［実施例２］
以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物（式（Ｂ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（１６）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。２－チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１５）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１５）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（１６）を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物（式（Ｂ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（１６）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。２－チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１５）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１５）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（１６）を合成した。
【0138】
【化20】
【0139】
そして、実施例１において用いた式（１２）で表される化合物の代わりに式（１６）で表される化合物を７．２６ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｂ）を１１．２ｇ得た。
【0140】
得られた化合物（Ｂ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0141】
［実施例３］
以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物（式（Ｃ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（１８）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。２－チオフェンプロパノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１７）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１７）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（１８）を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物（式（Ｃ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（１８）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。２－チオフェンプロパノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１７）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１７）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（１８）を合成した。
【0142】
【化21】
【0143】
そして、実施例１において用いた式（１２）で表される化合物の代わりに式（１８）で表される化合物を７．５９ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）を１１．９ｇ得た。
【0144】
得られた化合物（Ｃ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９５（２Ｈ）、２．９１（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９５（２Ｈ）、２．９１（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0145】
［実施例４］
以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物（式（Ｄ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（２０）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。３－チオフェンメタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１９）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１９）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（２０）を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物（式（Ｄ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（２０）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。３－チオフェンメタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて、下記式（１９）で表される化合物を合成した。得られた化合物（１９）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（２０）を合成した。
【0146】
【化22】
【0147】
そして、実施例１において用いた式（１２）で表される化合物の代わりに式（２０）で表される化合物を６．９２ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）を１１．３ｇ得た。
【0148】
得られた化合物（Ｄ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４４－３．７８（１７Ｈ）、３．８５－４．２０（１２Ｈ）、７．０５（２Ｈ）、７．４３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４４－３．７８（１７Ｈ）、３．８５－４．２０（１２Ｈ）、７．０５（２Ｈ）、７．４３（１Ｈ）
【0149】
［実施例５］
以下に示す方法により、上記式（Ｅ）で表される化合物（式（Ｅ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（２２）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。３－チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２１）で表される化合物を合成した。得られた化合物（２１）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（２２）を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｅ）で表される化合物（式（Ｅ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（２２）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。３－チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２１）で表される化合物を合成した。得られた化合物（２１）を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（２２）を合成した。
【0150】
【化23】
【0151】
そして、実施例１において用いた式（１２）で表される化合物の代わりに式（２２）で表される化合物を７．２６ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）を１１．５ｇ得た。
【0152】
得られた化合物（Ｅ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝２．９４（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、７．０５（２Ｈ）、７．４３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝２．９４（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、７．０５（２Ｈ）、７．４３（１Ｈ）
【0153】
［実施例６］
以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物（式（Ｆ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物（式（Ｆ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
【0154】
まず、エチレングリコールｔｅｒｔ－ブチルエーテルとアリルグリシジルエーテルとの反応物を酸化して、下記式（２３）で表される化合物を合成した。
そして、実施例２において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２３）で表される化合物を３．８１ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を１２．５ｇ得た。
そして、実施例２において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２３）で表される化合物を３．８１ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を１２．５ｇ得た。
【0155】
【化24】
【0156】
得られた化合物（Ｆ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（２３Ｈ）、３．８５－４．２０（１２Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（２３Ｈ）、３．８５－４．２０（１２Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0157】
［実施例７］
以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物（式（Ｇ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（２４）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。上記式（１６）で示される化合物を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、二か所ある２級水酸基をメトキシメチル基でそれぞれ保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（２４）を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物（式（Ｇ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、下記式（２４）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。上記式（１６）で示される化合物を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、二か所ある２級水酸基をメトキシメチル基でそれぞれ保護し、得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を除去した。最後に、生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて化合物（２４）を合成した。
【0158】
【化25】
【0159】
そして、実施例１において用いた式（１２）で表される化合物の代わりに式（２４）で表される化合物を１０．１ｇ使用し、実施例１において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２３）で表される化合物を３．８１ｇ使用した以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）を１２．９ｇ得た。
【0160】
得られた化合物（Ｇ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（２７Ｈ）、３．８５－４．２０（１４Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（２７Ｈ）、３．８５－４．２０（１４Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0161】
［実施例８］
以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物（式（Ｈ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、プロパンジオールｔｅｒｔ－ブチルエーテルとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２５）で表される化合物を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物（式（Ｈ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
まず、プロパンジオールｔｅｒｔ－ブチルエーテルとエピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２５）で表される化合物を合成した。
【0162】
【化26】
【0163】
そして、実施例２において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２５）で表される化合物を２．８９ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）を１１．８ｇ得た。
【0164】
得られた化合物（Ｈ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝１．８３（２Ｈ）、３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝１．８３（２Ｈ）、３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0165】
［実施例９］
以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物（式（Ｉ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
２，２，３，３－テトラフルオロ－１，４－ブタンジオールと３，４－ジヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、片側の水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護した後、エピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２６）で表される化合物を合成した。
そして、実施例２において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２６）で表される化合物を４．６４ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）を１２．９ｇ得た。
以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物（式（Ｉ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
２，２，３，３－テトラフルオロ－１，４－ブタンジオールと３，４－ジヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、片側の水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護した後、エピブロモヒドリンを反応させて、下記式（２６）で表される化合物を合成した。
そして、実施例２において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２６）で表される化合物を４．６４ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）を１２．９ｇ得た。
【0166】
【化27】
【0167】
得られた化合物（Ｉ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１５Ｈ）、３．８５－４．２０（１４Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１５Ｈ）、３．８５－４．２０（１４Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0168】
［実施例１０］
以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物（式（Ｊ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
３－ブテン－１－オールと３，４－ジヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護した後、メタクロロ過安息香酸を用いて酸化することにより、下記式（２７）で表される化合物を合成した。
以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物（式（Ｊ）中、平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）を得た。
３－ブテン－１－オールと３，４－ジヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護した後、メタクロロ過安息香酸を用いて酸化することにより、下記式（２７）で表される化合物を合成した。
【0169】
【化28】
【0170】
そして、実施例２において用いた式（１３）で表される化合物の代わりに式（２７）で表される化合物を２．６４ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）を１１．２ｇ得た。
【0171】
得られた化合物（Ｊ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６８（２Ｈ）、３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１６Ｈ）、３．８５－４．２０（９Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６８（２Ｈ）、３．０７（２Ｈ）、３．４４－３．７８（１６Ｈ）、３．８５－４．２０（９Ｈ）、６．９０（２Ｈ）、７．２３（１Ｈ）
【0172】
［実施例１１］
以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物（式（Ｋ）中、平均重合度を示すｖは４．５である。）を得た。
以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物（式（Ｋ）中、平均重合度を示すｖは４．５である。）を得た。
【0173】
実施例２における、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ（ＣＦ２Ｏ）ｉＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｊＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｊは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル４０．０ｇを用いたこと以外は、実施例２と同様の操作を行い、化合物（Ｋ）を１０．１ｇ得た。
【0174】
得られた化合物（Ｋ）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０８（２Ｈ）、３．４４－３．８０（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９３（２Ｈ）、７．２６（１Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－８３．７０（１８Ｆ）、－８６．５５（４Ｆ）、－１２４．２１（４Ｆ）、－１２９．７３（９Ｆ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０８（２Ｈ）、３．４４－３．８０（１９Ｈ）、３．８５－４．２０（１０Ｈ）、６．９３（２Ｈ）、７．２６（１Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－８３．７０（１８Ｆ）、－８６．５５（４Ｆ）、－１２４．２１（４Ｆ）、－１２９．７３（９Ｆ）
【0175】
［実施例１２］
以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物（式（Ｌ）中、平均重合度を示すｍは７である。）を得た。
以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物（式（Ｌ）中、平均重合度を示すｍは７である。）を得た。
【0176】
実施例２における、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ（ＣＦ２Ｏ）ｉＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｋＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中、平均重合度を示すｋは７である。）で表されるフルオロポリエーテル４０．０ｇを用いたこと以外は、実施例２と同様の操作を行い、化合物（Ｌ）を１０．１ｇ得た。
【0177】
得られた化合物（Ｌ）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０４（２Ｈ）、３．４０－３．７９（１９Ｈ）、３．８５－４．２５（１０Ｈ）、６．９２（２Ｈ）、７．２１（１Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５７（４Ｆ）、－８９．２４～―８９．５７（２８Ｆ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．０４（２Ｈ）、３．４０－３．７９（１９Ｈ）、３．８５－４．２５（１０Ｈ）、６．９２（２Ｈ）、７．２１（１Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５７（４Ｆ）、－８９．２４～―８９．５７（２８Ｆ）
【0178】
［比較例１］
下記式（ＡＡ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
下記式（ＡＡ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
【0179】
【化29】
【0180】
［比較例２］
下記式（ＡＢ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
下記式（ＡＢ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
【0181】
【化30】
【0182】
［比較例３］
下記式（ＡＣ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
下記式（ＡＣ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
【0183】
【化31】
【0184】
［比較例４］
下記式（ＡＤ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
下記式（ＡＤ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
【0185】
【化32】
【0186】
［比較例５］
下記式（ＡＥ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
下記式（ＡＥ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。
【0187】
【化33】
【0188】
このようにして得られた実施例１～１２および比較例１～５の化合物の数平均分子量を、上述した１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。なお、化合物の原料として用いたフルオロポリエーテルの分子量分布、化合物を合成する際の操作の差異などによって、合成した化合物の数平均分子量の値には１～５程度のばらつきが存在しているものと推定される。
【0189】
【表1】
【0190】
次に、以下に示す方法により、実施例１～１２および比較例１～５で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～１２および比較例１～５の磁気記録媒体を得た。
【0191】
「潤滑層形成用溶液」
実施例１～１２および比較例１～５で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が８．５Å～１０ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、化合物の濃度が０．００１質量％～０．０１質量％である潤滑層形成用溶液とした。
実施例１～１２および比較例１～５で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が８．５Å～１０ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、化合物の濃度が０．００１質量％～０．０１質量％である潤滑層形成用溶液とした。
【0192】
「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１２および比較例１～５の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱する熱処理を行った。このことにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１２および比較例１～５の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱する熱処理を行った。このことにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【0193】
（膜厚測定）
得られた実施例１～１２および比較例１～５の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、それぞれ以下に示す方法により測定した。
ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、潤滑層のＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さを測定した。次いで、以下に示す方法により算出した相関式を用いて、潤滑層のＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さの測定値から、潤滑層の膜厚を算出した。その結果を表１に示す。
得られた実施例１～１２および比較例１～５の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、それぞれ以下に示す方法により測定した。
ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、潤滑層のＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さを測定した。次いで、以下に示す方法により算出した相関式を用いて、潤滑層のＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さの測定値から、潤滑層の膜厚を算出した。その結果を表１に示す。
【0194】
（相関式の算出方法）
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けたディスクの表面に、６～２０Å（２Å刻み）の膜厚でそれぞれ潤滑層を形成した。
その後、潤滑層を形成した各ディスクについて、エリプソメータを用いて、潤滑層を形成していないディスク表面からの膜厚増加分を測定し、潤滑層の膜厚とした。また、潤滑層を形成した各ディスクについて、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いてＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さを測定した。
そして、ＦＴ－ＩＲにより得たピーク高さと、エリプソメータを用いて得た潤滑層の膜厚との相関式を求めた。
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けたディスクの表面に、６～２０Å（２Å刻み）の膜厚でそれぞれ潤滑層を形成した。
その後、潤滑層を形成した各ディスクについて、エリプソメータを用いて、潤滑層を形成していないディスク表面からの膜厚増加分を測定し、潤滑層の膜厚とした。また、潤滑層を形成した各ディスクについて、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いてＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さを測定した。
そして、ＦＴ－ＩＲにより得たピーク高さと、エリプソメータを用いて得た潤滑層の膜厚との相関式を求めた。
【0195】
なお、潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物の主鎖は、主にＣとＦで形成されている。しかし、含フッ素エーテル化合物の種類ごとに１分子中のＣ－Ｆの密度が違う。よって、ＦＴ－ＩＲを用いて得たＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さが同じ含フッ素エーテル化合物であっても、これを用いて形成した潤滑層の膜厚は同じでない可能性がある。
【0196】
また、実施例１～１２および比較例１～５の磁気記録媒体に対して、以下に示す方法により耐摩耗性試験、化学物質耐性試験およびタッチダウンパワー測定を行なった。その結果を表１に示す。
【0197】
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。
【0198】
なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。
【0199】
（化学物質耐性試験）
以下に示す評価手法により、高温環境下において汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。なお、以下に示す評価手法では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。
以下に示す評価手法により、高温環境下において汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。なお、以下に示す評価手法では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。
【0200】
具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例５の結果を１．００としたときの数値を用いて評価した。その結果を表１に示す。
【0201】
（タッチダウンパワー測定）
磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層との距離である磁気スペーシングの評価指標として、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）を測定した。ＴＤｐの測定は、書込みテスター（ＤＦＨテスター）を用いて、以下の通り実施した。
磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層との距離である磁気スペーシングの評価指標として、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）を測定した。ＴＤｐの測定は、書込みテスター（ＤＦＨテスター）を用いて、以下の通り実施した。
【0202】
評価対象である磁気記録媒体を５４００ｒｐｍで回転させ、中心から半径１８ｍｍの位置に書込み素子（ＤＦＨ素子）を対向させて配置した。その後、ＤＦＨ素子のヒータ電力を徐々に上昇させ、ヒータの発熱によりＤＦＨ素子を熱膨張させた。そして、ＤＦＨ素子の熱膨張により突出したＤＦＨ素子の先端が、磁気記録媒体の潤滑層と接触した時点でのヒータ電力をＴＤｐ（単位ｍＷ）として測定した。
なお、ＤＦＨ素子の先端と、磁気記録媒体の潤滑層とが接触したことは、アコースティックエミッション（ＡＥ）センサにより検出した。
なお、ＤＦＨ素子の先端と、磁気記録媒体の潤滑層とが接触したことは、アコースティックエミッション（ＡＥ）センサにより検出した。
【0203】
一般的に、潤滑層の厚みが薄くなると、書込み素子（ＤＦＨ素子）が磁気記録媒体（潤滑層）の表面に接触するのに要するＴＤｐが大きくなる。一方、ＴＤｐは、磁気記録媒体（潤滑層）の表面に凹凸が存在していると小さくなる。
表１に示す潤滑層の膜厚は、ＦＴ－ＩＲを用いて算出した値であり、平均膜厚である。したがって、表１に示す潤滑層の膜厚が同じであっても、潤滑層の表面に存在する凹凸の有無によって潤滑層の最大厚みが異なっていれば、ＴＤｐは異なる値となる。
表１に示す潤滑層の膜厚は、ＦＴ－ＩＲを用いて算出した値であり、平均膜厚である。したがって、表１に示す潤滑層の膜厚が同じであっても、潤滑層の表面に存在する凹凸の有無によって潤滑層の最大厚みが異なっていれば、ＴＤｐは異なる値となる。
【0204】
表１に示すように、実施例１～１２の磁気記録媒体は、比較例１～５の磁気記録媒体と比較して、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。
また、表１に示すように、実施例１～１２の磁気記録媒体では、比較例１～５の磁気記録媒体と比較して、Ｓｉ吸着量が少なく、膜厚が薄くても高温環境下において環境物質によって汚染されにくいことが明らかになった。
また、表１に示すように、実施例１～１２の磁気記録媒体では、比較例１～５の磁気記録媒体と比較して、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）が大きく、磁気スペーシングを低減できることが明らかになった。
また、表１に示すように、実施例１～１２の磁気記録媒体では、比較例１～５の磁気記録媒体と比較して、Ｓｉ吸着量が少なく、膜厚が薄くても高温環境下において環境物質によって汚染されにくいことが明らかになった。
また、表１に示すように、実施例１～１２の磁気記録媒体では、比較例１～５の磁気記録媒体と比較して、タッチダウンパワー（ＴＤｐ）が大きく、磁気スペーシングを低減できることが明らかになった。
【0205】
より詳細には、比較例１では、パーフルオロポリエーテル鎖とチオフェンアルキル基との間に存在する水酸基の数が１つである化合物を用いたため、耐摩耗性、化学物質耐性が不十分であり、タッチダウンパワーが小さくなった。
また、比較例２～４では、チオフェンアルキル基が配置されておらず、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に存在する水酸基の数が１つである化合物を用いたため、耐摩耗性、化学物質耐性が不十分であり、タッチダウンパワーが小さくなった。
また、比較例５では、チオフェンアルキル基が配置されていない化合物を用いたため、耐摩耗性、化学物質耐性が不十分であり、タッチダウンパワーが小さくなった。
また、比較例２～４では、チオフェンアルキル基が配置されておらず、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に存在する水酸基の数が１つである化合物を用いたため、耐摩耗性、化学物質耐性が不十分であり、タッチダウンパワーが小さくなった。
また、比較例５では、チオフェンアルキル基が配置されていない化合物を用いたため、耐摩耗性、化学物質耐性が不十分であり、タッチダウンパワーが小さくなった。
【0206】
表１に示した効果は、実施例１～１２の磁気記録媒体では、潤滑層が式（１）で表される化合物を含むため、保護層との密着性が良好で、表面凹凸の抑制された被覆率の高い潤滑層が形成されていることにより得られるものと推定される。
【産業上の利用可能性】
【0207】
薄膜化して、磁気スペーシングを低減しても、優れた耐摩耗性および化学物質耐性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適に用いることが出来る含フッ素エーテル化合物を提供する。
【符号の説明】
【0208】
１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。
【図1】