特許 7343111 対向型Ｘ線複合ミラー

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-04

(45)【発行日】2023-09-12

(54)【発明の名称】対向型Ｘ線複合ミラー

(51)【国際特許分類】

   G21K 1/06 20060101AFI20230905BHJP

【ＦＩ】

G21K1/06 B

G21K1/06 M

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2019147194

(22)【出願日】2019-08-09

(65)【公開番号】P2021028580

(43)【公開日】2021-02-25

【審査請求日】2022-07-08

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２９年度 国立研究開発法人科学技術振興機構、研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム 産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願

(73)【特許権者】

【識別番号】396007188

【氏名又は名称】株式会社ジェイテックコーポレーション

(73)【特許権者】

【識別番号】504176911

【氏名又は名称】国立大学法人大阪大学

(72)【発明者】

【氏名】松山 智至

(72)【発明者】

【氏名】山田 純平

(72)【発明者】

【氏名】一井 愛雄

(72)【発明者】

【氏名】岡田 浩巳

【審査官】鳥居 祐樹

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０２６２９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ２１Ｋ １／０６

Ｇ２１Ｋ ５／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

１次元のＸ線反射面を二つ以上備え、Ｘ線の斜入射光学系に用いるＸ線複合ミラーであって、
ミラー基板が少なくとも２つ以上存在し、
前記各ミラー基板の１面の一部に、凹型、凸型の何れか一方、若しくは両方の形状の１次元のＸ線反射面を有するとともに、当該反射面と同一側の前記ミラー基板の面の一部に、平面領域を有し、
前記ミラー基板の平面領域の少なくとも一部を基準にして、別のミラー基板の相対配置を決定し、少なくとも二つの反射面が対向していることを特徴とする対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項2】

前記各ミラー基板のＸ線反射面の形状プロファイルと平面領域の形状プロファイルはそれぞれｎ次多項式で表され、
前記各ミラー基板のＸ線反射面が、楕円、放物、双曲の何れかの形状を有し、当該反射面の形状プロファイルが、多項式Ｙ＝Ｆｎ（ｘ）（項数ｎは１、２、・・・ｎ、ｘはＸ線進行方向の座標、基板裏面をゼロとする）で表わされ、
前記各ミラー基板の平面領域の形状プロファイルが、略Ｙ＝＋Ａｎ（項数ｎは１、２、・・・ｎ、基板裏面をゼロとする）で表され、
各ミラー基板においてＡｎ≧Ｆｎ（ｘ）となっている、請求項１記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項3】

２つのミラー基板が互いに向かい合う配置で、かつ、平面領域が対向し、一部で接触する配置であって、
（Ａ１－Ｆ１（ｘ））＋（Ａ２－Ｆ２（ｘ））＝Ｚ（ｘ）
で表わされるＺ（ｘ）の値は、Ｘ線ビームのサイズと、入射角で決められる設計値であるとともに、当該設計値からの誤差が±５μｍ以内である、請求項２記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項4】

前記ミラー基板の平面領域の一部が、向かい合う位置に配置されている、請求項１～３何れか１項に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項5】

前記ミラー基板の平面領域の一部が、接触している、請求項１～４何れか１項に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項6】

前記ミラー基板の、Ｘ線進行方向に対しての右手側、左手側両側面と、Ｘ線反射面との直角度が１００秒以下である、請求項１～５何れか１項に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項7】

前記ミラー基板の、Ｘ線進行方向に対しての右手側、左手側両側面の平行度が１００秒以下である、請求項１～６何れか１項に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項8】

前記反射面の理想形状からの形状誤差が、１ｍｍ以上有効長さまでの空間周波数領域で、０．１ｎｍＲＭＳ以上、２ｎｍＲＭＳ以下である、請求項１～７何れか１項に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【請求項9】

前記反射面と平面領域の境界は、スロープで繋がっている、請求項１～８何れか１項に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、対向型Ｘ線複合ミラーに係わり、更に詳しくはＸ線の斜入射光学系に用いる対向型Ｘ線複合ミラーに関するものである。

【背景技術】

【0002】

楕円形状を使ったＸ線ミラーはKirkpatric-Baez(ＫＢ)ミラーとして、現在多くの放射光施設で使用されていて、微小な集光径が得られるだけでなく、他の集光光学系と比べて光の集光効率も高いことが特徴である（非特許文献１）。また、色収差がないことも特徴となっていて、エネルギーが変わっても焦点位置が変わらないので、イメージング用途にも利用が可能である。

【0003】

例えば、多くの放射光施設では、図６（ａ）に示すように、一対の楕円ミラー１０１、１０２を垂直と水平に配置（ＫＢミラー配置）したＸ線集光光学系や、図６（ｂ）に示すように、一対の楕円ミラー１０１，１０２と一対の双曲ミラー１０３，１０４をそれぞれＫＢミラー配置したＸ線結像光学系が使用されているが、垂直方向と水平方向においてＸ線ビームに対して片側だけで用いられる。

【0004】

しかし、近年、集光光学系・結像光学系では、より多くの光を集めるため、両側にミラーを対向して配置することが提案されつつある（図７参照）。図７（ａ）は、二対の楕円ミラー１０５，１０５、楕円ミラー１０６，１０６をＫＢミラー配置とした集光光学系で、それぞれ対向する楕円ミラー１０５，１０５及び楕円ミラー１０６，１０６は同形であり、これにより光量を増大させることができる。また、図７（ｂ）は、二対の凹面ミラー１０７，１０８・凸面ミラー１０９，１１０を光軸方向にずらせて対向させるように配置した結像光学系である（特許文献１、非特許文献２）。ここで、凹面ミラー１０７，１０８は楕円ミラー、凸面ミラー１０９，１１０は双曲ミラーで構成されている。これによって光学系の主面を試料側へシフトでき、光学系全体をコンパクト化できる。この図７（ｂ）の結像光学系を用いることで、放射光施設のような大規模な施設でなくても数１０ｎｍ程度の微細構造を拡大して観察できるようになっている。

【0005】

これまでは、対向する一対のミラーは、（１）ステージ上に別々に組み付けて実現するか、（２）基板に接着によって固定した上でステージに組み付けて実現していた。しかし，（１）の手法は、非常に高精度なアライメント技術が必要であり、使い勝手と長時間安定性、振動の問題が懸念される。（２）の手法は、接着によるアライメント変化や形状変形が懸念されるうえ、接着剤は高真空下では使用不可であり、メンテナンスの度にミラーを剥離しなければならないという問題もある。どちらの場合も、対向するミラーを１００ｎｍ、１０μradの精度で測定できる特殊な計測器を必要とし、これは非常に困難である。

【0006】

尚、一枚のミラー基板に、楕円ミラーと双曲ミラーを作り込んだ一次元ウォルターミラーは提供されている（特許文献２）。１枚のミラーに楕円ミラーと双曲ミラーが作り込まれているので、各々１枚ずつ別々の場合と比較してミラーのアライメント調整が格段にしやすくなっているが、イメージング用として使う場合、その拡大倍率が限られているという課題が残っていた。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】国際公開ＷＯ２０１７/０５１８９０号公報

【文献】特開２０１４－００６４５７号公報

【非特許文献】

【0008】

【文献】Satoshi Matsuyama,et.al, Scientific Reports, 7:46358, (2017)．

【文献】Jumpei Yamada,et.al, Applied Optics, Vol.56,No.4, p.967 (2017)．

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

ミラーの反射面が対向する光学系は、前述のように優れた特性を備えているが、ミラーは向かい合った形状のため、１枚ずつ別々に作ることが必要である。そして、それらのミラーの相対位置を精度よくアライメント調整する必要があるが、その調整には放射光のＸ線を利用することを必要とし、上述した特殊な計測機を用いるか，調整後にミラーをＵＶ硬化樹脂で固定化させるなどの手段が必要である。しかし、ＵＶ硬化樹脂による固定では接着剤の硬化収縮やＵＶ照射による温度ドリフトの影響がでてしまうので、高い精度を要求する場合には難しい一面があった。

【0010】

そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決しようとするところは、ミラー同士を調整するのにかかる時間を大幅に短縮し、特殊計測機やＸ線のビームを用いずともアライメントが完了した状態で対向型Ｘ線複合ミラーを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明は、前述の課題解決のために、以下に示す対向型Ｘ線複合ミラーを構成した。

【0012】

（１）
１次元のＸ線反射面を二つ以上備え、Ｘ線の斜入射光学系に用いるＸ線複合ミラーであって、
ミラー基板が少なくとも２つ以上存在し、
前記各ミラー基板の１面の一部に、凹型、凸型の何れか一方、若しくは両方の形状の１次元のＸ線反射面を有するとともに、当該反射面と同一側の前記ミラー基板の面の一部に、平面領域を有し、
前記ミラー基板の平面領域の少なくとも一部を基準にして、別のミラー基板の相対配置を決定し、少なくとも二つの反射面が対向していることを特徴とする対向型Ｘ線複合ミラー。

【0013】

（２）
前記各ミラー基板のＸ線反射面の形状プロファイルと平面領域の形状プロファイルはそれぞれｎ次多項式で表され、
前記各ミラー基板のＸ線反射面が、楕円、放物、双曲の何れかの形状を有し、当該反射面の形状プロファイルが、多項式Ｙ＝Ｆｎ（ｘ）（項数ｎは１、２、・・・ｎ、ｘはＸ線進行方向の座標、基板裏面をゼロとする）で表わされ、
前記各ミラー基板の平面領域の形状プロファイルが、略Ｙ＝＋Ａｎ（項数ｎは１、２、・・・ｎ、基板裏面をゼロとする）で表され、
各ミラー基板においてＡｎ≧Ｆｎ（ｘ）となっている、（１）記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0014】

（３）
２つのミラー基板が互いに向かい合う配置で、かつ、平面領域が対向し、一部で接触する配置であって、
（Ａ１－Ｆ１（ｘ））＋（Ａ２－Ｆ２（ｘ））＝Ｚ（ｘ）
で表わされるＺ（ｘ）の値は、Ｘ線ビームのサイズと、入射角で決められる設計値であるとともに、当該設計値からの誤差が±５μｍ以内である、（２）記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0015】

（４）
前記ミラー基板の平面領域の一部が、向かい合う位置に配置されている、（１）～（３）何れか１に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0016】

（５）
前記ミラー基板の平面領域の一部が、接触している、（１）～（４）何れか１に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0017】

（６）
前記ミラー基板の、Ｘ線進行方向に対しての右手側、左手側両側面と、Ｘ線反射面との直角度が１００秒以下である、（１）～（５）何れか１に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0018】

（７）
前記ミラー基板の、Ｘ線進行方向に対しての右手側、左手側両側面の平行度が１００秒以下である、（１）～（６）何れか１に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0019】

（８）
前記反射面の理想形状からの形状誤差が、１ｍｍ以上有効長さまでの空間周波数領域で、０．１ｎｍＲＭＳ以上、２ｎｍＲＭＳ以下である、（１）～（７）何れか１に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【0020】

（９）
前記反射面と平面領域の境界は、スロープで繋がっている、（１）～（８）何れか１に記載の対向型Ｘ線複合ミラー。

【発明の効果】

【0021】

本発明の対向型Ｘ線複合ミラーによれば、Ｘ線を反射させる反射面の隣に平面領域を有し、反射面と平面領域の相対形状を正確に作製したミラー基板を少なくとも２つ用い、対向する二つのミラー基板の平面領域を用いて相対位置を正確に位置決めすることにより、少なくとも二つの反射面を正確に対向させることが可能となる。ミラー基板の同一面側に反射面と平面領域とがあるので、高精度な干渉計や３次元計測機の適用範囲内であり，計測・加工を繰り返すことで、相対形状を正確に作り込むことができる。また、ミラー基板の平面領域同士は接着する必要はなく、弱い力で抑えるだけで充分である。これによってメンテナンスが非常に簡単になるとともに、接着剤・グリスが不要なため高真空下で使用可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の対向型Ｘ線複合ミラーＡの第１実施形態を示す斜視図である。

【図2】同じく分解斜視図である。

【図3】本発明の対向型Ｘ線複合ミラーＢの第２実施形態を示す斜視図である。

【図4】同じく分解斜視図である。

【図5】第２実施形態の対向型Ｘ線複合ミラーＢの具体例を示す斜視図である。

【図6】従来例を示し、（ａ）はＫＢミラー配置の集光光学系を示す説明図、（ｂ）はＡＫＢミラー配置の結像光学系を示す説明図である。

【図7】従来例を示し、（ａ）対向する二対の楕円ミラーをＫＢミラー配置とした集光光学系を示す説明図、（ｂ）は二つの楕円凹面ミラーと二つの双曲凸面ミラーをＫＢミラー配置としたコンパクト結像光学系を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

次に、添付図面に示した実施形態に基づき、本発明を更に詳細に説明する。図１及び図２は本発明の対向型Ｘ線複合ミラーＡの第１実施形態を示し、図３及び図４は本発明の対向型Ｘ線複合ミラーＢの第２実施形態を示し、図中符号１は第１のミラー基板、２は第２のミラー基板をそれぞれ示している。尚、本実施形態では、ミラー基板の数が２つの場合を示しているが、３つ以上であっても構わない。

【0024】

本発明は、１次元のＸ線反射面３，５を二つ以上備え、Ｘ線の斜入射光学系に用いるＸ線複合ミラーであって、ミラー基板１，２が少なくとも２つ以上存在し、前記各ミラー基板１，２の１面の一部に、凹型、凸型の何れか一方、若しくは両方の形状の１次元のＸ線反射面３，５を有するとともに、当該反射面３，５と同一側の前記ミラー基板１，２の面の一部に、平面領域４，６を有し、前記ミラー基板１の平面領域４の少なくとも一部を基準にして、別のミラー基板２の相対配置を決定し、少なくとも二つの反射面３，５が対向していることを特徴とする。

【0025】

前記ミラー基板１の平面領域４の少なくとも一部を基準にして、別のミラー基板２の相対配置を決定する方法として、前記ミラー基板１，２の平面領域４，６の一部が、向かい合う位置に配置されていることが必要であり、そして前記ミラー基板１，２の平面領域４，６の一部を接触させるように配置する。

【0026】

ここで、前記各ミラー基板１，２の１面の一部に、Ｘ線反射面３，５を有するとともに、当該反射面３，５と同一側の前記ミラー基板１，２の面の一部に、平面領域４，６を有するとは、平面領域４，６の法線と、反射面３，５の特定部位、例えば中央部位の法線とが同じ向きになることを意味する。

【0027】

言い換えれば、前記各ミラー基板１，２のＸ線反射面３，５の形状プロファイルと平面領域４，６の形状プロファイルはそれぞれｎ次多項式で表され、
前記ミラー基板１，２のＸ線反射面３，５の一次元形状が、楕円、放物、双曲の何れかの形状を有し、当該反射面３，５の形状プロファイルがそれぞれ、多項式
Ｙ＝Ｆｎ（ｘ）
（項数ｎは１、２、・・・ｎ、ｘはＸ線進行方向の座標、基板裏面７，８をゼロとする）
で表わされ、
前記ミラー基板１，２の平面領域４，６の形状プロファイルがそれぞれ、略
Ｙ＝＋Ａｎ
（項数ｎは１、２、・・・ｎ、基板裏面７，８をゼロとする）
で表されることと同じ意味である。

【0028】

更に、前記各ミラー基板１，２の平面領域４，６を互いに接触させた状態で、前記反射面３，５の間にＸ線を入射させる間隙を設ける必要があることから、
Ａｎ≧Ｆｎ（ｘ）
となっていることが要求される。つまり、前記ミラー基板１，２の裏面７，８を基準として前記反射面３，５は、平面領域４，６より低い位置にあることが要求される。

【0029】

それぞれのミラー基板１，２が、Ａｎ≧Ｆｎ（ｘ）を満足すれば、平面領域４，６同士を合わせたときに、ｘ軸方向から見て反射面３，５の間に隙間ができる。仮に、一方のミラー基板１の反射面３が楕円、もう一方のミラー基板２の反射面５が双曲とし、ミラー基板１の反射面３より平面領域４が低いと、もう一方のミラー基板２の平面領域６の高さを反射面５より更に高くすることが必要になる。この場合、二つのミラー基板１，２を重ねる際に、平面領域６と楕円反射面３、平面領域４と反射面５の双曲部の傾斜部で接触する可能性もあり、組み付け作業に手間が掛かり、また加工も大変になる。

【0030】

更に、２つのミラー基板１，２が互いに向かい合う配置で、かつ、平面領域４，６が対向し、一部で接触する配置であって、
（Ａ１－Ｆ１（ｘ））＋（Ａ２－Ｆ２（ｘ））＝Ｚ（ｘ）
で表わされるＺ（ｘ）の値は、Ｘ線ビームのサイズと、入射角で決められる設計値であるとともに、当該設計値からの誤差が±５μｍ以内であることが好ましい。誤差が±５μｍを超えると要求される精度を確保できない。

【0031】

ここで、Ｘ線を対象とするので、前記反射面３，５の理想形状からの形状誤差が、１ｍｍ以上有効長さまでの空間周波数領域で、０．１ｎｍＲＭＳ以上、２ｎｍＲＭＳ以下であることが要求される。

【0032】

通常、前記ミラー基板１，２は、シリコン単結晶体や石英ガラスの直方体状基板材料を用いて製造される。具体的には、前記ミラー基板１，２は、それぞれ基板材料の裏面７，８を基準として平面領域４，６と反射面３，５を、機械研磨等や切削等による粗加工の後、ＥＥＭ（Elastic Emission Machining）、ＣＡＲＥ（Catalyst Referred Etching、触媒表面基準エッチング法）、ＰＣＶＭ（Plasma Chemical Vaporization Machining）等の精密加工法によって精度良く加工して製造する。同一の基板材料に、その裏面を基準として一面に反射面と平面領域を作り込むので、反射面と平面領域の相対関係の精度を１００ｎｍ、１０μradにすることは容易である。

【0033】

ＥＥＭは、微粒子の懸濁液中に被加工物を配置し、被加工物の表面に沿った剪断流を作ることで、被加工物表面に付着した微粒子を剪断流により除去する際に、微粒子に結合した表面原子も除去されるという加工原理で、Ｐ－Ｖ値：１ｎｍを実現している加工法である。

【0034】

ＣＡＲＥは、触媒機能を持つパッド（ＰｔやＮｉ等の触媒を成膜）を対象上で超純水を加工液として動かすことで表面上の凸部のみ化学的に除去し、様々な材料を原子スケールで平坦化するもので、Ｐ－Ｖ値：０．７ｎｍを実現可能な究極的な加工法である。

【0035】

ＰＣＶＭは、１気圧という高圧力のプラズマを用いた化学エッチングにより、高能率且つ無歪の加工を実現した加工法で、機械加工では困難な非球面形状も簡単に作成可能であり、プラズマを発生する電極の形状によって加工物表面の必要な場所のみを数値制御で加工することが可能である。

【0036】

前記ミラー基板１の、Ｘ線進行方向Ｐに対しての右手側、左手側両側面９，１０と、Ｘ線反射面３との直角度が１００秒以下であることが要求される。同様に、前記ミラー基板２の、Ｘ線進行方向Ｐに対しての右手側、左手側両側面１１，１２と、Ｘ線反射面５との直角度が１００秒以下であることが要求される。前記ミラー基板１，２の側面は、アライメント調整時に基準となることが多いので高い精度が要求される。ここで、直角度が１００秒を超えると要求される精度が確保できない。

【0037】

また、前記ミラー基板１の、Ｘ線進行方向Ｐに対しての右手側、左手側両側面９，１０の平行度が１００秒以下であることが要求される。同様に、前記ミラー基板２の、Ｘ線進行方向Ｐに対しての右手側、左手側両側面１１，１２の平行度が１００秒以下であることが要求される。前記ミラー基板１，２の側面は、アライメント調整時に基準となることが多いので高い精度が要求される。ここで、平行度が１００秒を超えると要求される精度が確保できない。

【0038】

前記ミラー基板１の両側面９，１０に対する反射面３との直角度や、両側面９，１０の平行度は重要である。同様に、前記ミラー基板２の両側面１１，１２に対する反射面５との直角度や、両側面１１，１２の平行度は重要である。その理由は、前記ミラー基板１，２の平面領域４，６を接触させて重ね合わせた状態で、ミラーマニピュレータの基準面に両側面１０，１２を接触させて位置決めするからである。尚、前記ミラー基板１，２の平面領域４，６を接触させて反射面３，５の相対位置を精度良く調整した後、その状態を何らかの固定手段で固定しておくことが望ましい。それには、ミラー基板１，２の変形を許容する程度の外部応力を加えて固定する、あるいはＵＶ硬化樹脂で接合端部を固定する等の固定手段がある。

【0039】

図１及び図２に示した第１実施形態の対向型Ｘ線複合ミラーＡは、第１のミラー基板１の反射面３と第２のミラー基板２の反射面５が、共に一次元楕円形であり、完全に対向する位置に設けられている。つまり、ミラー基板１の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に反射面３を、他側に平面領域４を形成している。同様に、ミラー基板２の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に反射面５を、他側に平面領域６を形成している。そして、前記ミラー基板１の平面領域４と前記前記ミラー基板２の平面領域６を完全に重なった状態で接触させて、反射面３と反射面５が対面した状態の対向型Ｘ線複合ミラーＡとする。

【0040】

この第１実施形態の対向型Ｘ線複合ミラーＡを一対用いてダブルＫＢミラーを構成し、あるいは二対用いてダブルＡＫＢミラーを構成することで、シングルミラーを使う場合より集める光を４倍にできる。

【0041】

図３及び図４に示した第２実施形態の対向型Ｘ線複合ミラーＢは、第１のミラー基板１の反射面３は一次元楕円形であり、第２のミラー基板２の反射面５は一次元双曲形である。ミラー基板１の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に平面領域４を形成し、Ｘ線進行方向Ｐの他側で上流側（Ｘ線源側）の略半分の領域に反射面３を形成している。一方、ミラー基板２の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に平面領域６を形成し、Ｘ線進行方向Ｐの他側で下流側（受光部側）の略半分の領域に反射面５を形成している。そして、前記ミラー基板１の平面領域４と前記前記ミラー基板２の平面領域６を完全に重なった状態で接触させて、反射面３と反射面５が対向しているが、Ｘ線進行方向Ｐの上流側と下流側にずれた位置にある状態の対向型Ｘ線複合ミラーＢとする。尚、前記ミラー基板１の平面領域４と前記前記ミラー基板２の平面領域６の一部のみが接触した状態でも構わない。

【0042】

この第２実施形態の対向型Ｘ線複合ミラーＢを用いれば、主面の位置を試料側に移動でき、コンパクト結像光学系を構成することが可能になる。更に、二対の対向型Ｘ線複合ミラーＢをＫＢミラー配置にした結像光学系を構成することも可能であり、４つの反射面があってもミラーのアライメント調整が容易になる。

【0043】

本発明で「対向」とは、第１実施形態のように反射面３と反射面５が完全に対面する場合と、第２実施形態のように反射面３と反射面５がＸ線進行方向Ｐの上流側と下流側にずれる場合、しかもそのずれ方は反射面３と反射面５がＸ線進行方向Ｐに対して一部重なる状態と完全に離れた状態を含む広い概念である。

【0044】

また、２つ以上のミラー基板を組む合わせる場合には、一つのミラー基板の平面領域に、複数のミラー基板の平面領域を接触させて、各反射面の相対位置を精度良く決定する。

【0045】

図５は、第２実施形態の対向型Ｘ線複合ミラーＢの具体例である。この場合、ミラー基板１の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に平面領域４を形成し、Ｘ線進行方向Ｐの他側で上流側の略半分の領域に反射面３を形成するとともに、下流側に非反射面領域１３を連続形成している。一方、ミラー基板２の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に平面領域６を形成し、Ｘ線進行方向Ｐの他側で下流側の略半分の領域に反射面５を形成するとともに、上流側に非反射面領域１４を連続形成している。また、前記ミラー基板１の前記反射面３と平面領域４の境界は、スロープ１５で繋がっている。同様に、前記ミラー基板２の前記反射面５と平面領域６の境界は、スロープ１６で繋がっている。尚、本実施形態では、前記ミラー基板１のスロープ１５は、平面領域４と非反射面領域１３の境界にも連続的に延びている。同様に、前記ミラー基板２のスロープ１６は、平面領域６と非反射面領域１４の境界にも連続的に延びている。

【0046】

また、他の製造方法として、先ず基板材料の一面で、Ｘ線進行方向Ｐに沿って左右一側に平面領域を形成し、Ｘ線進行方向Ｐの他側を上流側領域と下流側領域に二分し、上流側領域に第１の反射面を作り込み、下流側領域に第２の反射面を作り込む。それから、平面領域と第１の反射面及び第２の反射面の形状及び相対位置が所定の精度になった後に、基板材料をＸ線進行方向Ｐに対して直角に切断し、第１の反射面を有する第１のミラー基板と、第２の反射面を有する第２のミラー基板に分離しても良い。

【0047】

本発明では、前記ミラー基板１の反射面３と前記ミラー基板２の反射面５の形状は限定されず、様々な形状及び凸面と凹面の組み合わせがあり得る。

【符号の説明】

【0048】

Ａ 第１実施形態の対向型Ｘ線複合ミラー
Ｂ 第２実施形態の対向型Ｘ線複合ミラー
１ 第１のミラー基板
２ 第２のミラー基板
３ 反射面
４ 平面領域
５ 反射面
６ 平面領域
７ 裏面
８ 裏面
９ 側面
１０ 側面
１１ 側面
１２ 側面
１３ 非反射面領域
１４ 非反射面領域
１５ スロープ
１６ スロープ
１０１，１０２ 楕円ミラー
１０３，１０４ 双曲ミラー
１０５ 楕円ミラー
１０６ 楕円ミラー
１０７，１０８ 凹面ミラー
１０９，１１０ 凸面ミラー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】