特許7343407IP Force 特許公報全文掲載

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金属配線の形成方法及び金属配線構造体

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで近年の電子部品の高速化にともない、層間絶縁層としては寄生容量の少ないＬｏｗ－ｋ材が用いられている。このＬｏｗ－ｋ材は、一般的には低密度な材料で構成されている。このため、開口に形成された導電層から層間絶縁層への金属拡散をいかにして防ぐかは重要な課題となる。例えば、導電層から層間絶縁層への金属拡散が生じると、層間絶縁層の誘電率が変化したり、層間絶縁層内での電気的リークが生じたりして、電子部品の信頼性が低減する可能性がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するため、本発明の一形態に係る金属配線の形成方法は、以下の通りである。 銅を含む金属配線層と、金属配線層に積層され、金属配線層の表面の一部が露出する開口が設けられた層間絶縁層とを有する積層構造体が準備される。 第１スパッタリング成膜により、層間絶縁層の開口の側面に沿って、初期層として窒素が含有する銅アルミニウム層が形成される。 第２スパッタリング成膜・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上述べたように、本発明によれば、電子部品の信頼性を低減させない金属配線の形成方法及び金属配線構造体が提供される。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図（ａ）及び図（ｂ）は、電子部品の上層における、層間絶縁層、金属配線、及び金属配線層の積層構造の一部を示す模式的断面図である。
【図2】 図１（ａ）に例示された積層構造体の製造過程を示す模式的断面図である。
【図3】 図１（ａ）に例示された積層構造体の製造過程を示す模式的断面図である。
【図4】 図１（ｂ）に例示された積層構造体の製造過程を示す模式的断面図である。
【図5】 図１（ｂ）に例示された積層構造体の製造過程を示す模式的断面図である。
【図6】 積層構造体の製造過程の変形例を示す模式的断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１、１ａ、２、２ａ…積層構造体 １０、３０…金属配線層 １０ｓ、２１ｓ、３１ｓ…表面 １１、２１、３１…層間絶縁層 ２０、２５…金属配線 ２０ｄ…下端 ２０ｕ…上端 ２１ｈ、３１ｈ…開口 ２１ｗ、３１ｗ…側面 ２５ａ、２５ｂ…配線部 １０１…露出面 ２００、２５０…窒化銅アルミニウム層 ２０１、２５１…銅アルミニウム層 ２０２、２５２…銅アルミニウム配線 ２０２Ｌ、２５２Ｌ…銅アルミニウム配線層

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