特許7343749IP Force 特許公報全文掲載

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発光装置とその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、近年、発光装置の高輝度化が進み、発光素子と波長変換部材との接合部における光の損失が少ない発光装置が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

以上の目的を達成するために、本発明に係る一実施形態の発光装置は、発光素子と該発光素子の発光面に接合された透光性部材とを含む発光装置であって、前記発光素子と前記透光性部材とは、前記発光素子の一部及び前記透光性部材の一部からなり、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒからなる群から選択された少なくとも一種の希ガス元素を含む接合領域を介して接合されており、前記発光素子及び前記透光性部材の少なくとも一方において、前・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上のように構成された本発明に係る一実施形態の発光装置によれば、発光素子と透光性部材との接合部における光の損失が少ない発光装置を提供することができる。
また、本発明に係る一実施形態の発光装置の製造方法によれば、発光素子と透光性部材との接合部における光の損失が少ない発光装置を製造することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 実施形態の発光装置の一具体例を示す断面図である。
【図1B】 図１Ａの一部を拡大して示す断面図である。
【図2A】 実施形態の発光装置の製造方法の工程フロー図である。
【図2B】 実施形態の発光装置の製造方法における接合工程の工程フロー図である。
【図3】 実施形態の発光装置の製造方法における接合工程の模式図である。
【図4】 実施例のサファイア基板とＹＡＧセラミックの各一部を含む領域の断面の透過電子顕微鏡像である。
【図5】 図４のＴＥＭ像において、ＮＢＤ１、ＮＢＤ２、ＮＢＤ３、ＮＢＤ４の記号で示す各領域の電子線回折像である。
【図6】 （ａ）実施例のサファイア基板とＹＡＧセラミックの各一部を含む領域の断面の高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡像と、（ｂ）同領域におけるＡｒＫ線のＥＤＸマッピング、（ｃ）図６（ｂ）に示す断面におけるＡｒＫ線のラインプロファイルである。
１０ 発光素子 １１ 基板 １１ａ 第１接合領域 １２ａ ｎ側半導体層 １２ｂ 活性層 １２ｃ ｐ側半導体層 １２ 半導体積層部 １３ ｎ電極 １４ ｐ電極 １４ａ 拡散電極 １４ｂ ｐパッド電極 ２０ 透光性部材 ２０ａ 第２接合領域 ２１ 透光性部材板 ３０ 接合領域 ４０ 中継基板 ４１ 基板 ４２ シリコーン樹脂 ５１ 第１高速イオンビームガン ５２ 第２高速イオンビームガン

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