特許 7354484 めっき装置及びめっき方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-22

(45)【発行日】2023-10-02

(54)【発明の名称】めっき装置及びめっき方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 21/10 20060101AFI20230925BHJP

【ＦＩ】

C25D21/10 301

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2023548292

(86)(22)【出願日】2023-04-27

(86)【国際出願番号】 JP2023016570

【審査請求日】2023-08-09

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100163061

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】増田 泰之

【審査官】北澤 健一

(56)【参考文献】

【文献】特許第７０６９４４２（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特開２０２１－１３０８４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特許第７２７９２７３（ＪＰ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ ２１／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

めっき液を貯留するとともに、アノードが配置されためっき槽と、
カソードとしての基板を前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、
前記アノードと前記基板との間に配置されて、前記アノードに平行な方向で第１方向及び前記第１方向とは反対の第２方向に往復移動することで前記めっき液を撹拌するように構成されるとともに、多角形の貫通孔を複数有するハニカム構造部を備える、パドルと、を備え、
前記ハニカム構造部は、前記パドルの往復移動方向に垂直な方向である第３方向で中央部のパドル幅が、前記第３方向で端部のパドル幅よりも広い形状を有し、
前記ハニカム構造部は、前記第１方向を向いた第１外周壁を有し、
前記第１外周壁は、前記第１外周壁における前記第３方向で中央部に配置されるとともに前記第３方向に延在する第１中央壁を有する、めっき装置。

【請求項2】

前記ハニカム構造部は、前記第２方向を向いた第２外周壁を有し、
前記第２外周壁は、前記第２外周壁における前記第３方向で中央部に配置されるとともに前記第３方向に延在する第２中央壁を有する、請求項１に記載のめっき装置。

【請求項3】

前記第１外周壁は、前記第１中央壁の両端部を起点として前記第２方向且つ前記ハニカム構造部の端部に近づく方向に延在する一対の第１傾斜壁を有する、請求項１に記載のめっき装置。

【請求項4】

前記一対の第１傾斜壁の少なくとも一方は、少なくとも１つの段差を有する、請求項３に記載のめっき装置。

【請求項5】

前記第２外周壁は、前記第２外周壁の前記第３方向で中央部の側から端部の側に近づきながら前記第１方向に向かって延在する一対の第２傾斜壁を有する、請求項２に記載のめっき装置。

【請求項6】

前記第２外周壁は、前記第２中央壁の両端部のそれぞれと一対の第２傾斜壁のそれぞれとを接続する、一対の接続壁を有する、請求項５に記載のめっき装置。

【請求項7】

請求項１に記載のめっき装置を用いためっき方法であって、
前記基板を前記めっき液に浸漬させることと、
前記パドルを前記第１方向及び前記第２方向に往復移動させて前記めっき液を撹拌させることと、
前記基板にめっき処理を施すことと、を含む、めっき方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、めっき装置及びめっき方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板にめっき処理を施すことが可能なめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するとともにアノードが配置されためっき槽と、カソードとしての基板をアノードに対向するように保持する基板ホルダと、アノードと基板との間に配置されてアノードに平行な方向で第１方向及び第１方向とは反対の第２方向に往復移動することでめっき液を撹拌するように構成されるとともに、多角形の貫通孔を複数有するハニカム構造部を備えるパドルと、を備えている。このようなめっき装置は、パドルがハニカム構造部を備えることで、パドルによるめっき液の撹拌力の向上を図っている。

【0003】

また、この特許文献１に例示するパドルのハニカム構造部は、パドルの往復移動方向に垂直な方向である第３方向で中央部のパドル幅（パドルの往復移動方向の長さ）が、第３方向で端部のパドル幅よりも広い形状を有している。そして、このハニカム構造部の外周壁は、第３方向で中央部が円弧状になっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許第７０７９３８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述したような従来のパドルは、ハニカム構造部の外周壁における第３方向で中央部が円弧状になっているので、例えば、パドルが往復移動した場合に、めっき液が、この外周壁の円弧状の中央部に沿って逃げ易くなっている。このため、従来の技術は、パドルによるめっき液の撹拌力の向上を図るという観点において、改善の余地があった。

【0006】

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、パドルによるめっき液の撹拌力を向上させることができる技術を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するとともに、アノードが配置されためっき槽と、カソードとしての基板を前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、前記アノードと前記基板との間に配置されて、前記アノードに平行な方向で第１方向及び前記第１方向とは反対の第２方向に往復移動することで前記めっき液を撹拌するように構成されるとともに、多角形の貫通孔を複数有するハニカム構造部を備える、パドルと、を備え、前記ハニカム構造部は、前記パドルの往復移動方向に垂直な方向である第３方向で中央部のパドル幅が、前記第３方向で端部のパドル幅よりも広い形状を有し、前記ハニカム構造部は、前記第１方向を向いた第１外周壁を有し、前記第１外周壁は、前記第１外周壁における前記第３方向で中央部に配置されるとともに前記第３方向に延在する第１中央壁を有する。

【0008】

この態様によれば、パドルのハニカム構造部の第１外周壁が第３方向（すなわち、パドルの往復移動方向に垂直な方向）に延在する第１中央壁を有するので、パドルが第１方向に移動する際に、第１中央壁によってめっき液を第１方向に効果的に押し出すことができる。これにより、パドルによるめっき液の撹拌力を向上させることができる。

【0009】

（態様２）
上記態様１において、前記ハニカム構造部は、前記第２方向を向いた第２外周壁を有し、前記第２外周壁は、前記第２外周壁における前記第３方向で中央部に配置されるとともに前記第３方向に延在する第２中央壁を有していてもよい。

【0010】

この態様によれば、パドルのハニカム構造部の第２外周壁が第３方向に延在する第２中央壁を有するので、パドルが第２方向に移動する際に、第２中央壁によってめっき液を第２方向に効果的に押し出すことができる。これにより、パドルによるめっき液の撹拌力をさらに向上させることができる。

【0011】

（態様３）
上記の態様１又は２において、前記第１外周壁は、前記第１中央壁の両端部を起点として前記第２方向且つ前記ハニカム構造部の端部に近づく方向に延在する一対の第１傾斜壁を有していてもよい。

【0012】

（態様４）
上記の態様３において、前記一対の第１傾斜壁の少なくとも一方は、少なくとも１つの段差を有していてもよい。

【0013】

この構成によれば、めっき液の撹拌力をさらに向上させることができる。

【0014】

（態様５）
上記の態様２～４のいずれか１態様において、前記第２外周壁は、前記第２外周壁の前記第３方向で中央部の側から端部の側に近づきながら前記第１方向に向かって延在する一対の第２傾斜壁を有していてもよい。

【0015】

（態様６）
上記の態様５において、前記第２外周壁は、前記第２中央壁の両端部のそれぞれと一対の第２傾斜壁のそれぞれとを接続する、一対の接続壁を有していてもよい。

【0016】

（態様７）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき方法は、上記の態様１～６のいずれか１態様に係るめっき装置を用いためっき方法であって、前記基板を前記めっき液に浸漬させることと、前記パドルを前記第１方向及び前記第２方向に往復移動させて前記めっき液を撹拌させることと、前記基板にめっき処理を施すことと、を含む。

【0017】

この態様によれば、パドルによるめっき液の撹拌力を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。

【図3】実施形態に係るめっき装置におけるめっきモジュールの構成を示す模式図である。

【図4】実施形態に係る基板がめっき液に浸漬された状態を示す模式図である。

【図5】実施形態に係るパドル及び駆動装置を説明するための模式図である。

【図6】実施形態に係るパドルの模式的な平面図である。

【図7】実施形態に係るめっき液の供給からめっき処理の開始までの一連の動作を説明するためのフロー図である。

【図8】比較例に係るめっき装置のパドルの模式的な平面図である。

【図9】実施形態の変形例１に係るパドルの第１外周壁の周辺構成を示す模式的な平面図である。

【図10】実施形態の変形例１に係るパドルの効果を実証するためのシミュレーション結果の一例である。

【図11】実施形態の変形例１に係るパドルの第２外周壁の周辺構成を示す模式的な平面図である。

【図12】実施形態の変形例２に係るパドルの第２外周壁の周辺構成を示す模式的な平面図である。

【図13】実施形態の変形例３に係るパドルの第１外周壁の周辺構成を示す模式的な平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、構成要素の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

【0020】

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図（上面図）である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

【0021】

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００及びスピンリンスドライヤ６００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

【0022】

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

【0023】

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

【0024】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0025】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。

【0026】

プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

【0027】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

【0028】

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

【0029】

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

【0030】

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００におけるめっきモジュール４００の構成を示す模式図である。具体的には、図３は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬される前の状態におけるめっきモジュール４００を模式的に図示している。図４は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態を示す模式図である。

【0031】

図３及び図４に例示するめっき装置１０００は、一例として、カップ式のめっき装置である。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、本実施形態に係るめっき装置１０００は、基板Ｗｆの面方向を上下方向にした状態でめっき液Ｐｓに浸漬させるタイプのめっき装置（すなわち、縦型のめっき装置）であってもよい。

【0032】

図３及び図４に例示するめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、パドル７０と、を備えている。また、めっきモジュール４００は、図３に例示するように、回転機構４０と、傾斜機構４５と、昇降機構５０と、を備えていてもよい。

【0033】

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。

【0034】

めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれていてもよい。

【0035】

めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード１１の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

【0036】

図３や図４に例示するように、めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、イオン抵抗体１２が配置されていてもよい。具体的には、図４（Ｂ１部分の拡大図）に例示するように、イオン抵抗体１２は、複数の孔１２ａ（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。孔１２ａは、イオン抵抗体１２の下面と上面とを連通するように設けられている。

【0037】

図３に例示するように、イオン抵抗体１２における複数の孔１２ａが形成された領域を「孔形成エリアＰＡ」と称する。本実施形態に係る孔形成エリアＰＡは、平面視で円形状を有している。また、本実施形態に係る孔形成エリアＰＡの面積は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの面積と同じか、又は、この被めっき面Ｗｆａの面積よりも大きい。但し、この構成に限定されるものではなく、孔形成エリアＰＡの面積は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの面積よりも小さくてもよい。

【0038】

このイオン抵抗体１２は、アノード１１とカソードとしての基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている。本実施形態のように、めっき槽１０にイオン抵抗体１２が配置されることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。

【0039】

図３や図４に例示するように、めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方且つイオン抵抗体１２よりも下方の箇所には、膜１６が配置されていてもよい。この場合、めっき槽１０の内部は、膜１６によって、膜１６よりも下方のアノード室１７ａと、膜１６よりも上方のカソード室１７ｂとに区画される。アノード１１はアノード室１７ａに配置され、イオン抵抗体１２や基板Ｗｆはカソード室１７ｂに配置される。膜１６は、めっき液Ｐｓに含まれる金属イオンを含むイオン種が膜１６を通過することを許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる非イオン系のめっき添加剤が膜１６を通過することを抑制するように構成されている。このような膜１６として、例えばイオン交換膜を用いることができる。

【0040】

めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するための供給口が設けられている。具体的には、本実施形態に係るめっき槽１０の外周壁１０ｂには、アノード室１７ａにめっき液Ｐｓを供給するための第１供給口１３ａと、カソード室１７ｂにめっき液Ｐｓを供給するための第２供給口１３ｂと、が設けられている。

【0041】

また、めっき槽１０には、アノード室１７ａのめっき液Ｐｓをめっき槽１０の外部に排出するための第１排出口１４ａが設けられている。第１排出口１４ａから排出されためっき液Ｐｓは、ポンプ（図示せず）によって圧送されて、再び、第１供給口１３ａからアノード室１７ａに供給される。

【0042】

オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられている。オーバーフロー槽２０に貯留されためっき液Ｐｓは、第２排出口１４ｂから排出された後に、ポンプ（図示せず）によって圧送されて、再び、第２供給口１３ｂからカソード室１７ｂに供給される。

【0043】

基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがアノード１１に対向するように保持している。本実施形態において、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａは、具体的には、基板Ｗｆの下方側を向いた面（下面）に設けられている。

【0044】

図３に例示するように、基板ホルダ３０は基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの外周縁よりも下方に突出するように設けられたリング３１を有していてもよい。具体的には、本実施形態に係るリング３１は、下面視で、リング形状を有している。

【0045】

基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されていている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。図３に例示されている「Ｒ１」は、基板ホルダ３０の回転方向の一例である。回転機構４０としては、公知の回転モータ等を用いることができる。傾斜機構４５は、回転機構４０及び基板ホルダ３０を傾斜させるための機構である。昇降機構５０は、上下方向に延在する支軸５１によって支持されている。昇降機構５０は、基板ホルダ３０、回転機構４０及び傾斜機構４５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構５０としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。

【0046】

制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサ８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置８０２等を備えている。制御モジュール８００は、記憶装置８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいて、プロセッサ８０１が作動することで、めっきモジュール４００の動作を制御する。

【0047】

図５は、パドル７０及び後述する駆動装置９０を説明するための模式図である。図６はパドル７０の模式的な平面図である。図３～図６を参照して、パドル７０は、めっき槽１０の内部におけるアノード１１と基板Ｗｆとの間の箇所に配置されている。具体的には、本実施形態に係るパドル７０は、アノード１１よりも上方に配置されたイオン抵抗体１２と基板Ｗｆとの間に配置されている。

【0048】

図５を参照して、パドル７０は、駆動装置９０によって駆動される。駆動装置９０の動作は制御モジュール８００が制御する。パドル７０が駆動されることで、めっき槽１０のめっき液Ｐｓは撹拌される。

【0049】

本実施形態に係る駆動装置９０は、制御モジュール８００の指示を受けて、パドル７０を、アノード１１（又は、基板Ｗｆ）に平行な方向で「第１方向（本実施形態では、一例として、Ｘ方向）」、及び、第１方向とは反対の「第２方向（本実施形態では、一例として、－Ｘ方向）」に交互に駆動する。すなわち、本実施形態に係るパドル７０は、第１方向及び第２方向に往復移動する。

【0050】

なお、このような駆動装置９０のメカニカルな機構自体は、例えば、特許文献１や、特開２０２１－１３０８４８号公報等に開示されているような公知の駆動装置と同様である。すなわち、本実施形態に係る駆動装置９０は、電動機９１と、パドル７０に接続されるとともに電動機９１の回転運動を直進往復運動に変換してパドル７０に伝達するように構成された動力変換機構９２と、を備えている。

【0051】

なお、第１方向や第２方向は上述した方向に限定されるものではない。他の一例を挙げると、－Ｘ方向を第１方向とし、Ｘ方向を第２方向としてもよい。また、パドル７０の往復移動方向に垂直な方向を「第３方向（本実施形態では、一例として、Ｙ方向及び－Ｙ方向）」と称する。また、図５及び図６には、パドル７０の中心軸線として、第３方向に延在する第１中心軸線ＸＬ１と、パドル７０の往復移動方向に延在する第２中心軸線ＸＬ２と、が例示されている。

【0052】

パドル７０は、平面視で、めっき液Ｐｓの撹拌時におけるパドル７０の移動領域ＭＡ（すなわち、パドル７０が往復移動する範囲）がイオン抵抗体１２の孔形成エリアＰＡの全面を覆うように構成されていることが好ましい。この構成によれば、イオン抵抗体１２の孔形成エリアＰＡよりも上方のめっき液Ｐｓを、パドル７０によって効果的に撹拌することができる。

【0053】

なお、パドル７０は、少なくともめっき液Ｐｓを撹拌するときに、めっき槽１０の内部に配置されていればよく、めっき槽１０の内部に常に配置されている必要はない。例えば、パドル７０の駆動が停止されてパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌が行われない場合には、パドル７０はめっき槽１０の外部に配置された構成とすることもできる。

【0054】

パドル７０は、ハニカム構造を有するハニカム構造部７１と、このハニカム構造部７１の第３方向の端部に接続された一対の外枠（第１外枠７２ａ及び第２外枠７２ｂ）と、を備えている。第１外枠７２ａ及び第２外枠７２ｂの具体的な構造は、特に限定されるものではないが、本実施形態に係る第１外枠７２ａ及び第２外枠７２ｂは、一例として、平板状の部材によって構成されている。第１外枠７２ａ及び第２外枠７２ｂの少なくとも一方は、駆動装置９０に接続されている。

【0055】

ハニカム構造部７１は、梁部材７３によって区画された多角形の貫通孔７４を複数有している。本実施形態に係る貫通孔７４は、ハニカム構造部７１の上面と下面とを連通するように、上下方向に貫通している。

【0056】

貫通孔７４の多角形の具体的な形状は、特に限定されるものではなく、三角形、四角形、五角形、六角形、七角形、八角形等、種々のＮ角形（Ｎは３以上の自然数）を用いることができる。本変形例では、多角形の一例として、六角形が用いられている。

【0057】

図６を参照して、本実施形態に係るハニカム構造部７１は、平面視で、第３方向に沿ってハニカム構造部７１の「パドル幅Ｄ２（パドル７０の往復移動方向の長さ）」が変化する部分を有している。具体的には、ハニカム構造部７１は、第３方向で中央部のパドル幅Ｄ２（後述する第１中央壁７７と第２中央壁８０との距離）が第３方向で端部のパドル幅Ｄ２（後述する第１端部壁７９と第２端部壁８２との距離）よりも広い形状を有している。換言すると、ハニカム構造部７１は、第３方向で端部よりも中央側の部分が、この端部よりも第１方向及び第２方向に突出した形状を有している。

【0058】

この構成によれば、例えば、ハニカム構造部７１における中央部のパドル幅Ｄ２が端部のパドル幅Ｄ２と同じ場合に比較して、パドル７０が一定距離移動したときのパドル７０が撹拌可能なエリアを広くすることができる。

【0059】

また、本実施形態に係るハニカム構造部７１は、一例として、第２中心軸線ＸＬ２を挟んで線対称（左右対称）の形状を有している。

【0060】

また、本実施形態に係るハニカム構造部７１は、第１方向を向いた第１外周壁７５と、第２方向を向いた第２外周壁７６とを備えている。第１外周壁７５及び第２外周壁７６は、梁部材７３によって構成されている。

【0061】

第１外周壁７５は、第１中央壁７７と、一対の第１傾斜壁７８と、一対の第１端部壁７９と、を有している。

【0062】

第１中央壁７７は、第１外周壁７５における第３方向で中央部に配置されている。また、第１中央壁７７は第３方向に延在している。換言すると、第１中央壁７７は、第１中心軸線ＸＬ１と平行に延在している。すなわち、本実施形態に係る第１中央壁７７は、第１方向に円弧状に突出した曲面ではなく、第３方向に直線的に延在した平面によって構成されている。

【0063】

一対の第１傾斜壁７８は、第１中央壁７７の第３方向で中央部の側から端部の側に近づきながら第２方向に向かって延在している。具体的には、本実施形態に係る一対の第１傾斜壁７８は、第１中央壁７７の両端部を起点として第２方向、且つ、ハニカム構造部７１の端部に近づく方向に延在している。換言すると、一対の第１傾斜壁７８は、第１中央壁７７の両端部を起点として、第２中心軸線ＸＬ２から離れる方向に延在するとともに、第２中心軸線ＸＬ２から離れるほど第１中心軸線ＸＬ１に近づくように延在している。

【0064】

一対の第１端部壁７９は、一対の第１傾斜壁７８のそれぞれの端部を起点として第３方向に延在している。換言すると、一対の第１端部壁７９は、一対の第１傾斜壁７８のそれぞれの端部を起点として、第２中心軸線ＸＬ２から離れる方向に、且つ、第１中心軸線ＸＬ１と平行に延在している。

【0065】

なお、パドル７０が第１方向に移動した際に、一対の第１傾斜壁７８と一対の第１端部壁７９との接続箇所に対して、めっき液Ｐｓから、大きな応力が加わる。このため、一対の第１傾斜壁７８と一対の第１端部壁７９との接続箇所は、所定の曲率を有する曲面８４（換言すると、Ｒ面）になっていることが好ましい。この構成によれば、一対の第１傾斜壁７８と一対の第１端部壁７９との接続箇所の強度を向上させることができる。

【0066】

第２外周壁７６は、第２中央壁８０と、一対の第２傾斜壁８１と、一対の第２端部壁８２と、一対の接続壁８３と、を有している。

【0067】

第２中央壁８０は、第２外周壁７６における第３方向で中央部に配置されている。また、第２中央壁８０は、第３方向に延在している。換言すると、第２中央壁８０は、第１中心軸線ＸＬ１と平行に延在している。すなわち、本実施形態に係る第２中央壁８０は、第２方向に円弧状に突出した曲面ではなく、第３方向に直線的に延在した平面によって構成されている。

【0068】

一対の第２傾斜壁８１は、第２外周壁７６の第３方向で中央部の側から端部の側に近づきながら第１方向に向かって延在している。換言すると、一対の第２傾斜壁８１は、第２中心軸線ＸＬ２から離れる方向に延在するとともに、第２中心軸線ＸＬ２から離れるほど第１中心軸線ＸＬ１に近づくように延在している。

【0069】

一対の接続壁８３は、第２中央壁８０の両端部のそれぞれと、一対の第２傾斜壁８１のそれぞれと、を接続している。また、本実施形態に係る一対の接続壁８３は、第２中央壁８０の両端部のそれぞれを起点として第２方向に延在している。さらに、本実施形態に係る一対の接続壁８３は、第２方向に向かうにつれてハニカム構造部７１の端部に近づくように延在している。

【0070】

但し、接続壁８３の構成はこれに限定されるものではない。例えば、接続壁８３は、パドル７０の往復移動方向に延在していてもよい（換言すると、第２中心軸線ＸＬ２に平行に延在していてもよい）。

【0071】

なお、本実施形態に係るパドル７０の第２外周壁７６は、上述した接続壁８３を有しているので、第２中央壁８０と一対の接続壁８３とによって区画された領域が、第１方向に凹んだ「凹部」になっている。但し、これは、第２外周壁７６の一例に過ぎず、第２外周壁７６の構成は、このような接続壁８３を有する形状（すなわち、凹部を有する形状）に限定されるものではない。なお、第２外周壁７６が接続壁８３を備えていない場合の一例については、後述する図１２で説明する。

【0072】

一対の第２端部壁８２は、一対の第２傾斜壁８１のそれぞれの端部を起点として第３方向に延在している。換言すると、一対の第２端部壁８２は、一対の第２傾斜壁８１のそれぞれの端部を起点として、第２中心軸線ＸＬ２から離れる方向に、且つ、第１中心軸線ＸＬ１と平行に延在している。

【0073】

パドル７０が第２方向に移動した際に、一対の第２傾斜壁８１と一対の第２端部壁８２との接続箇所には、めっき液Ｐｓから大きな応力が加わる。このため、一対の第２傾斜壁８１と一対の第２端部壁８２との接続箇所は、所定の曲率を有する曲面８４（換言すると、Ｒ面）になっていることが好ましい。この構成によれば、一対の第２傾斜壁８１と一対の第２端部壁８２との接続箇所の強度を向上させることができる。

【0074】

第１中央壁７７の第３方向の長さ（Ｄ４）は、一例として、ハニカム構造部７１の第３方向の長さ（すなわち、全長（Ｄ３））の５％以上、５０％以下である。また、第２中央壁８０の第３方向の長さ（Ｄ５）は、一例として、ハニカム構造部７１の全長（Ｄ３）の５％以上、５０％以下である。また、図６に例示する構成では、一例として、第１中央壁７７の長さ（Ｄ４）は、第２中央壁８０の長さ（Ｄ５）よりも長くなっている。但し、これらは、第１中央壁７７や第２中央壁８０の長さの一例に過ぎず、第１中央壁７７及び第２中央壁８０の長さは、これらの例に限定されるものではない。

【0075】

また、パドル幅Ｄ２の「最大値（Ｄ２ｍａｘ）」は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの第１方向にある外縁と第２方向にある外縁との距離の最大値である「基板幅Ｄ１（この符号は図３に例示されている）」よりも大きくてもよく、小さくてもよい。あるいは、パドル幅Ｄ２の最大値（Ｄ２ｍａｘ）は基板幅Ｄ１と同じ値であってもよい。

【0076】

但し、パドル幅Ｄ２の最大値（Ｄ２ｍａｘ）が基板幅Ｄ１よりも小さい場合の方が、パドル幅Ｄ２の最大値（Ｄ２ｍａｘ）が基板幅Ｄ１と同じ場合又は基板幅Ｄ１よりも大きい場合に比較して、パドル７０とめっき槽１０の外周壁１０ｂとの間の隙間を大きく確保することができる。この結果、めっき槽１０の内部におけるパドル７０の第１方向及び第２方向への移動距離（すなわち、パドル７０の往復移動時のストローク）を大きくすることができる。これにより、パドル７０によってめっき液Ｐｓを効果的に撹拌することができる。このような観点において、パドル幅Ｄ２の最大値（Ｄ２ｍａｘ）は基板幅Ｄ１よりも小さいことが好ましい。

【0077】

なお、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが円形の場合、基板幅Ｄ１は、被めっき面Ｗｆａの直径に相当する。基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが四角形の場合、基板幅Ｄ１は、被めっき面Ｗｆａの第１方向にある辺と、この辺に対向する辺（第２方向にある辺）との間隔の最大値に相当する。

【0078】

パドル７０の具体的な製造手法は、特に限定されるものではないが、本実施形態に係るパドル７０は、一例として、３Ｄプリンター等の公知の立体印刷機を用いて製造することができる。

【0079】

図７は、本実施形態に係るめっき液の供給からめっき処理の開始までの一連の動作を説明するためのフロー図である。まず、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給する（ステップＳ１０）。具体的には、アノード１１及びイオン抵抗体１２がめっき液Ｐｓに浸漬するように、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給する。より具体的には、本実施形態では、第１供給口１３ａ及び第２供給口１３ｂからめっき液Ｐｓをめっき槽１０に供給する。

【0080】

次いで、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させる（ステップＳ２０）。具体的には、本実施形態では、昇降機構５０が基板ホルダ３０を下降させることで、基板Ｗｆの少なくとも被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させる。

【0081】

次いで、駆動装置９０がパドル７０の駆動を開始させることで、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌を開始させる（ステップＳ３０）。

【0082】

次いで、通電装置（図示せず）によってアノード１１と基板Ｗｆとの間に電気を流すことで、基板Ｗｆへのめっき処理を開始させる（ステップＳ４０）。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａへのめっき皮膜の形成が開始される。具体的には、本実施形態では、このステップＳ４０に係る基板Ｗｆへのめっき処理の実行中においても、ステップＳ３０に係るパドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌は行われている（すなわち、めっき液Ｐｓを撹拌しつつ、被めっき面Ｗｆａへのめっき皮膜の形成が行われている）。

【0083】

なお、パドル７０がめっき液Ｐｓを撹拌する時期は、上述した時期に限定されるものではない。例えば、ステップＳ１０とステップＳ２０との間の時期（すなわち、めっき槽１０にめっき液Ｐｓが供給された後であって、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬される前の時期）においても、パドル７０によってめっき液Ｐｓを撹拌してもよい。

【0084】

続いて、上述しためっき装置１０００の作用効果について説明する。まず、本実施形態に係るめっき装置１０００によれば、パドル７０がハニカム構造部７１を有するので、パドル７０がハニカム構造部７１を有さない場合に比較して、梁部材７３（すなわち、撹拌部材）の配置密度を多くすることができる。これより、めっき液Ｐｓを効果的に撹拌することができる。また、パドル７０の強度を向上させることもできる。

【0085】

さらに、本実施形態によれば、以下に説明する作用効果を奏することもできる。この作用効果について、比較例と比較しつつ説明する。図８は、比較例に係るめっき装置のパドル７０００の模式的な平面図である。具体的には、図８は、比較例に係るパドル７０００が第１方向に移動した場合の様子を模式的に図示している。

【0086】

比較例に係るパドル７０００は、第１外周壁７５が第１中央壁７７及び第１傾斜壁７８に代えて第１円弧壁７１００を有する点と、第２外周壁７６が第２中央壁８０、接続壁８３、及び、第２傾斜壁８１に代えて、第２円弧壁７１１０を有する点と、において、前述した図５や図６に例示する本実施形態に係るパドル７０と異なっている。

【0087】

比較例に係るパドル７０００の場合、例えば、パドル７０００が往復移動した場合に、めっき液Ｐｓが、パドル７０００の第１円弧壁７１００の部分、及び／又は、第２円弧壁７１１０の部分に沿って逃げ易い構造になっている。この点において、比較例に係るパドル７０００のめっき液Ｐｓの撹拌力は十分に大きいとはいえない。

【0088】

これに対して、本実施形態に係るパドル７０によれば、パドル７０の第１中央壁７７が第３方向（すなわち、パドル７０の往復移動方向に垂直な方向）に延在しているので、パドル７０が第１方向に移動する際に、第１中央壁７７によってめっき液Ｐｓを第１方向に効果的に押し出すことができる。これにより、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌力を向上させることができる。

【0089】

さらに、本実施形態によれば、パドル７０の第２中央壁８０も第３方向に延在しているので、パドル７０が第２方向に移動する際に、第２中央壁８０によってめっき液Ｐｓを第２方向に効果的に押し出すことができる。これにより、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌力をさらに向上させることができる。

【0090】

本実施形態によれば、上述したように、めっき液Ｐｓの撹拌力を向上させることができるので、基板Ｗｆの特に外周部におけるめっき液Ｐｄの撹拌力を向上させることができる。この結果、基板Ｗｆの中心部と基板Ｗｆの外周部との間におけるめっき液Ｐｓの撹拌力の差を低減することができる。これにより、基板Ｗｆに対して高電流密度でめっき処理を施した際に、基板Ｗｆの外周部においてめっき異常が発生することを抑制することができる。

【0091】

また、本実施形態によれば、上述したように、めっき液Ｐｓの撹拌力を向上させることができるので、めっき液Ｐｓの均一化を効果的に図ることができる。また、本実施形態によれば、例えば、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給した際にめっき液Ｐｓに含まれた気泡Ｂｕ（これは図４に例示されている）がイオン抵抗体１２の孔１２ａに付着した場合であっても、パドル７０によるめっき液Ｐｓの撹拌によって、孔１２ａに付着した気泡Ｂｕの上方への移動を効果的に促進させることができる。これにより、孔１２ａに付着した気泡Ｂｕを効果的に除去することができる。

【0092】

なお、上述した実施形態において、第２外周壁７６は第２中央壁８０を有しているが、この構成に限定されるものではない。上述した実施形態において、第２外周壁７６は第２中央壁８０を有しておらず、例えば、図８に例示した比較例の第２円弧壁７１１０のような円弧状の形状であってもよい。但し、第２外周壁７６が第２中央壁８０を有する場合の方が、第２外周壁７６が円弧状の場合に比較して、めっき液Ｐｓを効果的に撹拌することができる点で好ましい。

【0093】

（変形例１）
図９は、実施形態の変形例１に係るパドル７０ａの後述する第１外周壁７５ａの周辺構成を示す模式的な平面図である。なお、図９は、本変形例に係るパドル７０ａの第１中心軸線ＸＬ１よりも第１方向の側の部分のみを図示している。また、図９において、ハニカム構造部７１の貫通孔７４の図示は省略されている。

【0094】

本変形例に係るパドル７０ａは、第１外周壁７５に代えて、第１外周壁７５ａを備える点で、図６に例示した実施形態に係るパドル７０と異なっている。第１外周壁７５ａは、第１傾斜壁７８に代えて第１傾斜壁７８ａを有する点で、第１外周壁７５と異なっている。パドル７０ａの他の構成はパドル７０と同様である（なお、この場合、パドル７０ａの第２外周壁７６は、図６に例示した構成になっている）。

【0095】

本変形例に係る一対の第１傾斜壁７８ａは、その少なくとも一方が少なくとも１つの段差８５を有する点で、このような段差８５を有せずに平滑な面を有する実施形態に係る一対の第１傾斜壁７８（図６）と異なっている。すなわち、本変形例に係る２つの第１傾斜壁７８ａのうち、いずれか一方のみが少なくとも１つの段差８５を有していてもよく、２つの第１傾斜壁７８ａの両方が少なくとも１つの段差８５を有していてもよい。図９に例示するパドル７０ａでは、一例として、一対の第１傾斜壁７８ａの両方が、複数の段差８５を有している。段差８５は、第１中央壁７７と同様に、第３方向に延在する平面を有することが好ましい。

【0096】

本変形例によれば、第１中央壁７７を有するとともに、第１傾斜壁７８ａが段差８５を有するので、パドル７０ａが第１方向に移動する際に、第１中央壁７７及び第１傾斜壁７８ａの段差８５の両方によって、めっき液Ｐｓを第１方向に効果的に押し出すことができる。これにより、めっき液Ｐｓの撹拌力をより向上させることができる。

【0097】

図１０は、本変形例に係るパドル７０ａの効果を実証するためのシミュレーション結果の一例である。具体的には、図１０のラインＬ１ａ及びラインＬ１ｂは、図９で説明した本変形例に係るパドル７０ａのシミュレーション結果である。一方、ラインＬ２ａ及びラインＬ２ｂは、比較例に係るパドル７０００（図８）のシミュレーション結果である。なお、ラインＬ１ａ，Ｌ１ｂに係る本変形例もラインＬ２ａ，Ｌ２ｂに係る比較例も、パドルの形状以外は、同じシミュレーション条件下でシミュレーションが行われた。また、ラインＬ１ｂとラインＬ２ｂとは、ラインが重なっている。また、図１０の横軸は、パドルの往復移動によってめっき液Ｐｓが撹拌された場合におけるめっき液Ｐｓの流速（ｍｍ／ｓｅｃ）を示している。図１０の縦軸は、基板Ｗｆの表面からの垂直方向の距離（μｍ）を示している。

【0098】

具体的には、ラインＬ１ａ及びラインＬ２ａは、パドルが往復移動した場合における、図５に例示する「Ｐ２」、「Ｐ４」、「Ｐ６」、「Ｐ８」のいずれかの箇所（すなわち、基板Ｗｆの外周部の箇所）の流速の計算結果を示している。一方、ラインＬ１ｂ及びラインＬ２ｂは、図５に例示する「Ｐ０」の箇所（すなわち、基板Ｗｆの中心部の箇所）の流速の計算結果を示している。

【0099】

図１０のラインＬ１ａ（本変形例）をラインＬ２ａ（比較例）と比較すると分かるように、基板Ｗｆからの距離が同じ場合で比較したときに、本変形例の方が比較例に比較して流速が全体的に上昇している。具体的には、ラインＬ１ａの流速はラインＬ２ａの流速の最大で約１．２５倍になっている。このシミュレーション結果からも、本変形例に係るパドル７０ａを用いることで、めっき液Ｐｓの撹拌力の向上を図れることが分かる。特に、基板Ｗｆの外周部におけるめっき液Ｐｄの撹拌力の向上を図れることが分かる。この結果、本変形例の場合、ラインＬ１ａとラインＬ１ｂとの間の流速差が、比較例の場合に比較して小さくなっている。すなわち、本変形例によれば、基板Ｗｆの中心部（ラインＬ１ｂ）と基板Ｗｆの外周部（Ｌ１ａ）との間におけるめっき液Ｐｓの撹拌力の差を低減することができる。

【0100】

なお、図１１に例示するように、本変形例において、第２外周壁７６ａの一対の第２傾斜壁８１ａの少なくとも一方も、第１傾斜壁７８ａと同様に、少なくとも１つの段差８５を有していてもよい。この構成によれば、パドル７０ａが第２方向に移動する際に、第２中央壁８０及び第２傾斜壁８１ａの段差８５の両方によって、めっき液Ｐｓを第２方向に効果的に押し出すことができる。これにより、めっき液Ｐｓの撹拌力をより向上させることができる。

【0101】

（変形例２）
図１２は、実施形態の変形例２に係るパドル７０ｂの後述する第２外周壁７６ｂの周辺構成を示す模式的な平面図である。なお、図１２は、本変形例に係るパドル７０ｂの第１中心軸線ＸＬ１よりも第２方向の側の部分のみを図示している。また、図１２において、ハニカム構造部７１の貫通孔７４の図示は省略されている。

【0102】

本変形例に係るパドル７０ｂは、第２外周壁７６に代えて、第２外周壁７６ｂを備える点で、図６に例示した実施形態に係るパドル７０と異なっている。第２外周壁７６ｂは、接続壁８３を有しない点で、第２外周壁７６と異なっている。すなわち、本変形例に係る第２外周壁７６ｂの第２傾斜壁８１は、第２中央壁８０の端部に直接接続している。パドル７０ｂの他の構成は、パドル７０と同様である（なお、この場合、パドル７０ｂの第１外周壁７５は、図６に例示した構成になっている）。

【0103】

本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

【0104】

なお、パドル７０は、図９に例示する第１外周壁７５ａと、図１２に例示する第２外周壁７６ｂと、を備える構成とすることもできる。

【0105】

（変形例３）
図１３は、実施形態の変形例３に係るパドル７０ｃの後述する第１外周壁７５ｃの周辺構成を示す模式的な平面図である。なお、図１３は、本変形例に係るパドル７０ｃの第１中心軸線ＸＬ１よりも第１方向の側の部分のみを図示している。また、図１３において、ハニカム構造部７１の貫通孔７４の図示は省略されている。

【0106】

本変形例に係るパドル７０ｃは、第１外周壁７５に代えて、第１外周壁７５ｃを備える点で、図６に例示した実施形態に係るパドル７０と異なっている。第１外周壁７５ｃは、第１中央壁７７と一対の第１傾斜壁７８とを接続する一対の接続壁８３ｃをさらに備えている点において、図６に例示したパドル７０の第１外周壁７５と異なっている。パドル７０ｃの他の構成はパドル７０と同様である（なお、この場合、パドル７０ｃの第２外周壁７６は、図６に例示した構成になっている）。

【0107】

一対の接続壁８３ｃは、第１中央壁７７の両端部のそれぞれと、一対の第１傾斜壁７８のそれぞれと、を接続している。また、本変形例に係る一対の接続壁８３ｃは、第１中央壁７７の両端部のそれぞれを起点として第１方向に延在している。さらに、本変形例に係る一対の接続壁８３ｃは、第１方向に向かうにつれてハニカム構造部７１の端部に近づくように延在している。換言すると、本変形例に係る一対の接続壁８３ｃは、第１中心軸線ＸＬ１から離れるにつれて第２中心軸線ＸＬ２からも離れるように、延在してる。

【0108】

但し、接続壁８３ｃの構成はこれに限定されるものではない。例えば、接続壁８３ｃは、パドル７０の往復移動方向に延在していてもよい（換言すると、第２中心軸線ＸＬ２に平行に延在していてもよい）。

【0109】

本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

【0110】

以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0111】

１０ めっき槽
１１ アノード
３０ 基板ホルダ
７０ パドル
７１ ハニカム構造部
７４ 貫通孔
７５ 第１外周壁
７６ 第２外周壁
７７ 第１中央壁
７８ 第１傾斜壁
７９ 第１端部壁
８０ 第２中央壁
８１ 第２傾斜壁
８２ 第２端部壁
８３ 接続壁
８５ 段差
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｐｓ めっき液
Ｂｕ 気泡
Ｄ２ パドル幅

【要約】

パドルによるめっき液の撹拌力を向上させることができる技術を提供する。
めっき装置１０００は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に配置されてアノードに平行な方向で第１方向及び第２方向に往復移動することでめっき液Ｐｓを撹拌するように構成されるとともに、多角形の貫通孔７４を複数有するハニカム構造部７１を備えるパドル７０を備え、ハニカム構造部は、パドルの往復移動方向に垂直な方向である第３方向で中央部のパドル幅が、第３方向で端部のパドル幅よりも広い形状を有し、ハニカム構造部は、第１方向を向いた第１外周壁７５を有し、第１外周壁は、第１外周壁における第３方向で中央部に配置されるとともに第３方向に延在する第１中央壁７７を有する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】