(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-09-28
(45)【発行日】2023-10-06
(54)【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20230929BHJP
H01L 21/316 20060101ALI20230929BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20230929BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 B
H01L21/316 X
C23C16/455
【請求項の数】
23
(21)【出願番号】P 2021113917
(22)【出願日】2021-07-09
(65)【公開番号】P2023010086
(43)【公開日】2023-01-20
【審査請求日】2022-03-14
(73)【特許権者】
【識別番号】318009126
【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
(72)【発明者】
【氏名】板谷 秀治
(72)【発明者】
【氏名】菊池 俊之
(72)【発明者】
【氏名】大橋 直史
【審査官】加藤 芳健
(56)【参考文献】
【文献】特開２００４－１３１７６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２５３０８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０２－０３７７１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－４７７０１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３１
Ｈ０１Ｌ ２１／３１６
Ｃ２３Ｃ １６／４５５
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する複数の処理室と、前記処理室への処理ガス供給を行う処理ガス供給部と、
前記処理室への不活性ガス供給を行う不活性ガス供給部と、
前記複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記処理室排気管の下流側で各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管と、を備えた排気管と、
前記共通ガス排気管に設けられた圧力調整バルブと、前記排気管の圧力を検出する圧力検出部とを有し、
前記不活性ガス供給部が前記処理室への不活性ガス供給を開始したら、所定時間、前記圧力検出部が前記処理室排気管の圧力を検出して、圧力の変動を検出するよう制御する制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項2】
前記圧力検出部は、前記排気管に前記不活性ガスが通過したら圧力の検出を開始する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記圧力検出部は、前記基板が前記処理室に搬入されてから、前記処理室に処理ガスを供給開始するまでの間、前記所定時間、前記排気管の圧力を検出する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記圧力検出部は、前記基板が前記処理室への処理ガス供給が停止されてから前記基板が前記処理室から搬出されるまでの間、前記所定時間前記排気管の圧力を検出する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記圧力検出部は、前記処理室への処理ガス供給が停止されてから前記基板が基板搬送ポジションに移動するまでの間、前記所定時間前記排気管の圧力を検出する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記圧力検出部は、前記圧力調整バルブの開度が固定された状態で稼働される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記圧力検出部は前記処理室排気管のそれぞれに設けられ、それぞれの前記圧力検出部は、並行してそれぞれの前記処理室排気管の圧力を検出する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記圧力検出部は前記処理室排気管のそれぞれに設けられ、前記圧力検出部は、前記圧力調整バルブの開度が固定された状態で稼働される請求項 １に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記圧力検出部は、前記処理ガス供給部から前記処理室に処理ガスが供給される前に圧力の検出を停止するよう構成される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記圧力検出部は、前記処理室から前記基板が搬出される前に圧力を検出するよう構成される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記圧力検出部は前記処理室排気管のそれぞれに設けられ、それぞれの前記圧力検出部は、前記処理ガス供給部から前記処理室に処理ガスが供給される前に圧力の検出を停止するよう構成される
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記圧力検出部は前記処理室排気管のそれぞれに設けられ、それぞれの前記圧力検出部は、前記処理室から前記基板が搬出される前に圧力を検出するよう構成される
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
さらに、圧力上昇速度値と比較する比較データを記憶する記憶部とを有し、前記制御部は、変動値と前記比較データとを比較する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記圧力検出部は前記処理室排気管のそれぞれに設けられ、前記圧力調整バルブの開度が固定された状態で、それぞれの前記圧力検出部は、それぞれの前記処理室排気管の圧力の変動を検出し、
それぞれの前記圧力検出部で検出した圧力上昇速度値の差分に乖離があり、且つ圧力検出部で検出した圧力上昇速度値と比較データとの差に乖離が無い場合、前記圧力調整バルブの開度を調整する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記圧力検出部は前記処理室排気管のそれぞれに設けられ、前記圧力調整バルブの開度が固定された状態で、それぞれの前記圧力検出部は、それぞれの前記処理室排気管の圧力変動を検出し、
それぞれの前記圧力検出部で検出した圧力上昇速度値の差分が乖離するか、あるいはいずれかの圧力上昇速度値と基準値との差が乖離したら、メンテナンスの報知を行う請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項16】
さらに、圧力上昇速度値と比較データとの比較状態を報知する報知部を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項17】
基板を処理する複数の処理室と、
前記処理室への処理ガス供給を行う処理ガス供給部と、
前記処理室への不活性ガス供給を行う不活性ガス供給部と、
前記複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記処理室排気管の下流側で各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管とを含むガス排気部と、
前記ガス排気部に設けられた圧力調整バルブと、
複数の前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出するよう制御可能な制御部と
を備える基板処理装置。
【請求項18】
複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記複数の処理室排気管の下流側に各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管と、を備えた排気管に設けられた圧力調整バルブの開度を所定開度に調整し、複数の前記処理室に不活性ガスを供給しつつ、前記排気管から各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を調整する圧力調整工程と、複数の前記処理室に処理ガスを供給しつつ、前記排気管から各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を基板処理圧力に調整する工程と、
前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、圧力検出部が前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項19】
複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記複数の処理室排気管の下流側に各処理室排気管を合流させるように配される共通排気管を含むガス排気部に備えられた圧力調整バルブを調整し、複数の前記処理室に不活性ガスを供給しつつ、前記ガス排気部が各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を調整する工程と、
複数の前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項20】
複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記複数の処理室排気管の下流側に各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管と、を備えた排気管に設けられた圧力調整バルブの開度を所定開度に調整し、複数の前記処理室に不活性ガスを供給しつつ、前記排気管から各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を調整する圧力調整工程と、複数の前記処理室に処理ガスを供給しつつ、前記排気管から各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を基板処理圧力に調整する工程と、
前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、圧力検出部が前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項21】
複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記複数の処理室排気管の下流側に各処理室排気管を合流させるように配される共通排気管を含むガス排気部に備えられた圧力調整バルブを調整し、複数の前記処理室に不活性ガスを供給しつつ、前記ガス排気部が各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を調整する工程と、
複数の前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項22】
複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記複数の処理室排気管の下流側に各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管と、を備えた排気管に設けられた圧力調整バルブの開度を所定開度に調整し、複数の前記処理室に不活性ガスを供給しつつ、前記排気管から各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を調整する手順と、複数の前記処理室に処理ガスを供給しつつ、前記排気管から各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を基板処理圧力に調整する手順と、
前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、圧力検出部が前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項23】
複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記複数の処理室排気管の下流側に各処理室排気管を合流させるように配される共通排気管を含むガス排気部に備えられた圧力調整バルブを調整し、複数の前記処理室に不活性ガスを供給しつつ、前記ガス排気部が各処理室の雰囲気を排気して、前記処理室の圧力を調整する手順と、
複数の前記処理室に不活性ガスを供給するのと並行して、所定時間、前記処理室排気管の圧力を測定して、前記処理室排気管における圧力の変動を検出する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置として、例えば、基板を処理する処理室を複数備え、各処理室で排気系が共通化されたものがある。具体的には、複数の処理室のそれぞれに排気管が接続され、さらにその下流側で各排気管が合流するように構成されたものがある（例えば、特許文献１参照）。各処理室で基板に対して同様の処理を行うことで、生産性を向上させることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１７―４５８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
処理室には排気管が接続されているが、それらの排気性能が所望の性能よりも低くなると、基板処理の品質も低下し、その結果歩留まりの低下に陥るおそれがある。
【0005】
本開示は、排気性能の低減を予知し、高い生産性を維持することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様によれば、
基板を処理する複数の処理室と、前記処理室への処理ガス供給を行う処理ガス供給部と、前記処理室への不活性ガス供給を行う不活性ガス供給部と、前記複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記処理室排気管の下流側で各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管と、を備えた排気管と、前記共通ガス排気管に設けられた圧力調整バルブと、前記排気管の圧力を検出する圧力検出部とを有し、前記不活性ガス供給部が前記処理室への不活性ガス供給を開始したら、所定時間、前記圧力検出部が前記処理室排気管の圧力を検出して、圧力の変動を検出するよう制御する制御部と、を備える技術が提供される。
基板を処理する複数の処理室と、前記処理室への処理ガス供給を行う処理ガス供給部と、前記処理室への不活性ガス供給を行う不活性ガス供給部と、前記複数の処理室のそれぞれに個別に接続される複数の処理室排気管及び前記処理室排気管の下流側で各処理室排気管を合流させるように配される共通ガス排気管と、を備えた排気管と、前記共通ガス排気管に設けられた圧力調整バルブと、前記排気管の圧力を検出する圧力検出部とを有し、前記不活性ガス供給部が前記処理室への不活性ガス供給を開始したら、所定時間、前記圧力検出部が前記処理室排気管の圧力を検出して、圧力の変動を検出するよう制御する制御部と、を備える技術が提供される。
【発明の効果】
【0007】
本開示に係る技術によれば、排気性能の低減を予知し、高い生産性を維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図2】第一実施形態に係る基板処理装置のチャンバの構成図である。
【図3】第一実施形態に係る基板処理装置のコントローラの構成図である。
【図4】第一実施形態に係るコントローラが有するテーブルを説明する説明図である。
【図5】第一実施形態に係る基板処理工程のフロー図である。
【図6】第一実施形態に係るフローの各工程と、部品の動作の関係性を説明した説明図である。
【図7】第一実施形態に係る膜処理工程のフロー図である。
【図8】第二実施形態に係る基板処理工程のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に本開示の実施の形態について説明する。
【0010】
＜第一実施形態＞
まず、本開示の第一実施形態を図面に即して説明する。
まず、本開示の第一実施形態を図面に即して説明する。
【0011】
（１）基板処理装置の構成
図１は、第一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
図１に示すように、基板処理装置１０は、大別すると、プロセスモジュール１１０と、プロセスモジュール１１０に繋がるガス供給部およびガス排気部と、を備えて構成されている。
図１は、第一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
図１に示すように、基板処理装置１０は、大別すると、プロセスモジュール１１０と、プロセスモジュール１１０に繋がるガス供給部およびガス排気部と、を備えて構成されている。
【0012】
（プロセスモジュール）
プロセスモジュール１１０は、基板２００に対して所定の処理を行うためのチャンバ１００を有する。チャンバ１００としては、チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂとを含む。つまり、プロセスモジュール１１０は、複数のチャンバ１００ａ，１００ｂを有している。各チャンバ１００ａ，１００ｂの間には隔壁１５０が設けられており、それぞれのチャンバ１００ａ，１００ｂ内の雰囲気が混在しないように構成されている。チャンバ１００の詳細構造については後述する。
プロセスモジュール１１０は、基板２００に対して所定の処理を行うためのチャンバ１００を有する。チャンバ１００としては、チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂとを含む。つまり、プロセスモジュール１１０は、複数のチャンバ１００ａ，１００ｂを有している。各チャンバ１００ａ，１００ｂの間には隔壁１５０が設けられており、それぞれのチャンバ１００ａ，１００ｂ内の雰囲気が混在しないように構成されている。チャンバ１００の詳細構造については後述する。
【0013】
処理対象となる基板２００は、例えば、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「基板」もしくは「ウエハ」ともいう。）が挙げられる。
【0014】
（ガス供給部）
プロセスモジュール１１０には、各チャンバ１００ａ，１００ｂのそれぞれに処理ガス等を供給するガス供給部が接続されている。ガス供給部は、第一ガス供給部、第二ガス供給部、第三ガス供給部を有している。以下、各ガス供給部の構成について説明する。
プロセスモジュール１１０には、各チャンバ１００ａ，１００ｂのそれぞれに処理ガス等を供給するガス供給部が接続されている。ガス供給部は、第一ガス供給部、第二ガス供給部、第三ガス供給部を有している。以下、各ガス供給部の構成について説明する。
【0015】
（第一ガス供給部）
各チャンバ１００ａ，１００ｂには第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂが接続されており、さらに第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂには第一処理ガス共通供給管１１２が接続されている。第一処理ガス共通供給管１１２の上流側には、第一処理ガス源１１３が配されている。第一処理ガス源１１３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、上流側から順に、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５ａ，１１５ｂと、処理室側バルブ１１６ａ，１１６ｂとが、それぞれ設けられている。これら、第一処理ガス共通供給管１１２、ＭＦＣ１１５ａ，１１５ｂ、処理室側バルブ１１６ａ，１１６ｂ、第一ガス供給管としての第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂで、第一ガス供給部が構成される。なお、第一処理ガス源１１３を第一ガス供給部に含めるように構成しても良い。
各チャンバ１００ａ，１００ｂには第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂが接続されており、さらに第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂには第一処理ガス共通供給管１１２が接続されている。第一処理ガス共通供給管１１２の上流側には、第一処理ガス源１１３が配されている。第一処理ガス源１１３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、上流側から順に、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５ａ，１１５ｂと、処理室側バルブ１１６ａ，１１６ｂとが、それぞれ設けられている。これら、第一処理ガス共通供給管１１２、ＭＦＣ１１５ａ，１１５ｂ、処理室側バルブ１１６ａ，１１６ｂ、第一ガス供給管としての第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂで、第一ガス供給部が構成される。なお、第一処理ガス源１１３を第一ガス供給部に含めるように構成しても良い。
【0016】
第一処理ガス源１１３からは、処理ガスの一つである第一処理ガスとしての原料ガスが供給される。ここで、第一元素は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。すなわち、原料ガスは、例えばシリコン含有ガスである。具体的には、シリコン含有ガスとして、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６：以下ＨＣＤＳとも呼ぶ。）ガスが用いられる。
【0017】
（第二ガス供給部）
各チャンバ１００ａ，１００ｂには第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂが接続されており、さらに第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂには第二処理ガス共通供給管１２２が接続されている。第二処理ガス共通供給管１２２の上流側には、第二処理ガス源１２３が配されている。第二処理ガス源１２３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、上流側から順に、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂと、処理室側バルブ１２６ａ，１２６ｂとが、それぞれ設けられている。これら、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂ、処理室側バルブ１２６ａ，１２６ｂ、第二処理ガス共通供給管１２２、第二ガス供給管としての第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂで、第二ガス供給部（反応ガス供給部）が構成される。なお、第二処理ガス源１２３を第二ガス供給部に含めるように構成しても良い。
各チャンバ１００ａ，１００ｂには第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂが接続されており、さらに第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂには第二処理ガス共通供給管１２２が接続されている。第二処理ガス共通供給管１２２の上流側には、第二処理ガス源１２３が配されている。第二処理ガス源１２３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、上流側から順に、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂと、処理室側バルブ１２６ａ，１２６ｂとが、それぞれ設けられている。これら、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂ、処理室側バルブ１２６ａ，１２６ｂ、第二処理ガス共通供給管１２２、第二ガス供給管としての第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂで、第二ガス供給部（反応ガス供給部）が構成される。なお、第二処理ガス源１２３を第二ガス供給部に含めるように構成しても良い。
【0018】
第二処理ガス源１２３からは、処理ガスの一つである第二処理ガスとしての反応ガスが供給される。反応ガスは、例えば酸素含有ガスである。具体的には、酸素含有ガスとして、例えば酸素（Ｏ２）ガスが用いられる。ここでは第一ガス供給部と第二ガス供給部とをまとめて処理ガス供給部と呼ぶ。
【0019】
（第三ガス供給部）
第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂおよび第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂには、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂが接続されている。さらに、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂには、第一不活性ガス共通供給管１３２が接続されている。第一不活性ガス共通供給管１３２の上流側には、第一不活性ガス（パージガス）源１３３が配されている。第一不活性ガス源１３３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、上流側から順に、ＭＦＣ１３５ａ，１３５ｂと、処理室側バルブ１３６ａ，１３６ｂと、バルブ１７６ａ，１７６ｂ，１８６ａ，１８６ｂとが、それぞれ設けられている。これら、ＭＦＣ１３５ａ，１３５ｂ、処理室側バルブ１３６ａ，１３６ｂ、バルブ１７６ａ，１７６ｂ，１８６ａ，１８６ｂ、第一不活性ガス共通供給管１３２、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂで、第三ガス供給部（不活性ガス供給部）が構成される。なお、第一不活性ガス源１３３を第三ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理装置１０に設けられるプロセスモジュールの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
第一処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂおよび第二処理ガス供給管１２１ａ，１２１ｂには、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂが接続されている。さらに、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂには、第一不活性ガス共通供給管１３２が接続されている。第一不活性ガス共通供給管１３２の上流側には、第一不活性ガス（パージガス）源１３３が配されている。第一不活性ガス源１３３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、上流側から順に、ＭＦＣ１３５ａ，１３５ｂと、処理室側バルブ１３６ａ，１３６ｂと、バルブ１７６ａ，１７６ｂ，１８６ａ，１８６ｂとが、それぞれ設けられている。これら、ＭＦＣ１３５ａ，１３５ｂ、処理室側バルブ１３６ａ，１３６ｂ、バルブ１７６ａ，１７６ｂ，１８６ａ，１８６ｂ、第一不活性ガス共通供給管１３２、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂで、第三ガス供給部（不活性ガス供給部）が構成される。なお、第一不活性ガス源１３３を第三ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理装置１０に設けられるプロセスモジュールの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
【0020】
第一不活性ガス源１３３からは、不活性ガス（パージガス）が供給される。不活性ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）ガスを用いる。
【0021】
（ガス排気部）
プロセスモジュール１１０には、チャンバ１００ａ内の雰囲気とチャンバ１００ｂ内の雰囲気とをそれぞれ排気するガス排気部が接続されている。具体的には、チャンバ１００ａには処理室排気管２２４が接続されており、チャンバ１００ｂには処理室排気管２２６が接続されている。つまり、複数のチャンバ１００ａのそれぞれに対して、複数の処理室排気管２２４，２２６が個別に接続されている。そして、処理室排気管２２４，２２６には、共通ガス排気管２２５が接続されている。つまり、処理室排気管２２４，２２６の下流側には、各処理室排気管２２４，２２６を合流させるように共通ガス排気管２２５が配されている。これにより、処理室排気管２２４と処理室排気管２２６とは、下流端の合流部２３０にて合流され、さらに共通ガス排気管２２５に接続されることになる。
プロセスモジュール１１０には、チャンバ１００ａ内の雰囲気とチャンバ１００ｂ内の雰囲気とをそれぞれ排気するガス排気部が接続されている。具体的には、チャンバ１００ａには処理室排気管２２４が接続されており、チャンバ１００ｂには処理室排気管２２６が接続されている。つまり、複数のチャンバ１００ａのそれぞれに対して、複数の処理室排気管２２４，２２６が個別に接続されている。そして、処理室排気管２２４，２２６には、共通ガス排気管２２５が接続されている。つまり、処理室排気管２２４，２２６の下流側には、各処理室排気管２２４，２２６を合流させるように共通ガス排気管２２５が配されている。これにより、処理室排気管２２４と処理室排気管２２６とは、下流端の合流部２３０にて合流され、さらに共通ガス排気管２２５に接続されることになる。
【0022】
共通ガス排気管２２５の下流側には、排気ポンプ２２３が配されている。排気ポンプ２２３とチャンバ１００ａ，１００ｂとの間には、下流側から順に、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ。圧力調整バルブとも呼ぶ。）２２２と、バルブ２２１と、バルブ２２８ａ，２２８ｂとが、それぞれ設けられている。これら、ＡＰＣ２２２、バルブ２２１、バルブ２２８ａ，２２８ｂ、処理室排気管２２４，２２６、共通ガス排気管２２５で、ガス排気部が構成される。このように、チャンバ１００ａ内の雰囲気とチャンバ１００ｂ内の雰囲気とは、１つの排気ポンプ２２３によって排気が行われるようになっている。
【0023】
処理室排気管２２４には、圧力検出部２２７ａが設けられている。圧力検出部２２７ａは、処理室排気管２２４内の圧力を検出するものであり、例えば圧力センサを用いて構成することができる。
【0024】
また、処理室排気管２２６には、圧力検出部２２７ｂが設けられている。圧力検出部２２７ｂは、処理室排気管２２６内の圧力を検出するものであり、例えば圧力センサを用いて構成することができる。処理室排気管２２６のうち、圧力検出部２２７ｂの上流側に、第二不活性ガス供給管１４１ｂが接続されている。
圧力検出部２２７ａ，２２７ｂのいずれか、またはその組み合わせを、排気管圧力検出部と呼んでもよい。
圧力検出部２２７ａ，２２７ｂのいずれか、またはその組み合わせを、排気管圧力検出部と呼んでもよい。
【0025】
（チャンバ）
続いて、プロセスモジュール１１０におけるチャンバ１００ａ，１００ｂの詳細構造について説明する。ここでは、複数のチャンバ１００ａ，１００ｂのそれぞれが同様の構成であるため、一つのチャンバ１００ａ（以下、単にチャンバ１００と記す。）を例に挙げて説明する。
続いて、プロセスモジュール１１０におけるチャンバ１００ａ，１００ｂの詳細構造について説明する。ここでは、複数のチャンバ１００ａ，１００ｂのそれぞれが同様の構成であるため、一つのチャンバ１００ａ（以下、単にチャンバ１００と記す。）を例に挙げて説明する。
【0026】
図２は、第一実施形態に係る基板処理装置のチャンバの構成図である。
チャンバ１００は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料により、例えば横断面が円形であり扁平な密閉されている処理容器３０２として構成されている。密閉容器３０２は、上部容器３０２ａと下部容器３０２ｂを有しており、上部容器３０２ａと下部容器３０２ｂの間に仕切り板３０８が設けられている。下部容器３０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８が設けられており、基板２００は基板搬入出口１４８を介して図示しない真空搬送室との間を移動する。下部容器３０２ｂの底部には、リフトピン３０７が複数設けられている。
チャンバ１００は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料により、例えば横断面が円形であり扁平な密閉されている処理容器３０２として構成されている。密閉容器３０２は、上部容器３０２ａと下部容器３０２ｂを有しており、上部容器３０２ａと下部容器３０２ｂの間に仕切り板３０８が設けられている。下部容器３０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８が設けられており、基板２００は基板搬入出口１４８を介して図示しない真空搬送室との間を移動する。下部容器３０２ｂの底部には、リフトピン３０７が複数設けられている。
【0027】
密閉容器３０２として構成されるチャンバ１００内には、基板２００を支持する基板支持部３１０が設けられている。基板支持部３１０は、基板２００を載置する基板載置面３１１と、基板載置面３１１を表面に持つ基板載置台３１２と、基板載置台３１２に内包された加熱源としてのヒータ３１３と、を主に有している。基板載置台３１２には、リフトピン３０７が貫通する貫通孔３１４が、リフトピン３０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。
【0028】
基板載置台３１２は、シャフト３１７によって支持されている。シャフト３１７の支持部は、チャンバ１００の底壁に設けられた穴を貫通しており、さらには支持板３１６を介してチャンバ１００の外部で昇降機構３１８に接続されている。昇降機構３１８を作動させてシャフト３１７および基板載置台３１２を昇降させることにより、基板載置面３１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト３１７下端部の周囲はベローズ３１９により覆われており、これによりチャンバ１００内は気密に保持されている。
【0029】
昇降機構３１８が基板載置台３１２を上昇させると、基板載置台３１２は、図中に示す基板処理ポジションに位置することになる。基板処理ポジションでは、リフトピン３０７は基板載置面３１１の上面から埋没して、基板載置面３１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、基板２００を処理する際には、基板載置台３１２は、基板処理ポジションに維持される。また、昇降機構３１８が基板載置台３１２を下降させると、基板載置台３１２は、基板載置面３１１が基板搬入出口１４８に対向する基板搬送ポジション（図１中の破線参照）に位置することになる。基板搬送ポジションでは、リフトピン３０７の上端部が基板載置面３１１の上面から突出して、リフトピン３０７が基板２００を下方から支持するようになっている。
【0030】
チャンバ１００内には、基板２００を処理する処理空間３０５と、基板２００を処理空間３０５に搬送する際に基板２００が通過する搬送空間３０６と、が形成されている。
【0031】
処理空間３０５は、基板処理ポジションにおける基板載置台３１２と、チャンバ１００の天井３３０との間に形成される空間である。処理空間３０５を構成する構造体のことを処理室３０１ともいう。つまり、処理室３０１内には、処理空間３０５が設けられている。
【0032】
搬送空間３０６は、主に、下部容器３０２ｂと、基板処理ポジションにおける基板載置台３１２の下部構造とで構成される空間である。搬送空間３０６を構成する構造体のことを搬送室ともいう。搬送室は、処理室３０１の下方に配される。なお、搬送室は、搬送空間３０６を構成する構造体であればよく、上記構造にとらわれないことは言うまでもない。
【0033】
処理空間３０５に面する天井３３０には、第一ガス供給部の第一処理ガス供給管１１１と、第二ガス供給部の第二処理ガス供給管１２１と、が接続されている。さらに詳しくは、チャンバ１００ａにおける天井３３０には第一処理ガス供給管１１１ａおよび第二処理ガス供給管１２１ａが接続され、チャンバ１００ｂにおける天井３３０には第一処理ガス供給管１１１ｂおよび第二処理ガス供給管１２１ｂが接続されている。これにより、処理空間３０５内に第一処理ガス、第二処理ガスまたは不活性ガスが供給されるようになっている。
【0034】
処理空間３０５に面する密閉容器３０２の側壁部分には、ガス排気部の処理室排気管２２４，２２６が接続されている。さらに詳しくは、チャンバ１００ａにおける密閉容器３０２の側壁部分には処理室排気管２２４が接続され、チャンバ１００ｂにおける密閉容器３０２の側壁部分には処理室排気管２２６が接続されている。これにより、処理空間３０５内に供給されたガスが処理室排気管２２４，２２６を通じて排気されるようになっている。
【0035】
（コントローラ）
基板処理装置１０は、基板処理装置１０の各部の動作を制御する制御部（制御手段）としてのコントローラ３８０を有している。
基板処理装置１０は、基板処理装置１０の各部の動作を制御する制御部（制御手段）としてのコントローラ３８０を有している。
【0036】
図３は、第一実施形態に係る基板処理装置のコントローラの構成図である。
コントローラ３８０は、演算部（ＣＰＵ）３８０ａ、一時記憶部（ＲＡＭ）３８０ｂ、記憶部３８０ｃ、送受信部３８０ｄ、タイマ３８０ｅを少なくとも有するコンピュータとして構成されている。コントローラ３８０は、送受信部３８０ｄを介して基板処理装置１０の各構成に接続され、送受信部３８３を介して接続する上位装置３７０や入出力装置３８１を操作する使用者の指示に応じて記憶部３８０ｃからプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御するようになっている。報知部３８４は、例えばディスプレイやマイク等で構成され、制御情報記憶部３９５の内容に基づいて報知情報が報知される。
コントローラ３８０は、演算部（ＣＰＵ）３８０ａ、一時記憶部（ＲＡＭ）３８０ｂ、記憶部３８０ｃ、送受信部３８０ｄ、タイマ３８０ｅを少なくとも有するコンピュータとして構成されている。コントローラ３８０は、送受信部３８０ｄを介して基板処理装置１０の各構成に接続され、送受信部３８３を介して接続する上位装置３７０や入出力装置３８１を操作する使用者の指示に応じて記憶部３８０ｃからプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御するようになっている。報知部３８４は、例えばディスプレイやマイク等で構成され、制御情報記憶部３９５の内容に基づいて報知情報が報知される。
【0037】
演算部３８０ａは、少なくとも圧力の上昇速度値（圧力勾配値）を算出する算出部３９１を有する。算出部３９１は圧力検出部２２７が時間Ｔ１の間検出した圧力の変動値に基づき、圧力変動の圧力上昇速度値を求める。
【0038】
記憶部３８０ｃは、圧力記録部３９２、比較データ記憶部３９３、テーブル３９４、制御情報記憶部３９５を有している。タイマ３８０ｅは、後述する圧力上昇速度値算出工程Ｓ１１０にて、圧力検出部２２７が排気管２２４，２２６の圧力を検出する時間を計測する。
【0039】
圧力記録部３９２は、圧力検出部２２７ａ，２２７ｂが検出した圧力値を記録するものである。圧力値は、例えば基板を一枚処理するごとに記録される。算出部３９１は、検出した圧力値と、検出した時間に基づき、圧力上昇速度値を算出する。
【0040】
比較データ記憶部３９３は、算出部３９１が算出した圧力上昇速度値と比較する比較データを記憶する。比較データは、あらかじめ設定された値であり、例えば正常に動作した場合の圧力上昇速度値を記憶している。比較データは、基板２００を処理した後に、更新したデータであっても良い。この場合、例えば最も高い品質のデータを比較データとする。ここで最も高い品質のデータとは、例えば最も圧力の変動が少ないデータである。
【0041】
テーブル３９４は、図４に記載のように、算出した圧力上昇速度値と比較データとを比較した情報、各圧力検出物で算出した圧力上昇速度値の差分に基づいた動作を示すものである。さらに、詳細は後述する。
【0042】
なお、コントローラ３８０は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ Ｆｌａｓｈ Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）３８２を用意し、外部記憶装置３８２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ３８０を構成することができる。
【0043】
また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置３８２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置３７０から送受信部３８３を介して情報を受信し、外部記憶装置３８２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、キーボードやタッチパネル等の入出力装置３８１を用いて、コントローラ３８０に指示をしても良い。
【0044】
また、記憶部３８０ｃや外部記憶装置３８２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されていてもよい。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部３８０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置３８２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
【0045】
（２）基板処理工程の手順
次に、上述した構成の基板処理装置１０を用いて行う基板処理工程の手順を説明する。基板処理工程は、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として行うもので、処理対象となる基板２００に対して所定の処理を行うためのものである。所定の処理として、以下の説明では、第一処理ガスとしてＨＣＤＳガスを用い、第二処理ガスとしてＯ２ガスを用い、基板２００の表面に膜を形成する例について説明する。ここでは、異なる処理ガスを交互に供給する交互供給処理を行うものとする。
次に、上述した構成の基板処理装置１０を用いて行う基板処理工程の手順を説明する。基板処理工程は、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として行うもので、処理対象となる基板２００に対して所定の処理を行うためのものである。所定の処理として、以下の説明では、第一処理ガスとしてＨＣＤＳガスを用い、第二処理ガスとしてＯ２ガスを用い、基板２００の表面に膜を形成する例について説明する。ここでは、異なる処理ガスを交互に供給する交互供給処理を行うものとする。
【0046】
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された処理の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【0047】
以下、基板処理工程について、図５～図７を用いて説明する。図５は、基板処理工程の全体の手順を説明するものである。図６は、図５に記載の基板処理工程において、各チャンバ１００ａ，１００ｂにおける各部品の動作状態を説明する図である。図７は、基板処理工程のうち、膜処理工程Ｓ１０６の詳細を説明するものである。
【0048】
なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作は、コントローラ３８０により制御される。
【0049】
基板処理工程では、まず、基板搬入・載置工程を行う。なお、図５中においては、本工程の図示を省略している。
基板搬入・載置工程では、チャンバ１００内の基板載置台３１２を基板搬送ポジションまで下降させて、基板載置台３１２の貫通孔３１４にリフトピン３０７を貫通させる。これにより、リフトピン３０７は、基板載置台３１２の表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。そして、その状態で、ゲートバルブ１４９を開いて搬送空間３０６を真空搬送室（図示せず）と連通させ、真空搬送室から基板移載機（図示せず）を用いて基板２００を搬送空間３０６に搬入し、その基板２００をリフトピン３０７上に移載する。これにより、基板２００は、基板載置台３１２の表面から突出したリフトピン３０７上に水平
姿勢で支持される。
基板搬入・載置工程では、チャンバ１００内の基板載置台３１２を基板搬送ポジションまで下降させて、基板載置台３１２の貫通孔３１４にリフトピン３０７を貫通させる。これにより、リフトピン３０７は、基板載置台３１２の表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。そして、その状態で、ゲートバルブ１４９を開いて搬送空間３０６を真空搬送室（図示せず）と連通させ、真空搬送室から基板移載機（図示せず）を用いて基板２００を搬送空間３０６に搬入し、その基板２００をリフトピン３０７上に移載する。これにより、基板２００は、基板載置台３１２の表面から突出したリフトピン３０７上に水平
姿勢で支持される。
【0050】
（基板処理ポジション移動工程：Ｓ１０２）
基板処理ポジション移動工程Ｓ１０２を説明する。
チャンバ１００内に基板２００を搬入したら、基板移載機をチャンバ１００の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じてチャンバ１００内を密閉する。その後、基板載置台３１２を上昇させることにより、基板載置面３１１上に基板２００を載置させ、さらに基板載置台３１２を基板処理ポジションまで上昇させ、基板載置面３１１上の基板２００を処理空間３０５内に位置させる。
基板処理ポジション移動工程Ｓ１０２を説明する。
チャンバ１００内に基板２００を搬入したら、基板移載機をチャンバ１００の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じてチャンバ１００内を密閉する。その後、基板載置台３１２を上昇させることにより、基板載置面３１１上に基板２００を載置させ、さらに基板載置台３１２を基板処理ポジションまで上昇させ、基板載置面３１１上の基板２００を処理空間３０５内に位置させる。
【0051】
このとき、基板載置台３１２の内部に埋め込まれたヒータ３１３に電力を供給し、基板載置面３１１上の基板２００の表面が所定の温度となるよう制御する。基板２００の温度は、例えば室温以上８００℃以下であり、好ましくは例えば室温以上５００℃以下である。その際に、ヒータ３１３の温度は、図示せぬ温度センサにより検出された温度情報に基づいてコントローラ３８０が制御値を抽出し、ヒータ３１３への通電具合を制御することによって調整される。
【0052】
本工程では、図６に記載のように、各チャンバ１００ａ，１００ｂそれぞれにおいて、第一処理ガス、第二処理ガスを供給せずに、第三ガス供給部から不活性ガスを供給する。さらには、排気ポンプ２２３を稼働させる。このとき、ＡＰＣ２２２、圧力検出部２２７ａ、２２７ｂ、タイマ３８０ｅは稼働を停止させてもよい。
【0053】
基板載置台３１０が基板処理ポジションまで移動する間、各チャンバ１００の処理室３０１を不活性ガス雰囲気とし、基板載置台３１０が移動する際に発生する粉塵等が処理室３０１内に入り込まないようにする。
【0054】
なお、基板搬入・載置工程、基板処理ポジション移動工程Ｓ１０２における動作は、各チャンバ１００ａ，１００ｂのそれぞれにおいて同様に行われるものとする。
【0055】
（第一圧力調整工程：Ｓ１０４）
第一圧力調整工程Ｓ１０４について説明する。
基板２００が基板処理ポジションに移動したら、処理室３０１内を所定の圧力に調整する。所定の圧力とは、例えば膜処理工程Ｓ１０６の第一処理ガス供給工程Ｓ２０２における圧力である。そのため、ここでは圧力を降圧させる。ここでは図６に記載のように、例えば第三ガス供給部を稼働させて処理室３０１に不活性ガスを供給するとともに、排気ポンプ２２３を稼働させて、処理室３０１を不活性ガス雰囲気とする。このとき、ＡＰＣ２２２の開度を調整し、固定する。さらに圧力検出部２２７ａ、２２７ｂも稼働させ、その検出データを元に各処理室３０１の圧力を調整してもよい。
第一圧力調整工程Ｓ１０４について説明する。
基板２００が基板処理ポジションに移動したら、処理室３０１内を所定の圧力に調整する。所定の圧力とは、例えば膜処理工程Ｓ１０６の第一処理ガス供給工程Ｓ２０２における圧力である。そのため、ここでは圧力を降圧させる。ここでは図６に記載のように、例えば第三ガス供給部を稼働させて処理室３０１に不活性ガスを供給するとともに、排気ポンプ２２３を稼働させて、処理室３０１を不活性ガス雰囲気とする。このとき、ＡＰＣ２２２の開度を調整し、固定する。さらに圧力検出部２２７ａ、２２７ｂも稼働させ、その検出データを元に各処理室３０１の圧力を調整してもよい。
【0056】
（膜処理工程：Ｓ１０６）
次に、膜処理工程Ｓ１０６を説明する。
膜処理工程Ｓ１０６では、第一ガス供給部、第二ガス供給部からガスを供給して、基板２００に対する処理を行う。そして、処理が終了したら、基板２００をチャンバ１００内から搬出する。この動作を、所定枚数分の基板２００について繰り返し行う。このような膜処理工程Ｓ１０６の詳細は後述する。膜処理工程Ｓ１０６が終了したら、第一ガス供給部、第二ガス供給部からの処理ガスの供給を停止する。第三ガス供給部からの供給は、停止しても継続してもよい。なお、本工程においては、後述する理由により、ＡＰＣ２２２の開度は固定された状態である。
次に、膜処理工程Ｓ１０６を説明する。
膜処理工程Ｓ１０６では、第一ガス供給部、第二ガス供給部からガスを供給して、基板２００に対する処理を行う。そして、処理が終了したら、基板２００をチャンバ１００内から搬出する。この動作を、所定枚数分の基板２００について繰り返し行う。このような膜処理工程Ｓ１０６の詳細は後述する。膜処理工程Ｓ１０６が終了したら、第一ガス供給部、第二ガス供給部からの処理ガスの供給を停止する。第三ガス供給部からの供給は、停止しても継続してもよい。なお、本工程においては、後述する理由により、ＡＰＣ２２２の開度は固定された状態である。
【0057】
（膜処理工程Ｓ１０６の詳細）
続いて、図７を用いて膜処理工程Ｓ１０６の詳細を説明する。
続いて、図７を用いて膜処理工程Ｓ１０６の詳細を説明する。
【0058】
（第一処理ガス供給工程：Ｓ２０２）
第一処理ガス供給工程Ｓ２０２を説明する。
処理空間３０５内の基板２００が所定の温度に達すると、まず、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２を行う。第一処理ガス供給工程Ｓ２０２では、バルブ１１６ａ，１１６ｂを開くとともに、ＨＣＤＳガスが所定流量となるようにＭＦＣ１１５ａ，１１５ｂを調整する。なお、ＨＣＤＳガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上８００ｓｃｃｍ以下である。このとき、第三ガス供給部からはＮ２ガスを供給する。第三ガス供給部から供給されるＮ２ガスは、ＨＣＤＳガスのキャリアガスとして用いられる。
第一処理ガス供給工程Ｓ２０２を説明する。
処理空間３０５内の基板２００が所定の温度に達すると、まず、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２を行う。第一処理ガス供給工程Ｓ２０２では、バルブ１１６ａ，１１６ｂを開くとともに、ＨＣＤＳガスが所定流量となるようにＭＦＣ１１５ａ，１１５ｂを調整する。なお、ＨＣＤＳガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上８００ｓｃｃｍ以下である。このとき、第三ガス供給部からはＮ２ガスを供給する。第三ガス供給部から供給されるＮ２ガスは、ＨＣＤＳガスのキャリアガスとして用いられる。
【0059】
さらに、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２では、バルブ２２１，２２８ａ，２２８ｂを開き、ポンプ２２３を稼働させつつ、ＡＰＣ２２２の開度を調整して、チャンバ１００内が所望の圧力となるようにする。具体的には、処理空間３０５、搬送空間３０６のそれぞれの圧力を、例えば５０～３００Ｐａのうちの所定の値となるよう制御する。所定の値としては、例えば２５０Ｐａとする。
【0060】
ＨＣＤＳガスが供給される処理空間３０５では、そのＨＣＤＳガスが熱によってシリコン成分等に分解され、基板２００上に供給される。これにより、基板２００の表面には、「第一元素含有層」としてのシリコン含有層が形成されることになる。シリコン含有層は、形成する薄膜の前駆体に相当する。
【0061】
そして、本工程の開始から所定時間経過後、バルブ１１６ａ，１１６ｂを閉じて、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。
【0062】
（第一パージ工程：Ｓ２０４）
第一パージ工程Ｓ２０４を説明する。
第一処理ガス供給工程Ｓ２０２の終了後は、次いで、第一パージ工程Ｓ２０４を行う。第一パージ工程Ｓ２０４では、バルブ１３６ａ，１３６ｂ，１７６ａ，１７６ｂの開状態を固定し、さらにバルブ１８６ａ，１８６ｂを開き、処理空間３０５にＮ２ガスを供給しつつ、ポンプ２２３等による排気を継続することで、雰囲気のパージを行う。
第一パージ工程Ｓ２０４を説明する。
第一処理ガス供給工程Ｓ２０２の終了後は、次いで、第一パージ工程Ｓ２０４を行う。第一パージ工程Ｓ２０４では、バルブ１３６ａ，１３６ｂ，１７６ａ，１７６ｂの開状態を固定し、さらにバルブ１８６ａ，１８６ｂを開き、処理空間３０５にＮ２ガスを供給しつつ、ポンプ２２３等による排気を継続することで、雰囲気のパージを行う。
【0063】
そして、本工程の開始から所定時間経過後、バルブ１３６ａ，１３６ｂを閉じて、Ｎ２ガスの供給による雰囲気のパージを停止する。
【0064】
（第二処理ガス供給工程：Ｓ２０６）
第二処理ガス供給工程Ｓ２０６を説明する。
バルブ１３６ａ，１３６ｂを閉じて第一パージ工程Ｓ２０４を終了させたら、次いで、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６を行う。第二処理ガス供給工程Ｓ２０６では、バルブ１２６ａ，１２６ｂを開くとともに、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂで流量調整を行って、処理空間３０５内へのＯ２ガスの供給を開始する。Ｏ２ガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上６０００ｓｃｃｍ以下である。このとき、バルブ１３６ａ，１３６ｂを開として、第三ガス供給部からＮ２ガスを供給する。第三ガス供給部から供給されるＮ２ガスは、Ｏ２ガスのキャリアガスまたは希釈ガスとして用いられる。
第二処理ガス供給工程Ｓ２０６を説明する。
バルブ１３６ａ，１３６ｂを閉じて第一パージ工程Ｓ２０４を終了させたら、次いで、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６を行う。第二処理ガス供給工程Ｓ２０６では、バルブ１２６ａ，１２６ｂを開くとともに、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂで流量調整を行って、処理空間３０５内へのＯ２ガスの供給を開始する。Ｏ２ガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上６０００ｓｃｃｍ以下である。このとき、バルブ１３６ａ，１３６ｂを開として、第三ガス供給部からＮ２ガスを供給する。第三ガス供給部から供給されるＮ２ガスは、Ｏ２ガスのキャリアガスまたは希釈ガスとして用いられる。
【0065】
さらに、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６では、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２の場合と同様に、ポンプ２２３等による排気を継続して、チャンバ１００内が所望の圧力となるようにする。
【0066】
処理空間３０５に供給されるＯ２ガスは、熱によって分解される。処理空間３０５では、分解されたＯ２ガスが基板２００上に供給される。これにより、基板２００の表面には、シリコン含有層がＯ２ガスによって改質されることにより、シリコン元素および酸素元素を含有する層で構成される薄膜が形成されることになる。
【0067】
そして、本工程の開始から所定時間経過後、バルブ１２６ａ，１２６ｂを閉じて、Ｏ２ガスの供給を停止する
【0068】
（第二パージ工程：Ｓ２０８）
第二パージ工程Ｓ２０８を説明する。
第二処理ガス供給工程Ｓ２０６の終了後は、次いで、第二パージ工程Ｓ２０８を行う。第二パージ工程Ｓ２０８では、第一パージ工程Ｓ２０４と同様に、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂからＮ２ガスを供給し、処理空間３０５の雰囲気のパージを行う。
第二パージ工程Ｓ２０８を説明する。
第二処理ガス供給工程Ｓ２０６の終了後は、次いで、第二パージ工程Ｓ２０８を行う。第二パージ工程Ｓ２０８では、第一パージ工程Ｓ２０４と同様に、第一不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂからＮ２ガスを供給し、処理空間３０５の雰囲気のパージを行う。
【0069】
そして、本工程の開始から所定時間経過後、バルブ１３６ａ，１３６ｂを閉じて、Ｎ２ガスの供給による雰囲気のパージを停止する。
【0070】
（判定工程：Ｓ２１０）
判定工程Ｓ２１０を説明する。
第二パージ工程Ｓ２０８が終了したら、コントローラ３８０は、順に行われる第一処理ガス供給工程Ｓ２０２、第一パージ工程Ｓ２０４、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６、第二パージ工程Ｓ２０８を１サイクルとし、そのサイクルを所定回数（ｎ ｃｙｃｌｅ）実施したか否かを判定する。
判定工程Ｓ２１０を説明する。
第二パージ工程Ｓ２０８が終了したら、コントローラ３８０は、順に行われる第一処理ガス供給工程Ｓ２０２、第一パージ工程Ｓ２０４、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６、第二パージ工程Ｓ２０８を１サイクルとし、そのサイクルを所定回数（ｎ ｃｙｃｌｅ）実施したか否かを判定する。
【0071】
所定回数実施していないとき（Ｓ２１０でＮｏの場合）は、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２、パージ工程Ｓ２０４、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６、パージ工程Ｓ２０８のサイクルを繰り返す。所定回数実施したとき（Ｓ２１０でＹｅｓの場合）は、図７に示した一連の処理を終了する。
【0072】
ところで、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２から第二パージ工程Ｓ２０８の間、図６に記載のように、ＡＰＣ２２２は開度が固定される。ここではその理由を説明する。
【0073】
本態様では、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２から第二パージ工程Ｓ２０８を連続して行うが、スループットを考慮し、各工程は非常に短い期間で行われる。例えば第一処理ガス供給工程Ｓ２０２から第二パージ工程Ｓ２０８までは６０秒未満であり、具体的には５０秒程度である。
【0074】
これは、処理室３０１の容積が小さい故に実現できる時間である。例えば比較例として、処理室の容積が大きい縦型装置が存在する。縦型装置で第一処理ガス供給工程Ｓ２０２から第二パージ工程Ｓ２０８を行う場合、処理室にガスを満たす時間や処理室からガスを排出する時間は、容積が大きい故に、本態様よりも長くなる。例えば１２０秒程度の時間がかかる。
【0075】
本態様の処理室３０１は比較例である縦型装置よりも容積が小さいため、処理室３０１中に供給するガスの量を縦型装置よりも少なくできる。そのため、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２、第二処理ガス供給工程Ｓ２０６では、縦型装置よりもすばやくガスを充填でき、更には第一パージ工程Ｓ２０４、第二パージ工程Ｓ２０８では、縦型装置よりもすばやく処理室３０１の雰囲気を排気することができる。
【0076】
さて、前述のように工程ごとにガスを入れ替えるため、それぞれの工程にて処理室３０１の圧力を調整する必要がある。圧力は、例えば第一圧力調整工程１０４のように、ＡＰＣを用いて調整することが考えられる。しかしながらＡＰＣの開度調整を短時間で行うことは技術的に難しい。そのため、ＡＰＣを使用して工程ごとに圧力を調整すると、スループットが著しく低下してしまう。
【0077】
このような状況であることから、本態様の基板処理装置１０においては、第一処理ガス供給工程Ｓ２０２から第二パージ工程Ｓ２０８の間はＡＰＣ２２２の開度を固定した状態とする。さらには、複数の基板を連続して処理する場合においても、スループット向上の観点から、ＡＰＣ２２２の開度を固定することが望ましい。すなわち、図５におけるＡの間はＡＰＣ２２２の開度を固定した状態とする。
【0078】
また、本態様の装置では、前述のようにＡＰＣ２２２の開度を固定しているため、排気管２２４、２２６の径を、非常に細い例えば２０～３０ｍｍとした。このような構成とすると、排気管２２４、２２６の圧力を正確に検出することができるので、ＡＰＣ２２２の開度が固定された状態だとしても、ガス供給部と排気ポンプとの協働によって、正確な圧力調整が可能となる。
【0079】
（第二圧力調整工程：Ｓ１０８）
次に、第二圧力調整工程Ｓ１０８について説明する。
膜処理工程Ｓ１０６が終了したら、処理室３０１内の圧力を調整する。例えば、真空レベルの圧力から昇圧する。
次に、第二圧力調整工程Ｓ１０８について説明する。
膜処理工程Ｓ１０６が終了したら、処理室３０１内の圧力を調整する。例えば、真空レベルの圧力から昇圧する。
【0080】
具体的には、第一ガス供給部、第二ガス供給部からの処理ガスの供給を停止した状態で、第三ガス供給部から各処理室３０１に不活性ガスを供給すると共に排気ポンプ２２３にて排気流量を調節して、処理室３０１内を昇圧する。第三ガス供給部から供給される不活性ガスは、各処理室３０１に対して同じ流量で供給される。
【0081】
（圧力上昇速度算出工程：Ｓ１１０）
次に、圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０を説明する。
圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０は、第二圧力調整工程Ｓ１０８と並行して行われる工程である。本工程では、排気管２２４、２２６で圧力を検出する。ここでは圧力検出を開始してから時間Ｔ１経過後に圧力検出を停止して、圧力上昇速度値を算出する。例えば、圧力検出を開始した時の圧力値と、時間Ｔ１後に検出した圧力値とで、圧力上昇速度値を算出する。時間Ｔ１はタイマ３８０ｅによってカウントされる。尚、本工程においては、前述した理由により、ＡＰＣ２２２の開度は固定された状態である。
次に、圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０を説明する。
圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０は、第二圧力調整工程Ｓ１０８と並行して行われる工程である。本工程では、排気管２２４、２２６で圧力を検出する。ここでは圧力検出を開始してから時間Ｔ１経過後に圧力検出を停止して、圧力上昇速度値を算出する。例えば、圧力検出を開始した時の圧力値と、時間Ｔ１後に検出した圧力値とで、圧力上昇速度値を算出する。時間Ｔ１はタイマ３８０ｅによってカウントされる。尚、本工程においては、前述した理由により、ＡＰＣ２２２の開度は固定された状態である。
【0082】
圧力検出部２２７ａ、２２７ｂは、各排気管２２４、２２６との接続部を不活性ガスが通過してから圧力の検出を開始する。計測時間はタイマ３８０ｅによってカウントされ、時間Ｔ１経過後、検出を停止する。
【0083】
時間Ｔ１は、圧力上昇速度値を検出できる程度の時間であって、目標圧力に到達する前に設定された時間である。次にその理由を説明する。
【0084】
圧力を検出する方法としては、Ｔ１よりも短い時間で一度だけ瞬間的に圧力を検出する、あるいはＴ１よりも後に検出する方法が考えられる。ところが、一度だけ瞬間的に圧力を検出する場合は、排気流れが不安定だと正確に圧力を検出することができない。
【0085】
また、時間Ｔ１よりも後に検出する場合として、例えば処理室１００ａと処理室１００ｂが目標圧力に到達した場合を考える、。この場合、いずれの処理室も目標圧力に到達していることから、排気管２２４，排気管２２６においても圧力が同じとなる。したがって、圧力の上昇速度は排気管２２４，排気管２２６で同じとなるため、いずれかの配管で目詰まりが起きているかどうかがわからない。
【0086】
一方、本態様のように、目標圧力に到達する前に圧力の検出を終了すると、いずれかの排気管２２４，排気管２２６で目詰まりがあることがわかる。例えば、目詰まりが無い配管は、目詰まりのある配管に比べ、圧力上昇速度値が大きくなる。
【0087】
なお、圧力検出部２２７ａ、２２７ｂでのそれぞれの検出は、検出開始時間と検出終了時間とを同じとし、並行して検出することが望ましい。このようにすることで、各排気管２２４、２２６それぞれにおいて圧力上昇速度値を同じ排気条件で検出できる。そのため、後述する処理設定工程Ｓ１１２にて正確に比較することができる。
【0088】
なお本工程は、膜処理工程Ｓ１０６と基板入れ替え工程Ｓ１１８の間に行われることから、処理室への処理ガス供給が停止されてから前記基板が前記処理室から搬出されるまでの間に行われる。
【0089】
また本工程は、膜処理工程Ｓ１０６と基板搬送ポジション移動工程Ｓ１１４との間に行われることから、処理室への処理ガス供給が停止されてから前記基板が基板搬送ポジションに移動するまでの間に行われる。
【0090】
また本工程は、基板入れ替え工程Ｓ１１８の前に行われることから、処理室３０１から基板２００が搬出される前に行われる。
【0091】
また本工程は、基板入れ替え工程Ｓ１１８の前に行われることから、圧力検出部２２７は、処理ガス供給部から処理室３０１に処理ガスが供給される前に圧力の検出を停止する。この際、それぞれの処理室排気管２２４，２２６に設けられた圧力検出部２２７ａ、２２７ｂの圧力検出を停止する。
【0092】
（処理設定工程：Ｓ１１２）
続いて、処理設定工程Ｓ１１２を説明する。第二圧力調整工程Ｓ１０８，圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０が終了したら、処理設定工程Ｓ１１２に移行する。
続いて、処理設定工程Ｓ１１２を説明する。第二圧力調整工程Ｓ１０８，圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０が終了したら、処理設定工程Ｓ１１２に移行する。
【0093】
圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０で算出された圧力上昇速度値は、圧力記録部３９２に記録される。圧力記録部３９２に記録された圧力上昇速度値は、比較データ記憶部３９３に記憶されている比較データと比較される。また、各圧力検出部で検出したデータが比較される。それに基づき後の基板処理装置１０の動作が設定される。
【0094】
比較の種類としては、圧力検出部ごとに算出した圧力上昇速度値と比較データとの比較、各圧力検出部で算出した圧力上昇速度値の差分を比較する。
【0095】
また、図４に例示されているように、圧力検出部ごとに算出した圧力上昇速度値と比較データとの比較においては例えば３つのレベルであるレベルａ、レベルｂ、レベルｃごとに動作が設定される。例えばレベルａは乖離が０～５％であり、レベルｂは乖離が６～１０％であり、レベルｃは１１％以上である。
【0096】
ここでは、圧力上昇速度値がレベルａの場合、問題無いと判断し、次の基板を処理するべく、設定を維持する。圧力上昇速度値がレベルｂの場合、このまま処理を継続すれば排気管の目詰まりが基板処理に影響を及ぼす可能性があると判断し、報知部３８４でその旨報知する。この際、例えば次に処理する基板、もしくは次に処理するロット中の基板を、基板処理装置１０に搬入しないようにしてもよい。また、ここでは、排気管のメンテナンス（例えばクリーニングや交換）を促すメッセージを報知しても良い。さらに圧力上昇速度値がレベルｃの場合、これ以上基板処理を継続できないと判断し、処理を停止する。このように後の処理を設定することで、不良基板を出さないようにする。
【0097】
また、圧力検出部２２７ａで検出したデータをもとに算出した排気管２２４の圧力上昇速度値と、圧力検出部２２７ｂで検出したデータをもとに算出した排気管２２６の圧力上昇速度値とを比較してもよい。この場合、各圧力上昇速度値の差分を算出する。差分は例えば４つのレベルであるレベルα、レベルβ、レベルγ、レベルδとし、ベルごとに動作が設定される。
【0098】
例えばレベルαは乖離が０～３％であり、レベルβは乖離が４～６％であり、レベルγは７～１０％であり、レベルδは１１％以上である。差分がレベルαの場合、問題無いと判断し、次の基板を処理するべく、処理を継続する。
【0099】
差分がレベルβの場合であって、両方の圧力検出部がレベルａとなった場合、目詰まりは無いが、排気管全体で所望の排気能力を満たしていない、との判断が可能である。その場合、次の基板２００を搬入する前にＡＰＣ２２２を再調整する。再調整は、例えば第三圧力調整工程Ｓ１２２で行われる。
【0100】
差分がレベルγの場合、このまま処理を継続すれば排気管の目詰まりが基板処理に影響を及ぼす可能性があると判断し、報知部３８４でその旨報知する。この際、例えば次に処理する基板、もしくは次に処理するロット中の基板を、基板処理装置１０に搬入しないようにしてもよい。また、ここでは、排気管のメンテナンス（例えばクリーニングや交換）を促すメッセージを報知しても良い。さらに差分がレベルδの場合、これ以上基板処理を継続できないと判断し、処理を停止する。このように後の処理を設定することで、不良基板を出さないようにする。
【0101】
本態様においては、次の基板２００を搬入する前に判断可能であるので、不良基板の発生を少なくすることができる。
【0102】
（基板搬送ポジション移動工程Ｓ１１４）
基板搬送ポジション移動工程Ｓ１１４を説明する。
基板搬送ポジション移動工程Ｓ１１４では、チャンバ１００内の基板載置台３１２を基板搬送ポジションまで下降させて、基板載置台３１２の表面から突出させたリフトピン３０７上に基板２００を支持させる。これにより、基板２００は、基板処理ポジションから基板搬送ポジションに移送される。
基板搬送ポジション移動工程Ｓ１１４を説明する。
基板搬送ポジション移動工程Ｓ１１４では、チャンバ１００内の基板載置台３１２を基板搬送ポジションまで下降させて、基板載置台３１２の表面から突出させたリフトピン３０７上に基板２００を支持させる。これにより、基板２００は、基板処理ポジションから基板搬送ポジションに移送される。
【0103】
（判定：Ｓ１１６）
続いて、判定Ｓ１１６を説明する。
判定Ｓ１１６では、基板２００を所定枚数処理したかどうかを判定する。所定枚数処理したと判定されたら、図示しない基板搬出工程を経て、終了とする。所定枚数処理していないと判定されたら、基板入れ替え工程Ｓ１１８に移動する。
続いて、判定Ｓ１１６を説明する。
判定Ｓ１１６では、基板２００を所定枚数処理したかどうかを判定する。所定枚数処理したと判定されたら、図示しない基板搬出工程を経て、終了とする。所定枚数処理していないと判定されたら、基板入れ替え工程Ｓ１１８に移動する。
【0104】
（基板入れ替え工程：Ｓ１１８）
続いて、基板入れ替え工程Ｓ１１８を説明する。
判定Ｓ１１６で所定枚数処理していないと判定されたら、処理済みの基板２００と次に処理する未処理の基板２００とを入れ替える。入れ替えた基板２００は、前述のようにリフトピン２０７上で待機させられる。
続いて、基板入れ替え工程Ｓ１１８を説明する。
判定Ｓ１１６で所定枚数処理していないと判定されたら、処理済みの基板２００と次に処理する未処理の基板２００とを入れ替える。入れ替えた基板２００は、前述のようにリフトピン２０７上で待機させられる。
【0105】
（基板処理ポジション移動工程：Ｓ１２０）
続いて、基板処理ポジション移動工程Ｓ１２０を説明する。
リフトピン２０７上で待機された基板２００は、基板処理ポジション移動工程Ｓ１０２と同様の方法で、基板処理ポジションに移動される。
続いて、基板処理ポジション移動工程Ｓ１２０を説明する。
リフトピン２０７上で待機された基板２００は、基板処理ポジション移動工程Ｓ１０２と同様の方法で、基板処理ポジションに移動される。
【0106】
（第三圧力調整工程：Ｓ１２２）
続いて、第三圧力調整工程Ｓ１２２を説明する。
ここでは、ＡＰＣ２２２の開度を固定した状態で、第一圧力調整工程Ｓ１０４と同様に、処理室３０１内の圧力を調整する。圧力を調整した後、膜処理工程Ｓ１０６に移行し、入れ替えた基板２００の膜処理を行う。
続いて、第三圧力調整工程Ｓ１２２を説明する。
ここでは、ＡＰＣ２２２の開度を固定した状態で、第一圧力調整工程Ｓ１０４と同様に、処理室３０１内の圧力を調整する。圧力を調整した後、膜処理工程Ｓ１０６に移行し、入れ替えた基板２００の膜処理を行う。
【0107】
なお、図５に記載の点線領域αは、ＡＰＣ２２２の開度が固定された状態の工程を囲んだ領域である。このように、膜処理工程Ｓ１０６から第三圧力調整工程Ｓ１２２までの間、ＡＰＣ２２２の開度は固定される。
【0108】
（基板搬出工程）
基板搬出工程を説明する。図５中においては、本工程の図示を省略している。基板２００が基板搬送ポジションに移動されたら、ゲートバルブ１４９を開き、基板移載機（図示せず）を用いて基板２００をチャンバ１００の外へ搬出する。
基板搬出工程を説明する。図５中においては、本工程の図示を省略している。基板２００が基板搬送ポジションに移動されたら、ゲートバルブ１４９を開き、基板移載機（図示せず）を用いて基板２００をチャンバ１００の外へ搬出する。
【0109】
＜第二実施形態＞
次に、本開示の第二実施形態を、図８を用いて説明する。
図８は、第二実施形態に係る基板処理方法のフローである。
第一実施形態との相違点は、圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２が第三圧力調整工程Ｓ１２２と並行して行われ、処理設定工程が膜処理工程Ｓ１０６の前に行われる点である。その他の点は第一実施形態の場合と同様である。以下、相違点を中心に説明する。
次に、本開示の第二実施形態を、図８を用いて説明する。
図８は、第二実施形態に係る基板処理方法のフローである。
第一実施形態との相違点は、圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２が第三圧力調整工程Ｓ１２２と並行して行われ、処理設定工程が膜処理工程Ｓ１０６の前に行われる点である。その他の点は第一実施形態の場合と同様である。以下、相違点を中心に説明する。
【0110】
本実施形態においては、第三圧力調整工程Ｓ１２２と並行して圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２を実施する。ここでは、第一の実施形態の圧力上昇速度算出工程Ｓ１１０と同様に、排気管２２４、２２６の圧力上昇速度値を算出する。
【0111】
具体的には、次のとおりである。
（圧力上昇速度算出工程：Ｓ３０２）
圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２を説明する。
圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２では、所定時間、排気管２２４、２２６の圧力を検出すると共に、圧力の圧力上昇速度値を算出する。尚、第一の実施形態と同様の理由により、ＡＰＣ２２２の開度は固定された状態である。
（圧力上昇速度算出工程：Ｓ３０２）
圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２を説明する。
圧力上昇速度算出工程Ｓ３０２では、所定時間、排気管２２４、２２６の圧力を検出すると共に、圧力の圧力上昇速度値を算出する。尚、第一の実施形態と同様の理由により、ＡＰＣ２２２の開度は固定された状態である。
【0112】
まず、第一ガス供給部、第二ガス供給部からの処理ガスの供給を停止した状態で、第三ガス供給部から処理室３０１に不活性ガスを供給する。このとき、第一圧力調整工程Ｓ１０４に引き続き排気ポンプ２２３は稼働している。供給された不活性ガスは各処理室３０１と排気管２２４、２２６、共通ガス排気管２２５を通過し、各処理室内を不活性ガス雰囲気とする。
【0113】
圧力検出部２２７ａ、２２７ｂは、各排気管２２４、２２６との接続部を不活性ガスが通過しはじめたら計測を開始する。計測時間はタイマ３８０ｅによってカウントされ、所定時間経過後、計測を停止する。検出された圧力は、圧力記録部３９２に記録される。膜処理工程Ｓ１０６に移行する前に検出することで、より安定した状態で圧力を検出できる。
【0114】
算出部３９１は、タイマ３８０ｅのカウント開始時に計測した圧力値と、カウント開始から時間Ｔ２経過後に計測した圧力値と、時間Ｔ２とで、圧力上昇速度値を算出する。例えば、所定時間での圧力の上昇度を元に圧力上昇速度値を算出する。
【0115】
ここで、単に圧力を検出するのではなく、限られた時間Ｔ２の間に圧力を検出する理由を説明する。圧力を検出する方法としては、Ｔ２よりも短い時間で一度だけ瞬間的に圧力を検出する、あるいはＴ２よりも後に検出する方法が考えられる。ところが、一度だけ瞬間的に圧力を検出する場合は、排気流れが不安定だと正確に圧力を検出することができない。
【0116】
また、時間Ｔ２よりも後に検出する場合として、例えば処理室１００ａと処理室１００ｂのいずれかで雰囲気を引ききる場合を考える。この場合、排気管２２４と排気管２２６とで排気する雰囲気が変わってしまうため、各配管で計測した圧力を比較することはできない。
【0117】
一方、本態様のように、いずれかの処理室が引ききる前に圧力の検出を終了すると、排気管２２４，排気管２２６は同じ雰囲気であるため、比較条件を同じにすることができる。そのため、後述する処理設定工程Ｓ３０４にて正確に比較することができる。
【0118】
なお本工程は、基板入れ替え工程Ｓ１１８と膜処理工程Ｓ１０６の間に行われることから、基板２００が処理室３０１に搬入されてから、処理室３０１に処理ガスを供給開始するまでの間に行われるといえる。
【0119】
また本工程は、膜処理工程Ｓ１０６の前に行われることから、圧力検出部２２７は、処理ガス供給部から処理室３０１に処理ガスが供給される前に圧力の検出を停止する。この際、それぞれの処理室排気管２２４，２２６に設けられた圧力検出部２２７ａ、２２７ｂの圧力検出を停止する。
【0120】
（処理設定工程：Ｓ３０４）
続いて、処理設定工程Ｓ３０４を説明する。
算出された圧力上昇速度値は、圧力記録部３９２に記録される。圧力記録部３９２に記録された圧力上昇速度値は、比較データ記憶部３９３に記憶されている比較データと比較される。また、各圧力検出部で検出したデータが比較される。それらの比較結果に基づき基板処理装置１０の動作が選択される。ここでは、第一の実施形態と同様に判断する。
続いて、処理設定工程Ｓ３０４を説明する。
算出された圧力上昇速度値は、圧力記録部３９２に記録される。圧力記録部３９２に記録された圧力上昇速度値は、比較データ記憶部３９３に記憶されている比較データと比較される。また、各圧力検出部で検出したデータが比較される。それらの比較結果に基づき基板処理装置１０の動作が選択される。ここでは、第一の実施形態と同様に判断する。
【0121】
本態様においては、基板２００を処理室に搬入した状態で判断可能であるので、より正確に排気管の圧力を検出することができる。したがって、目詰まりの状況を正確に把握でき、その結果不良基板を少なくすることができる。
【0122】
ここで、比較例として縦型装置について説明する。縦型装置は、本態様の装置に比べて１サイクルの時間が長く、更には一括で複数の基板を処理するため、ＡＰＣを用いて処理時間が長くなったとしても、生産性を著しく下げることがない。したがって、縦型装置では、ＡＰＣを固定することはない。
【0123】
また、縦型装置の場合、処理室の容積が大きいことから、処理室の雰囲気をすばやくパージするために、例えば排気管の径を１００ｍｍ程度の大きさとしている。そのため、本態様と異なり排気管の圧力を正確に検出することが難しく、ＡＰＣを用いて圧力を調整せざるを得ない。
【0124】
このような状況であることから縦型装置の構成では、本態様を実現することは困難である。
【0125】
＜他の実施形態＞
以上、本開示の第一実施形態、第二実施形態を説明したが、本開示は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以上、本開示の第一実施形態、第二実施形態を説明したが、本開示は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【0126】
上述の各実施形態では、原料ガスと反応ガスを交互に供給して成膜する方法について記したが、原料ガスと反応ガスの気相反応量や副生成物の発生量が許容範囲内であれば、他の方法にも適用可能である。例えば、原料ガスと反応ガスの供給タイミングが重なるような方法である。
【0127】
また、上述の各実施形態では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして酸素含有ガスを用いて、シリコン酸化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＳｉＮ膜、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜等が有る。これらの膜を成膜するために使われる原料ガスと反応ガスそれぞれのガス特性（吸着性、脱離性、蒸気圧など）を比較して、供給位置や処理室内の構造を適宜変更することにより、同様の効果を得ることができる。
【0128】
また、上述の各実施形態では、不活性ガスとしてＮ２ガスを例に説明したが、処理ガスと反応しないガスであれば、それに限るものではない。例えば、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。
【0129】
また、上述の各実施形態では、各部品の稼働を停止すると説明したが、これは部品全体の稼働が停止することに限らない。例えば、ガス供給の稼働を停止するとの説明は、処理室３０１にガスを供給しないことを意味するものである。
【0130】
また、上述の各実施形態では、圧力差について、同等、実施的に同じ等の表現を用いているが、それぞれの圧力値が全く同じ場合に限られないことは言うまでもない。例えば基板処理の品質を維持できる程度に実質等しい状態も当然に含む。
【0131】
また、上述の各実施形態では、二つの圧力検出部を用いる例について説明したが、それに限るものではなく、一つの圧力検出部を用いてもよい。この場合、共通ガス排気管２２５に設けても良い。このようにすることで、少ない部品点数であっても、排気管の閉塞状況を判断することができる。例えば、所定時間内に目標圧力に到達するか否かを判定し、もし目標圧力に到達しない場合は、処理室排気管のいずれか、もしくは共通ガス排気管２２５で閉塞を起こすと判断する。
【符号の説明】
【0132】
１００・・・チャンバ
１１０・・・プロセスモジュール
２００・・・基板
２２４、２２６・・・処理室排気管
２２７・・・圧力検出部
３０１・・・処理室
３０２・・・処理容器
３０５・・・処理空間
１１０・・・プロセスモジュール
２００・・・基板
２２４、２２６・・・処理室排気管
２２７・・・圧力検出部
３０１・・・処理室
３０２・・・処理容器
３０５・・・処理空間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
